一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)，該試驗系統(tǒng)包括：控制器MCP、高壓直流電源HVCD、電容器C1、高頻電感L1、限流電阻R1、氣體開關K1、氣體開關K2、限流電阻R2、調(diào)波電路LR以及模擬接地平臺SGP，模擬接地平臺SGP經(jīng)由高頻電感L1接地，高壓直流電源HVCD經(jīng)由限流電阻R1連接電容器C1，氣體開關K1可導通電容器C1、調(diào)波電路LR和高頻電感L1，氣體開關K2可導通通電容器C1、調(diào)波電路LR、高頻電感L1和限流電阻R2；本發(fā)明通過不同的接地阻抗變化，并可以通過控制器對不同氣體開關導通的控制實現(xiàn)模擬接地網(wǎng)的不同階段電位升高現(xiàn)象。
【專利說明】
一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)及方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種模擬領域，更具體地，涉及一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)及方法。
【背景技術】
[0002]雷擊、系統(tǒng)故障或開關操作都可以在電網(wǎng)或通信上產(chǎn)生暫態(tài)過電壓或過電流。這種過電壓或過電流是一種能量較大的騷擾，對電子設備存在較大的影響，典型的表現(xiàn)為電子電路的局部電位抬升和參考電位變化。隨著智能變電站的發(fā)展和大量工程投運，大量傳感器及智能設備IED等電子設備布置在戶外的一次設備附近，從而雷擊及系統(tǒng)故障等引起的暫態(tài)地電位造成傳感器和電子設備損壞的概率明顯增大。
[0003]目前，國內(nèi)外對變電站暫態(tài)地電位升高領域的研究和相關文獻較多，主要集中是對沖擊電壓作用下土壤暫態(tài)特性的研究及相關的物理建模和計算方法研究。針對暫態(tài)地電位升高的試驗方法上主要可分為兩類:一種方法是在變電站現(xiàn)場將沖擊電流源或沖擊電壓注入真實的接地網(wǎng)中進行測量，這種方法需要沖擊源的電壓往往需要達到200kV以上，而且對在運變電站接地網(wǎng)有一定沖擊，試驗難度大、成本高，目前僅在新建的未投運的變電站進行接地網(wǎng)特性測試時進行少量試驗；另一種方法在實驗室中模擬暫態(tài)地電位升高的方法，通過沖擊電流源或沖擊電壓注入實驗室的接地網(wǎng)中，或者采用固定的阻抗模擬接地網(wǎng)阻抗。
[0004]然后現(xiàn)有的實驗方法一受到實驗室接地網(wǎng)的特性影響較大，存在較大的不確定性;方法二通過固定的阻抗模擬接地網(wǎng)是較為常用的方法，但方法二無法全面模擬接地網(wǎng)阻抗變化等現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)，該試驗系統(tǒng)包括:控制器MCP、高壓直流電源HV⑶、電容器Cl、高頻電感L1、限流電阻R1、氣體開關Kl、氣體開關K2、限流電阻R2、調(diào)波電路LR以及模擬接地平臺SGP，所述模擬接地平臺SGP經(jīng)由所述高頻電感LI接地，所述高壓直流電源HVCD經(jīng)由所述限流電阻Rl連接所述電容器Cl和所述氣體開關Kl，所述氣體開關K2與限流電阻R2串聯(lián)后同高頻電感LI形成并聯(lián)電路，所述控制器MCP用于控制氣體開關Kl和氣體開關K2的導通或斷開；
[0006]所述控制器MCP控制所述氣體開關Kl和氣體開關K2均斷開，從而使得所述高壓直流電源HVCD經(jīng)所述限流電阻Rl對所述儲能電容器Cl進行充電；
[0007]所述控制器MCP在確定所述電容器Cl充電到達設定值后進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路，以模擬所述模擬接地平臺SGP產(chǎn)生高頻的振蕩電位差；
[0008]所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路，以模擬產(chǎn)生接地阻抗；
[0009]所述模擬接地平臺SGP進行不同阻抗變化條件下耐受性測量。
[0010]優(yōu)選地，所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路包括:所述控制器MCP控制所述氣體開關Kl導通并且所述氣體開關K2斷開，從而實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP以及高頻電感LI的連通。
