用于側(cè)向檢測的泄露傳感器的制造方法
【專利摘要】一種用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其包括：基底層，其通過將板狀結(jié)構(gòu)浸泡在尤其是氟基樹脂溶液的樹脂溶液中來形成，或者由尤其是氟基樹脂的樹脂的板狀結(jié)構(gòu)形成的；以及傳感器層，通過將尤其是氟基液態(tài)樹脂的液態(tài)樹脂與導(dǎo)電材料的混合物按照預(yù)定的圖案涂覆或印刷在所述基底層上來形成所述傳感器層的具有預(yù)定區(qū)域的泄露檢測部。所述傳感器層的所述泄露檢測部以所述傳感器層的側(cè)面暴露于外部的方式形成在所述傳感器層的所述側(cè)面上，并且所述基底層和所述傳感器層形成一個(gè)傳感器模塊。因此，即使傳感器沒有恰好位于泄露液體下方，傳感器也會(huì)與液體接觸，并由此能夠檢測液體泄漏。
【專利說明】
用于側(cè)向檢測的泄露傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及能夠通過側(cè)向檢測來檢測液體泄漏的泄露傳感器，且尤其涉及如下的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，即使沒有恰好位于泄漏液體下方，該泄露傳感器也與掉落并流到地面上的液體接觸，并由此檢測液體泄漏。【背景技術(shù)】
[0002]通常，在半導(dǎo)體制造工藝中使用許多化學(xué)物質(zhì)。例如，在半導(dǎo)體制造工藝中使用清潔溶液、感光溶液、顯影溶液及刻蝕溶液，其中，在晶片的切割與拋光工藝之后的清潔操作中使用清潔溶液，在晶片的感光工藝中使用感光溶液，在晶片的顯影工藝中使用顯影溶液， 并且在晶片的刻蝕工藝中使用刻蝕溶液。
[0003]這些化學(xué)物質(zhì)經(jīng)由輸送管被輸送到用于執(zhí)行各個(gè)工藝的現(xiàn)場位置。由于輸送管的缺陷或劣化，化學(xué)物質(zhì)可能泄漏到輸送管外部。由于泄露的化學(xué)物質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體制造現(xiàn)場中的其它器件或部件具有不利影響，因此有必要檢測輸送管中的泄露并快速采取相應(yīng)措施。 [〇〇〇4]在檢測輸送管中的泄漏物的方法中，將正性(+ )電線與負(fù)性(_)電線并聯(lián)設(shè)置，并將吸收劑設(shè)置于電線之間，然后測量由泄露的化學(xué)物質(zhì)引起的電阻變化。使用這種方法的傳感器被稱作線型泄露傳感器。
[0005]這里，在線型泄露傳感器的泄漏物檢測方法中，正性(+ )電線(或電導(dǎo)體)及負(fù)性 (_)電線(或電導(dǎo)體)設(shè)置在從輸送管延伸并且收集從輸送管泄露的化學(xué)物質(zhì)的排水管處， 并由此測量是否發(fā)生泄漏。韓國專利申請公開第10-2007-005234號(hào)公開了線型泄露傳感器的示例。
[0006]同時(shí)，還存在有區(qū)域型泄露傳感器，該區(qū)域型傳感器具有比線型泄露傳感器更寬的泄漏檢測區(qū)域。區(qū)域型泄露傳感器通過將多條(+ )導(dǎo)線及(_)導(dǎo)線布置成相互交叉或?qū)⒁粚?duì)(+ )導(dǎo)線及(_)導(dǎo)線布置成Z形圖案(zigzag pattern)來形成預(yù)定的檢測區(qū)域。日本專利申請公開第1989-171340號(hào)公開了這種區(qū)域型泄露傳感器的示例。
[0007]這里，區(qū)域型泄露傳感器與落下的泄露液體接觸，并由此能夠檢測液體泄漏。然而，在這種檢測方法中，泄露傳感器應(yīng)當(dāng)直接布置在預(yù)期出現(xiàn)泄漏的部位的下方，并且當(dāng)泄露液體沒有下落在泄露傳感器的上表面時(shí)，則出現(xiàn)不能檢測到泄漏的問題。即，傳統(tǒng)的區(qū)域型泄露傳感器的問題在于，在泄漏傳感器正好位于液體泄漏位置的情況之外的情況下，除非泄漏并流到地面上的液體的量足以到達(dá)所述泄漏傳感器的上表面，否則不能檢測到泄漏的發(fā)生。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是提供用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，即使沒有恰好位于泄露液體下方，其也能夠與流到地面上的液體接觸，并由此能夠檢測液體泄漏。