一種低功耗的亮度檢測(cè)方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種低功耗的亮度檢測(cè)方法及裝置，過程如下：將分壓電阻R1與光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接采樣端MCU_AD，分壓電阻R1與光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2；控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間t1無輸出。
【專利說明】
一種低功耗的亮度檢測(cè)方法及裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及亮度檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種低功耗的亮度檢測(cè)方法及裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前，需要進(jìn)行亮度檢測(cè)的領(lǐng)域非常廣泛?，F(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行亮度檢測(cè)的方式主要采用光敏電阻器件(IDR，light-dependent resistor)又稱光敏電阻器(photoresistor)或光導(dǎo)管(photoconductor )，常用的制作材料為硫化鎘，另外還有硒、硫化錯(cuò)、硫化鉛和硫化鉍等材料。這些制作材料具有在特定波長的光照射下，其阻值迅速減小的特性。這是由于光照產(chǎn)生的載流子都參與導(dǎo)電，在外加電場(chǎng)的作用下作漂移運(yùn)動(dòng)，電子奔向電源的正極，空穴奔向電源的負(fù)極，從而使光敏電阻器的阻值迅速下降。
[0003]現(xiàn)有的亮度檢測(cè)電路在工作過程中持續(xù)消耗電量，因而系統(tǒng)電源的待機(jī)時(shí)間較短，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種低功耗的亮度檢測(cè)方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0006]—種低功耗的亮度檢測(cè)方法，過程如下:將分壓電阻R1與光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接采樣端MCU_AD，分壓電阻R1與光敏電阻R2 的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2;控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間11無輸出。
[0007]作為優(yōu)選方式，所述光敏電阻R2并聯(lián)一濾波單元。
[0008]作為優(yōu)選方式，所述濾波單元為一濾波電容C1。
[0009]作為優(yōu)選方式，所述分壓電阻R1與光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與采樣端MCU_AD之間串聯(lián)一限流單元。
[0010]作為優(yōu)選方式，所述限流單元為限流電阻R3。
[0011]作為優(yōu)選方式，所述控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出5V電壓信號(hào)。[0〇12] 作為優(yōu)選方式，所述采樣端MCU_AD和控制端MCU_B為同一控制芯片MCU的引腳，所述采樣端MCU_AD為控制芯片的AD引腳，所述控制端MCU_B為控制芯片的10引腳。
[0013]本發(fā)明的另一目的在于提供一種低功耗的亮度檢測(cè)裝置。
[0014]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0015]—種低功耗的亮度檢測(cè)裝置，包括分壓電阻R1及亮度光敏電阻R2,所述分壓電阻 R1與殼度光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接米樣端 MCU_AD，分壓電阻R1與光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD以周期T 進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2;控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間11無輸出。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明通過控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2 輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間tl無輸出，從而實(shí)現(xiàn)在非采樣時(shí)間tl時(shí)串聯(lián)支路的功耗為零，大大節(jié)約了系統(tǒng)電能，延遲系統(tǒng)的待機(jī)時(shí)間和工作時(shí)間，提高系統(tǒng)性能?！靖綀D說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本發(fā)明低功耗的亮度檢測(cè)裝置的電路原理圖；
[0019]圖2是圖1中控制端MCU_B的電壓信號(hào)波形圖；
[0020]圖3是圖1中采樣端MCU_AD基于圖2的控制端MCU_B的電壓信號(hào)的亮度采樣信號(hào)波形圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0021]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]實(shí)施例一
[0023]本發(fā)明的實(shí)施例一提供了一種低功耗的亮度檢測(cè)方法。所述方法過程如下:將分壓電阻R1與光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接采樣端MCU_AD，分壓電阻R1與光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD以周期 T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2;控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間tl無輸出。[〇〇24]本發(fā)明本發(fā)明通過控制端MCU_B在采樣時(shí)間12輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào) VCC，在非采樣時(shí)間tl無輸出，從而實(shí)現(xiàn)在非采樣時(shí)間tl時(shí)串聯(lián)支路的功耗為零，大大節(jié)約了系統(tǒng)電能，延遲系統(tǒng)的待機(jī)時(shí)間和工作時(shí)間，提高系統(tǒng)性能。
[0025]實(shí)施例二
