；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直。所述磁傳感裝置還包括能產(chǎn)生磁場的線圈，產(chǎn)生的磁場用于所述第三方向磁傳感部件的自檢測。
[0132]所述線圈設(shè)置于沿第三方向磁傳感部件溝槽深度方向的一側(cè)或兩側(cè)，即所述線圈設(shè)置于第三方向磁傳感部件的下方或/和上方。線圈的設(shè)置方向可以與溝槽的底部平行，即線圈的設(shè)置方向與溝槽的深度垂直，亦即線圈的設(shè)置方向與感應單元平行。當然，線圈的設(shè)置方向也可以與感應單元有一定夾角。作為本發(fā)明的一種實施方式，線圈的設(shè)置方向可以與導磁單元的主體部分垂直。
[0133]本實施例中，所述第三方向磁傳感部件與外圍電路共用至少兩層金屬層。請參閱圖16，所述介質(zhì)材料層含有外圍電路及至少兩層頂層金屬層，即至少包括第一金屬層104、第二金屬層106,第二金屬層106位于第一金屬層104上方,第二金屬層106與第一金屬層104之間還設(shè)有第二介質(zhì)絕緣材料層105。如圖16所示，上述介質(zhì)材料層可包括基底101、第一介質(zhì)層103、第二介質(zhì)層105、第三介質(zhì)層107等。所述溝槽110 (如圖12所示)的底部位于第一金屬層104上，在刻蝕溝槽110時自停止于第一金屬層104上方；溝槽110位于第二金屬層106的一側(cè)。
[0134]所述線圈102位于第一金屬層104下方，當然，線圈102也可以位于導磁單元112及感應單元113的上方。線圈102的結(jié)構(gòu)(俯視圖)可以如圖5所示，大致呈矩形；也可以如圖6所示，大致呈圓形。
[0135]此外，所述第三方向磁傳感部件還包括設(shè)置于介質(zhì)材料層上(當然也可以設(shè)置于介質(zhì)材料層的底部)的一層或多層金屬層(可以根據(jù)需要設(shè)置)。
[0136]以上介紹了本發(fā)明磁傳感裝置的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明在揭示上述磁傳感裝置的同時，還揭示一種磁傳感裝置的制備方法，所述制備方法包括:第三方向磁傳感部件的制備步驟、線圈的制備步驟(當然，還可以包括第一方向磁傳感部件、第二方向磁傳感部件的制備步驟，此為現(xiàn)有技術(shù)，這里不做贅述);
[0137]所述第三方向磁傳感部件的制備步驟包括:
[0138]-在介質(zhì)材料層的表面開設(shè)溝槽；
[0139]-沉積感應單元、導磁單元；使得導磁單元的部分設(shè)置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽；形成的感應單元靠近導磁單元露出溝槽的部分設(shè)置；導磁單元用以感應第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；感應單元用以測量第一方向或/和第二方向的磁場，結(jié)合導磁單兀輸出的磁信號，能測量被導磁單兀引導到第一方向或/和第二方向測量的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直。
[0140]所述線圈的制備步驟包括:制備金屬層，利用該金屬層形成線圈；線圈的制備步驟在制備第三方向磁傳感部件的主要步驟之前或/和之后。
[0141]具體地,請參閱圖4至圖16,本實施例中,所述制備方法具體包括如下步驟:
[0142]【步驟SlOl】請參閱圖4，在含有外圍電路的基底101上制備第三金屬層，通過第三金屬層制備一組或者多組線圈102 ;單組線圈102的結(jié)構(gòu)(俯視圖)可以如圖5所示，大致呈矩形；也可以如圖6所示，大致呈圓形；當然也可以是其他的形狀，只要能夠在單組線圈的兩端施加電壓或者電流產(chǎn)生垂直于線圈水平面的磁場。
