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用于重構(gòu)墻壁后的場景的方法和系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):10557065閱讀:297來源:國知局
用于重構(gòu)墻壁后的場景的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明總體上涉及穿墻成像,并且更具體地涉及使用壓縮傳感和MIMO天線陣列來重構(gòu)墻壁后的場景。該發(fā)明的一種方法通過穿過墻壁將信號(hào)發(fā)送至場景中來重構(gòu)墻壁后的場景。根據(jù)反射的信號(hào)來估計(jì)墻壁的參數(shù)。使用所述參數(shù)來生成墻壁的介電常數(shù)的模型,然后使用所述模型以及稀疏恢復(fù)來根據(jù)反射的信號(hào)將該場景重構(gòu)為圖像。
【專利說明】
用于重構(gòu)墻壁后的場景的方法和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明總體上涉及穿墻成像,并且更具體地,涉及使用壓縮傳感和MM0天線陣列 來重構(gòu)墻壁后的場景。
【背景技術(shù)】
[0002] 穿墻成像
[0003] 穿墻成像(TWI)可以用于從外側(cè)檢測封閉結(jié)構(gòu)內(nèi)部的物體。在TWI中,發(fā)送器發(fā)射 穿墻傳播的電磁(EM)雷達(dá)脈沖。該脈沖被墻壁的另一側(cè)的物體反射,并且接著傳播回接收 器作為與所發(fā)射的脈沖相卷積的沖激響應(yīng)。通常,發(fā)送器和接收器使用天線陣列。
[0004] 取決于墻壁的介電常數(shù)和導(dǎo)磁系數(shù),接收到的信號(hào)通常受到來自墻壁的間接二次 反射的破壞,這導(dǎo)致在圖像中呈現(xiàn)為噪聲的幻像偽影。墻壁雜波抑制技術(shù)嘗試消除TWI中由 多路徑反射引起的偽影。
[0005] 壓縮傳感
[0006] 壓縮傳感(CS)和其它次奈奎斯特采樣和獲取方法可由稀疏的、欠采樣雷達(dá)陣列系 統(tǒng)使用。天線陣列使用與常規(guī)陣列結(jié)構(gòu)相比明顯較少的陣列元件來使能雷達(dá)信號(hào)獲取和成 像,從而顯著地減小了陣列實(shí)現(xiàn)成本。
[0007]稀疏陣列具有遠(yuǎn)大于所發(fā)送的信號(hào)的波長的一半的平均元件間間隔,該間隔是用 于陣列處理的尼奎斯特間隔。這是使用不均勻元件間隔來實(shí)現(xiàn)的,消除了稱為光柵波瓣的 根本上無法解決的模糊。
[0008] 盡管常規(guī)方法已被用于恢復(fù)所獲取的圖像,那些方法遭受由那些陣列展現(xiàn)出的增 加的旁瓣的影響。然而,稀疏恢復(fù)方法對于旁瓣是足夠魯棒的,因而使能利用明顯較少的陣 列元件進(jìn)行成像。如此處使用的,"稀疏度"不是一個(gè)相對術(shù)語,而是用于表示大多是零值且 僅有一些非零值的數(shù)據(jù)的專業(yè)術(shù)語。
[0009] 在Mansour于2013年7月22 日提交的標(biāo)題為 "Method and System for Through-the-ffall Imaging using Sparse Inversion for Blind Multi-Path Elimination"的美 國申請13/947,426中,通過穿墻發(fā)送脈沖檢測到墻壁后的場景中的物體。通過被應(yīng)用于與 反射的脈沖相對應(yīng)的接收到的信號(hào)的稀疏正則化最小二乘反演來檢測一次沖激響應(yīng)。還確 定了使一次沖激響應(yīng)與接收到的信號(hào)中的相似沖激響應(yīng)匹配的延遲算子。還可以確定脈沖 穿過墻之后但在脈沖被目標(biāo)反射之前的脈沖的失真。在迭代過程中使用所述失真以細(xì)化目 標(biāo)的檢測并抑制重影偽像。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 壓縮傳感(CS)和稀疏陣列處理提供了改善雷達(dá)成像系統(tǒng)的新方法。本發(fā)明的實(shí)施 方式使用多輸入多輸出(M頂0)雷達(dá)陣列以顯著地減小穿墻成像(TWI)的成本和復(fù)雜性。
