專(zhuān)利名稱(chēng)：導(dǎo)電接觸器用的支座及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于導(dǎo)電單元的支座及制造這種支座的方法，它適于通過(guò)使用螺旋壓簧彈性推動(dòng)導(dǎo)電的針部件來(lái)測(cè)試印刷電路板、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體晶片。
當(dāng)在電絕緣的塑料板件中鉆孔以制造導(dǎo)電接觸單元組件的支座時(shí)，對(duì)每個(gè)孔給出有大直徑的第一部分和有小直徑的第二部分，從而可以根據(jù)需要限定導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。然而，如鉆孔等機(jī)械加不適合于精確控制每個(gè)孔中兩部分長(zhǎng)度的分布。所以，在導(dǎo)電接觸單元組件有特別大量接觸單元供測(cè)試半導(dǎo)體晶片的情況中，每個(gè)導(dǎo)電的針部件伸出長(zhǎng)度的起伏是不可避免的，因此要實(shí)現(xiàn)所有導(dǎo)電的針部件的均一和穩(wěn)定接觸是存在一些困難的。
再有，對(duì)于能在高溫環(huán)境下操作的半導(dǎo)體器件的需求一直在增長(zhǎng)，因而往往需要在高溫環(huán)境中對(duì)大半導(dǎo)體晶片(例如直徑200mm)進(jìn)行測(cè)試。所以，也要求測(cè)量這種半導(dǎo)體晶片的多個(gè)點(diǎn)的導(dǎo)電接觸單元組件具有與之相應(yīng)的對(duì)熱及熱膨脹的抵御水平。然而，具有與之相應(yīng)的對(duì)熱的抵御水平和小的熱膨脹系數(shù)的材料比較難于加工，這勢(shì)必降低生產(chǎn)效率。
發(fā)明概要為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，本發(fā)明提供一種導(dǎo)電接觸單元用的支座，用于沿軸向可滑動(dòng)地支撐一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于接觸一對(duì)象的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分以允許頭部伸出支座，其特征在于該支座包括第一硅層，其上形成有小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；第二硅層，其上形成有大孔，用于收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；氧化硅膜，置于兩個(gè)硅層之間并有一個(gè)直徑與小孔相同并與其共軸的連通孔，以及在小孔、大孔和連通孔的內(nèi)周表面上形成的絕緣膜；通過(guò)直徑被加大的部分與氧化硅膜的靠緊限定針部件頭的伸出長(zhǎng)度。
這樣，通過(guò)在第一和第二硅層之間插入厚度為1μm量級(jí)的氧化硅膜，從而形成有三層結(jié)構(gòu)的硅晶片，通過(guò)使用這種硅晶片，可在第一硅層中形成用于共軸和可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部，該小孔是在不影響氧化硅膜的條件下由等離子體蝕刻形成的，并可類(lèi)似地在第二硅層中形成大孔供收容直徑被加大的的部分和螺旋壓簧。還有，可在不影響硅層的條件下由等離子體蝕刻在氧化硅膜中形成與小孔共軸并與小孔直徑相同的連通孔。氧化硅膜通過(guò)與針部件的直徑被加大的的部分靠近，可用作為阻止物。所以，通過(guò)研磨或其他方法對(duì)第一硅層表面拋光，可以以高精度限定導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。