[0143]【步驟S102】請參閱圖7，沉積第一絕緣介質(zhì)材料，形成第一介質(zhì)材料層103，打開通孔后沉積第一金屬材料，光刻后形成第一金屬層104 ；
[0144]【步驟S103】請參閱圖8，沉積第二絕緣介質(zhì)材料，形成第二介質(zhì)材料層105，而后形成通孔，沉積第二金屬材料，圖形化形成金屬圖形，得到第二金屬層106 ；
[0145]【步驟S104】請參閱圖9，沉積第三介質(zhì)層材料，采用化學機械拋光平坦化，形成第三介質(zhì)材料層107 ；
[0146]【步驟S105】請參閱圖10，打開通孔，沉積金屬108，進行光刻，通過金屬層109引出第二金屬層106 ；
[0147]【步驟S106】請參閱圖11，在沉積的介質(zhì)材料層(包括上述第二介質(zhì)材料層105、第三介質(zhì)材料層107)上形成溝槽110，刻蝕時自停止在第一金屬層104上方(第一金屬層104可以為Al或者TiN或者Al/TiN等材料)；形成的溝槽110位于第二金屬層106的一側(cè)；
[0148]【步驟S107】請參閱圖12，沉積一層或多層絕緣介質(zhì)材料(每層沉積的介質(zhì)材料可以相同或不同)，形成第四介質(zhì)材料層111 ;
[0149]【步驟S108】請參閱圖13，沉積磁性材料(可以在沉積磁性材料后，先在磁材料層上還沉積一層或多層保護材料層再進行后續(xù)步驟)，圖形化，形成傳感器圖形；在第四介質(zhì)材料層111上分別形成感應單元的磁性材料層113、導磁單元112 ;導磁單元112的部分設(shè)置于溝槽110內(nèi)，并有部分露出溝槽110 ;所述導磁單元112用以感應第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；感應單元的磁性材料層113形成于溝槽110外，感應單元用以測量第一方向或/和第二方向的磁場，結(jié)合導磁單元112輸出的磁信號，能測量被導磁單兀112引導到第一方向或/和第二方向測量的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第二方向兩兩相互垂直。
[0150]【步驟S109】請參閱圖14,沉積絕緣材料,形成絕緣材料層114；
[0151]【步驟S110】請參閱圖15，打開窗口，將磁材料層上的電極層115引出，將其他電極引出；
[0152]【步驟Slll】請參閱圖16，沉積介質(zhì)層116，而后制造后續(xù)的金屬層117和絕緣介質(zhì)層，制備的金屬層可以用于布線，或者實現(xiàn)SET/RESET，或者實現(xiàn)XY軸或者Z軸的自檢測。
[0153]上述各個步驟沉積的介質(zhì)材料，可以是不同的材料，部分步驟沉積的材料也可以與其他步驟相同。
[0154]實施例二
[0155]本實施例與實施例一的區(qū)別在于，本實施例中，所述第三方向磁傳感部件與外圍電路共用至少兩層金屬層(當然也可以只有一層)。
[0156]請參閱圖26，所述介質(zhì)材料層含有外圍電路及至少兩層頂層金屬層，即至少包括第一金屬層203、第二金屬層205,第二金屬層205位于第一金屬層上方。
[0157]本實施例中，所述第一金屬層的周邊形成線圈；即第一金屬層的第一部分203起到例如MM電容或者電連接的作用，第二部分形成線圈202。線圈202的結(jié)構(gòu)(俯視圖)可以如圖5所示，大致呈矩形；也可以如圖6所示，大致呈圓形；也可以是其他形狀；線圈設(shè)置一組或者多組。所述溝槽209 (如圖21)的底部位于第一金屬層起到MIM電容作用的自停止部分203之上，在刻蝕溝槽209時自停止于第一金屬層該部分上方；溝槽209位于第二金屬層205的一側(cè)。
[0158]本實施例中，請參閱圖17至圖26，所述第三方向磁傳感部件的制備方法具體包括如下步驟:
