晶粒檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種晶粒檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知掃瞄晶粒的方式是于具多個(gè)晶粒的晶片上方以鏡頭掃描。鏡頭會(huì)先于每?jī)上噜彽木ЯＥ臄z重疊的影像，以定位每一晶粒的位置，并根據(jù)晶粒的位置建構(gòu)掃描路徑圖。其中，影像重疊的比例最少需要一個(gè)晶粒的大小，才能確保檢測(cè)結(jié)果不會(huì)受到晶粒間距離的公差所影響。
[0003]接著，鏡頭才依據(jù)掃描路徑圖的路徑掃描晶粒。針對(duì)較小吋的晶片而言，由于晶粒數(shù)量不多，因此在每?jī)上噜彽木ЯＥ臄z重疊的影像并不會(huì)耗費(fèi)過(guò)多的時(shí)間。然而近年來(lái)因半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，使得晶片的尺寸不斷提升。當(dāng)晶片的尺寸越大時(shí)，晶粒數(shù)量越多，導(dǎo)致鏡頭掃描重疊影像的數(shù)量變多，且鏡頭的單一視野所取得的有效晶粒數(shù)需要扣除重復(fù)影像所取得的晶粒數(shù)，因此需要更多的時(shí)間取像。如此一來(lái)，已知掃瞄晶粒的方式便會(huì)大幅增加晶粒檢測(cè)的時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一目的為提供一種晶粒檢測(cè)方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種晶粒檢測(cè)方法包含下列步驟:使用可調(diào)倍率的感光裝置以第一視野掃描晶片的多個(gè)晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光裝置具有第一倍率與大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一視野，第二倍率具有小于第一視野的第二視野。補(bǔ)償至少一虛擬晶粒于晶粒間的至少一空缺位置。根據(jù)第二視野的大小計(jì)算其容納晶粒的最大晶粒數(shù)。根據(jù)最大晶粒數(shù)與晶粒的位置指定部分晶粒為多個(gè)定位晶粒。根據(jù)定位晶粒的位置與第二視野的中心點(diǎn)位置推算出多個(gè)取像位置。調(diào)整感光裝置的第一倍率至第二倍率。移動(dòng)感光裝置以第二視野沿取像位置檢測(cè)晶粒。
[0006]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶粒檢測(cè)方法還包含:記錄取像位置，以得到感光裝置的掃瞄路徑。
[0007]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶粒檢測(cè)方法還包含:根據(jù)掃瞄路徑移動(dòng)感光裝置以第二視野檢測(cè)晶粒。
[0008]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶粒檢測(cè)方法還包含:根據(jù)晶粒的位置，形成晶粒位置圖。
[0009]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶粒檢測(cè)方法還包含:補(bǔ)償虛擬晶粒于晶粒位置圖中的空缺位置。
[0010]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶粒檢測(cè)方法還包含:根據(jù)與空缺位置相鄰的晶粒的位置以內(nèi)插法計(jì)算出虛擬晶粒的位置。
[0011 ] 在本發(fā)明一實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙曇爸械木Я５呐帕蟹绞綖槠鏀?shù)行X奇數(shù)列時(shí)，第二視野中的取像位置為第二視野中的定位晶粒的位置。
[0012]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙曇爸械木Я５呐帕蟹绞綖榕紨?shù)行X奇數(shù)列時(shí)，第二視野中的取像位置為第二視野中的定位晶粒向下移動(dòng)半顆晶粒的位置。
[0013]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙曇爸械木Я５呐帕蟹绞綖榕紨?shù)行X偶數(shù)列時(shí)，第二視野中的取像位置為第二視野中的定位晶粒向右下移動(dòng)半顆晶粒的位置。
[0014]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙曇爸械木Я５呐帕蟹绞綖槠鏀?shù)行X偶數(shù)列時(shí)，第二視野中的取像位置為第二視野中的定位晶粒向右移動(dòng)半顆晶粒的位置。
[0015]在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，晶粒檢測(cè)方法可先透過(guò)感光裝置以第一倍率掃描晶片的晶粒，而定位出晶粒的位置，進(jìn)而補(bǔ)償虛擬晶粒于空缺位置，使晶片的座標(biāo)完整化。第二視野可容納的最大晶粒數(shù)便可透過(guò)計(jì)算得出。接著，可根據(jù)第二視野可容納的最大晶粒數(shù)與晶粒的位置指定部分晶粒為定位晶粒。定位晶粒與第二視野的中心點(diǎn)位置可推算出取像位置。這些取像位置可被記錄而得到感光裝置的掃瞄路徑。如此一來(lái)，感光裝置便能以第二倍率沿取像位置檢測(cè)晶粒。也就是說(shuō)，晶粒檢測(cè)方法可先規(guī)劃好感光裝置預(yù)計(jì)的掃瞄路徑，減少感光裝置多余的取像與移動(dòng)的動(dòng)作，進(jìn)而縮短在大尺寸晶片的檢測(cè)時(shí)間。此外，共鏡組架構(gòu)下的感光裝置切換不同倍率會(huì)有不同的視野，第一倍率具有第一視野，第二倍率具有第二視野。當(dāng)?shù)诙堵蚀笥诘谝槐堵蕰r(shí)，第二視野會(huì)小于第一視野，但第一視野與第二視野在空間中的座標(biāo)是相同的，本發(fā)明的晶粒檢測(cè)方法利用大的第一視野掃描晶片以定位晶粒的位置，再以小的第二視野進(jìn)行晶粒的檢測(cè)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶粒檢測(cè)方法的流程圖；
