用于測(cè)定洗提液以得到锝和鉬含量的系統(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開的領(lǐng)域總體涉及檢測(cè)洗提液的輻射含量，更具體地，涉及測(cè)定锝和鉬的洗 提液。
【背景技術(shù)】
[0002] 锝-99m(99mTc)是常常用于診斷醫(yī)療目的的放射性同位素，使用锝發(fā)生器和 鉬-99 (99Mo)產(chǎn)生。由锝發(fā)生器產(chǎn)生的洗提液不僅包括锝-99m，而且包括少量的鉬-99， 鉬-99是污染物。因此，必須對(duì)來自锝發(fā)生器的洗提液進(jìn)行測(cè)試（S卩，測(cè)定），用以得出 鉬-99含量。例如，美國藥典委員會(huì)（USP)要求，應(yīng)對(duì)來自锝發(fā)生器的洗提液進(jìn)行測(cè)試并且 該洗提液每給送劑量每毫居锝_99m不得包含大于0. 15微居里的鉬-99。
[0003] 常規(guī)測(cè)定方法需要使用第一輻射性測(cè)定裝置來進(jìn)行锝_99m測(cè)定，隨后將洗提液 輸送至不同的位置，以使用第二輻射性測(cè)定裝置來執(zhí)行獨(dú)立的鉬-99測(cè)定。此外，在常規(guī)測(cè) 定方法中，技工使用單通道分析儀測(cè)量洗提液，并且將測(cè)量的數(shù)據(jù)手動(dòng)地輸入到電子表格。 另外，輸送洗提液的技工在該過程中暴露于洗提液。因此，已知的用于測(cè)定洗提液以得出 锝-99m和鉬-99含量的方法耗時(shí)、效率低并且使技工暴露于輻射性劑量。
[0004] 該背景部分?jǐn)M向讀者介紹可能涉及本公開各個(gè)方面（在下文描述和/或要求保 護(hù)）的現(xiàn)有技術(shù)的各個(gè)方面。相信這種討論有助于為讀者提供背景信息，以促進(jìn)對(duì)本公開 各方面的更好理解。因此，應(yīng)理解，這些陳述要從該角度閱讀，并不是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的承認(rèn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 在一個(gè)方面中，用于測(cè)定洗提液以得出锝_99m和鉬-99含量的系統(tǒng)包括：內(nèi)電離 室，其包括井，該井被構(gòu)造成接納洗提液；外電離室，其與內(nèi)電離室同中心；和衰減材料，其 定位在內(nèi)、外電離室之間。計(jì)算裝置被構(gòu)造成基于在內(nèi)電離室中測(cè)量的第一電流確定洗提 液的锝-99m含量，并且基于至少外電離室中測(cè)量的第二電流確定洗提液的鉬-99含量。
[0006] 在另一個(gè)方面中，用于測(cè)定洗提液以得到锝_99m和鉬-99含量的方法包括：將 洗提液放置在內(nèi)電離室的井中；測(cè)量?jī)?nèi)電離室中的第一電流；和測(cè)量外電離室中的第二電 流，其中外電離室與內(nèi)電離室同中心并且通過衰減材料與內(nèi)電離室分離。該方法進(jìn)一步包 括使用計(jì)算裝置根據(jù)第一測(cè)量電流確定洗提液的锝_99m含量，以及使用計(jì)算裝置根據(jù)至 少第二測(cè)量電流確定洗提液的鉬-99含量。
[0007] 在又一個(gè)方面中，用于檢測(cè)洗提液中的多種放射性同位素的輻射檢測(cè)裝置包括內(nèi) 電離室，該內(nèi)電離室包括接收洗提液的井，其中，響應(yīng)于洗提液中存在第一放射性同位素， 在內(nèi)電離室中產(chǎn)生第一電流。該輻射性檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括：外電離室，其與內(nèi)電離室同中 心，其中，響應(yīng)于洗提液中存在第二放射性同位素，在外電離室中產(chǎn)生第二電流；和衰減材 料，其定位在內(nèi)、外電離室之間。
[0008] 在相關(guān)上述各方面中提出的特征，存在各種改進(jìn)。進(jìn)一步的特征也可以并入上述 方面中。這些改進(jìn)和附加特征可以單獨(dú)存在或以任意組合形式存在。例如，下文針對(duì)示出 實(shí)施例中任一個(gè)討論的各種特征可以單獨(dú)地或以任意組合方式合并到上文描述的任一個(gè) 方面中。
【附圖說明】
[0009] 圖1為用于測(cè)定洗提液的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖。
[0010] 圖2為可以與圖1中所示的系統(tǒng)一起使用的輻射檢測(cè)裝置的透視局部剖開視圖。
