過零檢測電路及功率因數(shù)校正電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及功率因數(shù)校正技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種過零檢測電路及功率 因數(shù)校正電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，對電網(wǎng)的品質(zhì)要求越來越高，該相應(yīng)地對電氣產(chǎn)品的功率因數(shù)提出了更 高的要求。功率因數(shù)校正通?？蒞分為有源功率因數(shù)校正（APFC)和無源功率因數(shù)校正 (PPFC)。有源功率因數(shù)校正通?？蒞采用臨界導(dǎo)通模式（CRM)和連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM)，并且 有源功率因數(shù)校正的控制方式通?？蒞包括峰值電流控制方式、固定導(dǎo)通時間方式、W及 固定頻率控制方式。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，對于小功率場合，諸如電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用中，經(jīng)常采用臨界導(dǎo)通模式。 如在圖1中所示，示出了現(xiàn)有技術(shù)中一種升壓型有源功率因數(shù)校正電路的示意圖，其中， DB1為全波整流橋，C1為第一電容，L1為升壓電感，Q1為控制開關(guān)，D1為二極管，C2為儲能 電容，U1為有源功率因數(shù)校正控制芯片，其操作于臨界導(dǎo)通模式下并且采用峰值電流控制 方式。為了簡化描述，在圖1中沒有示出U1的周邊元件。
[0004] 如圖2所示，示出了圖1所示的升壓型有源功率因數(shù)校正電路在控制開關(guān)Q1導(dǎo)通 時的示意圖，其中，用箭頭示出了電流方向，具體地，流過升壓電感L1的電流流過控制開關(guān) Q1，沒有電流流過二極管D1，在此階段中，升壓電感L1進行儲能（即充電)，并且流過升壓電 感L1的電流滿足W下公式：
【主權(quán)項】
1. 一種過零檢測電路，包括： 變壓器，其包括初級繞組和次級繞組，所述次級繞組的第二端接地； 限流電阻，其第一端與所述次級繞組的第一端連接； 電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與所述限流電阻的第二端連接；以及 偏置電阻，其第一端與所述限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源； 其中，在所述限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出 第一電壓；在所述限流電阻的第二端的電壓高于所述第一電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊 輸出第二電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的過零檢測電路，其中，所述初級繞組具有第一端和第二端，所述 初級繞組的第一端與所述次級繞組的第二端為同名端。
3. 如權(quán)利要求1所述的過零檢測電路，其中，所述初級繞組在充電時其第一端的電壓 高于其第二端的電壓，并且在放電時其第一端的電壓低于其第二端的電壓。
4. 如權(quán)利要求3所述的過零檢測電路，其中，所述第一電壓指示所述初級繞組的第一 端的電壓高于所述初級繞組的第二端的電壓，所述第二電壓指示所述初級繞組的第一端的 電壓低于所述初級繞組的第二端的電壓。
5. 如權(quán)利要求1所述的過零檢測電路，其中，所述限流電阻的第二端的電壓VC滿足：
其中，VCC為所述偏置電壓源提供的偏置電壓，Rl為所述偏置電阻的電阻值，R2為所述 限流電阻的電阻值，VA為所述次級繞組的第一端的電壓。
6. 如權(quán)利要求6所述的過零檢測電路，其中，所述第一電壓閾值為小于或等于
的正電壓閾值。
7. 如權(quán)利要求1所述的過零檢測電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊包括電壓比較器， 所述電壓比較器的同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的非同向 輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為低電平，所述第二電壓為高電平；或者 所述電壓比較器的非同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的同向 輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為高電平，所述第二電壓為低電平。
8. -種功率因數(shù)校正電路，包括： 變壓器，其包括初級繞組和次級繞組，所述次級繞組的第二端接地； 限流電阻，其第一端與所述次級繞組的第一端連接； 電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與所述限流電阻的第二端連接； 控制開關(guān)，其第一端與所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接，其第二端與所述初級繞組的 第二端連接，其第三端接地；以及 偏置電阻，其第一端與所述限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源； 其中，在所述限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸 出端輸出第一電壓，以導(dǎo)通所述控制開關(guān)；在所述限流電阻的第二端的電壓高于所述第一 電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端輸出第二電壓，以斷開所述控制開關(guān)。
9. 如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述初級繞組具有第一端和第二端， 所述初級繞組的第一端與所述次級繞組的第二端為同名端。
10. 如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述初級繞組在充電時其第一端的 電壓高于其第二端的電壓，并且在放電時其第一端的電壓低于其第二端的電壓。
11. 如權(quán)利要求10所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述第一電壓指示所述初級繞組 的第一端的電壓高于所述初級繞組的第二端的電壓，所述第二電壓指示所述初級繞組的第 一端的電壓低于所述初級繞組的第二端的電壓。
12. 如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述限流電阻的第二端的電壓VC滿 足：
其中，VCC為所述偏置電壓源提供的偏置電壓，Rl為所述偏置電阻的電阻值，R2為所述 限流電阻的電阻值，VA為所述次級繞組的第一端的電壓。
13. 如權(quán)利要求6所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述第一電壓閾值為小于或等于
?的正電壓閾值。
14. 如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊包括電壓比較 器， 所述電壓比較器的同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的非同向 輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為低電平，所述第二電壓為高電平，所述控制 開關(guān)為PMOS管；或者 所述電壓比較器的非同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的同向 輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為高電平，所述第二電壓為低電平，所述控制 開關(guān)為NMOS管。
15. 如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊為操作于臨界導(dǎo) 通模式的并且使用峰值電流控制方式的有源功率因數(shù)校正集成芯片。
【專利摘要】提供了一種過零檢測電路及功率因數(shù)校正電路。所述過零檢測電路包括：變壓器，其包括初級繞組和次級繞組，次級繞組的第二端接地；限流電阻，其第一端與次級繞組的第一端連接；電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與限流電阻的第二端連接；以及偏置電阻，其第一端與限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源。所述功率因數(shù)校正電路包括：所述過零檢測電路；以及控制開關(guān)，其第一端與電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接，其第二端與初級繞組的第二端連接，其第三端接地；其中，限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第一電壓以導(dǎo)通控制開關(guān)；在限流電阻的第二端的電壓高于第一電壓閾值時，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第二電壓以斷開控制開關(guān)。
【IPC分類】H02M1-42, G01R19-175
【公開號】CN104749426
【申請?zhí)枴緾N201310730851
【發(fā)明人】李志峰, 余世偉
【申請人】歐普照明股份有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月26日