高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚a的集成芯片及其應(yīng)用
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片及其應(yīng)用。該芯片包括富集功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酚A的磁性分子印跡固相萃取并進(jìn)行富集；以及檢測(cè)功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酚A的電化學(xué)還原脫溴并進(jìn)行電化學(xué)檢測(cè)。該芯片能夠?qū)λh(huán)境中痕量的四溴雙酚A實(shí)現(xiàn)高選擇性、高靈敏度、在線的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。
【專利說(shuō)明】
高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片及其應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于化學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片及其應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]四溴雙酸A(Tetrabromobisphenol A，TBBPA)是一種痕量有機(jī)污染物，水體中TBBPA的含量通常比較低，一般來(lái)說(shuō)含量在0.3?540ng/L之間，因此需要通過(guò)富集和濃縮技術(shù)以提高其濃度，才能滿足TBBPA檢測(cè)器的檢測(cè)限。固相萃取及固相微萃取技術(shù)是水中TBBPA的主要富集方法，這些方法雖能有效地降低基質(zhì)干擾，獲得高的響應(yīng)靈敏度，但這種吸附富集TBBPA的過(guò)程是非特異性的，因此存在選擇性差的問(wèn)題，所得結(jié)果也難以反映TBBPA的真實(shí)濃度水平。分子印跡技術(shù)具有特異性和親和性，作為固相萃取劑可以從復(fù)雜的樣品基質(zhì)中選擇性地吸附目標(biāo)分子或結(jié)構(gòu)類似物，可克服傳統(tǒng)吸附劑在復(fù)雜環(huán)境和生物樣品中選擇性不足的問(wèn)題。分子印跡技術(shù)和固相萃取技術(shù)結(jié)合，得到具有高選擇性、快速有效的新型樣品前處理技術(shù)-分子印跡固相萃取。雖然上述方法解決了 TBBPA富集的選擇性問(wèn)題，但是分子印跡萃取劑的固定方法和分離方法無(wú)法滿足在線檢測(cè)的需求。磁性材料與其他材料最大的區(qū)別在于具有超順磁性，可在外加磁場(chǎng)作用下快速實(shí)現(xiàn)固液分離及材料的再生。將磁性材料和分子印跡材料相結(jié)合制備磁性分子印跡材料，不僅對(duì)模板分子具有特殊的選擇識(shí)別能力，而且具有磁吸附性能，只需通過(guò)外磁場(chǎng)的作用就能實(shí)現(xiàn)固液分離，克服了傳統(tǒng)固相萃取應(yīng)用中的裝柱、離心和過(guò)濾等操作步驟。結(jié)合微流控芯片檢測(cè)時(shí)間短、溶劑消耗量低、便攜、可集成的優(yōu)點(diǎn)，并通過(guò)磁場(chǎng)控制對(duì)磁性分子印跡材料進(jìn)行更新，實(shí)現(xiàn)TBBPA的可更新在線富集。
[0003]TBBPA進(jìn)行富集后，常規(guī)的檢測(cè)方法有高效液相色譜技術(shù)、液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)、電噴霧串聯(lián)質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)、氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)等。該類檢測(cè)技術(shù)具有檢測(cè)限低、準(zhǔn)確性好的優(yōu)點(diǎn)，但是需要大量的儀器設(shè)備、繁瑣的實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備、攜帶不便及價(jià)格昂貴都在一定程度上制約著TBBPA的現(xiàn)場(chǎng)、在線檢測(cè)。電化學(xué)傳感器的檢測(cè)下限低、靈敏度高、操作簡(jiǎn)單、成本低，能實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于環(huán)境、醫(yī)療和生物領(lǐng)域的檢測(cè)研究。傳統(tǒng)電化學(xué)方法采用氧化模式檢測(cè)TBBPA，發(fā)現(xiàn)溴代酚類在電氧化過(guò)程中生成了不導(dǎo)電的聚合物覆蓋在電極表面，且與其他溴代酚類相比TBBPA的氧化電流最小，這是由于苯酚環(huán)上的多個(gè)溴原子取代物阻礙了電氧化過(guò)程。因此，采用羥基的氧化作用對(duì)TBBPA進(jìn)行電化學(xué)檢測(cè)，存在響應(yīng)信號(hào)小、檢測(cè)不準(zhǔn)確等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片及其應(yīng)用，以滿足水環(huán)境中痕量四溴雙酸A高選擇性、便攜式、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)的需求。
