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氨氣傳感器的制造方法

文檔序號:9260341閱讀:903來源:國知局
氨氣傳感器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體傳感器,特別涉及一種氨氣傳感器。
【背景技術】
[0002]隨著人們生活水平的不斷提高和社會對環(huán)境質量的日益關注,人們越來越需要對各種有毒、有害氣體進行探測,對大氣污染以及工業(yè)廢氣的監(jiān)測都對氣體傳感器提出了高的要求。例如,在汽車尾氣處理中,處理不完全會有氨氣排出,因此就需要應用氨氣傳感器。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是:為了克服現(xiàn)有汽車尾氣處理不完全的不足,本發(fā)明提供一種氨氣傳感器。
[0004]本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種氨氣傳感器,包括上層基片、中層基片和下層基片,所述上層基片與中層基片之間具有一定空間,所述空間內形成有相鄰的進氣區(qū)和反應區(qū),所述進氣區(qū)和反應區(qū)相隔離;所述上層基片上開設有第一進氣口和第二進氣口,第一進氣口與進氣區(qū)連通,第二進氣口與反應區(qū)連通;所述上層基片上從靠近第二進氣口的位置開始依次設有多個第二加熱體;所述中層基片上設有氧泵、第一氧傳感器和第二氧傳感器,所述第一氧傳感器位于進氣區(qū)的靠近第一進氣口的位置,所述第二氧傳感器位于反應區(qū)的遠離第二進氣口的一端,所述氧泵位于靠近第二進氣口的位置;所述下層基片上設有第一加熱體,所述第一加熱體在中層基片上從靠近第一進氣口的位置開始一直往靠近第二氧傳感器的位置延伸;所述上層基片上從靠近第二進氣口的位置開始依次設有三個第二加熱體,三個第二加熱體從靠近第二進氣口的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器的位置。
[0005]所述第一進氣口位于反應區(qū)的靠近進氣區(qū)的一端,第二進氣口位于進氣區(qū)的靠近反應區(qū)的一端。
[0006]本發(fā)明的有益效果是,本發(fā)明的氨氣傳感器,可以精確地得出檢測氣體中的氨氣含量。
【附圖說明】
[0007]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0008]圖1是本發(fā)明的氨氣傳感器最優(yōu)實施例的結構示意圖。
[0009]圖中10、上層基片,11、第一進氣口,12、第二進氣口,13、第二加熱體,20、中層基片,21、氧泵、22、第一氧傳感器,23、第二氧傳感器,30、下層基片,31、第一加熱體,40、進氣區(qū),50、反應區(qū)。
【具體實施方式】
[0010]現(xiàn)在結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構,因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。
[0011]如圖1所示,本發(fā)明的一種氨氣傳感器,包括上層基片10、中層基片20和下層基片30,所述上層基片10與中層基片20之間具有一定空間,所述空間內形成有相鄰的進氣區(qū)40和反應區(qū)50,所述進氣區(qū)40和反應區(qū)50相隔離。
[0012]所述上層基片10上開設有第一進氣口 11和第二進氣口 12,所述第一進氣口 11位于反應區(qū)50的靠近進氣區(qū)40的一端,第二進氣口 12位于進氣區(qū)40的靠近反應區(qū)50的一端,并且第一進氣口 11與進氣區(qū)40連通,第二進氣口 12與反應區(qū)50連通。
[0013]所述上層基片10上從靠近第二進氣口 12的位置開始依次設有三個第二加熱體13 ;三個第二加熱體13從靠近第二進氣口 12的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器23的位置。
[0014]所述中層基片20上設有氧泵21、第一氧傳感器22和第二氧傳感器23,所述第一氧傳感器22位于進氣區(qū)40的靠近第一進氣口 11的位置,所述第二氧傳感器23位于反應區(qū)50的遠離第二進氣口 12的一端,所述氧泵21位于靠近第二進氣口 12的位置。