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種泄露傳感器，所述泄露傳感器包括:基底層，其通過將板狀結(jié)構(gòu)浸泡在尤其是氟基樹脂溶液的樹脂溶液中來形成，或者由尤其是氟基樹脂的樹脂的板狀結(jié)構(gòu)形成；以及傳感器層，通過將尤其是氟基液態(tài)樹脂的液態(tài)樹脂與導(dǎo)電材料的混合物按照預(yù)定的圖案涂覆或印刷在所述基底層上來形成所述傳感器層的具有預(yù)定區(qū)域的泄露檢測部，其中，所述傳感器層的所述泄露檢測部以所述傳感器層的側(cè)面暴露于外部的方式形成在所述傳感器層的所述側(cè)面上，并且所述基底層和所述傳感器層形成一個(gè)傳感器模塊。
[0010]由尤其是氟基樹脂的樹脂形成的保護(hù)層可連接到所述傳感器層的上表面。
[0011]所述泄露傳感器可包括兩個(gè)以上的所述傳感器模塊，并且還包括多個(gè)通槽，所述通槽穿過至少一個(gè)所述傳感器模塊，使得所述至少一個(gè)傳感器模塊的所述傳感器層橫向地暴露于外部，并且布置在所述基底層下方的所述傳感器層向上暴露于外部，以由此形成所述泄露傳感器的泄露檢測部;并且其中，在最底部的所述傳感器模塊中，未形成所述通槽。
[0012]泄露傳感器可以包括兩個(gè)以上的所述傳感器模塊，并且還包括多個(gè)通槽，所述通槽穿過所述保護(hù)層和所有的所述傳感器模塊，使得所述傳感器模塊橫向地暴露于外部，以形成所述泄露傳感器的泄露檢測部。
[0013]具有預(yù)定區(qū)域的容納槽可形成在最下部的所述傳感器模塊的下表面處，并且用于將所述基底層粘附到另一結(jié)構(gòu)或底部的膠帶粘附到所述容納槽。
[0014]所述基底層和所述傳感器層可被以預(yù)定溫度塑性加工預(yù)定的時(shí)間以形成所述傳感器模塊，并且所述傳感器模塊連接到另一傳感器模塊并彼此上下布置。
[0015]可通過以所述預(yù)定溫度將所述傳感器模塊塑性加工所述預(yù)定的時(shí)間來執(zhí)行所述傳感器模塊之間的連接。
[0016]所述保護(hù)層的邊緣可比所述傳感器層更加向外地延伸。
[0017]在下面的附圖及說明書中說明一個(gè)以上的實(shí)施例的細(xì)節(jié)。從說明書、圖及權(quán)利要求書中，其它特征將變得明顯?！靖綀D說明】
[0018]將參照下面的附圖來詳細(xì)說明實(shí)施例，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，并且其中:
[0019]圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器的立體圖；
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器的部分剖開的分解立體圖；
[0021]圖3是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器的立體圖；
[0022]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器的立體圖；
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器的剖開的分解立體圖，并且圖示出了上表面泄漏檢測裝置；
[0024]圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器的剖開的分解立體圖，并且與圖5的上表面泄漏檢測裝置不同的上表面泄漏檢測裝置;及
[0025]圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器的立體圖。【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施方式，且在附圖中示出這些實(shí)施方式的示例。
[0027]參照圖1和圖2,根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器包括具有對(duì)化學(xué)劑的耐蝕性的基底層110以及同樣具有對(duì)化學(xué)劑的耐蝕性的傳感器層120。
[0028]通過將板狀結(jié)構(gòu)浸泡在樹脂溶液(特別是氟基樹脂溶液)中預(yù)定的時(shí)間來形成基底層110。這里，板狀結(jié)構(gòu)是形成基底層110的框架的結(jié)構(gòu)，且可由網(wǎng)孔狀玻璃纖維形成?；蛘?，基底層110可形成為由樹脂(特別是氟基樹脂)形成的板狀結(jié)構(gòu)。