還可通過(guò)提供一導(dǎo)電接觸單元支座用于沿軸向可滑動(dòng)地支撐一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，來(lái)以高精度限定導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于與一對(duì)象接觸的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分以允許頭部伸出支座，其特征在于該支座包括一個(gè)硅氧化層，其上形成有小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；一個(gè)硅層，其上形成有大孔，用于收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；以及在大孔內(nèi)周表面上形成的絕緣膜；通過(guò)直徑被加大的部分與氧化硅層的靠緊限定針部件頭的伸出長(zhǎng)度。
如果由氧化硅膜來(lái)形成絕緣膜，則可通過(guò)在有氧氣的情況下形成氧化硅膜容易地在兩個(gè)硅層的孔的內(nèi)周表面上形成絕緣膜。
如果直徑被加大的部分包括一徑向凸緣部分和一柱狀部分，且其柱狀部分從與頭部相對(duì)的徑向凸緣部分中伸出，大孔的尺寸使得當(dāng)螺旋壓簧在壓縮形變作用下彎曲時(shí)柱狀部分與螺旋壓簧接觸，并且需要在導(dǎo)電的針部件的頭部和螺旋壓簧之間交換的電信號(hào)能沿著柱狀部分沿軸向流到柱狀部分和螺旋壓簧之間的接觸點(diǎn)，這對(duì)減小電阻和電容有貢獻(xiàn)，因?yàn)殡娏鞑恍枰刂菪窂酵ㄟ^(guò)螺旋壓簧。
本發(fā)明還提供一種制造導(dǎo)電接觸單元用的支座的方法，該支座用于沿軸向可滑動(dòng)地引導(dǎo)一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于接觸一對(duì)象的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分，以允許頭部伸出支座，其特征在于如下步驟準(zhǔn)備一個(gè)硅晶片，它有層疊結(jié)構(gòu)，包括第一硅層、第二硅層以及置于這兩個(gè)硅層之間的氧化硅膜；在第一硅層中形成一個(gè)小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；在第二硅層中形成一個(gè)大孔，以收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；在氧化硅膜中形成一個(gè)與小孔共軸且直徑與小孔相同的連通孔；以及在大孔、小孔和連通孔的內(nèi)周表面上形成絕緣膜。
這樣，通過(guò)使用具有層疊結(jié)構(gòu)并包括第一硅層、第二硅層和置于這兩個(gè)硅層之間的氧化硅膜的硅晶片，并在氧化硅膜中形成連通孔，通過(guò)在大孔中收容的直徑被加大的部分與氧化硅膜靠緊，能以高精度限定導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。
通過(guò)在基本上不影響氧化硅膜的條件下進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)在硅層中形成孔，能以與等離子體蝕刻掩模精度水平相當(dāng)?shù)母呔冗M(jìn)行成孔加工。再有，當(dāng)多個(gè)這種導(dǎo)電接觸單元彼此平行排列時(shí)，因?yàn)榭椎纳疃扔裳趸枘た刂?，所以能以微米量?jí)的高精度控制兩孔的間距、每個(gè)孔的直徑和深度。
通過(guò)在基本上不影響硅層的條件下進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)形成連通孔，能容易地以高精度在氧化硅膜中形成連通孔。
通過(guò)從小孔一側(cè)進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)形成連通孔，能以高精度形成其直徑與小孔相同的連通孔。
在下文中將參考附圖描述本發(fā)明的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。
最佳實(shí)施例詳述現(xiàn)在，在下文中參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的導(dǎo)電接觸單元1的示意垂直截面圖。通常，有大量這種導(dǎo)電接觸單元一個(gè)接一個(gè)地排列，以能同時(shí)測(cè)量待測(cè)試對(duì)象的大量點(diǎn)。
