得TSV浮空端的電壓變化很大，這就有可能對存儲單元里的值產(chǎn)生影響，從而導致存 儲信息發(fā)生變化，最終導致功能故障，將導致3DSRAM不能正常工作，甚至不能工作，這說明 TSV的開路故障對3DSRAM的影響是非常嚴重的。通過廣泛的模擬研究得到：當字線TSV存 在開路故障時，存儲器所對應的故障行為主要有三類，即"不可訪問"、"訪問多個單元"以及 "可以改變浮空單元里的值"。位線TSV存在開路故障時，存儲器所對應的故障行為有四類。 分兩種情況：當兩根位線同時開路時，故障行為有"讀出錯誤值"和"不可訪問"兩類；當其 中某一根位線開路時，故障行為有"不可以正確寫"和"固定輸出〇或1"。3DSRAM中TSV 開路故障類型的模型如表1所示。
[0035] 表1 :3DSRAM中TSV開路故障類型的模型表。
[0036]
[0037] 表1中，BLJP$為圖1所示的3DSRAM的電路模型中的任意一對位線。
[0038] 通過對3DSRAM的存儲器單元執(zhí)行一系列的讀寫操作，然后觀察存儲單元功能狀 態(tài)的變化，這種方法可以用來檢測存儲器單元的功能故障。因此功能故障檢測的兩個基本 組成部分為：讀寫操作序列以及相應單元的狀態(tài)變化。如果一組讀寫操作序列能夠使被檢 測單元表現(xiàn)出故障的狀態(tài)，本實施例則稱這組序列為"敏化操作序列"S，被檢測單元所表現(xiàn) 出的故障狀態(tài)我們稱之為"故障行為"。因此，3DSRAM中每一種TSV開路故障的故障原語 可采用S、F、R的組合〈S/F/R〉來表示存儲器的故障行為。S是敏化操作序列，描述觸發(fā)存 儲單元故障行為的操作或狀態(tài)，SG{〇,l，〇w〇,lwl，〇wl，lw〇,r0,rl}，分別表示存儲單元的 "〇"狀態(tài)、"1"狀態(tài)、"〇"狀態(tài)下寫狀態(tài)下寫"r'、"o"狀態(tài)下寫狀態(tài)下 寫"0"、讀狀態(tài)"0"、讀狀態(tài)" 1" ;F是故障行為，用于描述被檢測有故障單元的行為或狀態(tài)， FG{〇，1，t，1}，"〇"和"1"表示"〇"狀態(tài)和"1"狀態(tài)，t(U表示上升（下降）跳變； 此外，當"S"為讀操作時，還應該加上一個敏化操作序列的"讀取結果"R(Result)，R描述存 儲單元讀操作的輸出結果，RG{〇，1，}。當"S"不是讀操作時，R為""。
[0039] 本實施例中，步驟1)中確定的March元素中，開路故障S0F的March元素為 S(w0) ；〇： (r0)或?(wl) ：〇：(rl)，多路存取ADF的March元素為介(r0，wl)或 U (rl，w0),寫干 擾親合故障CFdsxw!x的March元素為U.(wO)(紙w_l)或；〇； (wl) U (rl,w0)，讀干擾親合 故障CFdsrx的March元素為?(w0)1J(r0)或;〇：(wl)II(rl)，錯誤讀故障IRF的March元素 為S(wl)?(rl)或?(w0) $ (r0),寫破壞耦合故障CFwd的March元素為?(w0) tUw0,r0)或 上述March元素中，r0表示讀0操作，w0表示寫0操作，rl表示讀1操 作，wi表示寫1操作，ft表示存儲單元的遍歷按地址升序方式測試，41_表示存儲單元的遍歷 按地址降序方式測試，?表示存儲單元的遍歷按地址按照升序方式或降序方式測試。
[0040] 因此，根據(jù)前述3DSRAM中每一種TSV開路故障的故障原語定義，可以得到3D SRAM中TSV開路故障的故障原語及其March元素如表2所示。需要說明的是，表2中的 March元素僅僅為各類TSV開路故障的最簡March元素，在此最簡March元素基礎上，即使 進一步增加一些其他的讀寫操作，同樣也可以實現(xiàn)對響應的TSV開路故障的探測。
[0041] 表2 :TSV開路故障的故障原語及其March元素表。
[0042]
[0043] 表2中內容表示的含義為每一種TSV開路故障模型對應的故障原語，以及故障原 語所對應的最簡March元素。如：對于TSV開路故障"寫干擾耦合故障"而言，故障原語為 <0wl;0/t/ _ >和<lw0;l/丨/ - >，分別表示施主單元往存0的單元里寫1、親合故障 單元處于0狀態(tài)，這時就會引起親合故障單元一個上跳變的變化；施主單元往存1的單元里 寫〇、耦合故障單元處于1狀態(tài)，這時就會引起耦合故障單元一個下跳變的變化。這些故障 原語對應的最簡March元素分別為0 (w〇)J) (r0,wl)和$(wl)D(rl，w0)，首先是一個寫0或寫 1的操作，然后是讀〇寫1或讀1寫〇的操作。
[0044] 本實施例中，步驟2)中生成的測試向量如式（1)所示；
[0045]
(1)
