接觸式直探頭的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超聲波探頭技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于粗糙表面探測(cè)的接觸式直探頭。
【背景技術(shù)】
[0002]在超聲波檢測(cè)過(guò)程中，超聲波的發(fā)射和接收是通過(guò)探頭來(lái)實(shí)現(xiàn)的。探頭的性能直接影響超聲波的特性，影響超聲波的檢測(cè)性能。
[0003]在超聲檢測(cè)中使用的探頭，是利用材料的壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電能、聲能轉(zhuǎn)換的換能器。探頭中的關(guān)鍵部件是晶片，晶片是一個(gè)具有壓電效應(yīng)的單晶或者多晶體薄片，它的作用是將電能和聲能互相轉(zhuǎn)換。
[0004]現(xiàn)有的超聲波探頭在探測(cè)粗糙表面時(shí)，很容易造成磨損，導(dǎo)致探測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供一種接觸式直探頭。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種接觸式直探頭，包括外殼、設(shè)置在外殼上端的探頭接口以及設(shè)置在外殼內(nèi)的保護(hù)膜、壓電晶片和阻尼塊，所述保護(hù)膜設(shè)置在外殼的下端口，壓電晶片設(shè)置在保護(hù)膜的上面，阻尼塊設(shè)置在壓電晶片的上面，所述壓電晶片與探頭接口電連接，所述壓電晶片和保護(hù)膜之間填充有緩沖油液，所述外殼的下端還安裝有殼套，所述殼套的中心開有通孔，所述殼套的外圈設(shè)有多個(gè)圓周均布的內(nèi)凹的圓弧面，使得殼套的外圈的形狀類似波紋狀。
[0007]進(jìn)一步，為了便于旋轉(zhuǎn)殼套，所述內(nèi)凹的圓弧面所對(duì)的圓心角為55° -65°，弧長(zhǎng)為殼套的外圈周長(zhǎng)的1/28-1/24，相鄰內(nèi)凹的圓弧面之間的間距為殼套的外圈周長(zhǎng)的1/45-1/35。
[0008]進(jìn)一步，具體地，所述殼套的下端面為外凸的圓弧面，當(dāng)殼套與外殼安裝緊密時(shí)，保護(hù)膜被緩沖油液擠壓至通孔，位于通孔外的保護(hù)膜與殼套的下端面外凸的圓弧面圓滑過(guò)渡。
[0009]為了便于調(diào)節(jié)殼套與外殼的松緊，便于更換殼套，作為優(yōu)選，所述殼套的內(nèi)圈與外殼的外圈螺紋連接。
[0010]為了使得保護(hù)膜能夠被擠出到通孔外，所述通孔的直徑d小于外殼的直徑D。
[0011 ] 進(jìn)一步，具體地，所述保護(hù)膜為彈性保護(hù)膜。作為優(yōu)選，所述保護(hù)膜為聚氨酯軟膜。
[0012]本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的接觸式直探頭，通過(guò)在壓電晶片和保護(hù)膜之間填充緩沖油液，并且在外部增加殼套，可以進(jìn)一步保護(hù)探頭的壓電晶片，適用于粗糙表面的探測(cè)，貼合性好，誤差小，探測(cè)更精確，殼套的外圈的波紋可以防止殼套在安裝過(guò)程中打滑，提高工作效率。
【附圖說(shuō)明】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0014]圖1是本發(fā)明未安裝殼套的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2是本發(fā)明安裝殼套的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖3是本發(fā)明殼套的仰視圖。
[0017]圖中:1、外殼，2、探頭接口，3、保護(hù)膜，4、壓電晶片，5、阻尼塊，6、緩沖油液，7、殼套，71，通孔，72、內(nèi)凹的圓弧面，73、外凸的圓弧面。
【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0019]如圖1-3所示，是本發(fā)明的實(shí)施例，一種接觸式直探頭，包括外殼1、設(shè)置在外殼I上端的探頭接口 2以及設(shè)置在外殼I內(nèi)的保護(hù)膜3、壓電晶片4和阻尼塊5，保護(hù)膜3設(shè)置在外殼I的下端口，壓電晶片4設(shè)置在保護(hù)膜3的上面，阻尼塊5設(shè)置在壓電晶片4的上面，壓電晶片4與探頭接口 2電連接，壓電晶片4和保護(hù)膜3之間填充有緩沖油液6，外殼I的下端還安裝有殼套7，殼套7的中心開有通孔71，殼套7的外圈設(shè)有多個(gè)圓周均布的內(nèi)凹的圓弧面72，內(nèi)凹的圓弧面72所對(duì)的圓心角為55° -65°，弧長(zhǎng)為殼套7的外圈周長(zhǎng)的1/28-1/24，相鄰內(nèi)凹的圓弧面72之間的間距為殼套7的外圈周長(zhǎng)的1/45-1/35，殼套7的下端面為外凸的圓弧面73，當(dāng)殼套7與外殼I安裝緊密時(shí)，保護(hù)膜3被緩沖油液6擠壓至通孔71，位于通孔71外的保護(hù)膜3與殼套7的下端面外凸的圓弧面73圓滑過(guò)渡。殼套7的內(nèi)圈與外殼I的外圈螺紋連接，通孔71的直徑d小于外殼I的直徑D，保護(hù)膜3為彈性保護(hù)膜，保護(hù)膜3為聚氨酯軟膜。