[0011]優(yōu)選地，所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路包括:所述控制器MCP控制氣體開關Kl和K2均導通，實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP、高頻電感LI以及電阻R2的連通。
[0012]優(yōu)選地，所述模擬接地平臺SGP包括:屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)以及電壓測量裝置。
[0013]優(yōu)選地，所述調(diào)波電路包括至少兩個電感以及至少兩個電阻。
[0014]優(yōu)選地，所述調(diào)波電路產(chǎn)生標準波形包括2.6/50118，8/20118，10/350118，10/1000118的電流波，或產(chǎn)生1.2/50us，8/20us的組合波。
[0015]優(yōu)選地，所述儲能電容器Cl和所述調(diào)波電LR路相互配合以生成參數(shù)不同的波形。
[0016]優(yōu)選地，所述高壓直流電源HV⑶輸出電壓的范圍為25kV至30kV。
[0017]優(yōu)選地，所述高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制，并且所述高頻電感LI的電感值取值范圍為0.1uH至4uH。
[0018]基于本發(fā)明的一種使用試驗電路來模擬暫態(tài)地電位升高的試驗方法，其中試驗電路包括:控制器MCP、高壓直流電源HV⑶、電容器Cl、高頻電感L1、限流電阻Rl、氣體開關Kl、氣體開關K2、限流電阻R2、調(diào)波電路LR以及模擬接地平臺SGP，所述模擬接地平臺SGP經(jīng)由所述高頻電感LI接地，所述高壓直流電源HVCD經(jīng)由所述限流電阻Rl連接所述電容器Cl和所述氣體開關Kl，所述氣體開關K2與限流電阻R2串聯(lián)后同高頻電感LI形成并聯(lián)電路，所述控制器MCP用于控制氣體開關Kl和氣體開關K2的導通或斷開；
[0019]所述方法包括:
[0020]控制所述氣體開關Kl和氣體開關K2均斷開，從而使得所述高壓直流電源HV⑶經(jīng)所述限流電阻Rl對所述儲能電容器Cl進行充電；
[0021]在確定所述電容器Cl充電到達設定值后，控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路，以模擬所述模擬接地平臺產(chǎn)生高頻的振蕩電位差；
[0022]控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路，以模擬接地阻抗；
[0023]進行不同阻抗變化條件下耐受性測量。
[0024]優(yōu)選地，所述進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路包括:控制所述氣體開關Kl導通并且所述氣體開關K2斷開，從而實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP以及高頻電感LI的連通。
[0025]優(yōu)選地，所述進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路包括:控制所述氣體開關Kl和K2均導通，實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP、高頻電感LI以及電阻R2的連通。
[0026]優(yōu)選地，所述模擬接地平臺SGP包括:屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)以及電壓測量裝置。
[0027]優(yōu)選地，所述調(diào)波電路包括至少兩個電感以及至少兩個電阻。
[0028]優(yōu)選地，所述調(diào)波電路產(chǎn)生標準波形包括2.6/50心，8/20118，10/350118，10/1000118的電流波，或產(chǎn)生1.2/50US，8/20US的組合波。
[0029]優(yōu)選地，所述儲能電容器Cl和所述調(diào)波電路LR相互配合以生成參數(shù)不同的波形。
[0030]優(yōu)選地，所述高壓直流電源HV⑶輸出電壓的范圍為25kV至30kV。
