表征高低壓相互串?dāng)_特性的測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及利用高壓環(huán)境對(duì)SOI標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)影響的測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅工藝在器件理論、器件結(jié)構(gòu)以及制作工藝上出現(xiàn)了越來(lái)越多的問(wèn)題:集成度的提高導(dǎo)致了功耗的迅速增加，柵氧化層變薄導(dǎo)致介質(zhì)層容易被擊穿，這些問(wèn)題都嚴(yán)重制約著集成電路的發(fā)展。而SOI作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著傳統(tǒng)體硅不可比擬的優(yōu)點(diǎn)。由于它采用的是全介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，SOI器件的抗輻射特性好，徹底消除了體硅CMOS電路的閂鎖效應(yīng)，并且SOI工藝比傳統(tǒng)的體硅面積小。
[0003]但是僅僅了解SOI器件如何進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造是不夠的。對(duì)一般IC設(shè)計(jì)者，因缺乏設(shè)計(jì)平臺(tái)與IP工具支持，讓IC設(shè)計(jì)者即使想采用此工藝也無(wú)所適從。在SOI技術(shù)形成產(chǎn)業(yè)化需要與自動(dòng)化平臺(tái)相關(guān)的鏈接文件，而標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)是連接集成電路設(shè)計(jì)與制造工藝之間的橋梁。所以建立一套準(zhǔn)確的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)成為一項(xiàng)必要的工作。
[0004]由于SOI工藝的特殊性，SOI的高壓器件可以與普通器件生產(chǎn)在同一款芯片上，我們需要考慮高壓環(huán)境對(duì)庫(kù)單元的影響，本專(zhuān)利提出一種測(cè)試電路，該電路表征了高壓環(huán)境下標(biāo)準(zhǔn)單元的工作情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提出了一種高壓環(huán)境對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)影響的測(cè)試方法，考慮到SOI低壓與高壓器件共存的工作環(huán)境，該方法通過(guò)測(cè)量被測(cè)單元的延遲和信號(hào)的波動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓環(huán)境下，測(cè)試單元工作情況的檢測(cè)。
[0006]測(cè)試芯片中設(shè)置與低壓器件不同距離的高壓器件，通過(guò)控制不同距離高壓器件的開(kāi)啟，來(lái)測(cè)量其對(duì)低壓測(cè)試單元的影響，最終的測(cè)試結(jié)果對(duì)設(shè)計(jì)者有著指導(dǎo)作用。
[0007]考慮到高壓器件不同開(kāi)啟時(shí)刻對(duì)測(cè)試單元的影響不同，如圖2高壓器件在開(kāi)啟時(shí)刻I開(kāi)啟會(huì)對(duì)測(cè)試單元的邏輯值有影響，高壓器件在開(kāi)啟時(shí)刻2開(kāi)啟影響測(cè)試單元信號(hào)的波動(dòng)。設(shè)置BUF以及選擇器來(lái)控制高壓器件的開(kāi)啟時(shí)刻，以達(dá)到測(cè)試的目的。
[0008]為了減少測(cè)試芯片的面積，在測(cè)試芯片設(shè)置選擇器邏輯，通過(guò)選擇器來(lái)控制測(cè)試單元的打開(kāi)和關(guān)閉，以及高壓器件的開(kāi)啟時(shí)刻。這種方法可以極大的減少輸入引腳個(gè)數(shù)，從而達(dá)到減少芯片面積的目的。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本發(fā)明實(shí)施例測(cè)試方法原理圖；
圖2高壓器件不同開(kāi)啟時(shí)刻對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)單元影響示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]I如圖1，將不同的測(cè)試單元與輸入端口連接，通過(guò)選擇器控制信號(hào)controll選擇測(cè)試單元的輸出，將高壓模塊按照與測(cè)試單元的不同距離放置，通過(guò)選擇器contro13控制不同距離高壓模塊的開(kāi)啟。
[0011]2如圖2，通過(guò)control2信號(hào)控制不同BUF的開(kāi)啟，控制高壓模塊的開(kāi)啟時(shí)刻。
[0012]3 Set,與input信號(hào)共同控制選擇器2來(lái)控制高壓模塊的開(kāi)啟
4使用control〗控制選擇器2，選擇O個(gè)BUF，使高壓器件與待測(cè)單元同時(shí)開(kāi)啟，即圖2所示的開(kāi)啟時(shí)刻I。測(cè)量此時(shí)高壓信號(hào)的開(kāi)啟對(duì)于測(cè)試單元邏輯值的影響。
[0013]5使用control〗控制選擇器3，選擇多個(gè)個(gè)BUF，使高壓器件在待測(cè)單元信號(hào)穩(wěn)定時(shí)刻開(kāi)啟，即圖2所示的開(kāi)啟時(shí)刻2。直接測(cè)量測(cè)試單元的輸出端查看信號(hào)的波動(dòng)情況。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種測(cè)試高壓環(huán)境對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元影響的方法，測(cè)試不同距離高壓器件的開(kāi)關(guān)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元的影響，以及高壓器件開(kāi)啟時(shí)刻對(duì)于測(cè)試單元的影響。2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試高壓器件開(kāi)啟時(shí)刻影響的測(cè)試電路，其特征在于通過(guò)邏輯電路的設(shè)置選擇不同級(jí)的緩沖器，從而控制高壓器件的開(kāi)啟時(shí)刻。3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試電路，其特征在于在測(cè)試芯片內(nèi)部設(shè)置選擇器邏輯，通過(guò)選擇器來(lái)控制測(cè)試單元的打開(kāi)和關(guān)閉，以及高壓器件的開(kāi)啟時(shí)刻，從而達(dá)到減少芯片面積的目的。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出了一種高壓環(huán)境對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)影響的測(cè)試方法，考慮到SOI低壓與高壓器件共存的工作環(huán)境，該方法通過(guò)測(cè)量被測(cè)單元的延遲和信號(hào)的波動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓環(huán)境下，單元工作情況的檢測(cè)。通過(guò)設(shè)置高壓器件與低壓器件的多種距離，以及通過(guò)緩沖器設(shè)置高壓器件的開(kāi)啟時(shí)刻，測(cè)試高壓環(huán)境對(duì)測(cè)試單元的不同種類(lèi)的影響。在測(cè)試芯片中添加選擇器來(lái)減少PAD的個(gè)數(shù)，達(dá)到了減少芯片面積的目的。
【IPC分類(lèi)】G01R31/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105093003
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410216906
【發(fā)明人】徐帆, 陳曦, 張翼, 程玉華
【申請(qǐng)人】上海北京大學(xué)微電子研究院
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2014年5月22日