[0020]在探測(cè)粗糙表面前，將殼套7與外殼I逐漸旋緊(波紋狀的外圈可以防止殼套7與外殼I打滑，便于調(diào)節(jié)松緊)，使得緩沖油液6逐漸被擠壓，保護(hù)膜3被緩沖油液6膨脹至通孔71外，此時(shí)即可對(duì)粗糙表面進(jìn)行探測(cè)。
[0021]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種接觸式直探頭，包括外殼(I)、設(shè)置在外殼(I)上端的探頭接口(2)以及設(shè)置在外殼(I)內(nèi)的保護(hù)膜(3)、壓電晶片(4)和阻尼塊(5)，所述保護(hù)膜(3)設(shè)置在外殼(I)的下端口，壓電晶片(4)設(shè)置在保護(hù)膜(3)的上面，阻尼塊(5)設(shè)置在壓電晶片(4)的上面，所述壓電晶片(4)與探頭接口(2)電連接，其特征在于:所述壓電晶片(4)和保護(hù)膜(3)之間填充有緩沖油液￠)，所述外殼(I)的下端還安裝有殼套(7)，所述殼套(7)的中心開有通孔(71)，所述殼套(7)的外圈設(shè)有多個(gè)圓周均布的內(nèi)凹的圓弧面(72)。2.如權(quán)利要求1所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述內(nèi)凹的圓弧面(72)所對(duì)的圓心角為55° -65。，弧長(zhǎng)為殼套(7)的外圈周長(zhǎng)的1/28-1/24，相鄰內(nèi)凹的圓弧面(72)之間的間距為殼套(7)的外圈周長(zhǎng)的1/45-1/35。3.如權(quán)利要求1所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述殼套(7)的下端面為外凸的圓弧面(73)，當(dāng)殼套(7)與外殼⑴安裝緊密時(shí)，保護(hù)膜(3)被緩沖油液(6)擠壓至通孔(71)，位于通孔(71)外的保護(hù)膜(3)與殼套(7)的下端面外凸的圓弧面(73)圓滑過(guò)渡。4.如權(quán)利要求1所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述殼套(7)的內(nèi)圈與外殼(I)的外圈螺紋連接。5.如權(quán)利要求4所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述通孔(71)的直徑d小于外殼(I)的直徑D。6.如權(quán)利要求1所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述保護(hù)膜(3)為彈性保護(hù)膜。7.如權(quán)利要求6所述的接觸式直探頭，其特征在于:所述保護(hù)膜(3)為聚氨酯軟膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及超聲波探頭技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接觸式直探頭，包括外殼、設(shè)置在外殼上端的探頭接口以及設(shè)置在外殼內(nèi)的保護(hù)膜、壓電晶片和阻尼塊，保護(hù)膜設(shè)置在外殼的下端口，壓電晶片設(shè)置在保護(hù)膜的上面，阻尼塊設(shè)置在壓電晶片的上面，壓電晶片與探頭接口電連接，壓電晶片和保護(hù)膜之間填充有緩沖油液，外殼的下端還安裝有殼套，殼套的中心開有通孔。本發(fā)明的接觸式直探頭，通過(guò)在壓電晶片和保護(hù)膜之間填充緩沖油液，并且在外部增加殼套，可以進(jìn)一步保護(hù)探頭的壓電晶片，適用于粗糙表面的探測(cè)，貼合性好，誤差小，探測(cè)更精確。
【IPC分類】G01N29/24
【公開號(hào)】CN104990986
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510417101
【發(fā)明人】周南岐
【申請(qǐng)人】常州市常超電子研究所有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請(qǐng)日】2015年7月15日