[0017]圖2繪示繪示圖1的感光裝置檢測(cè)晶片時(shí)的側(cè)視圖；
[0018]圖3繪示圖2的晶片的俯視圖；
[0019]圖4繪示圖3的虛擬晶粒與其鄰近晶粒的局部放大圖；
[0020]圖5繪示圖3的第二視野中的晶粒的局部放大圖；
[0021]圖6繪示圖3的另一實(shí)施方式；
[0022]圖7繪示圖3的又一實(shí)施方式；
[0023]圖8繪示圖3的再一實(shí)施方式。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見(jiàn)，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化附圖起見(jiàn)，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。
[0025]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶粒檢測(cè)方法的流程圖。首先在步驟SI中，使用可調(diào)倍率的感光裝置以第一視野掃描晶片的多個(gè)晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光裝置具有第一倍率與大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一視野，第二倍率具有小于第一視野的第二視野。接著在步驟S2中，補(bǔ)償至少一虛擬晶粒于晶粒間的至少一空缺位置。之后在步驟S3中，根據(jù)第二視野的大小計(jì)算其容納晶粒的最大晶粒數(shù)。接著在步驟S4中，根據(jù)最大晶粒數(shù)與晶粒的位置指定部分晶粒為多個(gè)定位晶粒。之后在步驟S5中，根據(jù)定位晶粒的位置與第二視野的中心點(diǎn)位置推算出多個(gè)取像位置。接著在步驟S6中，調(diào)整感光裝置的第一倍率至第二倍率。最后在步驟S7中，移動(dòng)感光裝置以第二視野沿取像位置檢測(cè)晶粒。
[0026]在以下敘述中，將具體說(shuō)明上述各步驟。
[0027]圖2繪示繪示圖1的感光裝置210檢測(cè)晶片100時(shí)的側(cè)視圖。圖3繪示圖2的晶片100的俯視圖。同時(shí)參閱圖2與圖3，晶片100位于承載座220上，感光裝置210可移動(dòng)地位于承載座220上方，用以檢測(cè)晶片100的多個(gè)晶粒112、112a。其中晶粒112a為定位晶粒，將于圖5敘述。感光裝置210具有倍率調(diào)整模塊212，感光裝置210可通過(guò)倍率調(diào)整模塊212調(diào)整為第一倍率或第二倍率。第二倍率大于第一倍率，且第一倍率具有第一視野Rl，第二倍率具有小于第一視野Rl的第二視野R2。在圖1步驟SI中，感光裝置210以第一倍率的第一視野Rl掃描晶片100的晶粒112、112a，而定位出晶粒112、112a的位置(座標(biāo))。如此一來(lái)，便根據(jù)晶粒112、112a的位置，形成晶粒位置圖120。
[0028]晶粒112之間、晶粒112、112a之間或晶粒112a之間均可能會(huì)形成晶片100的空洞區(qū)或破裂區(qū)，例如空缺位置P1。為了后續(xù)檢測(cè)晶粒112、112a的方便，避免漏檢，在圖1步驟S2中，補(bǔ)償虛擬晶粒114于空缺位置P1，而定位出虛擬晶粒114的位置(座標(biāo))。也就是說(shuō)，在晶粒位置圖120中的空缺位置Pl補(bǔ)償虛擬晶粒114，使晶片100的座標(biāo)完整化。其中，虛擬晶粒114與空缺位置Pl的數(shù)量并不用以限制本發(fā)明。
[0029]圖4繪示圖3的虛擬晶粒114與其鄰近晶粒112、112a的局部放大圖。同時(shí)參閱圖3與圖4，虛擬晶粒114的位置是根據(jù)與空缺位置Pl相鄰的晶粒112、112a的位置以內(nèi)插法計(jì)算出。在本實(shí)施方式中，空缺位置Pl的X座標(biāo)可由式子[(Xl+x2)/2+(X3+X4)/2]/2計(jì)算得出，而空缺位置Pl的y座標(biāo)可由式子計(jì)算得出。如此一來(lái),虛擬晶粒114的位置便能以空缺位置Pl的座標(biāo)表示。
[0030]圖5繪示圖3的第二視野R2中的晶粒112、112a的局部放大圖。同時(shí)參閱圖3與圖5，當(dāng)補(bǔ)償虛擬晶粒114于空缺位置Pl后，在圖1步驟S3中，可根據(jù)第二視野R2的大小計(jì)算其容納晶粒112、112a的最大晶粒數(shù)。在本實(shí)施方式中，第二視野R2可容納的最大晶粒數(shù)為3，但并不用以限制本發(fā)明。
[0031]待得知第二視野R2可容納的最大晶粒數(shù)后，在圖1步驟S4中，可根據(jù)最大晶粒數(shù)與晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a為多個(gè)定位晶粒，而得到如圖3的晶粒112、112a分布。也就是說(shuō)，斜線圖案的晶粒112a為定位晶粒。接著在圖1步驟S5