在這個(gè)導(dǎo)電接觸單元1中，如圖中所見(jiàn)，電路板2(如一個(gè)老化板)提供在較低部分中，而電路板2的上表面具有電路圖形2a，它限定了電路板2的上表面。如圖所見(jiàn)，用作實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的支座的板狀件3整體地置于電路板2的上表面。板狀件3可借助固定手段(如螺栓)(圖中未畫(huà)出)連結(jié)到電路板2。
板狀件3包括第一硅層4、氧化硅膜5和第二硅層6，它們彼此層疊。在第一硅層4和氧化硅膜5中形成穿過(guò)這兩層厚度的小孔7，在第二硅層中形成穿過(guò)第二硅層6的厚度并與小孔7共軸的大孔8。大孔8直接面對(duì)電路圖形2a。小孔7和大孔8的內(nèi)周表面由絕緣層12覆蓋。
小孔7共軸地、沿軸向可滑動(dòng)地支撐導(dǎo)電的針部件9的頭部9a，大孔8共軸地接納導(dǎo)電的針部件9的徑向凸緣部分9b，它比頭部9a要大。大孔8共軸地接納一螺旋壓簧10，壓簧的直徑略小于大孔8的內(nèi)徑并在徑向凸緣部分9b和電路圖形2a之間被壓縮到預(yù)定程度，從而使導(dǎo)電接觸單元9的頭部9a彈性地向外伸出。導(dǎo)電的針部件9具有主體部分9c和直徑略小于主體部分9c的柱狀部分9d，它從徑向凸緣部分9b向與頭部9a相對(duì)的方向伸出，并共軸延伸到螺旋壓簧10中。
如上述組裝的導(dǎo)電接觸單元1可用于通過(guò)電接觸測(cè)試半導(dǎo)體器件。當(dāng)測(cè)試一個(gè)待測(cè)試對(duì)象11時(shí)，導(dǎo)電的針部件9的頭部9a的指向端被帶到與待測(cè)試對(duì)象11的端子11a接觸，如圖1中的虛線所示，于是與電路板2(電路圖形2a)交換電信號(hào)。虛線指出即將接觸時(shí)導(dǎo)電接觸單元1的狀態(tài)，而當(dāng)測(cè)量實(shí)際發(fā)生時(shí)導(dǎo)電的針部件9將抵抗螺旋壓簧的彈簧力被推入大孔8中達(dá)到一定程度。
在根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電接觸單元1中，螺旋壓簧10多少被壓縮到它的組裝成的狀態(tài)(等待狀態(tài))，從而產(chǎn)生一定的預(yù)應(yīng)力，如圖1中所示。這預(yù)應(yīng)力使頭部9a的自由端位置穩(wěn)定。
在本發(fā)明的導(dǎo)電接觸單元1中，因?yàn)楫?dāng)螺旋壓簧10壓縮時(shí)彈簧10便彎曲，所以螺旋壓簧10的一部分內(nèi)周邊與柱狀部分9d接觸。在圖1中與柱狀部分9d的嚙合點(diǎn)和在等待狀態(tài)(被組裝成的狀態(tài))時(shí)與電路圖型2a接觸的螺旋端之間延伸的那部分螺旋壓簧10形成一個(gè)緊密纏繞段。
所以，當(dāng)與端子11a交換信號(hào)時(shí)，電信號(hào)沿著導(dǎo)電的針部件9流到柱狀部分9d和螺旋壓簧10之間的接觸點(diǎn)，然后沿著螺旋壓簧10流動(dòng)。然而，因?yàn)橹鶢畈糠?d與緊密纏繞段10a接觸。所以電信號(hào)沿著緊密纏繞段10a從柱狀部分9a流向電路圖形2a。因?yàn)殡娏髂茉谳S線方向沿直線流動(dòng)，而不是沿螺旋路徑流動(dòng)。所以能雙雙減小電阻和電感，特別是當(dāng)處理高頻信號(hào)時(shí)更是如此。
如圖中所示，當(dāng)端子11a有一平表面時(shí)，導(dǎo)電的針部件9的頭部9a的伸出端應(yīng)被弄尖，從而可以容易地戳穿端子11a的表面上可能存在任何薄膜。當(dāng)端子包括焊錫珠時(shí)，導(dǎo)電的針部件9的頭部9a的伸出端應(yīng)被弄平。
下面將參考圖2和圖3描述實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的板狀件制造方法。板狀件3可以包括SOI(絕緣體上的硅)，通過(guò)把第一硅層4、氧化硅膜5和第二硅層6層疊而成，如圖2(a)中所示。氧化硅膜的厚度為例如1μm量級(jí)。第一硅層4的厚度通過(guò)對(duì)其表面(圖中的上表面)研磨拋光得到高精度控制。