[0011] 當(dāng)存在分層無損墻壁時(shí),本實(shí)施方式考慮嵌套陣列、互質(zhì)陣列和隨機(jī)陣列。通過結(jié) 合考慮墻壁參數(shù)的稀疏重構(gòu)問題來制定和解決墻壁參數(shù)估計(jì)問題以執(zhí)行場景重構(gòu)。
[0012] MIM0架構(gòu)顯示由于波形分集導(dǎo)致的減小的陣列增益,并且提供更精細(xì)空間分辨 率、更多的自由度、改善的參數(shù)能識(shí)性的性能以及多路徑拒絕。
[0013] 假定成像的場景是稀疏的,對方法的描述通過檢查點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)(PSF)特征在主瓣 和旁瓣結(jié)構(gòu)方面分析不同的稀疏陣列架構(gòu)和墻壁輪廓的成像性能。又稱為波束圖案(beam pattern)的PSF在稀疏恢復(fù)和壓縮傳感的情況下與互相干性密切相關(guān)。PSF的特征對均用于 稀疏重構(gòu)方法的陣列性能提供很好的直覺。
[0014] 因?yàn)榧軜?gòu)的增加的旁瓣電平降低了常規(guī)成像方法的性能,所以使用稀疏重構(gòu)以利 用感興趣場景的稀疏度。在一個(gè)實(shí)施方式中,我們應(yīng)用迭代硬閾值(IHT)<JHT是用于估計(jì)墻 壁后的反射圖的基于貪婪的稀疏信號(hào)恢復(fù)方法。
[0015] 此外,實(shí)施方式提供了根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)來估計(jì)墻壁輪廓的參數(shù)的方法。所述輪 廓包括介電常數(shù)和導(dǎo)磁系數(shù)以及墻壁的厚度。這些參數(shù)用于開發(fā)用于我們重構(gòu)方法的成像 算子。
【附圖說明】
[0016] 圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于重構(gòu)墻壁后的場景的系統(tǒng)和方法的示意圖;
[0017] 圖1B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于重構(gòu)墻壁后的場景的系統(tǒng)和方法的示意圖;
[0018] 圖1C是本發(fā)明的實(shí)施方式考慮的由于墻壁導(dǎo)致的間接二次反射的示意圖;
[0019] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于重構(gòu)墻壁后的場景的系統(tǒng)和方法的框圖;
[0020] 圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的由一對互質(zhì)數(shù)限定的互質(zhì)陣列的示意圖;
[0021]圖3B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于圖3A的互質(zhì)陣列的MM0陣列波束圖案的示 意圖;
[0022]圖4A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的還包括兩個(gè)均勻線性陣列的嵌套陣列的示意圖; 以及
[0023]圖4B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于圖4A的嵌套陣列的MM0陣列波束圖案的示 意圖。
【具體實(shí)施方式】 [0024]系統(tǒng)建立
[0025]如圖1A和圖1B所示,本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種用于物體50的穿墻成像(TWI) 的方法和系統(tǒng),該方法和系統(tǒng)不需要場景幾何的任何先驗(yàn)知識(shí)。該方法可以重構(gòu)墻壁40后 的場景60。
[0026] 該系統(tǒng)包括多輸入多輸出(MHTO)天線陣列10、收發(fā)器20以及處理器30。天線包括 多個(gè)元件11。在現(xiàn)有技術(shù)中,元件的間隔通常是均勻的并且等于所發(fā)送的信號(hào)的波長的一 半。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中,天線元件的平均元件間間隔是不均勻的,并且遠(yuǎn)大于所發(fā) 送的信號(hào)的波長的一半。
