電離室及光離子化傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體檢測技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種電離室及光離子化傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]PID(Photo 1nizat1n Detect1n光離子化檢測)技術(shù)作為一種精確而有效的檢測手段獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。PID的基本原理是利用惰性氣體真空放電現(xiàn)象所產(chǎn)生的紫外線，使待測氣體分子發(fā)生電離，并通過測量離子化后的氣體所產(chǎn)生的電流強(qiáng)度，從而得到待測氣體濃度。
[0003]PID傳感器(光離子化傳感器)通常由紫外燈光源和電離室等主要部件構(gòu)成。在離子室內(nèi)設(shè)置有正負(fù)電極以形成電場，有機(jī)揮發(fā)物分子在高能紫外線的激發(fā)下，產(chǎn)生電子和帶正電荷的離子。這些電離的微粒在電極間形成電流，經(jīng)檢測器放大和處理后輸出電流信號，最終檢測到PPM級的濃度。現(xiàn)有技術(shù)中，待測氣體分子在電離室中往往得不到充分而均勻的電離，而使得整個PID傳感器的靈敏度、重復(fù)性、抗干擾能力、響應(yīng)時間等關(guān)鍵性能較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種待測氣體分子能夠得到充分且均勻的電離的電離室及光離子化傳感器。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造了一種電離室，用于光離子化傳感器，包括開設(shè)有電離腔的電離室主體、分別密封安裝在所述電離腔兩端的濾光膜與電路板，以及與所述電離腔相連通的進(jìn)氣嘴與出氣嘴;所述進(jìn)氣嘴與所述出氣嘴安裝在所述電離室主體的同一側(cè)。
[0006]在本發(fā)明所述的電離室中，所述電離室主體遠(yuǎn)離所述濾光膜的一端開設(shè)有分別與所述電離腔相連通的進(jìn)氣槽與出氣槽;所述進(jìn)氣槽與所述出氣槽位于所述電離室主體的同一側(cè);所述進(jìn)氣嘴與所述進(jìn)氣槽相連通;所述出氣嘴與所述出氣槽相連通。
[0007]在本發(fā)明所述的電離室中，所述濾光膜上貫穿開設(shè)有漏光孔。
[0008]在本發(fā)明所述的電離室中，所述電離室還包括插裝在所述電路板上的第一電極片與第二電極片;所述第一電極片與一端第二電極片層疊設(shè)置。
[0009]在本發(fā)明所述的電離室中，所述第一電極片上貫穿開設(shè)有第一漏光孔;所述第二電極片上貫穿開設(shè)有第二漏光孔;所述漏光孔、所述第一漏光孔與所述第二漏光孔三者同軸設(shè)置。
[0010]在本發(fā)明所述的電離室中，所述電路板與所述電離室主體貼合設(shè)置;所述所述電路板與所述電離室主體之間安裝有密封圈。
[0011]在本發(fā)明所述的電離室中，所述電離室主體遠(yuǎn)離所述濾光膜的一側(cè)開設(shè)有環(huán)形的安裝槽;所述密封圈安裝在所述安裝槽中。
[0012]在本發(fā)明所述的電離室中，所述電離腔的內(nèi)壁徑向設(shè)置有限位凸起;所述濾光膜與所述限位凸起相互抵持。
[0013]在本發(fā)明所述的電離室中，所述濾光膜由特氟龍制成。
[0014]本發(fā)明還構(gòu)造了一種光離子化傳感器，包括紫外燈，以及如上實(shí)施例所述的電離室;所述紫外燈與所述濾光膜相對設(shè)置。
[0015]實(shí)施本發(fā)明的電離室及光離子化傳感器，具有以下有益效果:所述電離室采用安裝在電離室主體同一側(cè)的進(jìn)氣嘴與出氣嘴的結(jié)構(gòu)，使得進(jìn)入所述電離室的待測氣體能夠較長時間地滯留在電離腔內(nèi)，此時待測氣體分子能夠在所述電離室中得到充分而均勻的電離，進(jìn)而能夠提高光離子化傳感器的靈敏度、重復(fù)性、抗干擾能力以及響應(yīng)時間等性能。
【附圖說明】
[0016]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0017]圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的電離室的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是圖1所示的電離室的爆炸圖；
