且易于理解。該方法組可以以不同序列順序執(zhí)行，其中一些步驟是同時(shí)的，等。就此而言，圖3內(nèi)提出的提出的示例性方法及其中的步驟不需要是對(duì)本發(fā)明的特定限制。
[0039]方法200包括提供在外殼20內(nèi)沿縱向延伸的中心結(jié)構(gòu)40的步驟210。具體而言，如上文關(guān)于圖2所述，中心結(jié)構(gòu)40在外殼20的內(nèi)部容積24內(nèi)沿縱向延伸。在一個(gè)實(shí)例中，中心結(jié)構(gòu)40與外殼20大致同軸，但在其它實(shí)例中，中心結(jié)構(gòu)40可偏離外殼20的中心軸線。
[0040]方法200包括將中心結(jié)構(gòu)40保持在第一電壓下的步驟220。具體而言，中心結(jié)構(gòu)40由第二連接器件106電連接于電源102。中心結(jié)構(gòu)40因此將保持在第一電壓下，使得中心結(jié)構(gòu)40用作陽(yáng)極。
[0041]方法200還包括提供在中心結(jié)構(gòu)40與外殼20之間沿徑向延伸的絕緣部分60的步驟230，其中絕緣部分60沿縱向延伸經(jīng)過(guò)殼端部26。在一個(gè)實(shí)例中，絕緣部分60在中心結(jié)構(gòu)40的外表面44與外殼20的壁22之間沿徑向延伸。因此，絕緣部分60使中心結(jié)構(gòu)40與外殼20電絕緣。此外，絕緣部分60在第一絕緣端部66 (定位在內(nèi)部容積24內(nèi))與相對(duì)的第二絕緣端部68之間沿縱向延伸，第二絕緣端部68位于外殼20的外部處并且經(jīng)過(guò)殼端部26。
[0042]方法200包括提供圍繞絕緣部分60沿周向延伸的防護(hù)結(jié)構(gòu)80的步驟240。具體而言，防護(hù)結(jié)構(gòu)80與外絕緣表面64接觸，同時(shí)圍繞絕緣部分60延伸。防護(hù)結(jié)構(gòu)80可定位成相比于殼端部26更緊鄰結(jié)構(gòu)端部42。
[0043]方法200包括將防護(hù)結(jié)構(gòu)80保持在第二電壓下使得絕緣部分60上的泄漏電流由防護(hù)結(jié)構(gòu)80吸收和/或中斷的步驟250。具體而言，防護(hù)結(jié)構(gòu)80由第一連接器件104電連接于電源102。防護(hù)結(jié)構(gòu)80因此將保持在第二電壓下，其中防護(hù)結(jié)構(gòu)80與中心結(jié)構(gòu)40電絕緣。因此，絕緣部分60的外絕緣表面64上的泄漏電流將在泄漏電流到達(dá)中心結(jié)構(gòu)40之前由防護(hù)結(jié)構(gòu)80吸收和/或中斷，使得泄漏電流將不涉及中心結(jié)構(gòu)40。
[0044]如先前提到的，圖4為先前已知的中子探測(cè)器300的實(shí)例。作為比較，圖4的中子探測(cè)器300的外殼320、中心結(jié)構(gòu)340和絕緣部分360與參照?qǐng)D2描述的外殼20、中心結(jié)構(gòu)40和絕緣部分60大致相同。如將認(rèn)識(shí)到的，圖4的中子探測(cè)器300不包括如圖2中所示的防護(hù)結(jié)構(gòu)80。
[0045]在先前已知的探測(cè)器300的操作中，泄漏電流(即，并未源自中心結(jié)構(gòu)40上的自由電子的電流)可在第一方向380上沿絕緣部分360行進(jìn)(如圖4中的箭頭大體/示意性地所示)。沿第一方向380行進(jìn)的泄漏電流可到達(dá)中心結(jié)構(gòu)340的結(jié)構(gòu)端部342。該泄漏電流可通過(guò)生成錯(cuò)誤電流來(lái)不利地影響中子探測(cè)器300的測(cè)量能力。因此，具有防護(hù)結(jié)構(gòu)(例如，圖2的80)的根據(jù)本發(fā)明的中子探測(cè)器10可減少先前已知的中子探測(cè)器300的前述缺陷。
[0046]已經(jīng)參照上文所述的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明。他人在閱讀和理解本說(shuō)明書(shū)時(shí)將想到改型和變型。并入本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)方面的示例性實(shí)施例旨在在所有此類改型和變型落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的程度上包括所有此類改型和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于探測(cè)中子的中子探測(cè)器，所述中子探測(cè)器包括: 界定和密封內(nèi)部容積的外殼，所述外殼用作陰極； 在所述外殼內(nèi)沿縱向延伸的中心結(jié)構(gòu)，所述中心結(jié)構(gòu)用作陽(yáng)極并且保持在第一電壓下； 在所述中心結(jié)構(gòu)與所述外殼之間沿徑向延伸的絕緣部分，所述絕緣部分朝所述中心結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)端部沿縱向延伸經(jīng)過(guò)所述外殼的殼端部；以及 圍繞所述絕緣部分的外絕緣表面沿周向延伸的防護(hù)結(jié)構(gòu)，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)在所述殼端部與所述結(jié)構(gòu)端部之間定位在所述絕緣部分上，其中所述防護(hù)結(jié)構(gòu)保持在第二電壓下，使得所述絕緣部分的所述外絕緣表面上的泄漏電流由所述防護(hù)結(jié)構(gòu)吸收。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述中心結(jié)構(gòu)延伸超過(guò)所述外殼的所述殼端部，在所述外殼外，使得所述中心結(jié)構(gòu)的所述結(jié)構(gòu)端部與所述殼端部間隔開(kāi)一距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述絕緣部分圍繞所述中心結(jié)構(gòu)的外表面沿周向延伸，所述絕緣部分從所述外殼的內(nèi)部容積朝所述中心結(jié)構(gòu)的所述結(jié)構(gòu)端部沿縱向向外延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述絕緣部分與所述中心結(jié)構(gòu)電性隔咼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述第二電壓大致等同于所述第一電壓，使得所述絕緣部分和所述中心結(jié)構(gòu)保持在大致等同的電壓下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)包括傳導(dǎo)材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)與所述絕緣部分的所述外絕緣表面接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)定位成相比于所述外殼的所述殼端部更緊鄰所述中心結(jié)構(gòu)的所述結(jié)構(gòu)端部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)包括圓形截面形狀。