[0027]收發(fā)器使用天線陣列的一些或所有天線元件11來發(fā)送一個(gè)或更多個(gè)脈沖14。發(fā)送 的脈沖穿透墻壁40傳播,并且被墻壁40后的場景60中的可能的物體50反射。對應(yīng)于每個(gè)脈 沖的反射信號(hào)(沖激響應(yīng))12由如下描述的陣列10的元件接收。接收到的信號(hào)包括通過直接 路徑接收到的一次反射以及通過多路徑接收到的間接的二次反射。應(yīng)注意,在一些實(shí)施方 式中,天線元件可以用于僅發(fā)送或用于僅接收脈沖或用于既發(fā)送又接收脈沖。
[0028]接收信號(hào)12由方法200處理以產(chǎn)生重構(gòu)包括物體50的場景60的圖像70。可以在以 總線連接到本領(lǐng)域已知的存儲(chǔ)器和輸入/輸出接口的處理器30中執(zhí)行該方法。
[0029]如圖1C所示,由于墻壁導(dǎo)致的可以使重構(gòu)混亂的間接二次反射80特別重要。因此, 我們首先估計(jì)墻壁的參數(shù),并且使用這些參數(shù)以建立如何穿墻反射場景的模型。然后,我們 使用模型來進(jìn)行場景的稀疏恢復(fù)。
[0030] 場景重構(gòu)
[0031] 如圖2所示,通過穿墻發(fā)送信號(hào)14至場景60內(nèi),將墻壁40后的場景60重構(gòu)為圖像 70,并且根據(jù)反射的信號(hào)12來估計(jì)210墻壁的介電常數(shù)和導(dǎo)磁系數(shù)的參數(shù)。使用所述參數(shù)生 成220墻壁的模型200。然后,使用該模型、稀疏恢復(fù)和壓縮傳感230,根據(jù)反射的信號(hào)來重構(gòu) 場景。
[0032] TWI信號(hào)模型
[0033] 我們假定2D成像情景,其中,MIM0雷達(dá)陣列10位于與墻壁40相距do相隔距離的原 點(diǎn)13處。Mt發(fā)送器(Tx)和Mr接收器(Rx)元件的位置分別為ti,i = l,. . .,Mt和ri,i = l,..., Mr o
[0034] 使用點(diǎn)目標(biāo)逼近,將直接墻壁反射和加性觀察噪聲的影響排除之外的接收散射場 可以在頻域中被寫為:
[0035] p,0J)g(t, p,(0)dp. (1)
[0036] 在等式(1)中,w( ? )表示發(fā)送的雷達(dá)波形的頻率特征,s(p)表示位于p=(x,y)處 的感興趣物體的反射率,并且S表示成像區(qū)域60。函數(shù)8化1^2,《)表示用于從點(diǎn) 1)1至1)2的 分層介質(zhì)的格林函數(shù),該函數(shù)是墻壁的厚度d與相對介電常數(shù)e的函數(shù)。格林函數(shù)是具有指 定的初始狀態(tài)或邊界狀態(tài)的、在域上限定的非齊次微分方程的沖激響應(yīng)。
[0037] 為了使該系統(tǒng)離散化,我們使用P個(gè)點(diǎn)的網(wǎng)格來劃分區(qū)域S,并且使用 s € C?Pxi)表示圖的復(fù)雜反射率。如果在每個(gè)Rx元件處獲得N個(gè)頻率樣本,則等式(1)的 離散版本為:
[0038] y = O s (2)
[0039] 其中,
[0040] y = [j'(t 1, r], ), j(ti, i"!, ^>2, y(tMr, rMr, ^/V)]T, (3)
[0041] # =[多"麵,…,糾 € C(MrM<iVxP),⑷和 Iu>(wi.)t7(ri5 p^, . pi, u?.i) w(w2)ff(ris Pi; w2) . s (5)
[0043]其中,矩陣〇又稱為陣列流形矩陣。 6
[0044]稀疏陣列設(shè)計(jì) [0045]稀疏陣列架構(gòu)
[0046] 本實(shí)施方式中的稀疏陣列設(shè)計(jì)開始于分別地均勻間隔的可能的Tx和Rx陣列元件 的Mr和Mt的概念網(wǎng)格。該網(wǎng)格根據(jù)每個(gè)架構(gòu)被二次取樣,并且是互質(zhì)的、嵌套的或隨機(jī)的,并 且僅幾個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)被選擇為包括實(shí)際的Tx或Rx天線元件。