參考圖2(b)，具有開(kāi)口用于限定小孔7的圖形掩模M1置于第一硅層4的表面(圖中的上表面)，具有開(kāi)口用于限定大孔8的另一圖形掩模M2置于第二硅層6的表面(圖中的下表面)。然后，如圖中箭頭a和b所示，利用ASM(高級(jí)硅蝕刻)裝置，基于從上面和下面進(jìn)行等離子體蝕刻，形成小孔7和大孔8。等離子體蝕刻過(guò)程是在這樣的條件(環(huán)境和輸出)下進(jìn)行的，即氧化硅膜5基本上保持不受損傷。因?yàn)槊總€(gè)孔的深度由氧化硅膜5限定，所以即使在包括硅晶片的板狀件中形成大量孔而且從其中央部分到其邊緣部分每個(gè)孔的形成速度不同，也能以高精度給出具有相同深度的全部孔。
現(xiàn)在參考圖2(c)，其每個(gè)開(kāi)口的直徑與小孔7完全相同的第三掩模M3置于第一硅層4的上表面上，在與圖2(b)中所示孔形成過(guò)程不同的條件(環(huán)境和輸出)下從圖中箭頭C所示方向應(yīng)用等離子體蝕刻過(guò)程，從而去掉氧化硅層5上面對(duì)小孔7的部分。于是在氧化硅膜5中形成了與小孔7直徑相同的連通孔12，這使小孔7和大孔8彼此溝通。
然后，如圖3所示。在由小孔7、大孔8以及連通孔12限定的通過(guò)孔的內(nèi)表面上形成絕緣膜13。可以通過(guò)在氧氣環(huán)境中加熱該SOI晶片形成絕緣膜13，從而形成一個(gè)氧化硅膜。
這樣，在導(dǎo)電的針部件9的大孔8中收容的徑向凸緣部分9b在螺旋壓簧10的回彈推力的作用下彈性地推向氧化硅膜5，從而使徑向凸緣部分9b與氧化硅膜5的面向大孔8一側(cè)靠緊。這樣，由面向大孔8的那部分氧化硅膜5限定的肩用作為阻止物以限定導(dǎo)電的針部件的頭部9a的伸出長(zhǎng)度。
通過(guò)如上述那樣形成氧化硅膜5，能以微米量級(jí)的高精度控制小孔7的深度。通過(guò)研磨第一硅層4的表面(上表面)，能以高精度控制從氧化硅膜5到第一硅層表面(上表面)的厚度。結(jié)果，能以高精度控制頭部9a的伸出長(zhǎng)度(伸出長(zhǎng)度從圖1中的第一硅層4的上表面起測(cè))。
根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電接觸單元1適用于需要同時(shí)接觸大量端子以供測(cè)量的應(yīng)用。雖然圖1中只表示出一個(gè)導(dǎo)電接觸單元，但應(yīng)該理解，測(cè)試組件可以包括多個(gè)這種導(dǎo)電接觸單元，它們彼此平行地排列在板狀件3中。當(dāng)需要在其多個(gè)點(diǎn)上測(cè)試諸如硅晶片那樣大面積的對(duì)象(例如直徑有200mm)時(shí)，板狀件3應(yīng)有相應(yīng)的大面積。
當(dāng)使用這種有大面積的組件同時(shí)接觸多個(gè)點(diǎn)時(shí)，因?yàn)楸景l(fā)明允許各導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度高精度地均一，故在任何時(shí)候都能實(shí)現(xiàn)有利的接觸狀態(tài)。
在涉及高溫環(huán)境的測(cè)試中，例如對(duì)硅晶片進(jìn)行晶片級(jí)老化(WLBI)測(cè)試的情況，如果板狀件3有任何過(guò)分的熱膨脹，即使一個(gè)導(dǎo)電接觸單元與晶片上的相應(yīng)點(diǎn)匹配，但從該導(dǎo)電接觸單元移位的另一個(gè)導(dǎo)電接觸單元可能不會(huì)與晶片上的相應(yīng)點(diǎn)匹配。然而，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榘鍫罴?的構(gòu)成材料與硅晶片的材料相同，它們的熱膨脹沒(méi)有差別，所以可以避免這種位置移動(dòng)。
例如，在有大量點(diǎn)(例如22,400)要被接觸的8英寸硅晶片情況中，在板狀件3中心需形成同樣數(shù)量的孔。在本發(fā)明中使用的等離子體蝕刻適于同時(shí)形成大量的孔，而且能容易地適應(yīng)于大量生產(chǎn)。再有，因?yàn)榈入x子體蝕刻過(guò)程基本上能以蝕刻過(guò)程所用圖形掩模同樣的精度水平形成那些孔，而且氧化硅膜5能形成到1μm量級(jí)的厚度，所以能以微米量級(jí)的高精度控制那些孔的間距以及每個(gè)孔的直徑和深度。