[0029]傳感器層120包括具有預(yù)定區(qū)域的泄露檢測部，泄漏檢測部是通過將氟基液態(tài)樹脂與導(dǎo)電材料進(jìn)行混合并接著根據(jù)預(yù)定的圖案將它們的混合物涂覆或印刷到基底層110的上表面上而形成的。這里，在傳感器層120的圖案中，將正性(+ )導(dǎo)線與負(fù)性(_)導(dǎo)線交替地布置成Z形狀，并由此形成具有預(yù)定區(qū)域的檢測區(qū)域。
[0030]在基底層110和傳感器層120中使用的氟基樹脂可以是具有優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕性和耐熱性的例如乙烯四氟乙烯共聚物(ETFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、聚四氟乙烯 (PTFE)、或全氟酸(PFA)等。[〇〇31] 這里，形成在傳感器層120處的泄露檢測部可以形成在傳感器層120的一個(gè)表面的整個(gè)部分上。也就是說，傳感器層120的泄露檢測部形成在傳感器層120的背對(duì)基底層110的上表面的一個(gè)表面上。此外，泄露檢測部還可形成在傳感器層120的側(cè)面上。因此，根據(jù)本發(fā)明的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器既能夠檢測下落在傳感器層120的上部上的泄漏液體，也能夠檢測下落在地面上并沿傳感器層120的側(cè)向地流向傳感器層120的泄露液體。
[0032]基底層110和傳感器層120可被以預(yù)定溫度塑性加工預(yù)定的時(shí)間，并接著進(jìn)行連接以形成一個(gè)傳感器模塊A。為了形成泄露傳感器，傳感器模塊A連接到另一個(gè)具有彼此上下布置的基底層和傳感器層的傳感器模塊。此時(shí)，可以以與基底層110與傳感器層120之間的連接相同的方式，通過以預(yù)定溫度塑性加工預(yù)定的時(shí)間來完成傳感器模塊之間的連接。說明書中提供的附圖示出了如下泄露傳感器，其中，傳感器模塊A傳感器模塊B這兩者連接在一起。然而，必要時(shí)，形成泄露傳感器的傳感器模塊的數(shù)量可以是兩個(gè)以上。例如，本發(fā)明可具有兩個(gè)以上的傳感器模塊，并且還能夠根據(jù)傳感器模塊的所檢測的信息來檢測液位。
[0033]如上所述，具有多個(gè)傳感器模塊A和B的泄露傳感器包括形成在其上表面上的泄露檢測部以及形成在其側(cè)面上的另一泄露檢測部，并由此能夠檢測下落在上側(cè)的泄露液體以及下落在地面上并流向泄漏傳感器的泄露液體。
[0034]換言之，根據(jù)本發(fā)明，即使沒有恰好位于泄漏液體下方，泄露傳感器也能夠與流到地面上的液體接觸，并由此能夠檢測泄露液體。
[0035]參照圖3,在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器中，單獨(dú)的保護(hù)層130可布置在最上部，使得其連接到傳感器層120的上表面。與基底層110相似，保護(hù)層130 形成為由樹脂(特別是氟基樹脂)形成的板狀結(jié)構(gòu)。保護(hù)層130經(jīng)由塑性連接而連接到傳感器層120的上表面，并由此可保護(hù)傳感器層120。
[0036]當(dāng)操作員踏上傳感器層或其它物體落到傳感器層上時(shí)，保護(hù)層130用于防止傳感器層120被損壞。這里，當(dāng)保護(hù)層130連接到泄露傳感器時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的泄露傳感器不再能檢測從頂部落下的泄露液體，而僅能通過暴露于其側(cè)部上的泄露檢測部來檢測沿橫向地流出的泄露液體。
[0037] 雖未示出，但保護(hù)層130的邊緣比傳感器層120更加向外地延伸了預(yù)定的距離。保護(hù)層130的這種延伸是為了防止傳感器層120的泄露檢測部接觸除泄露液體之外的導(dǎo)電雜質(zhì)，例如，工作現(xiàn)場產(chǎn)生的金屬粉末等，并由此避免泄露傳感器的故障。[〇〇38]參照圖4和圖5,根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器包括兩個(gè)以上的傳感器模塊A和B。保護(hù)層130連接到最上部的傳感器層120的上表面。設(shè)置有側(cè)面泄漏檢測裝置以及上表面泄漏檢測裝置。這里，將上部傳感器模塊A稱作第一傳感器模塊，并且將下部傳感器模塊B稱為第二傳感器模塊。
