一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于：主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的C1管腳相連接、負(fù)極接分別與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，以及串接在帶通濾波電路和電容C3的負(fù)極之間的頻率校正電路等組成。本發(fā)明可以對(duì)處理后所存在的波動(dòng)高頻信號(hào)進(jìn)行消除，從而提高了輸出高頻信號(hào)的穩(wěn)定性。
【專利說明】
一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種檢波系統(tǒng)，具體是指一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]檢波器可以檢出波動(dòng)信號(hào)中某種有用信息，其是用于識(shí)別振蕩信號(hào)存在或變化的器件，也可用于提取外界所攜帶的信息。目前檢波器已被廣泛應(yīng)用于地質(zhì)勘探和工程測量或測量設(shè)備運(yùn)行時(shí)的噪音等，其給人們帶來了很大的便利。
[0003]然而，目前市面上的檢波器所使用的檢波系統(tǒng)無法準(zhǔn)確的識(shí)別出高頻信號(hào)，嚴(yán)重影響了檢波器的勘探結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的檢波系統(tǒng)無法準(zhǔn)確的識(shí)別出高頻信號(hào)的缺陷，提供一種基于積分電路的頻率fe正型尚頻檢波系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、負(fù)極接分別與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，以及串接在帶通濾波電路和電容C3的負(fù)極之間的頻率校正電路，P極與處理芯片U的C3管腳相連接、N極接地的二極管D5，正極與處理芯片U的FO管腳相連接、負(fù)極與二極管D5的N極相連接的電容C7，N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、P極接電源的二極管D4，負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管D4的P極相連接、正極則與帶通濾波電路相連接的電容C5，與處理芯片U的OUT管腳相連接的線性放大電路，以及串接在電容C7的負(fù)極和線性放大電路之間的積分電路組成;所述處理芯片U的GND管腳接地。
[0006]進(jìn)一步的，所述積分電路由三極管VT6，三極管VT7，二極管D9，一端與二極管D9的P極相連接、另一端則作為該積分電路的輸入端的電阻R18，正極經(jīng)電阻R19后與二極管D9的P極相連接、負(fù)極與三極管VT6的基極相連接的電容C12，N極與三極管VT7的集電極相連接、P極經(jīng)電阻R21后與二極管09的~極相連接的二極管Dll，負(fù)極與三極管VT7的基極相連接、正極經(jīng)電阻R20后與二極管D9的N極相連接的電容C13，P極與二極管D9的N極相連接、N極則與三極管VT6的集電極相連接的二極管DlO，串接在三極管VT6的集電極和三極管VT7的基極之間的電阻R22，正極與二極管09的_及相連接、負(fù)極接地的電容Cl I，正極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、負(fù)極接地的電容C14，以及一端與二極管Dll的N極相連接、另一端作為該積分電路的輸出端的電阻R23組成；所述三極管VT6的發(fā)射極接地;所述電容C13的正極與二極管Dll的P極相連接;所述積分電路的輸入端與電容C7的負(fù)極相連接、其輸出端則與線性放大電路相連接。
[0007]所述頻率校正電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應(yīng)管M0S1，場效應(yīng)管M0S2，串接在三極管VT4的基極和集電極之間的電阻R12，P極與三極管VT4的基極相連接、N極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6，負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻R13后與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接的電容C9，串接在三極管VT5的基極和發(fā)射極之間的電阻R14，P極與三極管VT5的基極相連接、N極經(jīng)電阻R16后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的二極管D7，N極與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接、P極與三極管VT5的集電極相連接的二極管D8，串接在場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管MOSl的源極之間的電阻R17，以及正極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT5的發(fā)射極相連接的電容ClO組成;所述三極管VT4的基極作為該頻率校正電路的輸入端并與帶通濾波電路相連接、其集電極接地;所述三極管VT5的發(fā)射極與三極管VT4的集電極相連接;所述場效應(yīng)管M0S2的漏極作為該頻率校正電路的輸出端并與電容C3的負(fù)極相連接。
