基板檢查裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及不將形成在基板的半導(dǎo)體器件從該基板切出來就可以進行檢查的基板檢查裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為對形成在作為基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡稱為“晶片”。)的半導(dǎo)體器件、例如功率器件、存儲器的電特性進行檢查的基板檢查裝置，已知有探測器(prober)。
[0003]探測器包括:具有多個針狀的探針的探針卡；和載置晶片而上下左右自由移動的載置臺，使探針卡的各探針與半導(dǎo)體器件所具有的電極墊、焊料凸點接觸，從各探針對電極墊、焊料凸點流過檢查電流來檢查半導(dǎo)體器件的電特性(例如參照專利文獻I。)。
[0004]歷來，探針與判定半導(dǎo)體器件的電特性、功能的好壞的IC測試器連接，但是IC測試器的電路結(jié)構(gòu)與安裝產(chǎn)品化的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)、例如主板、功能擴展卡的電路結(jié)構(gòu)不同，因此IC測試器不能夠進行進行了安裝的狀態(tài)下的半導(dǎo)體器件的檢查，作為結(jié)果，存在在將半導(dǎo)體器件安裝到功能擴展卡等后的情況下發(fā)現(xiàn)在IC測試器中沒有被檢測出的半導(dǎo)體器件的不良的問題。特別是，近年來，伴隨主板、功能擴展卡進行的處理的復(fù)雜化、高速化，主板、功能擴展卡的電路結(jié)構(gòu)也復(fù)雜化，與IC測試器的電路結(jié)構(gòu)的差異變大，因此上述的問題顯著化。
[0005]因此，提出了一種技術(shù)，為了保證半導(dǎo)體器件的品質(zhì)，替代由IC測試器進行的檢查，而設(shè)置再現(xiàn)對探針卡安裝半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)、例如功能擴展卡的電路結(jié)構(gòu)的檢查電路，在使用該探針卡模擬將半導(dǎo)體器件安裝到功能擴展卡的狀態(tài)的狀態(tài)下，不將半導(dǎo)體器件從晶片切出地測量半導(dǎo)體器件的電特性(例如參照專利文獻2。)。此外，將在模擬了這種安裝狀態(tài)的狀態(tài)下的檢查稱為晶片系統(tǒng)等級測試。
[0006]但是，為了可靠地進行半導(dǎo)體器件的電特性的測量，在該測量前，需要進行確認(rèn)探針卡的探針和半導(dǎo)體器件的電極墊等是否電接觸的測試(接觸確認(rèn))。在與IC測試器連接的現(xiàn)有的探測器中，使用IC測試器所具備的DC模塊的IFVM(I Force V Measure:加壓測流)功能對半導(dǎo)體器件的電極墊施加電壓來進行接觸確認(rèn)，進而，在接觸確認(rèn)中確認(rèn)為異常狀態(tài)的情況下基于電壓值判斷異常狀態(tài)的原因。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本特開平7 — 297242號公報
[0010]專利文獻2:日本申請2013-192193號說明書

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0012]但是，替代由IC測試器進行的檢查而進行晶片系統(tǒng)等級測試的探測器中，由于廢除了昂貴的IC測試器，因此不能通過DC模塊進行接觸確認(rèn)，當(dāng)然也不能判斷關(guān)于探針與電極墊等的接觸的異常狀態(tài)的原因。
[0013]本發(fā)明的目的在于提供一種基板檢查裝置，不使用IC測試器就能夠進行探針和半導(dǎo)體器件的接觸確認(rèn)，在接觸確認(rèn)中確認(rèn)為異常狀態(tài)的情況下判斷異常狀態(tài)的原因的基板檢查裝置。
[0014]用于解決課題的技術(shù)方案
[0015]為了達成上述目的，本發(fā)明的基板檢查裝置，其包括具有與形成于基板的半導(dǎo)體器件的各電極接觸的探針的探針卡，上述基板檢查裝置的特征在于，上述探針卡包括:檢查電路，其再現(xiàn)安裝從上述基板切出來的上述半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)；和電位測量機構(gòu)，其測量上述探針和上述檢查電路之間的配線的電位。
[0016]發(fā)明效果
[0017]根據(jù)本發(fā)明，測量在探針卡中探針和檢查電路之間的配線的電位。探針和檢查電路之間的配線的電位根據(jù)探針和半導(dǎo)體器件的電極墊等的接觸狀態(tài)而發(fā)生變化，而且還根據(jù)關(guān)于探針和電極墊等的接觸的異常狀態(tài)的原因而發(fā)生變化。因而，通過測量探針和檢查電路之間的配線的電位，能夠不使用IC測試器就能夠進行探針和半導(dǎo)體器件的接觸確認(rèn)，在接觸確認(rèn)中確認(rèn)為異常狀態(tài)的情況下能夠判斷異常狀態(tài)的原因。
【附圖說明】
[0018]圖1是概略地說明作為本發(fā)明的實施方式的基板檢查裝置的探測器的構(gòu)成的立體圖。
[0019]圖2是概略地說明作為本實施方式的基板檢查裝置的探測器的構(gòu)成的主視圖。
