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陶瓷衰減型激光能量計的制作方法

文檔序號:6134949閱讀:786來源:國知局
專利名稱:陶瓷衰減型激光能量計的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及高能量密度(強破壞力)能量計或高峰值功率測量儀器領(lǐng)域。
強激光能量計和高峰值功率計,是指能承受強激光或高峰值激光束輻射,產(chǎn)生對應(yīng)強弱輻射信號的儀器。在制造這種儀器時采用的熱釋電和硅光電管器件(它們適應(yīng)的波長分別為0.19-25μm和0.25-1.06μm)可以測量激光束能量和峰值功率,但它們承受的能量密度極低。在紫銅片上鍍鉻黑,在其背面貼附聚二氟乙烯做成熱釋電能量計是目前承受能力最高的熱釋電能量計,但在300mJ準(zhǔn)分子激光束下,黑層均遭破壞。另一種陶瓷衰減硅光電管功率計僅用功率測量,且雜散輻射極強,對安全防護不利。以上兩種儀器是目前承受能力最高的儀器,對于高峰值功率的測量需要尋找適用性更好的儀器。
本實用新型的目的是提供新的能量接收面材料,使高峰值功率計和高能量密度的能量計提高測量上限。
氧化鋁等陶瓷片是目前破壞域值極高的常規(guī)材料。對0.5mm厚的陶瓷片在0.19-25μm波長范圍內(nèi)均有百分之十幾的透過比。如上述結(jié)構(gòu)熱釋電能量計前加陶瓷片,就能大幅度提高承受能力,從而解決了化學(xué)動量極高的準(zhǔn)分子大能量脈沖激光器能量和峰值功率的測量,也解決了其他ns級窄脈寬極高峰值功率和能量測量問題。同樣,將上述的陶瓷衰減硅光電管功率計改為加紫硅光電管,并改造探頭結(jié)構(gòu),消除了強雜散反射的危害,也可解決化學(xué)動量極高的準(zhǔn)分子大能量脈沖激光器能量和峰值功率測量,同時也解決了ns級窄脈寬其他極高峰值功率和能量測量的問題。
由此導(dǎo)出的本實用新型技術(shù)方案如下根據(jù)需要,用一定厚度的陶瓷片(如0.5mm厚的Al2O3)衰減激光能量,調(diào)節(jié)所需透過比,滿足探頭接受量,就可達到擴大能量和峰值功率測量的上限。即在陶瓷片后置熱釋電或硅光電管、光電管、光電池、熱電堆作為探測元件,在陶瓷片前加消光筒,消除雜散反射、消光筒內(nèi)壁為吸收黑,且有消光螺紋(也可用一系列光欄環(huán)替代消光螺紋),消光筒可用紫銅或鋁材加工后發(fā)黑做成。
本實用新型具有下述特點1)由于應(yīng)用了陶瓷片的衰減作用,可提高儀器對強激光能量和高峰值功率的測量能力。
2)激光束經(jīng)陶瓷片透射后為漫射光不會造成因探測器接收面積小而出現(xiàn)不可修正的非線性影響,因此可做成大面積接收器。
3)消光筒能消除強烈的雜散光危害,使用時安全可靠。
本裝置也可作為峰值功率計使用,則其承受的峰值功率比現(xiàn)行一般結(jié)構(gòu)的峰值功率計要高。
本實用新型附

圖1為陶瓷衰減熱釋電型功率能量計結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖2為陶瓷衰減硅光電管能量峰值功率計示意圖。圖中1為激光束,2為消光器(筒),3為陶瓷衰減,4為鍍黑鉻銅片,5為聚二氟乙烯熱釋電薄膜,6為信號引線,7為消光螺紋,8為硅光電管或加紫硅光電管。
本實用新型的實施例如下激光能量計探頭的組成是在紫銅薄片上鍍有一層鉻黑,在鉻黑層外設(shè)置一片或多片陶瓷片,如多片陶瓷片可直接疊加,也可以每片之間具有間隔。陶瓷片可用耐高溫金屬氧化物制成,如氧化鋁、氧化鋯、氧化鈹、氧化釷、導(dǎo)電陶瓷等。在紫銅片的另一面緊貼一層聚二氟乙烯熱釋電塑料膜,在該探頭前面有一消光筒,該消光筒是由紫銅制成內(nèi)層鍍鉻黑或鍍鋅純化發(fā)黑等,內(nèi)層具有消光螺紋或一系列光欄環(huán)。
如在熱釋電薄膜后面再加同樣規(guī)格的陶瓷材料,其上面鍍電加熱絲或貼附、夾附加熱片,或?qū)щ娞沾芍苯与娂訜?,即可成為自校?zhǔn)絕對型能量計。
權(quán)利要求1.陶瓷衰減型激光能量計,具有激光探測元件,其特征為在探測元件前有一片或多片陶瓷衰減片,在陶瓷衰減片前有一個消光筒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷衰減型激光能量計,其特征為消光筒由紫銅或鋁制成,內(nèi)壁具有消光螺紋或一系列光欄環(huán),在其內(nèi)表面有一層鍍黑層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷衰減型激光能量計,其特征為陶瓷片由耐高溫金屬氧化物制成。
專利摘要本實用新型涉及強激光能量測量和高峰值功率測量領(lǐng)域。現(xiàn)有熱釋電、熱電、光電探測器能承受的激光能量密度極低,本實用新型用陶瓷片作接收面材料,并在接收面前設(shè)置一個消光筒。這種結(jié)構(gòu)能測強激光能量或高峰值功率,并消除了雜散反射光對人體的危害。
文檔編號G01J1/42GK2290040SQ9721512
公開日1998年9月2日 申請日期1997年4月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月29日
發(fā)明者王慰平 申請人:王慰平
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