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)橛胁煌睆降膬蓚€(gè)孔截面之間限定的肩部是由氧化硅膜形成的，并用作限定導(dǎo)電的針部件伸出長(zhǎng)度的阻止物，所以通過(guò)適當(dāng)?shù)貟伖釹OI晶片的表面(第一硅層4的表面)能精確地控制從與氧化硅膜的界面到第一硅層表面測(cè)定的第一硅層的厚度。這一點(diǎn)與以1μm量級(jí)的厚度給出氧化硅膜這一事實(shí)一起，允許以高精度控制導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。再有，當(dāng)待測(cè)試對(duì)象包括硅晶片時(shí)，因?yàn)橹ё怯膳c待測(cè)試對(duì)象相同的材料制成，它們經(jīng)受基本相同的熱膨脹，所以當(dāng)同時(shí)接觸多個(gè)點(diǎn)時(shí)每個(gè)導(dǎo)電的針部件沒(méi)有位置移動(dòng)。
前面的描述涉及只具有一個(gè)可動(dòng)端的導(dǎo)電接觸單元，但本發(fā)明同樣適用于具有兩個(gè)可動(dòng)端的導(dǎo)電接觸單元，這樣的例子示于圖4。與先前實(shí)施例對(duì)應(yīng)的部件用與之相同的數(shù)字表示，不再重復(fù)描述這些部件。
在圖4所示實(shí)施例中，彼此對(duì)稱(chēng)地形成一對(duì)3層支座3，并使用粘合劑或類(lèi)似物將它們粘合在一起。在其大孔8中共軸地收容螺旋壓簧10。所示實(shí)施例的螺旋壓簧10包括一對(duì)稀疏纏繞段分別處在其兩個(gè)螺旋端，以及一個(gè)緊密纏繞段10a處在其中間部分。
一對(duì)導(dǎo)電的針部件9，每個(gè)與前一實(shí)施例中的導(dǎo)電的針部件類(lèi)似，置于螺旋壓簧10的兩個(gè)螺旋端，它們的伸出端彼此相背。每個(gè)導(dǎo)電的針部件9的柱狀部分9d與緊密纏繞段10a的內(nèi)周面接觸。
也是在這個(gè)導(dǎo)電接觸單元中，每個(gè)導(dǎo)電的針部件9的伸出長(zhǎng)度由徑向凸緣部分9b與氧化硅5之間在螺旋壓簧10的彈力作用下的對(duì)接嚙合限定。所以，能以與先前實(shí)施例中類(lèi)似的方式，以高精度控制具有兩個(gè)可動(dòng)端的導(dǎo)電接觸單元的每個(gè)導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。
下面參考圖5描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。與先前實(shí)施例對(duì)應(yīng)的部件用與之相同的數(shù)字表示，不再重復(fù)對(duì)這些部件的描述。
在圖5所示實(shí)施例中，圖1中的第一硅層5和氧化硅膜5用單一氧化硅層14代替。于是，可省去小孔7內(nèi)周表面上的絕緣膜，而且可在形成小孔7和形成小孔8這兩個(gè)步驟中完成形成孔的過(guò)程。這有助于簡(jiǎn)化制造過(guò)程。這一實(shí)施例還提供了與先前實(shí)施例類(lèi)似的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1．一種導(dǎo)電接觸單元用的支座，用于沿軸向可滑動(dòng)地支撐一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于接觸一對(duì)象的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分以允許頭部伸出支座，其特征在于該支座包括第一硅層，其上形成有小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；第二硅層，其上形成有大孔，用于收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；氧化硅膜，置于兩個(gè)硅層之間并有一直徑與小孔相同并與其共軸的連通孔，以及在小孔、大孔和連通孔的內(nèi)周表面上形成的絕緣膜；通過(guò)直徑被加大的部分與氧化硅膜的靠緊限定針部件頭的伸出長(zhǎng)度。