[0008]所述帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，N極與放大器Pl的正極相連接、P極則作為該帶通濾波電路的輸入端的二極管Dl，串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R2，正極與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極接地的電容Cl，串接在放大器Pl的負(fù)極和電容Cl的負(fù)極之間的電阻Rl，P極與放大器PI的輸出端相連接、N極則與三極管VTI的基極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接的二極管D3，串接在三極管VTl發(fā)射極和頻率校正電路的輸入端之間的電阻R4，負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、正極接地的電容C2，以及串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間的電阻R5組成;所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接;所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。
[0009]所述線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，正極與處理芯片U的OUT管腳相連接、負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接的電容C6，串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間的電阻Rl I，串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間的電阻RlO，一端與放大器P2的正極相連接、另一端接地的電阻R9，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地;所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端;所述放大器P3的輸出端還與積分電路的輸出端相連接。
[0010]所述處理芯片U為CX20106A集成芯片。
[0011]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0012](I)本發(fā)明采用CX20106A集成芯片與新穎的外圍電路相結(jié)合，可以有效的對(duì)輸入的檢測信號(hào)進(jìn)行處理，并很好的對(duì)檢測信號(hào)中的高頻信號(hào)進(jìn)行識(shí)別，從而使本發(fā)明可以準(zhǔn)確的識(shí)別出檢測信號(hào)中的高頻信號(hào)，極大的提高了檢波器的勘測精度。
[0013](2)本發(fā)明可以對(duì)高頻信號(hào)的頻率進(jìn)行校正，從而使本發(fā)明可以更好的對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行識(shí)別。
[0014](3)本發(fā)明可以對(duì)處理后所存在的波動(dòng)高頻信號(hào)進(jìn)行消除，從而提高了輸出高頻信號(hào)的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明的頻率校正電路的結(jié)構(gòu)圖。
[0017]圖3為本發(fā)明的積分電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0019]實(shí)施例
[0020]如圖1所示，本發(fā)明的基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，主要由處理芯片U，帶通濾波電路，電阻R6，電容C5，電阻R8，二極管D4，頻率校正電路，電阻R7，電容C3，電容C4，電容C7，二極管D5，積分電路以及線性放大電路組成。
[0021]其中，電阻R6串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間。電容C3的正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、其負(fù)極接與處理芯片U的GND管腳相連接。頻率校正電路則串接在帶通濾波電路和電容C3的負(fù)極之間。電容C4的正極與處理芯片U的C2管腳相連接、其負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接。二極管D5的P極與處理芯片U的C3管腳相連接、其N極接地。電容C7的正極與處理芯片U的FO管腳相連接、其負(fù)極與二極管05的_及相連接。二極管D4的N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、其P極接電源。電容C5的負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管D4的P極相連接、其正極則與帶通濾波電路相連接。線性放大電路則與處理芯片U的OUT管腳相連接。所述處理芯片U的GND管腳接地。為了更好的實(shí)施本發(fā)明，所述處理芯片U優(yōu)選CX20106A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。
[0022]該帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，電阻Rl，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，二極管Dl，二極管D2，二極管D3，電容Cl以及電容C2組成。
[0023]連接時(shí)，二極管Dl的N極與放大器Pl的正極相連接、其P極則作為該帶通濾波電路的輸入端并與外部的信號(hào)采集設(shè)備相連接。電阻R2串接在放大器Pl的正極和輸出端之間。電容Cl的正極與放大器Pl的輸出端相連接、其負(fù)極接地。電阻Rl串接在放大器Pl的負(fù)極和電容Cl的負(fù)極之間。穩(wěn)壓二極管D2的P極與放大器Pl的輸出端相連接、其N極則與三極管VTl的基極相連接。二極管D3的P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接。電阻R4串接在三極管VTI發(fā)射極和頻率校正電路的輸入端之間。電容C2的負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、其正極接地。電阻R5串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間。