[0047] 如圖3A所示,通過分別針對Tx和Rx陣列的通過一對互質(zhì)數(shù),%和#;.限定互質(zhì)陣 列。Tx陣列包括與及網(wǎng)格單元具有元件間間隔的元件,而Rx陣列包括與網(wǎng)格單元 具有的元件間間隔的分,.元件。
[0048]如圖4A所示,嵌套陣列還包括兩個(gè)均勻的線性陣列(ULA),其中,Tx陣列包括具有 一個(gè)網(wǎng)格單元的間隔的個(gè)元件,并且RX陣列包括具有單元的個(gè)元件。
[0049] 通過使用均勻分布從每個(gè)網(wǎng)格隨機(jī)地選擇個(gè)^和#^^個(gè)Rx元件來設(shè)計(jì)具有相 同孔徑的隨機(jī)陣列。
[0050] 考慮到MM0元件的總數(shù)可以通過最大化自由度汾,.及丨獲得最優(yōu)MM0 稀疏嵌套陣列。對于互質(zhì)陣列,還包括堆皇素?cái)?shù)。
[0051] 圖3B和圖4B分別顯不了針對具有4和麗丨.=5的互質(zhì)陣列和嵌套陣列的的 MHTO陣列波束圖案的示例。圖3B和圖4B顯示了用于發(fā)送的信號(hào)的波束圖案301、用于接收的 信號(hào)的波束圖案302,并且實(shí)線303的波束圖案是總的產(chǎn)生的波束圖案。
[0052] #7.xM/稀疏MM0陣列可被視為MrXMt完整MM0陣列的子采樣。這可以使用子采 樣矩陣D F Ay Mr M/齡V來表示。使用O和^以分別表示完整陣列和稀疏陣 列的流形矩陣,用于稀疏陣列的采集函數(shù)(acquisition function)(2)變?yōu)?br>[0053] y = D'#:S: = <l> s, (6)
[0054] 其中,f表示子采樣的接收的數(shù)據(jù)。
[0055] 陣列設(shè)計(jì)特性
[0056]當(dāng)考慮陣列設(shè)計(jì)的特性時(shí),常規(guī)陣列技術(shù)集中在陣列的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)(PSF)或波束 圖案上。適當(dāng)?shù)貧w一化的PSF等于流形矩陣的列之間的互相干性,壓縮傳感(CS)采集系統(tǒng)中 的主要的感興趣特性。兩個(gè)列之間的相干性被限定為列之間的歸一化的內(nèi)積。矩陣的相干 性被限定為矩陣中元件的所有對中的內(nèi)積的最大絕對值。
(7)
[0058] 低矩陣相干性足夠提供最壞情況稀疏重構(gòu)保證,但不是必要的。
[0059] 另一方面,由PSF描述的相干性結(jié)構(gòu)1#&提供關(guān)于陣列的性能的明顯更多的信 息,尤其在常規(guī)方法下,諸如分辨率、噪聲和干擾魯棒性,并且成像區(qū)域中的點(diǎn)可以潛在地 造成重構(gòu)模糊。
[0060]我們考慮的品質(zhì)因數(shù)是主瓣面積(MLA)和最大旁瓣電平(MSLhMLA被限定為圍繞 場景中的點(diǎn)的面積,用于場景的PSF在特定電平之上,通常為-3CIBJSL被限定為PSF其旁瓣 (即主瓣的外側(cè))中到達(dá)的最高電平。MLA是陣列的分辨率的測量,因?yàn)镸LA表示圍繞場景中 的點(diǎn)的模糊。MSL是特定場景點(diǎn)的可恢復(fù)性的測量,因?yàn)樗鼫y量那個(gè)點(diǎn)與場景中的其他點(diǎn)的 最大互相干性。
[0061 ] 場景重構(gòu) [0062]墻壁輪廓估計(jì)
[0063]為了確定等式(1)中的格林函數(shù)g(pi,p2, w ),我們需要針對墻壁中全部L層確定介 電常數(shù)ei和厚度cU 1 = 1,...,L。由于事先不知道墻壁的幾何和反射特性,所以根據(jù)從接收 到的信號(hào)12獲取的數(shù)據(jù)來估計(jì)介電常數(shù)和厚度。
[0064]排除Tx和Rx陣列元件之間的自耦合,來自所有Rx元件的接收的信號(hào)包括來自每個(gè) 墻壁層的多路徑60分量。我們假定收發(fā)分置的Tx和Rx元件分隔開A = | |r-t| |,但是分享相 同的與墻壁的相隔距離do。使用斯涅爾定律,來自1&層的反射以延遲W A )到達(dá),即,抵達(dá) 時(shí)間(TA0)為
