溫度校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種溫度校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相淀積）方法是一種利用不同氣體在高 溫下的相互反應(yīng)來制備外延薄膜層的方法。對于CVD設(shè)備來說反應(yīng)溫度都比較高，一般反 應(yīng)溫度都在l〇〇〇°C以上，因此CVD設(shè)備中采用感應(yīng)加熱比較多，在感應(yīng)加熱中，一般采用紅 外測溫儀進(jìn)行溫度測溫。
[0003] 傳統(tǒng)的溫度校準(zhǔn)方法需通過特殊的軟件修改紅外測溫儀的發(fā)射率進(jìn)行溫度校準(zhǔn)， 由于紅外測溫儀的發(fā)射率只能設(shè)定一個值，因此只能對一個溫度點進(jìn)行溫度校準(zhǔn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對傳統(tǒng)技術(shù)只能對一個溫度點進(jìn)行溫度校準(zhǔn)的問題，本發(fā)明提供了一種可以對 多個不同預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行溫度校準(zhǔn)的溫度校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)。
[0005] 為達(dá)到技術(shù)目的，本發(fā)明提供一種溫度校準(zhǔn)方法，包括以下步驟：
[0006] 溫控器控制機(jī)臺加熱；
[0007] 讀取機(jī)臺的溫度，記作機(jī)臺的真實溫度；
[0008] 讀取溫控器的輸出溫度，記作機(jī)臺的被校準(zhǔn)溫度；
[0009] 所述真實溫度至少為一個，所述被校準(zhǔn)溫度至少為一個；
[0010] 將所述真實溫度和所述被校準(zhǔn)溫度一一對應(yīng)記錄下來，建立所述真實溫度和所述 被校準(zhǔn)溫度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集，并計算各溫度偏移量，所述溫度偏移量為相對應(yīng)的所述 真實溫度與所述被校準(zhǔn)溫度的差值；
[0011] 讀取溫控器的預(yù)設(shè)溫度；
[0012] 根據(jù)所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集計算所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的實際溫度偏移量；
[0013] 所述溫控器根據(jù)所述實際溫度偏移量和所述預(yù)設(shè)溫度控制機(jī)臺加熱。
[0014] 作為一種可實施方式，所述根據(jù)所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集計算所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的 實際溫度偏移量，包括如下步驟：
[0015] 若所述預(yù)設(shè)溫度為所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中的被記錄的一個所述被校準(zhǔn)溫度，所 述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的實際溫度偏移量為所述真實溫度與所述被校準(zhǔn)溫度的差值。
[0016] 作為一種可實施方式，所述根據(jù)所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集計算所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的 實際溫度偏移量，包括如下步驟：
[0017] 若所述預(yù)設(shè)溫度不是所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中的被記錄的所述被校準(zhǔn)溫度，則從 預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中讀取與所述預(yù)設(shè)溫度鄰近的兩個所述被校準(zhǔn)溫度，比所述預(yù)設(shè)溫度大 的所述被校準(zhǔn)溫度記作第一被校準(zhǔn)溫度，相應(yīng)的所述真實溫度記作第一真實溫度，比所述 預(yù)設(shè)溫度小的所述被校準(zhǔn)溫度記作第二被校準(zhǔn)溫度，相應(yīng)的所述真實溫度記作第二真實溫 度；
[0018] 根據(jù)公式計算所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的所述實際溫度偏移量，所述公式為：
[0019] (預(yù)設(shè)溫度+實際溫度偏移量-第二真實溫度）八第一真實溫度-第二真實溫度） =(預(yù)設(shè)溫度-第二被校準(zhǔn)溫度V (第一被校準(zhǔn)溫度-第二被校準(zhǔn)溫度）。
[0020] 作為一種可實施方式，所述溫控器根據(jù)所述實際溫度偏移量和所述預(yù)設(shè)溫度控制 所述機(jī)臺加熱，包括如下步驟：
[0021] 所述溫控器根據(jù)所述預(yù)設(shè)溫度與所述實際溫度偏移量的和控制所述機(jī)臺加熱。
[0022] 相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種溫度校準(zhǔn)系統(tǒng)，包括加熱模塊，第一讀取模塊，第二讀 取模塊，建立模塊，第三讀取模塊，計算模塊和控制模塊，其中：
[0023] 所述加熱模塊，用于溫控器控制機(jī)臺加熱；
[0024] 所述第一讀取模塊，用于讀取機(jī)臺的溫度，記作機(jī)臺的真實溫度；
[0025] 所述第二讀取模塊，用于讀取溫控器的輸出溫度，記作機(jī)臺的被校準(zhǔn)溫度；
[0026] 所述真實溫度至少為一個，所述被校準(zhǔn)溫度至少為一個；