2．一種導(dǎo)電接觸單元用的支座，用于沿軸向可滑動(dòng)地支撐一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于與一對(duì)象接觸的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分以允許頭部伸出支座，其特征在于該支座包括一個(gè)硅氧化層，其上形成有小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；一個(gè)硅層，其上形成有大孔，用于收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；以及在大孔內(nèi)周表面上形成的絕緣膜；通過(guò)直徑被加大的部分與氧化硅層的靠緊限定針部件頭的伸出長(zhǎng)度。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2的用于導(dǎo)電接觸單元的支座，其中的絕緣膜是由氧化硅膜形成的。
4．根據(jù)權(quán)利要求1或2的用于導(dǎo)電接觸單元的支座，其中直徑被加大的部分包括一徑向凸緣部分，以及一柱狀部分從與頭部相對(duì)的徑向凸緣部分中伸出，大孔的尺寸使得當(dāng)螺旋壓簧在壓縮形變作用下彎曲時(shí)柱狀部分與螺旋壓簧接觸。
5．一種制造導(dǎo)電接觸單元用的支座的方法，該支座用于沿軸向可滑動(dòng)地引導(dǎo)一導(dǎo)電的針部件進(jìn)出該支座，該導(dǎo)電的針部件包括一個(gè)適于接觸一對(duì)象的頭部和一個(gè)在頭部共軸提供的其直徑大于頭部的直徑被加大的部分，在該支座中收容一個(gè)螺旋壓簧，用于沿一個(gè)方向彈性推動(dòng)直徑被加大的部分，以允許頭部伸出支座，其特征在于如下步驟準(zhǔn)備一個(gè)硅晶片，它有層疊結(jié)構(gòu)，包括第一硅層、第二硅層以及置于這兩個(gè)硅層之間的氧化硅膜；在第一硅層中形成一個(gè)小孔，用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)頭部；在第二硅層中形成一個(gè)大孔，以收容直徑被加大的部分和螺旋壓簧；在氧化硅膜中形成一個(gè)與小孔共軸且直徑與小孔相同的連通孔；以及在大孔、小孔和連通孔的內(nèi)周表面上形成絕緣膜。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的制造用于導(dǎo)電接觸單元的支座的方法，其中在硅層中的孔是由在基本上不影響氧化硅膜的條件下進(jìn)行的等離子體蝕刻形成的。
7．根據(jù)權(quán)利要求6的制造用于導(dǎo)電接觸單元的支座的方法，其中的連通孔是由在基本上不影響硅層的條件下進(jìn)行的等離子體蝕刻形成的。
8．根據(jù)權(quán)利要求7的制造用于導(dǎo)電接觸單元的支座的方法，其中形成連通孔的等離子體蝕刻是從小孔一側(cè)進(jìn)行的。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的用于導(dǎo)電接觸單元的支座使用有層疊結(jié)構(gòu)的硅晶片,其包括第一硅層、第二硅層和置于這兩個(gè)硅層之間的氧化硅膜。在第一硅層中形成一個(gè)小孔,用于同軸可滑動(dòng)地引導(dǎo)導(dǎo)電的針部件的頭部,在第二硅層中形成一個(gè)大孔,用于收容針部件的凸緣部分和螺旋壓簧,從而使氧化硅膜作為凸緣部件的止動(dòng)物。這樣,通過(guò)研磨對(duì)第一硅層表面拋光,能以高精度限定導(dǎo)電的針部件的伸出長(zhǎng)度。當(dāng)待測(cè)試對(duì)象包括硅晶片時(shí),因?yàn)橹ё闹圃觳牧吓c待測(cè)對(duì)象的材料相同,而且它們經(jīng)受基本上相同的熱膨脹,所以在同時(shí)接觸多個(gè)點(diǎn)時(shí)每個(gè)導(dǎo)電的針部件不會(huì)發(fā)生位置移動(dòng)。
文檔編號(hào)G01R3/00GK1312910SQ99809144
公開(kāi)日2001年9月12日 申請(qǐng)日期1999年7月23日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月30日
發(fā)明者工藤政美, 風(fēng)間俊男, 山田佳男, 渡邊和嗣 申請(qǐng)人:日本發(fā)條株式會(huì)社