[0159]【步驟S201】請參閱圖17，在含有外圍電路的基底201上繼續(xù)制備第一金屬層或MIM電容層(即含有兩層金屬和一層絕緣層，從而形成電容)，將第一金屬層或MIM電容層的部分區(qū)域形成線圈202 (線圈制造在MM電容的上金屬基板，或者是下金屬基板，或者同時制造在上下金屬基板)，其他區(qū)域(例如自停止部分203)起到MM電容作用；當然自停止部分203可以是單獨的隔離區(qū)域，只起到溝槽刻蝕自停止的作用。線圈202的結(jié)構(gòu)(俯視圖)可以如圖5所示，大致呈矩形；也可以如圖6所示，大致呈圓形。
[0160]【步驟S202】請參閱圖18，沉積第一介質(zhì)材料，形成第一介質(zhì)材料層204，而后形成通孔，沉積第二金屬材料，圖形化形成金屬圖形，得到第二金屬層205 ；
[0161 ]【步驟S203】請參閱圖19，沉積第二介質(zhì)層材料，采用化學機械拋光平坦化，形成第二介質(zhì)材料層206 ；
[0162]【步驟S204】請參閱圖20，打開通孔，沉積金屬207，進行光刻，形成金屬層208，用以引出第二金屬層205 ;或者打開通孔，沉積金屬(例如W)，化學機械拋光一直磨到介質(zhì)層206,再沉積另外一層金屬,進行光刻,形成金屬層208,即207和208不是同一種金屬；
[0163]【步驟S205】請參閱圖21，在沉積的介質(zhì)材料層(包括第一介質(zhì)材料層204、第二介質(zhì)材料層206)上形成溝槽209，刻蝕時自停止在第一金屬層或MM電容層起到MM電容作用區(qū)域或隔離區(qū)域(自停止部分203)的上方；形成的溝槽209位于第二金屬層205的一側(cè)；
[0164]【步驟S206】請參閱圖22，沉積一層或多層介質(zhì)材料(每層沉積的介質(zhì)材料可以相同或不同)，形成第三介質(zhì)材料層210 ；
[0165]【步驟S207】請參閱圖23，沉積磁性材料(可以在沉積磁性材料后，先在磁材料層上還沉積一層或多層保護材料層再進行后續(xù)步驟)，圖形化，形成傳感器圖形；在第三介質(zhì)材料層210上分別形成感應單元的磁性材料層212、導磁單元211 ;導磁單元211的部分設(shè)置于溝槽209內(nèi)，并有部分露出溝槽209;所述導磁單元211用以感應第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；感應單元的磁性材料層212形成于溝槽209外，感應單元用以測量第一方向或/和第二方向的磁場，結(jié)合導磁單元211輸出的磁信號，能測量被導磁單兀211引導到第一方向或/和第二方向測量的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第二方向兩兩相互垂直；
[0166]【步驟S208】請參閱圖24，沉積絕緣材料，形成絕緣材料層213;
[0167]【步驟S209】請參閱圖25，打開窗口，將磁材料層上的電極層214引出，將其他電極引出；
[0168]【步驟S210】請參閱圖26，沉積介質(zhì)層216，而后制造后續(xù)的金屬層217和介質(zhì)層，后續(xù)制造的金屬層可用于布線，或者實現(xiàn)SET/RESET，或者實現(xiàn)自檢測。
[0169]實施例三
[0170]請參與圖27、圖28，本實施例與以上實施例的區(qū)別在于，本實施例中，所述線圈315設(shè)置于第三方向磁傳感部件的上方；即，線圈315設(shè)置于感應單元及導磁單元的上方(線圈設(shè)置于溝槽開口方向的一側(cè))。
[0171]本實施例中，請參閱圖27至圖28，所述第三方向磁傳感部件的制備方法具體包括如下步驟:
[0172]【步驟S301】請參閱圖27，在含有外圍電路的基底301上制備第一金屬層或MM電容層302或電路功能層或電連接層；
[0173]【步驟S302】請繼續(xù)參閱圖27，沉積第一介質(zhì)材料，形成第一介質(zhì)材料層303;而后形成通孔，沉積第二金屬材料，圖形化形成金屬圖形，得到第二金屬層304 ；
[0174]【步驟S303】沉積第二介質(zhì)層材料，采用化學機械拋光平坦化，形成第二介質(zhì)材料層 305 ；
[0175]【步驟S3