空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體絕緣異常和質(zhì)量缺陷的檢驗(yàn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種檢驗(yàn)空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體絕緣和質(zhì)量的檢驗(yàn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]干式空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體為電磁線，電磁線異常主要為絕緣異常和質(zhì)量缺陷，電磁線生產(chǎn)過程中通過渦流探傷和在線耐壓對(duì)這兩種異常進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，但在實(shí)際裸線生產(chǎn)過程中渦流探傷只能檢測(cè)出細(xì)小的尖角或毛刺，在線耐壓持續(xù)時(shí)間為l_3s，部分絕緣異常缺陷也可能檢測(cè)不出來，當(dāng)有絕緣異常、導(dǎo)體質(zhì)量缺陷的電磁線用在電抗器上后，造成電抗器局部放電量增大，加速絕緣損壞過程，影響電抗器的絕緣壽命。故對(duì)空心電抗器進(jìn)行局部放電測(cè)量，可有效檢測(cè)出電磁線絕緣異常、導(dǎo)體質(zhì)量缺陷，保證電抗器的使用壽命，提升電抗器的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就是提供提供一種空心電抗器所用絕緣異常和質(zhì)量缺陷的檢驗(yàn)方法，其所米取的方法為:
該空心電抗器所用導(dǎo)體絕緣異常和質(zhì)量缺陷檢驗(yàn)方法的具體步驟如下:
(1)對(duì)兩膜電磁線和四膜電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量，取兩根平行放置的電磁線，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出兩膜在4KV時(shí)產(chǎn)生局放，四膜在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，即四膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值是兩膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值的兩倍；
(2)對(duì)四膜完好電磁線和四膜有導(dǎo)體質(zhì)量缺陷電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量，取兩根平行放置的電磁線，一根帶有絕緣異?；蛸|(zhì)量缺陷，一根正常，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根電磁線，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出完好電磁線在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，且局放值要比有缺陷電磁線局放值小10pc ；
(3)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為絕緣正常、質(zhì)量完好的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值U和局放值P ;
(4)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為待檢測(cè)的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值Ul和局方值P1，若Ul < U，則可判斷待檢測(cè)的電磁線有絕緣異常，若Ul=UdSPl > P，則可判斷待檢測(cè)的電磁線有質(zhì)量缺陷。
[0004]該方法采用的局部放電測(cè)量技術(shù)，對(duì)電抗器的局部放電進(jìn)行測(cè)量，可對(duì)電抗器內(nèi)包導(dǎo)體絕緣異常、導(dǎo)體質(zhì)量缺陷進(jìn)行有效鑒別，具有檢測(cè)步驟簡(jiǎn)單、檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確的特點(diǎn)，很好的保證電抗器的使用壽命，提升電抗器的質(zhì)量。
【具體實(shí)施方式】
[0005]該檢測(cè)方法的具體步驟如下: (I)對(duì)兩膜電磁線和四膜電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量。取兩根平行放置的電磁線，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，通過局部放電綜合分析儀記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異。根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出兩膜在4KV時(shí)產(chǎn)生局放，四膜在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，即四膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值是兩膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值的兩倍。
[0006](2)對(duì)四膜完好電磁線和四膜有導(dǎo)體質(zhì)量缺陷電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量。取兩根平行放置的電磁線，一根帶有某種缺陷，一根正常，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根電磁線，通過局部放電綜合分析儀記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異。根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出完好電磁線在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，且局放值要比有缺陷電磁線局放值小10pc。
[0007](3)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為絕緣、質(zhì)量完好的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值U和局放值P。
[0008](4)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為待檢測(cè)的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值Ul和局方值P1，若Ul < U，則可判斷為電磁線有絕緣異常，若Ul=UdSPl > P，則判斷為導(dǎo)體出現(xiàn)毛刺等質(zhì)量缺陷，從而識(shí)別出待檢測(cè)的電磁線是否有絕緣缺陷或?qū)w質(zhì)量缺陷。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體絕緣異常和質(zhì)量缺陷的檢驗(yàn)方法，其特征在于具體方法步驟如下: (1)對(duì)兩膜電磁線和四膜電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量，取兩根平行放置的電磁線，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出兩膜在4KV時(shí)產(chǎn)生局放，四膜在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，即四膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值是兩膜電磁線產(chǎn)生局放的電壓值的兩倍； (2)對(duì)四膜完好電磁線和四膜有導(dǎo)體質(zhì)量缺陷電磁線進(jìn)行局部放電測(cè)量，取兩根平行放置的電磁線，一根帶有絕緣異?；蛸|(zhì)量缺陷，一根正常，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根電磁線，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)可得出完好電磁線在8KV時(shí)產(chǎn)生局放，且局放值要比有缺陷電磁線局放值小10pc ； (3)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為絕緣正常、質(zhì)量完好的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值U和局放值P ; (4)制作電抗器樣機(jī)，內(nèi)部導(dǎo)體為待檢測(cè)的電磁線，對(duì)電抗器樣機(jī)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)，記錄產(chǎn)生初始局部放電時(shí)的電壓值Ul和局方值P1，若Ul < U，則可判斷待檢測(cè)的電磁線有絕緣異常，若Ul=UdSPl > P，則可判斷待檢測(cè)的電磁線有質(zhì)量缺陷。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體絕緣異常和質(zhì)量缺陷的檢驗(yàn)方法，該方法通過對(duì)干式空心電抗器進(jìn)行局部放電測(cè)量，記錄產(chǎn)生初始局放時(shí)的電壓值和局放值，通過比對(duì)無(wú)異常電磁線繞制出電抗器產(chǎn)生局放時(shí)的電壓值和局放值，根據(jù)差異得出干式空心電抗器內(nèi)部導(dǎo)體是否存在絕緣異常和質(zhì)量缺陷。本方法可對(duì)空心電抗器生產(chǎn)完畢后，對(duì)內(nèi)部導(dǎo)體的絕緣異常和質(zhì)量缺陷進(jìn)行有效檢測(cè)，保證空心電抗器的產(chǎn)品質(zhì)量。
【IPC分類】G01R31-12
【公開號(hào)】CN104865510
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510326824
【發(fā)明人】馮麗, 王同剛, 周廣東, 尚基業(yè)
【申請(qǐng)人】山東泰開電力電子有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年6月15日