[0020]圖3是說明包括探針卡中的卡側(cè)檢查電路和晶片中的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0021]圖4是說明包括探針卡中的卡側(cè)檢查電路和晶片中的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)的變形例的電路圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明
[0023]W 晶片
[0024]10探測器
[0025]15探針卡
[0026]16 探針
[0027]18卡側(cè)檢查電路
[0028]19 配線
[0029]28半導(dǎo)體器件
[0030]33高電阻
[0031]34比較器
[0032]37電極墊
[0033]38繼電器矩陣
【具體實施方式】
[0034]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0035]圖1是概略地說明作為本實施方式的基板檢查裝置的探測器的構(gòu)成的立體圖，圖2是該基板檢查裝置的探測器的構(gòu)成的主視圖。圖2部分作為截面圖，表示內(nèi)置在后述的主體12、裝載機13和測試盒14的構(gòu)成構(gòu)件。
[0036]在圖1和圖2中，探測器10包括:內(nèi)置載置晶片W的載置臺11的主體12 ;與該主體12相鄰配置的裝載機13 ;和以覆蓋主體12的方式配置的測試盒14，對形成在晶片W的半導(dǎo)體器件的電特性進行檢查。
[0037]主體12呈內(nèi)部為空洞的箱體形狀，在該內(nèi)部除了配置上述載置臺11之外，還與該載置臺11相對地配置探針卡15，探針卡15與晶片W相對。在探針卡15中的與晶片W相對的下表面，與晶片W的半導(dǎo)體器件的電極墊、焊料凸點對應(yīng)地配置有多個探針16。
[0038]晶片W以相對于載置臺11的相對位置不偏移的方式固定在該載置臺11上，載置臺11能夠在水平方向和上下方向上移動，調(diào)整探針卡15和晶片W的相對位置，來使半導(dǎo)體器件的電極墊等與各探針16接觸。測試盒14在覆蓋主體12時經(jīng)由撓性配線17與探針卡15電連接。
[0039]裝載機13將收納于作為搬送容器的FOUP (未圖示)的、形成有半導(dǎo)體器件的晶片W取出并載置到主體12的內(nèi)部的載置臺11上，另外，將半導(dǎo)體器件的電特性的檢查結(jié)束了的晶片W從載置臺11取下并收納到FOUP。
[0040]探針卡15具有對安裝從晶片W切出來而產(chǎn)品化的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)、例如DRAM的電路結(jié)構(gòu)進行再現(xiàn)的卡側(cè)檢查電路18，該卡側(cè)檢查電路18與各探針16經(jīng)由后述的配線19連接。載置臺11接近探針卡15，各探針16與晶片W的半導(dǎo)體器件的電極墊等(以下簡稱為“電極墊”。)接觸時，各探針16將來自接觸的電極墊的電信號傳遞到卡側(cè)檢查電路18 ο
[0041]測試盒14包括:檢查控制單元和記錄單元(均未圖示);對安裝DRAM的電路結(jié)構(gòu)、例如主板的電路結(jié)構(gòu)的一部分進行再現(xiàn)的盒側(cè)檢查電路20 ;和搭載由SSD(Solid StateDrive:固態(tài)硬盤)等形成的硬盤23的板24。配線17從探針卡15的卡側(cè)檢查電路18將電信號傳遞到盒側(cè)檢查電路20。探測器10中，通過更換測試盒14具有的盒側(cè)檢查電路20，能夠再現(xiàn)多種主板的電路結(jié)構(gòu)的一部分。
[0042]裝載機13內(nèi)置由電源、控制器、簡單的測量模塊形成的基本單元21?；締卧?1通過配線22與盒側(cè)檢查電路20連接，控制器對盒側(cè)檢查電路20指示半導(dǎo)體器件的電特性的檢查開始。
[0043]如上所述，在探測器10中，通過更換盒側(cè)檢查電路20來再現(xiàn)多種主板的電路結(jié)構(gòu)的一部分，但是基本單元21再現(xiàn)在各種的主板中共通的電路結(jié)構(gòu)。即，盒側(cè)檢查電路20和基本單元21協(xié)同作用再現(xiàn)主板整體的電路結(jié)構(gòu)。
[0044]探測器10中，在進行半導(dǎo)體器件的電特性的檢查時，例如盒側(cè)檢查電路20的檢查控制單元向卡側(cè)檢查電路18發(fā)送數(shù)據(jù)，基于來自卡側(cè)檢查電路18的電信號判定被發(fā)送來的數(shù)據(jù)是否被經(jīng)由各探針16與半導(dǎo)體器件連接的卡側(cè)檢查電路18正確處理。
[0045]另外，探測器10中，卡側(cè)檢查電路18、盒側(cè)檢查電路20和基本單元21之中、安裝半導(dǎo)體器件的卡側(cè)檢查電路18配置成在物理上最接近半導(dǎo)體器件。由此，在電特性的檢查時，能夠極力抑制半導(dǎo)體器件和卡側(cè)檢查電路18之間的配線的長度的影響，例如配線容量的變化的影響，能夠在與具有DRAM、主板的實機設(shè)備的計算機中的配線環(huán)境非常接近的配線環(huán)境下進行半導(dǎo)體器件的電特性的檢查。
[0046]圖3是說明包括探針卡中的卡側(cè)檢查電路和晶片中的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0047]圖3中，卡側(cè)檢查電路18經(jīng)由配線19與探針16連接，并且經(jīng)由保護二極管25與檢查電路電源26連接，在檢查電路電源26和保護二極管25之間設(shè)置開關(guān)27。晶片W的半導(dǎo)體器件