[0031]優(yōu)選地，所述高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制，并且所述高頻電感LI的電感值取值范圍為0.1uH至4uH。本發(fā)明通過不同的接地阻抗變化，可以通過控制器對不同氣體開關導通的控制實現(xiàn)模擬接地網(wǎng)的不同階段電位升高現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0032]通過參考下面的附圖，可以更為完整地理解本發(fā)明的示例性實施方式:
[0033]圖1為模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)結構圖；
[0034]圖2為模擬接地平臺結構圖；
[0035]圖3為控制器的控制時序及地電位升高典型波形圖；
[0036]圖4為模擬暫態(tài)地電位升高的試驗方法流程圖；
【具體實施方式】
[0037]現(xiàn)在參考附圖介紹本發(fā)明的示例性實施方式，然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式來實施，并且不局限于此處描述的實施例，提供這些實施例是為了詳盡地且完全地公開本發(fā)明，并且向所屬技術領域的技術人員充分傳達本發(fā)明的范圍。對于表示在附圖中的示例性實施方式中的術語并不是對本發(fā)明的限定。在附圖中，相同的單元/元件使用相同的附圖標記。
[0038]除非另有說明，此處使用的術語(包括科技術語)對所屬技術領域的技術人員具有通常的理解含義。另外，可以理解的是，以通常使用的詞典限定的術語，應當被理解為與其相關領域的語境具有一致的含義，而不應該被理解為理想化的或過于正式的意義。
[0039]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施方式的模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)示意圖。如圖1所示，控制器MCP控制高壓直流電源HVDC經(jīng)限流電阻Rl對儲能電容器Cl進行充電。為滿足本發(fā)明實施例的需求，本發(fā)明對高壓直流電源HVDC的輸出能力進行合理選擇。直流電源HVDC如果輸出電壓太高，比如高于30kV，電源體積龐大，系統(tǒng)絕緣成本增加。本發(fā)明實施例選擇直流電源HVDC輸出能力在25kV-30kV，在本發(fā)明實施例的模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)中，可以產(chǎn)生地電位升高10kV-15kV，本模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)實現(xiàn)緊湊化布置。
[0040]優(yōu)選地，如圖1所示，控制器MCP控制儲能電容器Cl充電至設定值，設定to時刻基準時刻(時序在圖3中進行詳細介紹)并在to時刻向氣體開關Kl發(fā)出觸發(fā)脈沖，從基準時刻to起經(jīng)過At1延時，在t時刻氣體開關Kl完全導通，在沖擊電流上升沿作用下，模擬接地平臺SGP與大地產(chǎn)生了高頻的振蕩電位差。由于模擬接地平臺SGP與接地網(wǎng)之間電位差幅值較高，為氣體開關K2的導通創(chuàng)造了條件。從基準時刻to起經(jīng)過At2延時，控制器MCP向氣體開關K2發(fā)出觸發(fā)脈沖，從Δ t2結束時刻起經(jīng)Δ t3延時，氣體開關在t2時刻完全導通。^至〖2為高頻電位升高的階段。
[0041 ]優(yōu)選地，在氣體開關Kl完全導通時(氣體開關K2為開合狀態(tài))，儲能電容器Cl中電流經(jīng)過調(diào)波電路LR，與連接的高頻電感LI連通，在沖擊電流上升沿作用下，模擬接地平臺SGP與大地產(chǎn)生高頻的振蕩電位差。
[0042]優(yōu)選地，儲能電容器Cl中電流經(jīng)過調(diào)波電路LR的參數(shù)配合能配合完成不同沖擊波形下暫態(tài)地電位的模擬試驗，參考實際雷電形成的常見波形，通過設置儲能電容器Cl和調(diào)波電路LR的參數(shù)，調(diào)波電路可以產(chǎn)生標準波形包括2.6/50us，8/20us，10/350us，10/1000us的電流波;或1.2/50us，8/20us的組合波。優(yōu)選地，調(diào)波電路LR可以有2個或2個以上電感，或有2個或2個以上電阻，相互連接而成。在完成調(diào)波電路LR的配置后，可以通過控制器MCP選擇實驗需要的波形。