[0069]其中,ri是各個(gè)層內(nèi)的單向移動(dòng)距離。
[0070]因此,可以通過使每個(gè)反射的所測量的TOA,A ),1 = 1,? ? ? L與預(yù)測的T0A f/CAG)之間的均方誤差減到最小來獲得使用0= {£1,...,",山,...,dL}集總地表示的未 知的墻壁的參數(shù),考慮到來自各個(gè)層的墻壁參數(shù):
[0072]其中,aj是分配給各個(gè)Tx-Rx分隔的權(quán)重,并且A//.是來自MM)雷達(dá)陣列的Tx- Rx分隔的總數(shù)。對于有限的RF帶寬和低SNR應(yīng)用程序,可以應(yīng)用超分辨率或自適應(yīng)技術(shù)以獲 得更精確的T0A估計(jì)。
[0073]稀疏圖像恢復(fù)
[0074] 為了根據(jù)等式(6)中的測量f來恢復(fù)場景反射率|,我們假定場景是稀疏的并且使 用CS技術(shù)。
[0075] 具體地,一個(gè)實(shí)施方式可以解決稀疏約束最小化問題。
[0076] i = argmm.||y #s|jl s.t. ||s||〇 < Kf (12)
[0077]其中,K是s的最大的稀疏度,即,散射場景中發(fā)射器的最大數(shù)。而一般問題是NP困 難(NP-hard),可以通過放寬€〇.范數(shù)至其l_i凸包(convex hull)或使用貪婪法解決。一個(gè)實(shí) 施方式可以使用是迭代法的迭代硬閾值化(IHT),其中,使用
[0078] 1} - Tk (sj? + (y - ?(0)) ? (13)
[0079] 來估計(jì)迭代t的稀疏估計(jì)其中,n是步長,并且7^01是僅保存其變元的k 9 - 個(gè)最大幅度分量并且將剩余分量設(shè)置為〇的硬閾值算子。IHT是優(yōu)選的實(shí)施方式,因?yàn)榕c另 選方式相比,IHT提供計(jì)算成本與恢復(fù)性能的最好平衡。其還利用基于模型的CS允許對信號(hào) 模型更大的適應(yīng)性。IHT還可以通過在每次迭代中調(diào)整步長選擇來進(jìn)一步加速。其它實(shí)施方 式可以使用其它方法求解等式(12),諸如,匹配追蹤(MP)、正交匹配追蹤(0MP)、子空間追蹤 (3卩)、壓縮采樣匹配追蹤((:〇3 &1^)以及逼近消息傳遞(41^),如見1].3.7,834,795。
[0080] 另一實(shí)施方式可以使用凸優(yōu)化法,該方法試圖逼近:
[0081] s ^ argnim ||s||〇 s.t. ||y - #s||2 ^ 0 S ' (14)
[0082] 正如以上實(shí)施方式,該問題是NP困難的,并且其可以通過放寬范數(shù)至其&凸包 來求解。逼近或求解(14)的方法可以使用以下公式中的一個(gè),其中
[0083] s' arg min ||s||i s.t, ||y - #s||2 < € 和 B (15),
[0084] i ^ argiiiiii lislli + Ally - #s||| ? " (16)
[0085]可以使用多種方法求解這些公式,諸如迭代軟閾值算法(ISTA)、固定點(diǎn)連續(xù) (FPC)、用于稀疏重建的梯度投影(GPSR)、平滑近端梯度(SPG)等,見U. S. 7,834,795。
[0086]陣列設(shè)計(jì)評(píng)估
[0087] 從我們對天線設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)評(píng)估,我們得到以下結(jié)論?;ベ|(zhì)陣列具有比嵌套陣列好 的交叉全距(cross-range)分辨率(如通過MLA測量),因?yàn)榛ベ|(zhì)陣列提供較大的MM0虛擬孔 徑長度。另一方面,嵌套陣列顯示較低的MSL。與互質(zhì)和嵌套陣列相比,一般隨機(jī)陣列產(chǎn)生較 高的MSL。對于具有較高的相對介電常數(shù)的墻,陣列幾何對MSL的影響明顯減?。豢傮w來說, MSL隨著相對介電常數(shù)增加而增加。對于較小的墻壁介電常數(shù),多個(gè)反射可能造成距離像中 的模糊,導(dǎo)致放大的MLA。對于較大的墻壁介電常數(shù),多個(gè)反射產(chǎn)生較好的距離可分解性,其 中MLA較低但MSL較大。v)端射陣列附近的興趣點(diǎn)受到墻壁倍數(shù)的更嚴(yán)重影響,因?yàn)榭諝?墻 界面的菲涅耳反射系數(shù)增大。