[0005]針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)的發(fā)明人進(jìn)行了大量的探究實(shí)驗(yàn)，最終驚喜地發(fā)現(xiàn)，通過(guò)對(duì)TBBPA進(jìn)行還原脫溴，一方面可避免聚合物在電極表面的沉積影響電極表面的測(cè)試性能，另一方面通過(guò)還原脫溴的電位和響應(yīng)電流大小可實(shí)現(xiàn)TBBPA的定性和定量檢測(cè)。因此，本發(fā)明通過(guò)將磁性分子印跡固相萃取和電化學(xué)還原脫溴相結(jié)合，采用微加工工藝，形成集成有磁性分子印跡固相萃取富集功能和電化學(xué)還原脫溴檢測(cè)功能的微流控芯片，實(shí)現(xiàn)高選擇性、高靈敏度、在線的痕量四溴雙酸A檢測(cè)。
[0006]具體地，本發(fā)明提供一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片，其包括:
[0007]富集功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的磁性分子印跡固相萃取并進(jìn)行富集;以及
[0008]檢測(cè)功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的電化學(xué)還原脫溴并進(jìn)行電化學(xué)檢測(cè)。
[0009]所述富集功能單元由第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、磁性分子印跡微球的固定溝道和磁鐵組成，所述第一進(jìn)樣口為磁性分子印跡微球溶液/水樣/洗脫液/清洗液進(jìn)樣口，所述第二進(jìn)樣口為緩沖液進(jìn)樣口，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口和第一出樣口分別經(jīng)流體通道與磁性分子印跡微球的固定溝道相連通，最后匯入檢測(cè)功能單元；
[0010]所述檢測(cè)功能單元由混合池、混合通道、電化學(xué)反應(yīng)池、三電極體系和第二出樣口組成，所述三電極體系由工作電極、參比電極和對(duì)電極組成。
[0011 ] 其中，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、混合池、電化學(xué)反應(yīng)池和第二出樣口的形狀沒(méi)有特別限制，優(yōu)選均為圓形凹槽;所述磁性分子印跡微球的固定溝道、流體通道和混合通道的形狀沒(méi)有特別限制，優(yōu)選均為條形凹槽。所述圓形凹槽和條形凹槽的凹槽深度優(yōu)選為100-300μηι，寬度優(yōu)選為100-2000μηι，由深刻蝕方法制備得到。
[0012]其中，優(yōu)選地，所述集成芯片包括蓋片和玻璃襯底兩部分，特別優(yōu)選將除了所述磁鐵和三電極體系之外的所有結(jié)構(gòu)均集成在所述蓋片上，所述三電極體系集成在玻璃襯底的上表面，所述磁鐵位于玻璃襯底的下表面，其中所述三電極體系正對(duì)蓋片上的所述電化學(xué)反應(yīng)池，所述磁鐵正對(duì)蓋片上的所述磁性分子印跡微球的固定溝道。
[0013]所述磁鐵固定在磁性分子印跡微球固定溝道的下方，優(yōu)選地，所述磁鐵的寬度大于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，長(zhǎng)度小于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，以便于將磁性分子印跡微球固定在溝道內(nèi)部，同時(shí)不阻塞第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣
□O
[0014]在本發(fā)明的一具體實(shí)例中，所述蓋片的材質(zhì)為硅片，覆于板式玻璃襯底的上表面，使圓形凹槽密封為空腔，條形凹槽密封為通道;蓋片上正對(duì)的第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口和第二出樣口處，設(shè)有通孔;利用鍵合技術(shù)，將兩片板狀蓋片和玻璃襯底結(jié)合在一起;混合通道為“S”型。
[0015]所述磁性分子印跡微球采用四氧化三鐵為核，帶有模板分子(四溴雙酚Α)位點(diǎn)的二氧化娃為殼，優(yōu)選地，所述磁性分子印跡微球的粒徑為200-500nm。