[0043]優(yōu)選地，在氣體開關K2完全導通時(氣體開關Kl仍然保持導通狀態(tài))，儲能電容器Cl中電流經(jīng)過調(diào)波電路LR，與連接的高壓電阻R2連通。氣體開關K2導通后，電弧模擬接地土壤中火花放電現(xiàn)象，實現(xiàn)模擬接地阻抗。同時，振蕩電路減弱，波形變緩。電容器Cl與高頻電感LI形成的放電回路，逐步轉向電容器CI與電阻R2形成的放電回路。放電回路中從連通高頻電感LI到與電阻R2連通，振蕩電路更容易趨于穩(wěn)定。
[0044]優(yōu)選地，模擬接地平臺SGP經(jīng)過高頻電感LI接地。優(yōu)選地，高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制而成，并且高頻電感LI電感值在0.1uH至4uH之間選取。此外，所屬領域技術人員應當了解的是高頻電感LI并不限于高頻鐵氧體繞制。不同電感取值取決于波形特征要求。本發(fā)明實施例中電感在中低頻信號IkHz以下，主要表現(xiàn)為電阻分量，本發(fā)明實施例將該阻值控制在0.2歐姆以下。在I kHz至I OMHz高頻信號下，該電感表現(xiàn)出較好的電感特性，能夠模擬接地網(wǎng)的阻抗中電感分量。模擬接地平臺SGP包括屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)及高壓測量裝置，屏蔽箱用于模擬電子設備外殼或者傳感器安裝支架，同時實施對被試電子設備或傳感器的水平和垂直耦合，絕緣平臺用于模擬變壓器或開關設備外殼，電壓測量裝置用于測量電位升高后電子設備或傳感器的電壓值，以判斷電位升高對于電子設備或傳感器的影響程度。本模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)完成了一次模擬地電位升高的全過程。
[0045]圖2為模擬接地平臺SGP結構示意圖。優(yōu)選地，模擬接地平臺SGP經(jīng)過高頻電感LI接地。模擬接地平臺SGP包括屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)及高壓測量裝置，屏蔽箱用于模擬電子設備外殼或者傳感器安裝支架，同時實施對被試電子設備或傳感器的水平和垂直耦合，絕緣平臺用于模擬變壓器或開關設備外殼，電壓測量裝置用于測量電位升高后電子設備或傳感器的電壓值，以判斷電位升高對于電子設備或傳感器的影響程度。
[0046]圖3為控制器的控制時序及地電位升高典型波形圖。優(yōu)選地，如圖3所示，在控制器MCP控制儲能電容器Cl充電至設定值后，設定to時刻基準時刻并在to時刻向氣體開關Kl發(fā)出觸發(fā)脈沖，從基準時刻to起經(jīng)過At1延時，在^時刻氣體開關Kl完全導通，在沖擊電流上升沿作用下，模擬接地平臺SGP與大地產(chǎn)生了高頻的振蕩電位差。由于模擬接地平臺SGP與接地網(wǎng)之間電位差幅值較高，為氣體開關K2的導通創(chuàng)造了條件。從基準時刻to起經(jīng)過八^延時，控制器MCP向氣體開關K2發(fā)出觸發(fā)脈沖，從△ t2結束時刻起經(jīng)△ t3延時，氣體開關在^時亥Ij完全導通。^至^為高頻電位升高的階段。從基準時刻to起至t2時刻，為可以控制的時間段值。△ ti的時間值由空氣開關Kl需要的觸發(fā)時間決定，為不可控制的時間段值；Δ t3的時間值由空氣開關K2需要的觸發(fā)時間決定，為不可控制的時間段值；A t2的時間段值由波形電路的特征來決定，為可控制的時間段值。
[0047]圖4為模擬暫態(tài)地電位升高的試驗方法流程圖。優(yōu)選地，步驟401控制器MCP控制所述高壓直流電源HVCD經(jīng)所述限流電阻Rl對所述儲能電容器Cl進行充電(圖1中進行詳細介紹)?？刂破鱉CP控制高壓直流電源HVDC經(jīng)限流電阻Rl對儲能電容器Cl進行充電。為滿足本發(fā)明實施例的需求，本發(fā)明對高壓直流電源HVDC的輸出能力進行合理選擇。直流電源HVDC如果輸出電壓太高，比如高于30kV，電源體積龐大，系統(tǒng)絕緣成本增加。本發(fā)明實施例選擇直流電源HVDC輸出能力在2 5kV-30kV，在本發(fā)明實施例的模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)中，可以產(chǎn)生地電位升高10kV-15kV，本模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)實現(xiàn)緊湊化布置。
[0048]優(yōu)選地，步驟402判斷電容器CI充電是否到達了設定值，當控制器MCP判斷電容器Cl充電達到設定值時，則進行步驟403.