[0011] 圖3為可以與圖1中所示的系統(tǒng)一起使用的計(jì)算裝置的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 參照?qǐng)D1，用于測(cè)定洗提液的系統(tǒng)大體被指示為100。圖2為可以與圖1中所示的 系統(tǒng)一起使用的輻射檢測(cè)裝置102的透視局部剖開視圖。系統(tǒng)100包括輻射檢測(cè)裝置102， 該裝置具有第一內(nèi)電離室104和第二外電離室106。第一和第二電離室104和106兩者都 是環(huán)狀的并且彼此同中心。第一和第二電離室104和106中的每一個(gè)包含氣體，以便于檢 測(cè)洗提液的輻射含量，如下文更詳細(xì)地描述的。
[0013] 第一電離室104包括第一井108,并且第二電離室包括第二井110。此外，第一和 第二電離室104和106彼此同中心，使得第一電離室104被定位在第二井110內(nèi)。衰減材 料112被定位在第二井110中，在第一電離室104與第二電離室106之間。衰減材料112 過濾掉來自洗提液的低能伽馬（Y)射線，并且可以是例如鉛或鎢。在該實(shí)施例中，衰減材 料112具有近似0. 25英寸的厚度。作為替換方式，衰減材料112可以具有用于過濾掉低能 Y射線的任意適當(dāng)?shù)某叽?，如本文所描述的?br>[0014] 為了測(cè)定洗提液，其中存儲(chǔ)有洗提液的小瓶114或其它容器被插入到第一井108 中。小瓶114可以是例如20毫升（ml)小瓶。在該實(shí)施例中，使用锝發(fā)生器（未示出）產(chǎn) 生洗提液。例如，使用20ml真空小瓶通過用10毫升（ml)鹽水洗提锝發(fā)生器柱來產(chǎn)生洗提 液。因此，洗提液包括锝-99m和相對(duì)少量的鉬-99。在該實(shí)施例中，第一電離室104便于檢 測(cè)洗提液的锝_99m(99mTc)含量，而第二電離室106便于檢測(cè)洗提液的鉬-99 (99Mo)含量。 在測(cè)定洗提液之后，可以使用輻射性廢物系統(tǒng)（未示出）來處理洗提液。
[0015] 更具體地，第一和第二電離室104和106均包含氣體、正電極和負(fù)電極。第一電離 室104包括外電極120和內(nèi)電極122,而第二電離室106包括外電極124和內(nèi)電極126。在 第一和第二電離室104中的每一個(gè)內(nèi)，一個(gè)電極作為正電極工作，而一個(gè)電極作為負(fù)電極 工作。具體地，在第一和第二電離室104和106中的每一個(gè)中，在正、負(fù)電極之間施加電壓 以在氣體中產(chǎn)生電場(chǎng)。例如，相對(duì)于負(fù)電極，可以對(duì)正電極施加幾百伏的電壓。在該實(shí)施例 中，使用定位在輻射檢測(cè)裝置內(nèi)的鋰離子電池131在第一和第二電離室104和106中的正、 負(fù)電極之間施加電壓差。也可以使用其它功率源。發(fā)自洗提液的輻射線電離氣體，所產(chǎn)生 的離子響應(yīng)于電場(chǎng)而移動(dòng)，因此在相應(yīng)的電離室中產(chǎn)生電流。輻射量對(duì)應(yīng)于電離量，并且相 應(yīng)地對(duì)應(yīng)于電流量。因此，通過檢測(cè)第一電離室104中的第一電流和第二電離室106中的 第二電流，可以確定洗提液的輻射含量。
[0016] 在該實(shí)施例中，第一電離室104包括諸如氬的氣體。利用定位在第一井108中 的小瓶114,來自洗提液中锝-99m的輻射電離第一電離室104中的氣體，在第一電離室 104中產(chǎn)生第一電流?？赏ㄐ诺芈?lián)接到第一電離室104的第一電流測(cè)量裝置130測(cè)量第 一電流。在該實(shí)施例中，第一電流測(cè)量裝置130是源測(cè)量單元（SMU)。SMU可以是例如Keithley?Sub-Femptoamp遠(yuǎn)程源表（Keithley是俄亥俄州克利夫蘭市的Keithley儀 器公司的注冊(cè)商標(biāo)）。作為替換方式，第一電流測(cè)量裝置130可以是能夠測(cè)量第一電離室 104中的第一電流的任意裝置。
[0017] 第一電離室104具有比第二電離室106低的靈敏度。因此，第一電離室104可以 檢測(cè)水平高的鉬-99,而第一電離室104可能檢測(cè)不到較低水平的鉬-99。即使由第一電離 室104檢測(cè)到鉬-99含量，任何檢測(cè)到的量相對(duì)于檢測(cè)到的锝-99m量而言也是大致無關(guān)緊 要的。