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例二提供了一種低功耗的亮度檢測(cè)方法，是在實(shí)施例一的基礎(chǔ)之上進(jìn)行的改進(jìn)。一種低功耗的亮度檢測(cè)方法，過程如下:將分壓電阻R1與亮度光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端的接地端，另一端接采樣端MCU_AD。所述分壓電阻R1 與亮度光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)串聯(lián)一限流單元后與采樣端MCU_AD連接，在本實(shí)施例中，所述限流單元為限流電阻R3。所述光敏電阻R2還并聯(lián)一濾波單元，所述濾波單元為濾波電容 C1，防止控制端MCU_B開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的波紋。所述采樣端MCU_AD和控制端MCU_B為同一控制芯片MCU的引腳，所述采樣端MCU_AD為控制芯片的AD引腳，所述控制端MCU_B為控制芯片的10 引腳。參考圖2、圖3，所述采樣端MCU_AD的采樣周期T、采樣時(shí)間t2均由控制芯片MCU控制;所述控制端MCU_B輸出的控制信號(hào)也由控制芯片MCU控制。所述采樣端MCU_AD以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2，則非采樣時(shí)間11 = T-t2。在非采樣時(shí)間11控制端MCU_B無輸出，則在非采樣時(shí)間，光敏電阻R2的工作電流I = 0，此時(shí)間段為零功耗。所述控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與供電電源存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在本實(shí)施例中，所述電壓信號(hào)VCC為5V，則在采樣端MCU_AD采樣時(shí)間t2,光敏電阻R2的工作電流I = VCC/(R1+R2)，則在一個(gè)采樣周期T內(nèi)亮度采樣消耗的電量為Q=I*t2，S卩Q = VCC/(Rl+R2)*t2。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整采樣端MCU_AD的采樣周期T和/或采樣時(shí)間t2,同時(shí)調(diào)整控制芯片M⑶從控制端MCU_B輸出的控制信號(hào)。[〇〇27] 實(shí)施例三
[0028]本發(fā)明的實(shí)施例三提供了一種低功耗的亮度檢測(cè)裝置，參考圖1，所述低功耗的亮度檢測(cè)裝置包括分壓電阻R1及光敏電阻R2,所述分壓電阻R1與光敏電阻R2組成串聯(lián)支路， 串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接采樣端MCU_AD。所述分壓電阻R1與光敏電阻 R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)串聯(lián)一限流單元后與采樣端MCU_AD連接，在本實(shí)施例中，所述限流單元為限流電阻R3。所述光敏電阻R2還并聯(lián)一濾波單元，所述濾波單元為濾波電容C1，防止控制端 MCU_B開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的波紋。所述采樣端MCU_AD和控制端MCU_B為同一控制芯片MCU的引腳，所述采樣端MCU_AD為控制芯片的AD引腳，所述控制端MCU_B為控制芯片的10引腳。所述采樣端 MCU_AD的采樣周期T、采樣時(shí)間t2均由控制芯片MCU控制;所述控制端MCU_B輸出的控制信號(hào)也由控制芯片MCU控制。所述采樣端MCU_AD以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2，則非采樣時(shí)間11 = T-t2。在非采樣時(shí)間11控制端MCU_B無輸出，則在非采樣時(shí)間，光敏電阻R2的工作電流I = 0，此時(shí)間段為零功耗。所述控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與供電電源存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在本實(shí)施例中，所述電壓信號(hào)VCC為5V，則在采樣端采樣時(shí)間t2,光敏電阻R2 的工作電流I = VCC/(R1+R2)，則在一個(gè)采樣周期T內(nèi)亮度采樣消耗的電量為Q = I*t2，S卩Q = VCC/(Rl+R2)*t2。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整采樣端MCU_AD的采樣周期T和/或采樣時(shí)間t2,同時(shí)調(diào)整控制芯片MCU從控制端輸出的控制信號(hào)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可以在存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，如R0M/RAM、磁盤、光盤等。
[0029]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化， 均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于，過程如下:將分壓電阻R1與光敏電阻R2組 成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端接采樣端MCU_AD，分壓電阻R1與光 敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間 為t2;控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間tl無 輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述光敏電阻R2并聯(lián)一 濾波單元。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述濾波單元為一濾波 電容C1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述分壓電阻R1與光敏 電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與采樣端MCU_AD之間串聯(lián)一限流單元。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述限流單元為限流電 阻R3〇6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述控制端MCU_B在采 樣時(shí)間t2輸出5V電壓信號(hào)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗的亮度檢測(cè)方法，其特征在于:所述采樣端MCU_AD和控 制端MCU_B為同一控制芯片MCU的引腳，所述采樣端MCU_AD為控制芯片的AD引腳，所述控制 端MCU_B為控制芯片的10引腳。8.—種低功耗的亮度檢測(cè)裝置，其特征在于:包括分壓電阻R1及亮度光敏電阻R2，所述 分壓電阻R1與亮度光敏電阻R2組成串聯(lián)支路，串聯(lián)支路的一端作為參考端接地端，另一端 接采樣端MCU_AD，分壓電阻R1與光敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與控制端MCU_B連接，采樣端MCU_AD 以周期T進(jìn)行電壓采樣，采樣時(shí)間為t2;控制端MCU_B在采樣時(shí)間t2輸出與地端存在壓差的 電壓信號(hào)VCC，在非采樣時(shí)間tl無輸出。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低功耗的亮度檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光敏電阻R2并聯(lián)一 濾波單元，所述濾波單元為一濾波電容C1。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低功耗的亮度檢測(cè)裝置，其特征在于:所述分壓電阻R1與光 敏電阻R2的串聯(lián)節(jié)點(diǎn)與采樣端MCU_AD之間串聯(lián)一限流單元，所述限流單元為限流電阻R3。
【文檔編號(hào)】G01J1/44GK105973464SQ201610293790
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年5月5日
【發(fā)明人】徐文賦, 任素云, 王延聰
【申請(qǐng)人】惠州市藍(lán)微新源技術(shù)有限公司