[0027] 所述建立模塊，用于將所述真實溫度和所述被校準(zhǔn)溫度一一對應(yīng)記錄下來，建立 所述真實溫度和所述被校準(zhǔn)溫度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集，并計算各溫度偏移量，所述溫度偏 移量為相對應(yīng)的所述真實溫度與所述被校準(zhǔn)溫度的差值；
[0028] 所述第三讀取模塊，用于讀取溫控器的預(yù)設(shè)溫度；
[0029] 所述計算模塊，用于根據(jù)所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集計算所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的實際溫 度偏移量；
[0030] 所述控制模塊，用于控制所述溫控器根據(jù)所述實際溫度偏移量和所述預(yù)設(shè)溫度控 制機(jī)臺加熱。
[0031] 作為一種可實施方式，所述計算模塊包括第一計算單元，用于當(dāng)所述預(yù)設(shè)溫度為 所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中的被記錄的一個所述被校準(zhǔn)溫度時，計算所述真實溫度與所述被 校準(zhǔn)溫度的差值，記作所述預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的所述實際溫度偏移量。
[0032] 作為一種可實施方式，所述計算模塊還包括第二計算單元，用于當(dāng)所述預(yù)設(shè)溫度 不是所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中的被記錄的所述被校準(zhǔn)溫度時，根據(jù)公式計算所述預(yù)設(shè)溫度 對應(yīng)的所述實際溫度偏移量，所述公式為：
[0033](預(yù)設(shè)溫度+實際溫度偏移量-第二真實溫度）八第一真實溫度-第二真實溫度） =(預(yù)設(shè)溫度-第二被校準(zhǔn)溫度）八第一被校準(zhǔn)溫度-第二被校準(zhǔn)溫度）；
[0034] 從所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集中讀取與所述預(yù)設(shè)溫度鄰近的兩個被校準(zhǔn)溫度，比所述 預(yù)設(shè)溫度大的所述被校準(zhǔn)溫度記作第一被校準(zhǔn)溫度，相應(yīng)的所述真實溫度記作第一真實溫 度，比所述預(yù)設(shè)溫度小的所述被校準(zhǔn)溫度記作第二被校準(zhǔn)溫度，相應(yīng)的所述真實溫度記作 第二真實溫度。
[0035] 作為一種可實施方式，所述控制模塊包括控制加熱單元，用于所述溫控器根據(jù)所 述預(yù)設(shè)溫度與所述實際溫度偏移量的和控制所述機(jī)臺加熱。
[0036] 作為一種可實施方式，所述第二讀取模塊為雙色紅外測溫儀。
[0037] 作為一種可實施方式，所述機(jī)臺為多個，多個機(jī)臺采用一個雙色紅外測試儀，所述 雙色紅外測試儀為可拆卸的。
[0038] 本發(fā)明的有益效果包括：
[0039] 本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)，首先建立真實溫度和被校準(zhǔn)溫度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系 數(shù)集，然后根據(jù)預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集計算出預(yù)設(shè)溫度對應(yīng)的實際溫度偏移量，溫控器根據(jù)實 際溫度偏移量和預(yù)設(shè)溫度對機(jī)臺加熱，保證工藝溫度的準(zhǔn)確，根據(jù)預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系數(shù)集，溫控 器控制機(jī)臺加熱到不同的預(yù)設(shè)溫度時，都可保證工藝溫度的準(zhǔn)確，實現(xiàn)多個不同預(yù)設(shè)溫度 的溫度校準(zhǔn)。在溫度校準(zhǔn)過程中，不采用修改物體發(fā)射率進(jìn)行溫度校準(zhǔn)的方式，而是通過計 算真實溫度和被校準(zhǔn)溫度的差值，得到實際溫度偏移量的方式進(jìn)行，可實現(xiàn)實時溫度校準(zhǔn)。
【附圖說明】
[0040] 圖1為本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)方法的一實施例的應(yīng)用時的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖2為本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)方法的一實施例的流程圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)方法的建立真實溫度和被校準(zhǔn)溫度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系的 一實施例的流程圖；
[0043] 圖4為本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)方法的一實施例的溫度校準(zhǔn)曲線示意圖；
[0044] 圖5為本發(fā)明的溫度校準(zhǔn)系統(tǒng)的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0045] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例對 本發(fā)明溫度校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅 用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0046] CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相淀積）方法是一種利用不同氣體在高 溫下