[0018] 如上所述，第一和第二電離室104和106通過濾掉低能y射線的衰減材料112 隔開。因此，發(fā)自锝-99m的Y射線中的大多數(shù)（8卩，142. 63千電子伏特（KeV)輻射和 140. 51KeV輻射）到達(dá)電離室104,但是被衰減材料112阻擋，因此不到達(dá)第二電離室106。 然而，當(dāng)它們具有充分高的能量時(shí)，來自锝-99m的322. 41KeV輻射確實(shí)能到達(dá)第二電離室 106〇
[0019] 在這個(gè)實(shí)施例中，第二電離室106是高壓氙氣室。在第二電離室106中使用氙氣 促進(jìn)了對(duì)于發(fā)自洗提液中鉬-99輻射的靈敏度增加。因此，利用定位在第一井108中的小 瓶114,來自洗提液中的鉬-99的輻射電離第二電離室106中的氣體，在第二電離室106中 產(chǎn)生第二電流。因?yàn)殪`敏度增加，第二電離室106也對(duì)來自锝-99m的322. 41KeV輻射敏 感。因此，在第二電離室106中產(chǎn)生的第二電流的一部分是由于322. 41KeV輻射，而非來自 鉬-99的輻射。這可以通過校正確定的鉬-99含量而加以考慮，如下文更詳細(xì)描述的。
[0020] 可通信地聯(lián)接到第二電離室106的第二電流測(cè)量裝置132測(cè)量第二電 流。在該實(shí)施例中，第二電流測(cè)量裝置132是源測(cè)量單元（SMU)。SMU可以是例如 Keithley_?Sub-Femptoamp遠(yuǎn)程源表（Keithley是俄亥俄州克利夫蘭市的Keithley儀 器公司的注冊(cè)商標(biāo)）。作為替換方式，第二電流測(cè)量裝置132可以是能夠測(cè)量第二電離室 106中的第二電流的任意裝置。
[0021] 在該實(shí)施例中，計(jì)算裝置150可通信地聯(lián)接到第一和第二電流測(cè)量裝置130和 132。計(jì)算裝置150分別從第一和第二電流測(cè)量裝置130和132接收第一電流測(cè)量值和第 二電流測(cè)量值。
[0022] 在這個(gè)實(shí)施例中，輻射檢測(cè)裝置102包括一對(duì)吊耳160。由于輻射檢測(cè)裝置102可 能相對(duì)沉重（例如，大于60鎊），所以吊耳160輔助提升和輸送輻射檢測(cè)裝置102。輻射檢 測(cè)裝置102還包括頂部輻射防護(hù)構(gòu)件170和底部輻射防護(hù)構(gòu)件172。頂部和底部輻射防護(hù) 構(gòu)件170和172可以由任意適當(dāng)?shù)妮椛淦帘尾牧希ɡ珂u、鉛等）制成。
[0023] 圖3為計(jì)算裝置150的框圖。計(jì)算裝置150包括至少一個(gè)存儲(chǔ)裝置310和聯(lián)接到 存儲(chǔ)裝置310用于執(zhí)行指令的處理器315。在該實(shí)施例中，可執(zhí)行指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置310 中，而計(jì)算裝置150通過編程處理器315執(zhí)行本文中描述的一個(gè)或更多個(gè)操作。例如，處理 器315可以通過將操作編碼為一個(gè)或更多個(gè)可執(zhí)行指令并將可執(zhí)行指令提供在存儲(chǔ)裝置 310中來進(jìn)行編程。
[0024] 處理器315可以包括一個(gè)或更多個(gè)處理單元（例如，多芯配置）。此外，處理器 315可以使用一個(gè)或更多個(gè)異構(gòu)處理器系統(tǒng)實(shí)施，在所述系統(tǒng)中，主處理器連同次級(jí)處理器 存在于單一芯片上。作為另一個(gè)說明性示例，處理器315可以是對(duì)稱的多處理器系統(tǒng)，該系 統(tǒng)包含相同類型的多個(gè)處理器。此外，處理器315可以使用任意適當(dāng)?shù)目删幊屉娐穼?shí)施，所 述任意適當(dāng)可編程電路包括一個(gè)或更多個(gè)系統(tǒng)和微控制器、微處理器、可編程邏輯控制器 (PLC)、精簡(jiǎn)指令集電路（RISC)、專用集成電路（ASIC)、可編程邏輯電路、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣 列（FPGA)和能夠執(zhí)行本文中所描述功能的任意其它電路。在該實(shí)施例中，處理器315分別 根據(jù)第一和第二電流測(cè)量值來確定洗提液的锝-99m含量和鉬-99含量，如本文所描述的。 處理器315還可以控制第一和第二電流測(cè)量裝置130和132的工作。