一種用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，包括襯底、設置于襯底上的多個支撐立柱，和制備在所述支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及襯底的上表面，實現(xiàn)支撐立柱的上表面與襯底的上表面電學連接的金屬連接層。本發(fā)明通過設置于襯底上的支撐立柱支撐待測的薄膜材料及微納結構使其懸空，實現(xiàn)較好的機械耐壓強度；同時制備在所述支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及襯底的上表面，實現(xiàn)支撐立柱的上表面與襯底的上表面電學連接的金屬連接層在接觸面形成良好的歐姆接觸，滿足薄膜材料及微納結構的介電、壓電、阻容等電學參數(shù)的精確測量。
【專利說明】
一種用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于檢測薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，通過該檢測平臺能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜材料以及微納結構的介電、壓電、阻容等電學參數(shù)的測量。
【背景技術】
[0002]當固體或液態(tài)的一維線性尺度遠遠小于其他二維時，這樣的固體或液體稱為膜；通常，膜分為兩類，一類是厚度大于I微米的膜，稱為厚膜;另一類則是厚度小于I微米的膜，稱為薄膜。對薄膜材料及維納結構的電學性能的評價，是將薄膜材料及微納結構推向?qū)嶋H應用的基礎。由于薄膜材料及微納結構的尺寸較小，不容易夾持和操作，通常采用的方法是將薄膜材料及微納結構制備在襯底之上，帶著襯底進行測量，該方法一定程度的減小了檢測操作的困難，但是帶來測量結果不準確的不良后果，檢測數(shù)據(jù)誤差較大。
[0003]因此，為正確評價薄膜材料及微納結構的電學性能，急需一種操作方便，且能實現(xiàn)精確測量的檢測平臺。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種能結構簡單、便于操作、且能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)精確測量的檢測平臺。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，包括襯底、設置于襯底上的多個支撐立柱，和制備在所述支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及襯底的上表面，實現(xiàn)支撐立柱的上表面與襯底的上表面電學連接的金屬連接層。
[0006]本發(fā)明通過設置于襯底上的支撐立柱支撐待測的薄膜材料及微納結構使其懸空，實現(xiàn)較好的機械耐壓強度；同時制備在所述支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及襯底的上表面，實現(xiàn)支撐立柱的上表面與襯底的上表面電學連接的金屬連接層在接觸面形成良好的歐姆接觸，滿足薄膜材料及微納結構的介電、壓電、阻容等電學參數(shù)的精確測量。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明的結構示意圖；
圖2為圖1的俯視圖；
圖3為本發(fā)明用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺用于檢測的示意圖；
圖中:1-襯底、2-支撐立柱、3-金屬連接層、4、待檢測樣品。
【具體實施方式】
[0008]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明，但不得以任何方式對本發(fā)明加以限制，基于本發(fā)明教導所作的任何變更或改進，均屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0009]如圖1所示，本發(fā)明提供的用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，包括襯底1、設置于襯底I上的多個支撐立柱2，和制備在所述支撐立柱2的上表面、側(cè)面，以及襯底I的上表面，實現(xiàn)支撐立柱2的上表面與襯底I的上表面電學連接的金屬連接層3。
[0010]所述襯底I為玻璃襯底、硅襯底或者鍺襯底。
[0011]如圖2所示，所述襯底I上設置有5個支撐立柱2。
[0012]所述支撐立柱2采用有機物制作為圓柱體、長方體或者正方體。
[0013]所述金屬連接層3為金層、鉑層、鎳鉻層或者鈦鎢層，其厚度為10nm?200nm。
實施例
[0014](I)清洗硅襯底:具體包括如下步驟:
a.用甲苯溶液浸泡硅襯底1-2小時，充分溶解殘留在硅襯底上表面的有機沾污物；
b.更換甲苯溶液，將甲苯溶液浸泡硅襯底用超聲清洗3-5分鐘，重復清洗三次；
c.更換丙酮溶液，將丙酮溶液浸泡硅襯底用超聲清洗3-5分鐘，重復清洗三次；
d.更換乙醇溶液，將乙醇溶液浸泡硅襯底用超聲清洗3-5分鐘，重復清洗三次；
f.用氮氣吹干硅襯底表面的殘余液體，然后將硅襯底放入烘箱，烘烤溫度為80-90 0C，烘烤2小時。
[0015](2)制備支撐立柱:將設計好的支撐立柱圖案制作成光刻掩膜版，然后采用傳統(tǒng)光刻工藝的涂膠、曝光、顯影等步驟在硅襯底上形成5個高度為20-30微米的有機物支撐立柱。
[0016](3)在完成步驟(2)的硅襯底上，通過磁控濺射的方法濺射1000 A鎳鉻層在支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及硅襯底I的上表面，形成金屬連接層。
[0017]如圖3所示，將待檢測的薄膜材料或者微納結構放置于檢測平臺上，設置于襯底上的支撐立柱支撐待測的薄膜材料及微納結構使其懸空，實現(xiàn)較好的機械耐壓強度；同時制備在所述支撐立柱的上表面、側(cè)面，以及襯底的上表面，實現(xiàn)支撐立柱的上表面與襯底的上表面電學連接的金屬連接層在接觸面形成良好的歐姆接觸，滿足薄膜材料及微納結構的介電、壓電、阻容等電學參數(shù)的精確測量。
【主權項】
1.一種用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，其特征在于:包括襯底(I)、設置于襯底(I)上的多個支撐立柱(2)，和制備在所述支撐立柱(2)的上表面、側(cè)面，以及襯底(I)的上表面，實現(xiàn)支撐立柱(2)的上表面與襯底(I)的上表面電學連接的金屬連接層(3)。2.根據(jù)權利要求1所述的用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，其特征在于:所述襯底(I)為玻璃襯底、硅襯底或者鍺襯底。3.根據(jù)權利要求1或2所述的用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，其特征在于:所述襯底(I)上設置有5個支撐立柱(2)。4.根據(jù)權利要求3所述的用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，其特征在于:所述支撐立柱(2)采用有機物制作為圓柱體、長方體或者正方體。5.根據(jù)權利要求1所述的用于薄膜材料及微納結構的電學參數(shù)檢測平臺，其特征在于:所述金屬連接層(3)為金層、鉑層、鎳鉻層或者鈦鎢層，其厚度為10nm?200nm。
【文檔編號】G01R27/26GK106018964SQ201610321924
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月16日
【發(fā)明人】黃鴻, 饒敬梅, 李英欣, 張鐵恒, 董保志, 王向忠
【申請人】云南瑞博檢測技術股份有限公司