[0039]如同第一、及第二實(shí)施例中所說明，由具有暴露于外部的側(cè)面的傳感器層120形成側(cè)面泄漏檢測裝置。同時(shí)，上表面泄漏檢測裝置由多個(gè)通槽131形成，通槽131形成為從保護(hù)層130直到傳感器層120的泄露檢測部的上部。然而，在本實(shí)施例中，在第二傳感器模塊(即， 最底部的傳感器模塊)中不形成通槽。
[0040]特別地，通槽131形成為從保護(hù)層130的上表面依次穿過保護(hù)層130、傳感器層120 以及基底層110。即，通槽131穿過保護(hù)層130和第一傳感器模塊A。多個(gè)通槽131布置在整個(gè)泄露傳感器上且它們彼此隔開預(yù)定的間隔。
[0041]由于通槽131的原因，第二傳感器模塊B的傳感器層120的泄露檢測部的上表面向上暴露，并且第一傳感器模塊A的傳感器層120的泄露檢測部形成在第一傳感器模塊A的通槽131的暴露于外部的周面上。[〇〇42]相應(yīng)地，即使根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器具有保護(hù)層 130,傳感器層120的泄露檢測部也能夠與被引入到通槽131中的液體接觸，并由此能夠檢測液體。此外，與第一、第二實(shí)施例相似，由于根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器可與沿橫向地流動(dòng)的液體接觸，因此泄露傳感器能夠通過形成在泄露傳感器的側(cè)面上并暴露于外部的傳感器層120的泄露檢測部來檢測泄漏。[〇〇43]參照圖6,根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器可具有與圖5所示的上表面檢測裝置不同的另一種上表面檢測裝置。
[0044]特別地，圖6所示的上表面檢測裝置由垂直穿過泄露傳感器的多個(gè)通孔131’形成。 如同上述的通槽131，多個(gè)通孔131’布置在整個(gè)泄露傳感器上并且它們彼此分隔開預(yù)定的間隔。
[0045]特別地，通孔131’形成為從最上部的保護(hù)層130開始依次穿過上部傳感器層120、 上部基底層110、下部傳感器層120以及下部基底層110。即，通孔131’穿過保護(hù)層130、第一傳感器模塊A和第二傳感器模塊B。
[0046]由于通孔131’的原因，第一傳感器模塊A的上部傳感器層120的泄露檢測部以及第二傳感器模塊B的下部傳感器層120的泄露檢測部形成在傳感器層的側(cè)面上并暴露于外部。 [〇〇47]因此，即使根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器具有保護(hù)層130， 傳感器層120的泄露檢測部也能夠與被引入到通孔131’中的液體接觸，并由此能夠檢測液體。此外，被引入到通孔131’中的液體可經(jīng)由位于最底部的基底層110排放到泄露傳感器的外部。
[0048]參照圖7,根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的用于側(cè)向檢測的泄漏傳感器可經(jīng)由膠帶140與另一結(jié)構(gòu)或工作現(xiàn)場的底部結(jié)合。為此，具有預(yù)定區(qū)域的容納槽111形成在位于最下側(cè)處的基底層110的下表面處。并且，膠帶140貼附到容納槽111。
[0049]如上所述，由于膠帶140貼附到基底層110的容納槽111，因此泄露傳感器被粘附到另一結(jié)構(gòu)或工作現(xiàn)場的底部，并由此膠帶140與基底層110大致布置在同一平面上，因此，在最底部的基底層110與不同于最底部的基底層110的另一結(jié)構(gòu)或工作現(xiàn)場的底部的粘附面之間幾乎不產(chǎn)生間隙。
[0050]因此，流向泄露傳感器的泄露液體不會(huì)穿過泄露傳感器的底部，并且與傳感器層 120的泄露檢測部接觸，并由此能夠保證泄露液體的檢測性能。