[0088] 工業(yè)實(shí)用性
[0089] 本發(fā)明的方法和系統(tǒng)適用于多種領(lǐng)域。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于重構(gòu)墻壁后的場景的方法,該方法包括: 穿過所述墻壁將信號(hào)發(fā)送至所述場景中; 根據(jù)反射的信號(hào)來估計(jì)所述墻壁的參數(shù); 使用所述參數(shù)來生成所述墻壁的介電常數(shù)的模型;以及 使用所述模型以及稀疏恢復(fù),根據(jù)所述反射的信號(hào)將所述場景重構(gòu)為圖像,其中,上述 步驟在處理器中執(zhí)行。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,通過多輸入多輸出(Mnro)天線陣列來發(fā)送或接收 所述信號(hào)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述陣列的天線元件的平均元件間間隔是不均勻 的,并且遠(yuǎn)大于所發(fā)送的信號(hào)的波長的一半。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述陣列是互質(zhì)陣列。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述陣列是嵌套陣列。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述陣列是隨機(jī)陣列。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述參數(shù)包括所述墻壁中的所有層的介電常數(shù)和 厚度。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述參數(shù)是通過使接收到的信號(hào)的所測量的到達(dá) 時(shí)間(TOA)與預(yù)測的TOA之間的均方誤差減到最小而獲得的。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述稀疏恢復(fù)使用貪婪稀疏恢復(fù)法。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述貪婪稀疏恢復(fù)法使用迭代硬閾值算法 (IHT)011. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述貪婪稀疏恢復(fù)法通過在各個(gè)迭代中調(diào)整步 長選擇來加速。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述稀疏恢復(fù)使用凸稀疏逼近法。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述凸稀疏逼近法通過在各個(gè)迭代中調(diào)整步長 選擇來加速。14. 一種用于重構(gòu)墻壁后的場景的系統(tǒng),該系統(tǒng)包括: 天線陣列,其被配置為穿過所述墻壁將信號(hào)發(fā)送至所述場景中; 處理器,其被配置為根據(jù)反射的信號(hào)來估計(jì)所述墻壁的參數(shù),并且使用所述參數(shù)來生 成所述墻壁的所述介電常數(shù)的模型,并且使用所述模型、稀疏恢復(fù)以及壓縮傳感來根據(jù)所 述反射的信號(hào)將所述場景重構(gòu)為圖像。
【文檔編號(hào)】G01S13/89GK105917249SQ201480072967
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2014年12月19日
【發(fā)明人】P·布富諾斯, 李笠, 劉德紅, H·曼蘇爾, 扎菲爾·沙欣奧盧
【申請人】三菱電機(jī)株式會(huì)社
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