子束電流輪廓(圖2C的被監(jiān)測束電流IMn)來確定或歸一化圖2D的與時間無關的離子束輪廓Id，其中抵消了離子束電流在預定時間t內的波動。本公開還涉及歸一化的各種其他方法，例如利用函數(shù)擬合來自束監(jiān)測裝置142的一系列讀數(shù)并且將來自束輪廓確定裝置128的數(shù)據歸一化到所擬合的曲線。
[0039]根據本發(fā)明的另一方面，圖3示出了用于確定離子束的與時間無關的輪廓Id的示例性方法200。應當注意的是，根據本發(fā)明，盡管示出了示例性方法并且本文中將示例性方法描述為一系列動作或事件，但是將認識到，本發(fā)明不受這些動作或事件的所示出的順序限制，一些步驟可以按不同順序發(fā)生和/或與除本文中示出并描述的步驟之外的其他步驟同時發(fā)生。另外，并非所示出的所有步驟都是實施根據本發(fā)明的方法所需的。此外，將認識至IJ，可以與本文中示出并描述的系統(tǒng)相關聯(lián)地以及與未示出的其他系統(tǒng)相關聯(lián)地實現(xiàn)所述方法。
[0040]如圖3所示，方法200開始于動作202，其中，通過在預定時間t內將束輪廓確定裝置平移通過離子束，橫跨離子束的寬度來測量被確定輪廓的束電流Ipn，其中限定離子束的與時間和位置相關的輪廓。在動作204中，經由束監(jiān)測裝置，在預定時間t內測量離子束的邊緣處的被監(jiān)測束電流IMn，其中限定與時間相關的離子束電流。在一個示例中，經由束監(jiān)測裝置，在預定時間t內測量離子束的第一邊緣處和第二邊緣處的被監(jiān)測束電流Ιλ。在優(yōu)選實施例中，同步地和/或同時地執(zhí)行動作202和204。
[0041 ]在動作206中，通過利用被監(jiān)測束電流ΙΜη對被確定輪廓的束電流Ipn進行歸一化(諸如通過將被確定輪廓的束電流Ipn的與時間和位置相關的輪廓除以與時間相關的被監(jiān)測束電流ΙΜη)來確定與時間無關的離子束輪廓Id，其中抵消了離子束電流在預定時間t內的波動。
[0042]雖然已經參照特定優(yōu)選實施例示出并描述了本發(fā)明，但是顯然的是，在閱讀和理解本說明書和附圖后本領域技術人員將能夠進行等同替換和修改。具體地，關于由以上描述的元件(組件、設備、電路等)執(zhí)行的各種功能，除非另外指示，否則用于描述這些元件的術語(包括對“裝置”的引用)意在與執(zhí)行所描述的元件的指定功能的任何元件相對應(即，功能上等同)，即使結構上與本文中示出的本發(fā)明示例性實施例中的執(zhí)行所述功能的公開結構不等同。另外，雖然可能僅參照多個實施例中的一個實施例來公開本發(fā)明的具體特征，但是只要對于任何給定或具體應用而言是想要的和有利的，這種特征可以與其他實施例的一個或多個其他特征組合。
【主權項】
1.一種1?子注入系統(tǒng)，包括: 離子源，被配置為產生離子束，所述離子束具有與其相關聯(lián)的離子束電流； 質量分析器，被配置為對離子束進行質量分析； 束輪廓確定裝置，被配置為在預定時間內沿輪廓確定平面平移通過離子束，其中，束輪廓確定裝置還被配置為與所述平移并發(fā)地橫跨離子束的寬度來測量束電流，其中限定離子束的與時間和位置相關的束電流輪廓； 束電流監(jiān)測裝置，其中，束監(jiān)測裝置被配置為在所述預定時間內測量離子束的離子束電流，其中限定與時間相關的離子束電流;以及 控制器，被配置為在同步時間收集來自束輪廓確定裝置和束電流監(jiān)測裝置的束電流數(shù)據，并通過將離子束的與時間和位置相關的束電流輪廓除以與時間相關的離子束電流來確定與時間無關的離子束輪廓，其中抵消離子束電流在所述預定時間內的波動。2.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束輪廓確定裝置包括法拉第杯。3.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，法拉第杯包括窄縫，所述窄縫允許離子束的一部分通過以進入。4.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束電流監(jiān)測裝置包括具有窄縫的法拉第杯，其中，法拉第杯位于離子束的邊緣處并被配置為測量所述離子束的邊緣處的離子束電流。5.根據權利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束電流監(jiān)測裝置包括分別位于離子束的相對邊緣處的一對法拉第杯，其中，所述一對法拉第杯被配置為測量離子束的相應邊緣處的離子束電流。6.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，還包括:掃描器，位于質量分析器的下游，并被配置為掃描離子束，其中形成帶狀掃描的離子束。