[0049]優(yōu)選地，步驟403為控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路，以模擬所述模擬接地平臺產(chǎn)生高頻的振蕩電位差(圖1中進行詳細介紹)。優(yōu)選地，控制器MCP控制儲能電容器Cl充電至設定值，設定to時刻基準時刻(時序在圖3中進行詳細介紹)并在to時刻向氣體開關Kl發(fā)出觸發(fā)脈沖，從基準時刻to起經(jīng)過At1延時，在^時刻氣體開關Kl完全導通，在沖擊電流上升沿作用下，模擬接地平臺SGP與大地產(chǎn)生了高頻的振蕩電位差。由于模擬接地平臺SGP與接地網(wǎng)之間電位差幅值較高，為氣體開關K2的導通創(chuàng)造了條件。從基準時刻to起經(jīng)過Δ t2延時，控制器MCP向氣體開關K2發(fā)出觸發(fā)脈沖，從Δ ^結束時刻起經(jīng)At3延時，氣體開關在t2時刻完全導通J1St2為高頻電位升高的階段。
[0050]優(yōu)選地，在氣體開關Kl完全導通時(氣體開關K2為開合狀態(tài))，儲能電容器Cl中電流經(jīng)過調(diào)波電路LR，與連接的高頻電感LI連通，在沖擊電流上升沿作用下，模擬接地平臺SGP與大地產(chǎn)生高頻的振蕩電位差。
[0051]優(yōu)選地，步驟404所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路，以模擬接地阻抗。優(yōu)選地，在氣體開關K2完全導通時(氣體開關Kl仍然保持導通狀態(tài))，儲能電容器Cl中電流經(jīng)過調(diào)波電路LR，與連接的高壓電阻R2連通。氣體開關K2導通后，電弧模擬接地土壤中火花放電現(xiàn)象，實現(xiàn)模擬接地阻抗。同時，振蕩電路減弱，波形變緩。電容器Cl與高頻電感LI形成的放電回路，逐步轉向電容器CI與電阻R2形成的放電回路。放電回路中從連通高頻電感LI到與電阻R2連通，振蕩電路更容易趨于穩(wěn)定。
[0052]優(yōu)選地，模擬接地平臺SGP經(jīng)過高頻電感LI接地。高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制而成，高頻電感LI電感值在0.1uH至4uH之間選取。不同電感取值取決于波形特征要求。本發(fā)明實施例中電感在中低頻信號IkHz以下，主要表現(xiàn)為電阻分量，本發(fā)明實施例將該阻值控制在0.2歐姆以下。在I kHz至I OMHz高頻信號下，該電感表現(xiàn)出較好的電感特性，能夠模擬接地網(wǎng)的阻抗中電感分量。
[0053]優(yōu)選地，步驟405，模擬接地平臺SGP包括屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)及高壓測量裝置，屏蔽箱用于模擬電子設備外殼或者傳感器安裝支架，同時實施對被試電子設備或傳感器的水平和垂直耦合，絕緣平臺用于模擬變壓器或開關設備外殼，電壓測量裝置用于測量電位升高后電子設備或傳感器的電壓值，以判斷電位升高對于電子設備或傳感器的影響程度。本模擬暫態(tài)地電位升高的試驗方法完成了一次模擬地電位升高的全過程。
[0054]已經(jīng)通過參考少量實施方式描述了本發(fā)明。然而，本領域技術人員所公知的，正如附帶的專利權利要求所限定的，除了本發(fā)明以上公開的其他的實施例等同地落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0055]通常地，在權利要求中使用的所有術語都根據(jù)他們在技術領域的通常含義被解釋，除非在其中被另外明確地定義。所有的參考“一個/所述/該[裝置、組件等]”都被開放地解釋為所述裝置、組件等中的至少一個實例，除非另外明確地說明。這里公開的任何方法的步驟都沒必要以公開的準確的順序運行，除非明確地說明。
【主權項】
1.一種用于模擬暫態(tài)地電位升高的試驗系統(tǒng)，該試驗系統(tǒng)包括:控制器MCP、高壓直流電源HVCD、電容器Cl、高頻電感L1、限流電阻Rl、氣體開關Kl、氣體開關K2、限流電阻R2、調(diào)波電路LR以及模擬接地平臺SGP，所述模擬接地平臺SGP經(jīng)由所述高頻電感LI接地，所述高壓直流電源HVCD經(jīng)由所述限流電阻Rl連接所述電容器Cl和所述氣體開關K1，所述氣體開關K2與限流電阻R2串聯(lián)后同高頻電感LI形成并聯(lián)電路，所述控制器MCP用于控制氣體開關Kl和氣體開關K2的導通或斷開； 所述控制器MCP控制所述氣體開關Kl和氣體開關K2均斷開，從而使得所述高壓直流電源HVCD經(jīng)所述限流電阻Rl對所述儲能電容器Cl進行充電； 所述控制器MCP在確定所述電容器Cl充電到達設定值后進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路，以模擬所述模擬接地平臺SGP產(chǎn)生高頻的振蕩電位差；所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路，以模擬產(chǎn)生接地阻抗； 所述模擬接地平臺SGP進行不同阻抗變化條件下耐受性測量。