[0024]同時(shí)，所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接。所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。
[0025]另外，該線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，電阻R9，電阻RlO，電阻R11，電容C6以及電容C8組成。
[0026]連接時(shí)，電容C6的正極與處理芯片U的OUT管腳相連接、其負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接。電阻Rl I串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間。電阻RlO串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間。電阻R9的一端與放大器P2的正極相連接、其另一端接地。電容C8的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接。所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地。所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端并與外部顯示設(shè)備相連接。所述放大器P3的輸出端還與積分電路的輸出端相連接。
[0027]如圖2所示，該頻率校正電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應(yīng)管MOSl，場效應(yīng)管1032，電阻1?12，電阻1?13，電阻1?14，電阻1?15，電阻1?16，電阻1?17，二極管06，二極管07，二極管D8，電容C9以及電容ClO組成。
[0028]連接時(shí)，電阻R12串接在三極管VT4的基極和集電極之間。二極管D6的P極與三極管VT4的基極相連接、其N極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接。電容C9的負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其正極經(jīng)電阻R13后與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接。電阻R14串接在三極管VT5的基極和發(fā)射極之間。二極管D7的P極與三極管VT5的基極相連接、其N極經(jīng)電阻R16后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接。二極管08的~極與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接、其P極與三極管VT5的集電極相連接。電阻Rl 7串接在場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管MOSI的源極之間。電容ClO的正極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT5的發(fā)射極相連接。
[0029]同時(shí)，所述三極管VT4的基極作為該頻率校正電路的輸入端并經(jīng)電阻R4后與三極管VTI的發(fā)射極相連接、其集電極接地。所述三極管VT5的發(fā)射極與三極管VT4的集電極相連接。所述場效應(yīng)管M0S2的漏極作為該頻率校正電路的輸出端并與電容C3的負(fù)極相連接。
[0030]如圖3所示，該積分電路由三極管VT6，三極管VT7，電阻R18，電阻Rl9，電阻R20，電阻R21，電阻R22，電阻R23，二極管D9，二極管D10，二極管Dll，電容Cll，電容C12，電容C13以及電容C14組成。
[0031 ]連接時(shí)，電阻R18的一端與二極管D9的P極相連接、其另一端則作為該積分電路的輸入端并與電容C7的負(fù)極相連接。電容C12的正極經(jīng)電阻R19后與二極管D9的P極相連接、其負(fù)極與三極管VT6的基極相連接。二極管Dll的N極與三極管VT7的集電極相連接、其P極經(jīng)電阻R21后與二極管09的_及相連接。電容C13的負(fù)極與三極管VT7的基極相連接、其正極經(jīng)電阻R20后與二極管09的_及相連接。二極管DlO的P極與二極管09的_及相連接、其N極則與三極管VT6的集電極相連接。電阻R22串接在三極管VT6的集電極和三極管VT7的基極之間。電容Cll的正極與二極管09的_及相連接、其負(fù)極接地。電容C14的正極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、其負(fù)極接地。電阻R23的一端與二極管D11的N極相連接、其另一端作為該積分電路的輸出端并與放大器P3的輸出端相連接。同時(shí)，所述三極管VT6的發(fā)射極接地;所述電容Cl 3的正極與二極管Dl I的P極相連接。
[0032]檢測信號(hào)輸入到本發(fā)明后由本發(fā)明對(duì)檢測信號(hào)中的干擾信號(hào)進(jìn)行隔離，并對(duì)檢測信號(hào)的頻率進(jìn)行校正，并識(shí)別出高頻檢測信號(hào)，最后再對(duì)高頻檢測信號(hào)進(jìn)行放大后輸出給外部的顯示設(shè)備；同時(shí)，本發(fā)明還可以對(duì)處理后所存在的波動(dòng)高頻信號(hào)進(jìn)行消除，從而提高了輸出高頻信號(hào)的穩(wěn)定性;如此則可以準(zhǔn)確的識(shí)別出檢測信號(hào)中的高頻信號(hào)，極大的提高了檢波器的勘測精度。