10.一種用于探測(cè)中子的中子探測(cè)器，所述中子探測(cè)器包括: 界定和密封內(nèi)部容積的外殼，所述外殼用作陰極； 在所述外殼內(nèi)沿縱向延伸的中心結(jié)構(gòu)，所述中心結(jié)構(gòu)用作陽(yáng)極并且保持在第一電壓下； 在所述中心結(jié)構(gòu)與所述外殼之間沿徑向延伸的絕緣部分，所述絕緣部分朝所述中心結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)端部沿縱向延伸經(jīng)過(guò)所述外殼的殼端部；以及 圍繞所述絕緣部分的外絕緣表面沿周向延伸的防護(hù)結(jié)構(gòu)，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)在所述殼端部與所述結(jié)構(gòu)端部之間定位在所述絕緣部分上，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)保持在與所述中心結(jié)構(gòu)大致等同的電壓下，其中所述防護(hù)結(jié)構(gòu)與所述中心結(jié)構(gòu)電性隔離，使得所述絕緣部分的所述外絕緣表面上的泄漏電流由所述防護(hù)結(jié)構(gòu)吸收。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述中心結(jié)構(gòu)延伸超過(guò)所述外殼的所述殼端部，在所述外殼外，使得所述中心結(jié)構(gòu)的所述結(jié)構(gòu)端部與所述殼端部間隔開(kāi)一距離。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述絕緣部分圍繞所述中心結(jié)構(gòu)的外表面沿周向延伸，所述絕緣部分從所述外殼的內(nèi)部容積朝所述中心結(jié)構(gòu)的所述結(jié)構(gòu)端部沿縱向向外延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)與所述絕緣部分的所述外絕緣表面接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述絕緣部分與所述中心結(jié)構(gòu)電性隔咼。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中子探測(cè)器，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)包括傳導(dǎo)材料。
16.一種利用中子探測(cè)器探測(cè)中子的方法，所述方法包括以下步驟: 提供在外殼內(nèi)沿縱向延伸的中心結(jié)構(gòu)； 將所述中心結(jié)構(gòu)保持在第一電壓下； 在所述中心結(jié)構(gòu)與所述外殼之間沿徑向提供絕緣部分，其中所述絕緣部分沿縱向延伸經(jīng)過(guò)所述外殼的殼端部； 提供圍繞所述絕緣部分沿周向延伸的防護(hù)結(jié)構(gòu)；以及 將所述防護(hù)結(jié)構(gòu)保持在第二電壓下，使得所述絕緣部分上的泄漏電流由所述防護(hù)結(jié)構(gòu)吸收。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二電壓大致等同于所述第一電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)與所述絕緣部分的外絕緣表面接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)具有圓形截面形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)結(jié)構(gòu)定位成相比于所述外殼的所述殼端部更接近所述中心結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)端部。
【專利摘要】一種用于探測(cè)中子的中子探測(cè)器包括界定和密封內(nèi)部容積的外殼。外殼用作陰極。中心結(jié)構(gòu)在外殼內(nèi)沿縱向延伸。中心結(jié)構(gòu)用作陽(yáng)極，并且保持在第一電壓下。中子探測(cè)器包括在中心結(jié)構(gòu)與外殼之間延伸并且朝中心結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)端部沿縱向延伸經(jīng)過(guò)外殼的殼端部的絕緣部分。防護(hù)結(jié)構(gòu)圍繞外絕緣表面沿周向延伸。防護(hù)結(jié)構(gòu)在殼端部與結(jié)構(gòu)端部之間定位在絕緣部分上。防護(hù)結(jié)構(gòu)保持在第二電壓下，使得外絕緣表面上的泄漏電流由防護(hù)結(jié)構(gòu)吸收。還提供了一種利用中子探測(cè)器探測(cè)中子的方法。
【IPC分類】H01J47-12, G01T3-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104838290
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380066142
【發(fā)明人】R.拉里克, M.伯恩斯
【申請(qǐng)人】通用電氣公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2013年11月19日
【公告號(hào)】US9128191, US20140166891, WO2014126622A1