[0046] 式⑴中，第1個March元素tT(wl)用于檢測寫破壞耦合故障CFwd，第2個 March元素ff(wl,rl)用于檢測開路故障SOF和寫破壞親合故障CFwd，第3個March元素 li(rl,wO，rO)用于檢測讀干擾親合故障CFdsrx，第3個March元素U(rl，wO，rO)的第一個元 素rl和第二個元素wO用于檢測寫干擾耦合故障CFdsxw!x，第4個March元素U(rO，wl) 用于檢測多路存取ADF和寫干擾耦合故障CFdsxw!x，第4個March元素li(rO,w])的第二 個元素wl用于檢測錯誤讀故障IRF，第5個March元素f? (rl):用于檢測錯誤讀故障IRF;上 述March元素中，:rO表示讀0操作，wO表示寫0操作，rl表示讀1操作，wl表示寫1操作， 1T表示存儲單元的遍歷按地址升序方式測試，W表示存儲單元的遍歷按地址降序方式測試， 攻表示存儲單元的遍歷按地址按照升序方式或降序方式測試。
[0047] 以表2中六種功能故障模型的最簡March元素為基礎，通過理論推導結合故障原 語定義以及算法測試過程，對所有故障類型的測試序列進行了算法總結、合并、優(yōu)化，最終 推導出能夠探測六種TSV開路故障的最簡化測試向量如式（1)所示，式（1)所示的測試向 量能夠以最少的讀寫操作來實現(xiàn)對同時對六種TSV開路故障的探測。式（1)所示的測試向 量共包括5個March元素共計九個操作步驟，其中：第1個March元素IHwl)表示對所有 存儲單元進行初始化為狀態(tài)" 1"（1個步驟）。第2個March元素fl(wl.rl)表示先對一個 存儲單元進行wl再rl的操作（2個步驟），然后按地址增序的順序對所有存儲單元都進行 此類操作。第3個March元素li(rhwO.rO)表示先對一個存儲單元進行r1、w〇再rO的操作 (3個步驟），然后按地址降序的順序對所有存儲單元都進行此類操作。第4個March元素 li(rO，w:l)表示先對一個存儲單元進行rO再wl的操作（2個步驟），然后按地址降序的順序 對所有存儲單元都進行此類操作。第5個March元素fl(rl)表示對所有的存儲單元按照地 址增序的順序進行rl操作（1個步驟）。測試向量可以檢測表2中的列出的所有TSV開路 故障，原理如下：
[0048] ?開路故障S0F時，存儲單元的邏輯控制已經(jīng)失效，無法進行讀和寫操作，任何操 作都可以敏化該故障，故全"〇"或全"1"的敏化操作便可以檢測出S0F故障。所以第2個 March元素ff 可探測開路故障S0F。
[0049] ?多路存取故障ADF是地址譯碼故障中的第二類，即某個地址可以同時訪問多個 存儲單元，普通的測試算法（MATS算法）就可以檢測到。所以第4個March元素U(rO，wl) 可探測ADF故障。
[0050] ?寫干擾親合故障CFdsxw!x是干擾親合故障CFds的一種，針對故障原語〈Owl; 〇/t/_>或<lwO;l/丨/_>，需要敏化存儲器單元狀態(tài)為：（0wl，0)，或（lwO，l)。所以第3 個March元素4(tl，冒0，f0)的第一個元素rl和第二個元素w〇、第4個March元素U(紙wl) 可探測寫干擾親合故障CFdsxw!x。
[0051] ?讀干擾親合故障CFdsrx也是干擾親合故障CFds的一種，針對故障原語〈rO; 0/丨/->或<rl;l/丨/->需要敏化存儲單元的狀態(tài)為（r0,0)或（rl，l)。所以第3個 March元素U(rhwO.rO)可以探測讀干擾親合故障CFdsrx。
[0052] ?錯誤讀故障IRF是單一存儲單元故障，針對故障原語<rl/l/0>，應該先初始化 所有存儲單元狀態(tài)為"1"，然后依次（地址增序或降序）對每個存儲單元進行rl操作。所 以第4個March元素U(rO,wl)的第二個元素wl、第5個March元素可以探測IRF故 障。
[0053] ?寫破壞親合故障CFwd，是指當存儲器的某個單元為固定狀態(tài)時，引起相鄰的存 儲單元的寫操作不能正確執(zhí)行。針對故障原語〈0 ;0w0/丨/ - >和〈1 ;lwl/丨/ - >先要 敏化存儲單元的狀態(tài)為（0, 0w0)或（1，lwl)。所以第1個March元素S(wl)，第2個March 元素可探測CFwd故障。
[0054] 所有TSV開路故障及其March元素的對應關系可總結如表3所示。
[0055] 表3:所有TSV開路故障及其March元素的對應關系表。
[0056]
[0057] 表3中，March元素列中，Mi表示測試算法中對第i個March元素，Mij表示測試算 法中第i個March元素的第j個操作，如M2i2表示第2個March元素中的第2步操作、0"。
[0058] 如圖3所示，對于被測試的存儲單元