的漏電檢測 范圍合理，測試有效。
[0042] 與上述實施例對應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法， 參見圖3,包括以下步驟：
[0043] S101，將人工耳蝸植入體芯片的放電功能關(guān)閉，測試對地漏電時，第一選擇器設(shè)為 選參考電極EO ;測試對電源漏電時，第一選擇器設(shè)為選被測電極；
[0044] S102,測試對地漏電時，第二選擇器設(shè)為選被測電極；測試對電源漏電時，第二選 擇器設(shè)為選參考電極E0;
[0045] S103,測試對地漏電時，將被測電極通過漏電電阻接地；測試對電源漏電時，將被 測電極通過漏電電阻接電源；
[0046] S104,將檢測電阻Rl旁的開關(guān)Kl閉合，形成通路；
[0047] S105,測得檢測電阻Rl兩端經(jīng)緩沖器和ADC單元后的電壓；
[0048] S106，計算漏電電阻RL上的漏電電流和漏電電壓。
[0049] 進(jìn)一步地，所述漏電電阻RL為20k-10MQ。
[0050] 進(jìn)一步地，所述檢測電阻Rl為500k Ω。
[0051] 進(jìn)一步地，所述上拉電阻RO為500k Ω。
[0052] 進(jìn)一步地，所述接地電阻R2為500k Ω。
[0053] 采用圖1所示的電路進(jìn)行對地漏電檢測，第一選擇器10選擇接通參考電極，第二 選擇器20選擇接通被測電極E3,將開關(guān)Kl閉合，則R0、Rl、RL形成了回路，在漏電電阻RL 為50kQ時，用示波器測得Rl兩端電壓的波形參見圖4,曲線11為檢測電阻Rl上端電壓 ΑΝΑ0,為2. 2557V，曲線12為下端的電壓ANA1，為221. 169mV，即0. 221169V，曲線13為在檢 測電阻Rl上的壓降，為2. 0345V，由電阻分壓公式驗證，誤差不大，檢測數(shù)據(jù)可信，此時漏電 電流Ilkg為4. 069 μ A。鑒于示波器探測頭本身可能有漏電，為了更精確測量，使用Agilent 34410A Digital Multimeter根據(jù)上述步驟外接不同阻值的漏電電阻RL進(jìn)行檢測，結(jié)果見 表1。
[0054] 表1人工耳蝸植入體芯片被測電極對地漏電情況
[0055]
[0056] 建議最大的漏電電流不超過5μΑ為佳，從表1可見，人工耳蝸植入體芯片的被測 電極對地漏電情況安全。
[0057] 同理，采用圖2所示的電路進(jìn)行對電源漏電檢測，第一選擇器10選擇接通被測電 極Ε3,第二選擇器20選擇接通參考電極，將開關(guān)Kl閉合，則R0、R1、RL形成了回路，在漏電 電阻RL為500k Ω時，用示波器測得Rl兩端電壓的波形參見圖5,曲線11為檢測電阻Rl上 端電壓ΑΝΑ0,為2. 99977V，曲線12為下端的電壓ANA1，為I. 31171V，曲線13為檢測電阻Rl 上的壓降，為I. 6881V，由電阻分壓公式驗證，誤差不大，檢測數(shù)據(jù)可信，此時漏電電流Ilkg 為3. 376 μ A。鑒于示波器探測頭本身可能有漏電，為了更精確測量，使用Agilent 34410A Digital Multimeter根據(jù)上述步驟外接不同阻值的漏電電阻RL進(jìn)行檢測，結(jié)果見表2。
[0058] 表2人工耳蝸植入體芯片被測電極對電源漏電情況
[0059]

[0060] 建議最大的漏電電流不超過5 μΑ為佳，從表2可見，當(dāng)外接漏電電阻RL為20kΩ 和50kQ時，漏電電流Ilkg超標(biāo)，故此人工耳蝸植入體芯片需調(diào)整刺激電流輸出等參數(shù)，以 免使漏電電流對使用者造成傷害。
[0061] 所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并 不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均 應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元，其特征在于，包括：漏電電阻、檢測電阻， 上拉電阻，接地電阻，開關(guān)，第一選擇器，第二選擇器，緩沖器和ADC單元，其中， 所述漏電電阻的一端與第一選擇器和第二選擇器的輸出端被測電極連接，另一端接地 或接電源； 所述上拉電阻的一端與人工耳蝸植入體芯片供電電源連接，另一端與第一選擇器的輸 出端參考電極連接； 所述接地電阻的一端與第二選擇器的輸出端參考電極連接，另一端接地； 所述檢測電阻的一端與第一選擇器的輸入端連接，另一端通過開關(guān)與第二選擇器的輸 入端連接； 所述緩沖器的輸入連接檢測電阻和開關(guān)，輸出與ADC單元連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元，其特征在于，所述漏電 電阻為20k-IOMQ。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元，其特征在于，所述檢測 電阻為500k Q。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元，其特征在于，所述上拉 電阻為500k Q。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元，其特征在于，所述接地 電阻為500k Q。6. -種采用權(quán)利要求1-5之一所述單元的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法，其特征 在于，包括以下步驟： 將人工耳蝸植入體芯片的放電功能關(guān)閉，測試對地漏電時，第一選擇器設(shè)為選參考電 極EO ;測試對電源漏電時，第一選擇器設(shè)為選被測電極； 測試對地漏電時，第二選擇器設(shè)為選被測電極；測試對電源漏電時，第二選擇器設(shè)為選 參考電極EO ; 測試對地漏電時，將被測電極通過漏電電阻接地；測試對電源漏電時，將被測電極通過 漏電電阻接電源； 將檢測電阻Rl旁的開關(guān)Kl閉合，形成通路； 測得檢測電阻Rl兩端經(jīng)緩沖器和ADC單元后的電壓； 計算漏電電阻RL上的漏電電流和漏電電壓。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法，其特征在于，所述漏電 電阻為20k-IOMQ。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法，其特征在于，所述檢測 電阻為500k Q。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法，其特征在于，所述上拉 電阻為500k Q。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的人工耳蝸植入體芯片漏電檢測方法，其特征在于，所述接地 電阻為500k Q。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種人工耳蝸植入體芯片漏電檢測單元和方法，其中漏電檢測單元包括：漏電電阻、檢測電阻，上拉電阻，接地電阻，開關(guān)，第一選擇器，第二選擇器，緩沖器和ADC單元，漏電電阻的一端與第一選擇器和第二選擇器的輸出端被測電極連接，另一端接地或接電源；檢測電阻的一端與第一選擇器的輸入端連接，另一端通過開關(guān)與第二選擇器的輸入端連接；緩沖器的輸入連接檢測電阻和開關(guān)，輸出與ADC單元連接。本發(fā)明可以有效對人工耳蝸植入體芯片的輸出電極的漏電情況進(jìn)行片內(nèi)檢測，保證輸出安全。
【IPC分類】G01R31/02
【公開號】CN105044546
【申請?zhí)枴緾N201510569504
【發(fā)明人】夏斌
【申請人】浙江諾爾康神經(jīng)電子科技股份有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年9月9日