快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板工藝和轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓測試工藝，尤其是一種快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品在人類社會中的普及，晶圓制造和封裝已經(jīng)越來越成為舉足輕重的行業(yè)，而跟制造和封裝密不可分的晶圓測試同樣成為了非常重要的環(huán)節(jié)。
[0003]并且隨著芯片技術(shù)的進(jìn)步，制造過程中晶圓上的單個芯片的尺寸越來越小，而芯片上的焊盤卻越來越多，這樣就造成測試環(huán)節(jié)變得越來越耗時間。雖然測試用的針卡從最初的4探針，發(fā)展到如今的幾百個探針同時測試，同時測試的芯片焊盤增加了上百倍，但是基于針卡技術(shù)的限制，一次下針的個數(shù)不能無限制的增加，這就造成每次下針同時測試的芯片數(shù)量有限制，這樣測試環(huán)節(jié)成本就會增大。像一些記憶類功能性芯片，一片測試時間在幾十個小時，大大增加了芯片的成本。
[0004]另外，有些芯片的焊盤不能用探針針扎的方式進(jìn)行測試，傳統(tǒng)的用針扎晶圓焊盤(PAD)或者凸點的工藝有可能會導(dǎo)致晶圓后續(xù)的引線鍵合或者凸點接觸工藝的失效。
[0005]中國專利申請CN200810086130.6公開了一種晶圓測試方法，其本質(zhì)上還是使用針卡的探針接觸焊盤來進(jìn)行晶圓測試，該專利申請主要為了解決測試中可能導(dǎo)致的微塵粒子污染問題，無法提高晶圓電性測試的效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板工藝，該工藝可以有效降低單位芯片的扎針的數(shù)量，重新合并測試點后實現(xiàn)電性測試功能，對原來每次只能測試幾十顆芯片的針卡實現(xiàn)數(shù)倍的產(chǎn)能增長，從而提高了測試效率，大大降低了測試成本。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板工藝，包括下述步驟:
步驟SI，提供一待測晶圓，待測晶圓上分布有多個芯片；在每個芯片上分布有導(dǎo)電點；導(dǎo)電點的一部分或者全部是測試點；
步驟S2，將待測晶圓上各芯片需要進(jìn)行測試連接的輸入型導(dǎo)電點進(jìn)行篩選歸類；相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點歸為同一類；
步驟S3，提供一轉(zhuǎn)接板，在轉(zhuǎn)接板正面和背面分別制作正面電連接點和背面電連接點，轉(zhuǎn)接板的正面電連接點和背面電連接點通過TSV工藝形成的TSV孔導(dǎo)通；轉(zhuǎn)接板的背面電連接點與待測晶圓上芯片的導(dǎo)電點位置相對應(yīng)；在轉(zhuǎn)接板背面進(jìn)行RDL再布線工藝，將與待測晶圓上具有相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點所對應(yīng)的轉(zhuǎn)接板背面電連接點并聯(lián)；步驟S4，通過鍵合膠，使用臨時鍵合工藝將待測晶圓和轉(zhuǎn)接板背面鍵合，使得待測晶圓上芯片的導(dǎo)電點與轉(zhuǎn)接板的背面電連接點電連接，從而將芯片上的需測試連接的導(dǎo)電點引接至轉(zhuǎn)接板的正面電連接點。
[0007]進(jìn)一步地，轉(zhuǎn)接板的正面電連接點位于TSV孔上方。
[0008]進(jìn)一步地，轉(zhuǎn)接板正面設(shè)正面再布線結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)接板的正面電連接點位于正面再布線結(jié)構(gòu)走線連接的焊盤上。
[0009]—種快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)，如下所述:轉(zhuǎn)接板正面和背面分別制作有正面電連接點和背面電連接點，轉(zhuǎn)接板的正面電連接點和背面電連接點通過TSV工藝形成的TSV孔導(dǎo)通；轉(zhuǎn)接板的背面電連接點與待測晶圓上芯片的導(dǎo)電點位置相對應(yīng)；在轉(zhuǎn)接板背面進(jìn)行RDL再布線工藝形成背面RDL再布線層，將與待測晶圓上具有相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點所對應(yīng)的轉(zhuǎn)接板背面電連接點并聯(lián)；