7.根據權利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束監(jiān)測裝置被配置為測量所述帶狀掃描的離子束的邊緣處的離子束電流。8.根據權利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束電流監(jiān)測裝置包括位于帶狀離子束的第一橫向邊緣處的第一法拉第杯以及位于帶狀離子束的第二橫向邊緣處的第二法拉第杯。9.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，控制器被配置為接收來自第一法拉第杯的第一離子束電流測量、來自第二法拉第杯的第二離子束電流測量，并根據第一離子束電流測量和第二離子束電流測量來計算平均離子束電流，其中，通過將離子束的與時間和位置相關的束電流輪廓除以所述平均離子束電流來實現(xiàn)與時間無關的離子束輪廓的確定。10.根據權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，束電流監(jiān)測裝置位于束輪廓確定裝置的上游。11.一種用于確定離子束的與時間無關的輪廓的方法，所述方法包括: 通過在預定時間內將束輪廓確定裝置平移通過離子束，橫跨離子束的寬度來測量離子束電流，其中限定離子束的與時間和位置相關的輪廓； 經由束電流監(jiān)測裝置，測量所述預定時間內在離子束的邊緣處的離子束電流，其中限定與時間相關的離子束電流;以及 通過將離子束電流的與時間和位置相關的輪廓除以與時間相關的離子束電流來計算與時間無關的離子束輪廓，其中，抵消離子束電流在所述預定時間內的波動。12.根據權利要求11所述的方法，其中，束電流監(jiān)測裝置位于束輪廓確定裝置的上游。13.根據權利要求11所述的方法，其中，測量離子束的邊緣處的離子束電流包括:經由束電流監(jiān)測裝置測量所述預定時間內在離子束的第一邊緣處和第二邊緣處的離子束電流，其中，通過對在離子束的第一邊緣處和第二邊緣處測量的離子束電流求平均來限定所述與時間相關的離子束電流。14.根據權利要求11所述的方法，其中，束電流監(jiān)測裝置包括具有在其中限定了窄縫的一個或多個法拉第杯，其中，所述一個或多個法拉第杯被配置為測量離子束的一個或多個邊緣處的離子束電流。15.根據權利要求11所述的方法，還包括:靜電地掃描離子束，其中限定帶狀束。16.一種在離子注入系統(tǒng)中執(zhí)行劑量控制的方法，所述方法包括: 產生離子束； 對離子束進行質量分析； 掃描經質量分析的離子束以形成帶狀離子束； 通過在預定時間內將束輪廓確定裝置平移通過離子束，橫跨所述帶狀離子束的寬度來測量尚子束電流，其中限定尚子束的與時間和位置相關的輪廓； 在所述預定時間內測量所述帶狀離子束的邊緣處的離子束電流，其中限定與時間相關的離子束電流;以及 通過將離子束電流的與時間和位置相關的輪廓除以與時間相關的離子束電流來計算與時間無關的離子束輪廓，其中，抵消離子束電流在所述預定時間內的波動。17.根據權利要求16所述的方法，其中，橫跨所述帶狀離子束的寬度來測量離子束電流包括:將法拉第杯從所述帶狀離子束的第一橫向邊緣處平移到所述帶狀離子束的第二橫向邊緣處，并經由法拉第杯測量束電流。18.根據權利要求17所述的方法，其中，測量所述帶狀離子束的邊緣處的離子束電流還包括:將第一法拉第杯置于所述帶狀離子束的第一橫向邊緣處，將第二法拉第杯置于所述帶狀離子束的與第一橫向邊緣相對的第二橫向邊緣處，并分別測量第一橫向邊緣處和第二橫向邊緣處的第一束電流和第二束電流，其中，與時間相關的離子束電流還被限定為第一束電流和第二束電流的平均值。
【專利摘要】提供了一種離子注入系統(tǒng)和方法，其中，離子源產生離子，質量分析器對離子束進行質量分析。束輪廓確定裝置在預定時間內沿輪廓確定平面平移通過離子束，其中，束輪廓確定裝置與所述平移并發(fā)地橫跨離子束的寬度來測量束電流，其中限定離子束的與時間和位置相關的束電流輪廓。束監(jiān)測裝置被配置為測量所述預定時間內在離子束的邊緣處的離子束電流，其中限定與時間相關的離子束電流，以及控制器通過將離子束的與時間和位置相關的束電流輪廓除以與時間相關的離子束電流來確定與時間無關的離子束輪廓，其中抵消離子束電流在所述預定時間內的波動。
【IPC分類】G01T1/34
【公開號】CN105723247
【申請?zhí)枴緾N201480062577
【發(fā)明人】佐藤秀
【申請人】艾克塞利斯科技公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2014年11月20日
【公告號】US8933424, WO2015077400A1