一種深孔底部硅隱裂的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種深孔底部硅隱裂的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過(guò)不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)步到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，給制造和設(shè)計(jì)等諸多方面帶來(lái)很大挑戰(zhàn)，器件的穩(wěn)定性以及良率成為衡量半導(dǎo)體器件性能的一個(gè)重要因素。
[0003]在運(yùn)動(dòng)傳感器(mot1n sensor)類(lèi)產(chǎn)品的市場(chǎng)上,智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，這類(lèi)傳動(dòng)傳感器產(chǎn)品的發(fā)展方向是規(guī)模更小的尺寸，高質(zhì)量的電學(xué)性能和更低的損耗。
[0004]其中，MEMS壓力傳感器廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子:如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車(chē)剎車(chē)系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器；消費(fèi)電子:如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤，洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽(yáng)能熱水器用液位控制壓力傳感器；工業(yè)電子:如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱(chēng)重等。
[0005]在壓力傳感器以及其他的半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程中，通常會(huì)涉及深孔的蝕刻，特別是在壓力傳感器中經(jīng)深孔刻蝕，孔底部Si厚度僅剩lOum，后續(xù)經(jīng)過(guò)機(jī)臺(tái)傳送(transferhandling)或者為防止晶圓滑片，吸真空(vacuum)后，對(duì)10um娃的損傷程度，即沒(méi)有方法去檢測(cè)vacuum對(duì)薄硅造成的微小裂紋103，如圖1所示，而所述深孔底部的硅中含有微小的裂痕則很容易引起器件性能降低，使用壽命縮短，甚至直接使所述半導(dǎo)體器件失效，對(duì)器件的良率以及性能造成很大的影響。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，亟需開(kāi)發(fā)一種能夠?qū)ι羁椎撞抗桦[裂的檢測(cè)方法，以消除上述各種弊端。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種深孔底部硅隱裂的檢測(cè)方法，包括:
[0009]步驟(a)選用反射式紅外線對(duì)所述深孔底部硅照射；
[0010]步驟(b)對(duì)所述反射式紅外線的反射結(jié)果進(jìn)行檢測(cè)，并根據(jù)所述反射結(jié)果分析所述深孔底部硅是否存在隱裂。
[0011]作為優(yōu)選，所述步驟(b)中，若所述反射式紅外線被所述深孔底部硅反射回來(lái)，則所述深孔底部硅不存在隱裂。
[0012]作為優(yōu)選，所述步驟(b)中，若所述反射式紅外線被所述深孔底部硅透過(guò)，則所述深孔底部硅存在隱裂。
[0013]作為優(yōu)選，所述深孔底部硅的厚度為10um。
[0014]作為優(yōu)選，所述檢測(cè)方法用于對(duì)壓力傳感器、運(yùn)動(dòng)傳感器以及MOS器件中深孔底部硅隱裂的檢測(cè)。
[0015]本方發(fā)明還提供了一種深孔底部硅隱裂的檢測(cè)裝置，包括:
[0016]反射式紅外線發(fā)射單元，用于發(fā)射反射式紅外線；
[0017]反射式紅外線接受單元，用于接受和檢測(cè)所述反射式紅外線；
[0018]其中，所述反射式紅外線發(fā)射單元和所述反射式紅外線接受單元設(shè)置于所述深孔底部硅的上方，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述深孔底部硅隱裂的檢測(cè)。
[0019]作為優(yōu)選，所述裝置還進(jìn)一步包括光圈，位于所述反射式紅外線反射單元的下方、所述深孔底部硅的上方，用于限制所述反射式紅外線的通過(guò)量。
[0020]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種深孔底部硅隱裂的檢測(cè)方法，運(yùn)用反射式紅外線的原理(Reflective IR),可以檢測(cè)vacuum對(duì)娃造成的隱裂，以更好的對(duì)所述深孔進(jìn)行監(jiān)控，進(jìn)一步提高器件的性能和良率。
【附圖說(shuō)明】
[0021]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0022]圖1為所述深孔底部硅隱裂的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2a_2b為本發(fā)明實(shí)施例中所述深孔底部硅隱裂的檢測(cè)方法示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明一具體地實(shí)施方式中所述深孔底部硅隱裂的檢測(cè)方法的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0027]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0028]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在? ? ?下”、“在? ? ?下面”、“下面的”、“在? ? ?之下”、“在..?之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0029]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)