[0051]根據(jù)本發(fā)明，即使泄露傳感器沒有恰好位于泄漏液體的下方，其也能夠與流到地面上的液體接觸，并由此能夠檢測液體泄漏物。[〇〇52]此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠檢測下落到泄露傳感器的上表面的泄露液體以及從頂部落下并流到地面上的泄露液體均，并且此外還能夠檢測泄露液體的液位。[〇〇53]雖然已經(jīng)參考大量說明性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可設(shè)計(jì)很多其它修改和實(shí)施例，這些也將落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的組合排列的構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)中可能具有各種變化和改變。除構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)的變化和改變之外，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可替代的用途也會(huì)是顯而易見的。[〇〇54] 本申請要求于2015年3月26日在韓國遞交的韓國專利申請第10-2015-0042563號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用的方式合并于此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其包括:基底層，其通過將板狀結(jié)構(gòu)浸泡在尤其是氟基樹脂溶液的樹脂溶液中來形成，或者由 尤其是氟基樹脂的樹脂的板狀結(jié)構(gòu)形成；以及傳感器層，通過按照預(yù)定的圖案將尤其是氟基液態(tài)樹脂的液態(tài)樹脂與導(dǎo)電材料的混合 物涂覆或印刷在所述基底層上來形成所述傳感器層的具有預(yù)定區(qū)域的泄露檢測部，其中，所述傳感器層的所述泄露檢測部以所述傳感器層的側(cè)面暴露于外部的方式形成 在所述傳感器層的所述側(cè)面上，并且所述基底層和所述傳感器層形成一個(gè)傳感器模塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，由尤其是氟基樹脂的樹脂 形成的保護(hù)層連接到所述傳感器層的上表面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其包括兩個(gè)以上的所述傳感器 模塊，并且還包括多個(gè)通槽，所述通槽穿過至少一個(gè)所述傳感器模塊，使得所述至少一個(gè)傳 感器模塊的所述傳感器層橫向地暴露于外部，并且布置在所述至少一個(gè)傳感器模塊的所述 基底層下方的所述傳感器層向上暴露于外部，以由此形成所述泄露傳感器的泄露檢測部； 并且其中，在最底部的所述傳感器模塊中，未形成所述通槽。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其包括兩個(gè)以上的所述傳感器 模塊，并且還包括多個(gè)通槽，所述通槽穿過所述保護(hù)層和所有的所述傳感器模塊，使得所述 傳感器模塊橫向地暴露于外部，以形成所述泄露傳感器的泄露檢測部。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，具有預(yù)定區(qū)域的容納 槽形成在最下部的所述傳感器模塊的下表面處，并且用于將所述基底層粘附到另一結(jié)構(gòu)或 底部的膠帶粘附到所述容納槽。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，所述基底層和所述傳感器 層被以預(yù)定溫度塑性加工預(yù)定的時(shí)間以形成所述傳感器模塊，并且所述傳感器模塊連接到 另一傳感器模塊并彼此上下布置。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，通過以所述預(yù)定溫度將所 述傳感器模塊塑性加工所述預(yù)定的時(shí)間來執(zhí)行所述傳感器模塊之間的連接。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于側(cè)向檢測的泄露傳感器，其中，所述保護(hù)層的邊緣比所述 傳感器層更加向外地延伸。
【文檔編號(hào)】G01M3/16GK106017815SQ201610172256
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月24日
【發(fā)明人】李在熙
【申請人】Flownix株式會(huì)社