轉(zhuǎn)接板的正面電連接點位置與針卡上的探針位置相對應(yīng)；
轉(zhuǎn)接板背面通過臨時鍵合膠與待測晶圓鍵合，使得待測晶圓上芯片的導(dǎo)電點與轉(zhuǎn)接板的背面電連接點電連接，從而將芯片上的需測試連接的導(dǎo)電點引接至轉(zhuǎn)接板的正面電連接點。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點在于:
本發(fā)明利用TSV工藝制作一種電性測試探針接觸點的轉(zhuǎn)接板，在轉(zhuǎn)接板的背面可以通過一次布線工藝，通過并聯(lián)的方式把一定數(shù)量的芯片的輸入型導(dǎo)電點(比如焊盤)連接在一起，這樣就可以把待測晶圓上相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點集中在一個公共的測試點上，實現(xiàn)了同一探針能夠同時連接多個芯片的相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點，同樣數(shù)量探針的針卡就能一次測試更多的芯片，提高了晶圓電性測試的效率。對原來每次只能測試幾十顆芯片的針卡實現(xiàn)數(shù)倍的產(chǎn)能增長，從而大大降低了測試成本。
[0011]通過臨時鍵合工藝將待測晶圓和測試轉(zhuǎn)接板鍵合在一起，使待測晶圓的測試點可以通過轉(zhuǎn)接板的TSV轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)接板的測試面；轉(zhuǎn)接板在拆除臨時鍵合后可重復(fù)利用。
[0012]轉(zhuǎn)接板正面再布線結(jié)構(gòu)可以使得針卡的探針位置和密度布置更靈活。
[0013]使用了轉(zhuǎn)接板后，針卡的探針與待測晶圓不直接接觸，不會在待測晶圓的焊盤或凸點上留下針眼，避免了晶圓后續(xù)的引線鍵合或者凸點接觸工藝的失效問題。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的待測晶圓示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的轉(zhuǎn)接板背面示意圖。
[0016]圖3為本發(fā)明的轉(zhuǎn)接板和待測晶圓臨時鍵合示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0018]本發(fā)明提供一種快速測試晶圓電性用的轉(zhuǎn)接板工藝，具體如下所述:
步驟SI，提供一待測晶圓1，待測晶圓I上分布有多個芯片10 ;
待測晶圓I如圖1所示，在本例中，待測晶圓I上有四個芯片10，由于畫圖幅面的限制，只畫出了四個芯片10，在實際制作和封裝芯片時，在一個晶圓上往往有更多的芯片。
[0019]在每個芯片10上，都分布很多導(dǎo)電點101，導(dǎo)電點101可以是焊盤，圖1中畫的就是焊盤，也可以是凸點或者焊球。導(dǎo)電點101的一部分或者全部是測試點；當(dāng)晶圓上的測試點非常多時，由于針卡技術(shù)的限制，一次下針的個數(shù)不能無限制的增加，這就造成每次下針同時測試的芯片數(shù)量有限制，從而影響了晶圓上芯片電性測試的速度和效率。另外有些芯片的焊盤一旦被探針刺過后，就會導(dǎo)致后續(xù)封裝工藝出現(xiàn)問題，因為不能使用探針針扎進(jìn)行電性測試。
[0020]導(dǎo)電點101分為輸入型導(dǎo)電點1011和輸出型導(dǎo)電點1012，圖1中，打斜線的小方塊為輸入型導(dǎo)電點1011，黑色小方塊為輸出型導(dǎo)電點1012 ;各個芯片上的輸出型導(dǎo)電點1012通常都需要單獨引出進(jìn)行測試；而對于相同的芯片，它們上面的互相對應(yīng)的輸入型導(dǎo)電點1011，輸入電性條件往往是一樣的；比如圖1中，左上角芯片的第一排第一個輸入型導(dǎo)電點1011和右上角芯片的第一排第一個輸入型導(dǎo)電點1011的輸入電性條件相同，比如說都是正電壓輸入端；左上角芯片的第一排第二個輸入型導(dǎo)電點1011和右上角芯片的第一排第二個輸入型導(dǎo)電點1011的輸入電性條件相同，比如說都是一個特定信號的輸入端；
而將這些相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點如果并聯(lián)后引出，則可以大大減少所需的針卡探針數(shù)量。反而言之，同樣數(shù)量的探針的針卡就能一次測試更多的芯片。因此，進(jìn)行下述步驟；
步驟S2，將待測晶圓I上各芯片10需要進(jìn)行測試連接的輸入型導(dǎo)電點1011進(jìn)行篩選歸類；相同輸入電性條件的輸入型導(dǎo)電點101