[0019]圖3是圖1所示的電離室中的電離室主體的結(jié)構(gòu)圖；
[0020]圖4是圖1所示的電離室中的電離室主體的另一結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖5是圖1所示的電離室中的第一電極片與第二電極片安裝在電路板上的結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖6是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的光離子化傳感器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。
[0024]如圖1、圖2、圖3、圖4以及圖5所示，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供一種電離室，其包括電離室主體1、濾光膜2、電路板3、進(jìn)氣嘴4、出氣嘴5、密封圈6、第一電極片7以及第二電極片8。
[0025]具體地，如圖3、圖4并參閱圖1以及圖2所示，該電離室主體I為長方體結(jié)構(gòu)，其開設(shè)有電離腔10，電離腔10的兩端分別封裝有濾光膜2與電路板3。該電離腔10為待檢測氣體發(fā)生電離時的電離場所，其貫穿開設(shè)在電離室主體I的上下兩端面(圖示方向)。本實(shí)施例中，電離腔10為圓柱狀結(jié)構(gòu)，也即電離室主體I上開設(shè)有圓形通孔以形成該電離腔10。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，電離室主體I并不局限于長方體結(jié)構(gòu)，其亦可以為圓柱狀或不規(guī)則形狀等結(jié)構(gòu)；電離腔10的結(jié)構(gòu)也不局限于圓柱狀結(jié)構(gòu)，其亦可以為方形等結(jié)構(gòu)。
[0026]如圖2并參閱圖1以及圖3所示，該濾光膜2封裝在電離腔10遠(yuǎn)離電路板3的一端，光離子化傳感器工作時，紫外線穿過該濾光膜2進(jìn)入電離腔10內(nèi)。本實(shí)施例中，濾光膜2采用特氟龍制成，也即濾光膜2為特氟龍濾光膜，其具有良好的抗腐蝕性及耐熱等性能。電離腔10的內(nèi)壁徑向設(shè)置有限位凸起13，濾光膜2與限位凸起13相互抵持，以使得濾光膜2能夠穩(wěn)固地封裝在電離腔1的一端。
[0027]該實(shí)施例中，濾光膜2上貫穿開設(shè)有漏光孔21。優(yōu)選地，該漏光孔21設(shè)置在濾光膜2的中心位置。采用該漏光孔21的結(jié)構(gòu)，使得安裝在濾光膜2上方的紫外燈100(見圖6)發(fā)出的紫外線只能通過漏光孔21進(jìn)入電離腔10內(nèi)，從而有效地限制避免了無序散射的真空紫外光對電離腔10內(nèi)部的元器件的照射腐蝕，進(jìn)而保證光離子化傳感器的穩(wěn)定運(yùn)作。
[0028]如圖5并參閱圖1以及圖2所示，該電路板3上安裝有第一電極片7與第二電極片8等元器件以形成電場。該電路板3的外形與電離室主體I的外形相適配，其貼合設(shè)置在電離室主體I遠(yuǎn)離濾光膜2的一側(cè)。本實(shí)施例中，電路板3為PCBA板，其與電離室主體I采用螺紋件(未圖示)進(jìn)行連接，以實(shí)現(xiàn)兩者的貼合設(shè)置。
[0029]如圖1以及圖2所示，進(jìn)氣嘴4與出氣嘴5分別與電離腔10相連通，該進(jìn)氣嘴4用于供待檢測氣體進(jìn)入電離腔10內(nèi)，該出氣嘴5用于供電離后的待檢測氣體從電離腔10中排出。本實(shí)施例中，進(jìn)氣嘴4與出氣嘴5安裝在電離室主體I的同一側(cè)。電離室主體I遠(yuǎn)離濾光膜2的一端開設(shè)有分別與電離腔10相連通的進(jìn)氣槽11與出氣槽12，進(jìn)氣槽11與出氣槽12位于電離室主體I的同一側(cè)。進(jìn)氣嘴4與進(jìn)氣槽11相連通，出氣嘴5與出氣槽12相連通。米用該結(jié)構(gòu)，光離子化傳感器工作時，待檢測氣體從進(jìn)氣嘴4進(jìn)入電離腔10內(nèi)，并沿著電離腔10的圓弧壁面環(huán)繞一圈后，從位于同一側(cè)的出氣嘴5排出電離腔10，其中待檢測氣體的流動方向參見圖4所示。采用上述結(jié)構(gòu)，能夠使得進(jìn)入所