[0016]優(yōu)選地，所述三電極體系的有效區(qū)域?yàn)闂l形，各電極采用等離子體濺射以及電鍍的方法加工制得，材料為金或鉑，厚度為lOnm-lOym，寬度10-2000μπι。
[0017]優(yōu)選地，所述工作電極的表面修飾有對(duì)四溴雙酚A具有電催化還原能力的敏感納米材料，所述敏感納米材料采用電沉積的方法制備得到，所述敏感納米材料為鈀、鈾和銘中的其中一種，或者為鈀、鉑和銠中的其中一種與石墨烯的納米復(fù)合物;所述參比電極為銀氯化銀電極，由銀氯化銀漿涂覆在襯底電極表面制備得到。
[0018]本發(fā)明還提供上述高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片在四溴雙酚A現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)中的應(yīng)用。
[0019]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0020]本發(fā)明的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片集成有磁性分子印跡固相萃取功能單元和電化學(xué)還原脫溴檢測(cè)功能單元，將富集和檢測(cè)方法相結(jié)合，形成便攜式儀器，能夠?qū)λh(huán)境中痕量的四溴雙酚A實(shí)現(xiàn)高選擇性、高靈敏度、在線的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。在本發(fā)明之前，本領(lǐng)域還沒(méi)有出現(xiàn)類似的儀器，因此本發(fā)明具有良好的應(yīng)用前景。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本發(fā)明的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片的俯視示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0024]本發(fā)明提供一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片，其包括:
[0025]富集功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的磁性分子印跡固相萃取并進(jìn)行富集;以及
[0026]檢測(cè)功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的電化學(xué)還原脫溴并進(jìn)行電化學(xué)檢測(cè)。
[0027]所述富集功能單元由第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、磁性分子印跡微球的固定溝道和磁鐵組成，所述第一進(jìn)樣口為磁性分子印跡微球溶液/水樣/洗脫液/清洗液進(jìn)樣口，所述第二進(jìn)樣口為緩沖液進(jìn)樣口，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口和第一出樣口分別經(jīng)流體通道與磁性分子印跡微球的固定溝道相連通，最后匯入檢測(cè)功能單元；
[0028]所述檢測(cè)功能單元由混合池、混合通道、電化學(xué)反應(yīng)池、三電極體系和第二出樣口組成，所述三電極體系由工作電極、參比電極和對(duì)電極組成。
[0029]其中，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、混合池、電化學(xué)反應(yīng)池和第二出樣口的形狀沒(méi)有特別限制，優(yōu)選均為圓形凹槽;所述磁性分子印跡微球的固定溝道、流體通道和混合通道的形狀沒(méi)有特別限制，優(yōu)選均為條形凹槽。所述圓形凹槽和條形凹槽的凹槽深度優(yōu)選為100-300μηι，寬度優(yōu)選為100-2000μηι，由深刻蝕方法制備得到。
[0030]其中，優(yōu)選地，所述集成芯片包括蓋片和玻璃襯底兩部分，特別優(yōu)選將除了所述磁鐵和三電極體系之外的所有結(jié)構(gòu)均集成在所述蓋片上，所述磁鐵和三電極體系集成在玻璃襯底的上表面，其中所述三電極體系正對(duì)蓋片上的所述電化學(xué)反應(yīng)池，所述磁鐵正對(duì)蓋片上的所述磁性分子印跡微球的固定溝道。
[0031 ]所述磁鐵固定在磁性分子印跡微球固定溝道的下方，優(yōu)選地，所述磁鐵的寬度大于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，長(zhǎng)度小于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，以便于將磁性分子印跡微球固定在溝道內(nèi)部，同時(shí)不阻塞第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣
□O
[0032]在本發(fā)明的一具體實(shí)例中，所述蓋片的材質(zhì)為硅片，覆于板式玻璃襯底的上表面，使圓形凹槽密封為空腔，條形凹槽密封為通道;蓋片上正對(duì)的第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口和第二出樣口處，設(shè)有通孔;利用鍵合技術(shù)，將兩片板狀蓋片和玻璃襯底結(jié)合在一起;混合通道為“S”型。
[0033]所述磁性分子印跡微球采用四氧化三鐵為核，帶有模板分子(四溴雙酚Α)位點(diǎn)的二氧化娃為殼，優(yōu)選地，所述磁性分子印跡微球的粒徑為200-500nm。
[0034]優(yōu)選地，所述三電極體系的有效區(qū)域?yàn)闂l形，各電極采用等離子體濺射以及電鍍的方法加工制得，材料為金或鉑，厚度為lOnm-lOym，寬度10-2000μπι。
[0035]優(yōu)選地，所述工作電極的表面修飾有對(duì)四溴雙酚A具有電催化還原能力的敏感納米材料，所述敏感納米材料采用電沉積的方法制備得到，所述敏感納米材料為鈀、鈾和銘中的其中一種，或者為鈀、鉑和銠中的其中一種與石墨烯的納米復(fù)合物;所述參比電極為銀氯化銀電極，由銀/氯化銀漿涂覆在襯底電極表面制備得到。
[0036]實(shí)施例1
[0037]如圖1和2所示，其分別為本發(fā)明的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片的俯視示意圖和三維結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]本發(fā)明的芯片包括富集功能單元I和檢測(cè)功能單元2，富集功能單元I由第一進(jìn)樣口 3、第二進(jìn)樣口 4、第一出樣口 5、磁性分子印跡微球固定溝道6和磁鐵7組成，第一進(jìn)樣口 3為磁性分子印跡微球溶液/水樣/洗脫液/清洗液進(jìn)樣口，第二進(jìn)樣口4為緩沖液進(jìn)樣口，第一進(jìn)樣口 3、第二進(jìn)樣口 4和第一出樣口 5分別經(jīng)流體通道與磁性分子印跡微球固定溝道6相連通，最后匯入檢測(cè)功能單元2;檢測(cè)功能單元2由混合池8、混合通道9、電化學(xué)反應(yīng)池10、三電極體系和第二出樣口 14組成，所述三電極體系由工作電極11、對(duì)電極12和參比電極13組成。除磁鐵7和三電極體系外，其余結(jié)構(gòu)均集成在蓋板15上，三電極集成在玻璃襯底16的上表面，正對(duì)上方的電化學(xué)反應(yīng)池10，磁鐵7位于玻璃襯底16的下表面，正對(duì)上方的磁性分子印跡微球固定溝道6 (如圖2所示)。
[0039]其中，第一進(jìn)樣口3、第二進(jìn)樣口4、第一出樣口5、混合池8、電化學(xué)反應(yīng)池10和第二出樣口 14的形狀均為圓形凹槽;磁性分子印跡微球的固定溝道6、流體通道的形狀均為條形凹槽，混合通道9為“S”型的條形凹槽。圓形凹槽和條形凹槽的凹槽深度均為200μπι，寬度均為500μπι，由深刻蝕方法制備得到。
[0040]在實(shí)際應(yīng)用中，其工作過(guò)程如下(以某一次具體的檢測(cè)過(guò)程為例，但不以此為限):[0041 ] (I)將500μ1磁性分子印跡微球溶液經(jīng)第一進(jìn)樣口 3進(jìn)入磁性分子印跡微球固定溝道6，利用磁鐵7的磁場(chǎng)將磁性分子印跡微球固定在固定溝道上，利用甲醇溶液對(duì)磁性分子印跡微球進(jìn)行清洗，并去除溝道內(nèi)未固定的磁性分子印跡微球；
[0042](2)封閉第二進(jìn)樣口 4，將1mL待測(cè)水樣經(jīng)第一進(jìn)樣口 3流入磁性分子印跡微球固定溝道6，與磁性分子印跡微球反應(yīng)后，廢液經(jīng)第一出樣口 5流出；
[0043](3)封閉第一進(jìn)樣口 3和第一出樣口 5，用500μ1的甲醇對(duì)富集的四溴雙酚A進(jìn)行洗脫，并在第二進(jìn)樣口 4加入500μ1的磷酸緩沖溶液；
[0044](4)四溴雙酚A的洗脫液與磷酸緩沖溶液進(jìn)入混合池8，而后經(jīng)混合通道9混合均勻進(jìn)入電化學(xué)檢測(cè)池10;
[0045](5)采用對(duì)四溴雙酚A具有催化作用的納米修飾電極為工作電極11、鉑電極為對(duì)電極12、銀/氯化銀為參比電極13對(duì)四溴雙酸A進(jìn)行電催化還原檢測(cè)；
[0046](6)檢測(cè)完成后，廢液從第二出樣口 14排出系統(tǒng)，清洗液由第一進(jìn)樣口 3進(jìn)入系統(tǒng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行清潔。
[0047]經(jīng)過(guò)上述步驟，本發(fā)明對(duì)痕量的四溴雙酚A實(shí)現(xiàn)了高選擇性、高靈敏度、在線的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，便于在實(shí)際應(yīng)用中推廣。