[0015]所述下層基片30上設有第一加熱體31,所述第一加熱體31在中層基片20上從靠近第一進氣口 11的位置開始一直往靠近第二氧傳感器23的位置延伸。
[0016]本發(fā)明的原理如下:
根據(jù)化學式:NH3+02 — N2+H20(600°C?700°C ),可以知道,氨氣在(600°C?700°C )與氧氣燃燒,反應后生成氮氣和水。
[0017]根據(jù)以上條件,如圖1所示,
第一氧傳感器22,檢測第一進氣口 11處的含氧量,所得含氧量數(shù)值,為當前檢測氣體氧含量的初始值,記為02(初始值)。由于進氣區(qū)40和反應區(qū)50隔離,第一進氣口 11處的含氧量不會受到反應區(qū)的影響,能夠檢測到穩(wěn)定的檢測氣體氧含量的初始值。
[0018]氧泵21,通過從第二進氣口 12處泵入恒定值的氧氣在反應區(qū)50燃燒,記為02(恒定值)。
[0019]第二氧傳感器23,檢測反應區(qū)50燃燒反應后剩余的氧含量,記為02 (反應后剩余值)。
[0020]通過以上可以得出,與氨氣反應掉的含氧值:02(反應值)可以表述為:
02 (初始值)+02 (恒定值)-02 (反應后剩余值)=02 (反應值)
通過本發(fā)明的氨氣傳感器檢測,得出反應值02,根據(jù)化學式:NH3+02 — N2+H20,配平:4NH3+302 = 2N2+6H20,可得出檢測氣體中的氨氣數(shù)值含量。
[0021]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示,通過上述的說明內容,相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內,進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容,必須要根據(jù)權利要求范圍來確定其技術性范圍。
【主權項】
1.一種氨氣傳感器,其特征在于:包括上層基片、中層基片和下層基片,所述上層基片與中層基片之間具有一定空間,所述空間內形成有相鄰的進氣區(qū)和反應區(qū),所述進氣區(qū)和反應區(qū)相隔離;所述上層基片上開設有第一進氣口和第二進氣口,第一進氣口與進氣區(qū)連通,第二進氣口與反應區(qū)連通;所述上層基片上從靠近第二進氣口的位置開始依次設有多個第二加熱體;所述中層基片上設有氧泵、第一氧傳感器和第二氧傳感器,所述第一氧傳感器位于進氣區(qū)的靠近第一進氣口的位置,所述第二氧傳感器位于反應區(qū)的遠離第二進氣口的一端,所述氧泵位于靠近第二進氣口的位置;所述下層基片上設有第一加熱體,所述第一加熱體在中層基片上從靠近第一進氣口的位置開始一直往靠近第二氧傳感器的位置延伸;所述上層基片上從靠近第二進氣口的位置開始依次設有三個第二加熱體,三個第二加熱體從靠近第二進氣口的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器的位置。2.如權利要求1所述的氨氣傳感器,其特征在于:所述第一進氣口位于反應區(qū)的靠近進氣區(qū)的一端,第二進氣口位于進氣區(qū)的靠近反應區(qū)的一端。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種氨氣傳感器,包括上層基片、中層基片和下層基片,上層基片與中層基片之間具有一定空間,空間內形成有相鄰的進氣區(qū)和反應區(qū),進氣區(qū)和反應區(qū)相隔離;上層基片上開設有第一進氣口和第二進氣口,第一進氣口與進氣區(qū)連通,第二進氣口與反應區(qū)連通;上層基片上從靠近第二進氣口的位置開始依次設有多個第二加熱體;中層基片上設有氧泵、第一氧傳感器和第二氧傳感器,第一氧傳感器位于進氣區(qū)的靠近第一進氣口的位置,第二氧傳感器位于反應區(qū)的遠離第二進氣口的一端,氧泵位于靠近第二進氣口的位置。本發(fā)明的氨氣傳感器,可以精確地得出檢測氣體中的氨氣含量。
【IPC分類】G01N27/41
【公開號】CN104977346
【申請?zhí)枴緾N201510366623
【發(fā)明人】陸宇
【申請人】陸宇
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年6月28日
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