[0033]如上所述，便可很好的實(shí)施本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、負(fù)極接分別與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，以及串接在帶通濾波電路和電容C3的負(fù)極之間的頻率校正電路，P極與處理芯片U的C3管腳相連接、N極接地的二極管D5，正極與處理芯片U的FO管腳相連接、負(fù)極與二極管05的_及相連接的電容C7，N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、P極接電源的二極管D4，負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管04的卩極相連接、正極則與帶通濾波電路相連接的電容C5，與處理芯片U的OUT管腳相連接的線性放大電路，以及串接在電容C7的負(fù)極和線性放大電路之間的積分電路組成;所述處理芯片U的GND管腳接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述積分電路由三極管VT6，三極管VT7，二極管D9，一端與二極管D9的P極相連接、另一端則作為該積分電路的輸入端的電阻R18，正極經(jīng)電阻R19后與二極管D9的P極相連接、負(fù)極與三極管VT6的基極相連接的電容C12，N極與三極管VT7的集電極相連接、P極經(jīng)電阻R21后與二極管09的~極相連接的二極管Dll，負(fù)極與三極管VT7的基極相連接、正極經(jīng)電阻R20后與二極管09的_及相連接的電容C13，P極與二極管09的~極相連接、N極則與三極管VT6的集電極相連接的二極管DlO，串接在三極管VT6的集電極和三極管VT7的基極之間的電阻R22，正極與二極管09的_及相連接、負(fù)極接地的電容Cl I，正極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、負(fù)極接地的電容C14，以及一端與二極管Dll的N極相連接、另一端作為該積分電路的輸出端的電阻R23組成;所述三極管VT6的發(fā)射極接地;所述電容C13的正極與二極管Dl I的P極相連接;所述積分電路的輸入端與電容C7的負(fù)極相連接、其輸出端則與線性放大電路相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述頻率校正電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應(yīng)管MOSl，場效應(yīng)管M0S2，串接在三極管VT4的基極和集電極之間的電阻R12，P極與三極管VT4的基極相連接、N極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6，負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻R13后與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接的電容C9，串接在三極管VT5的基極和發(fā)射極之間的電阻R14，P極與三極管VT5的基極相連接、N極經(jīng)電阻R16后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的二極管D7，N極與場效應(yīng)管M0S2的柵極相連接、P極與三極管VT5的集電極相連接的二極管D8，串接在場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管MOSl的源極之間的電阻R17，以及正極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT5的發(fā)射極相連接的電容ClO組成;所述三極管VT4的基極作為該頻率校正電路的輸入端并與帶通濾波電路相連接、其集電極接地;所述三極管VT5的發(fā)射極與三極管VT4的集電極相連接;所述場效應(yīng)管M0S2的漏極作為該頻率校正電路的輸出端并與電容C3的負(fù)極相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，N極與放大器Pl的正極相連接、P極則作為該帶通濾波電路的輸入端的二極管Dl，串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R2，正極與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極接地的電容Cl，串接在放大器Pl的負(fù)極和電容Cl的負(fù)極之間的電阻R1，P極與放大器Pl的輸出端相連接、N極則與三極管VTl的基極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接的二極管D3，串接在三極管VTl發(fā)射極和頻率校正電路的輸入端之間的電阻R4，負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、正極接地的電容C2，以及串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間的電阻R5組成;所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接;所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，正極與處理芯片U的OUT管腳相連接、負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接的電容C6，串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間的電阻Rl I，串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間的電阻RlO，一端與放大器P2的正極相連接、另一端接地的電阻R9，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地;所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端;所述放大器P3的輸出端還與積分電路的輸出端相連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于積分電路的頻率校正型高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述處理芯片U為CX20106A集成芯片。
【文檔編號(hào)】G01V1/18GK105891879SQ201610369601
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年5月28日
【發(fā)明人】李洪軍
【申請人】成都尼奧爾電子科技有限公司