[0048]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酸A的集成芯片，其特征在于，其包括: 富集功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的磁性分子印跡固相萃取并進(jìn)行富集；以及 檢測(cè)功能單元，用于實(shí)現(xiàn)四溴雙酸A的電化學(xué)還原脫溴并進(jìn)行電化學(xué)檢測(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述富集功能單元由第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、磁性分子印跡微球的固定溝道和磁鐵組成，所述第一進(jìn)樣口為磁性分子印跡微球溶液/水樣/洗脫液/清洗液進(jìn)樣口，所述第二進(jìn)樣口為緩沖液進(jìn)樣口，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口和第一出樣口分別經(jīng)流體通道與磁性分子印跡微球的固定溝道相連通，最后匯入檢測(cè)功能單元； 所述檢測(cè)功能單元由混合池、混合通道、電化學(xué)反應(yīng)池、三電極體系和第二出樣口組成，所述三電極體系由工作電極、參比電極和對(duì)電極組成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口、混合池、電化學(xué)反應(yīng)池和第二出樣口的形狀均為圓形凹槽;所述磁性分子印跡微球的固定溝道、流體通道和混合通道的形狀均為條形凹槽； 優(yōu)選地，所述圓形凹槽和條形凹槽的凹槽深度為100-300μπι，寬度為100-2000μπι，由深刻蝕方法制備得到。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括蓋片和玻璃襯底兩部分;將除了所述磁鐵和三電極體系之外的所有結(jié)構(gòu)均集成在所述蓋片上，所述三電極體系集成在玻璃襯底的上表面，所述磁鐵位于玻璃襯底的下表面，其中所述三電極體系正對(duì)蓋片上的所述電化學(xué)反應(yīng)池，所述磁鐵正對(duì)蓋片上的所述磁性分子印跡微球的固定溝道。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述磁鐵的寬度大于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，長(zhǎng)度小于所述磁性分子印跡微球的固定溝道，以便于將磁性分子印跡微球固定在溝道內(nèi)部，同時(shí)不阻塞第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述蓋片的材質(zhì)為硅片，覆于板式玻璃襯底的上表面，使圓形凹槽密封為空腔，條形凹槽密封為通道;蓋片上正對(duì)的第一進(jìn)樣口、第二進(jìn)樣口、第一出樣口和第二出樣口處，設(shè)有通孔;利用鍵合技術(shù)，將兩片板狀蓋片和玻璃襯底結(jié)合在一起;混合通道為“S”型。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述磁性分子印跡微球采用四氧化三鐵為核，帶有四溴雙酚A位點(diǎn)的二氧化硅為殼，所述磁性分子印跡微球的粒徑為200-500nm。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述三電極體系的有效區(qū)域?yàn)闂l形，各電極采用等離子體濺射以及電鍍的方法加工制得，材料為金或鉑，厚度為lOnm-ΙΟμπι，寬度10-2000μπιο9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片，其特征在于，所述工作電極的表面修飾有對(duì)四溴雙酸A具有電催化還原能力的敏感納米材料，所述敏感納米材料采用電沉積的方法制備得到，所述敏感納米材料為鈀、鉑和銠中的其中一種，或者為鈀、鉑和銠中的其中一種與石墨烯的納米復(fù)合物;所述參比電極為銀氯化銀電極，由銀/氯化銀漿涂覆在襯底電極表面制備得到。10.權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的高選擇性富集和檢測(cè)四溴雙酚A的集成芯片在四溴雙酸A現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)中的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】B01J20/26GK105891285SQ201610274641
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日
【發(fā)明人】王晉芬, 邊超, 佟建華, 龔順, 孫楫舟, 李洋, 夏善紅
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所