2.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路包括:所述控制器MCP控制所述氣體開關Kl導通并且所述氣體開關K2斷開，從而實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP以及高頻電感LI的連通。3.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述控制器MCP進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路包括:所述控制器MCP控制氣體開關Kl和K2均導通，實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP、高頻電感LI以及電阻R2的連通。4.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述模擬接地平臺SGP包括:屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)以及電壓測量裝置。5.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述調(diào)波電路包括至少兩個電感以及至少兩個電阻。6.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述調(diào)波電路產(chǎn)生標準波形包括2.6/50us，8/20us，10/350us，10/1000us的電流波，-或產(chǎn)生1.2/50us，8/20us的組合波。7.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述儲能電容器Cl和所述調(diào)波電LR路相互配合以生成參數(shù)不同的波形。8.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述高壓直流電源HVCD輸出電壓的范圍為25kV至30kVo9.根據(jù)權利要求1所述的試驗系統(tǒng)，所述高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制，并且所述高頻電感LI的電感值取值范圍為0.1uH至4uH。10.—種使用試驗電路來模擬暫態(tài)地電位升高的試驗方法，其中試驗電路包括: 控制器MCP、高壓直流電源HV⑶、電容器Cl、高頻電感L1、限流電阻Rl、氣體開關Kl、氣體開關K2、限流電阻R2、調(diào)波電路LR以及模擬接地平臺SGP，所述模擬接地平臺SGP經(jīng)由所述高頻電感LI接地，所述高壓直流電源HVCD經(jīng)由所述限流電阻Rl連接所述電容器Cl和所述氣體開關Kl，所述氣體開關K2與限流電阻R2串聯(lián)后同高頻電感LI形成并聯(lián)電路，所述控制器MCP用于控制氣體開關Kl和氣體開關K2的導通或斷開； 所述方法包括: 控制所述氣體開關Kl和氣體開關K2均斷開，從而使得所述高壓直流電源HVCD經(jīng)所述限流電阻Rl對所述儲能電容器Cl進行充電； 在確定所述電容器Cl充電到達設定值后，控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路，以模擬所述模擬接地平臺產(chǎn)生高頻的振蕩電位差； 控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路，以模擬接地阻抗； 進行不同阻抗變化條件下耐受性測量。11.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述高頻電感LI建立回路包括:控制所述氣體開關Kl導通并且所述氣體開關K2斷開，從而實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP以及高頻電感LI的連通。12.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述進行電路控制以使得所述調(diào)波電路LR與所述限流電阻R2建立回路包括:控制所述氣體開關Kl和K2均導通，實現(xiàn)電容器Cl、調(diào)波電路LR、模擬接地平臺SGP、高頻電感LI以及電阻R2的連通。13.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述模擬接地平臺SGP包括:屏蔽箱、絕緣平臺、均壓環(huán)以及電壓測量裝置。14.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述調(diào)波電路包括至少兩個電感以及至少兩個電阻。15.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述調(diào)波電路產(chǎn)生標準波形包括2.6/50us，8/20us，10/350us，10/1000us的電流波，或產(chǎn)生1.2/50us，8/20us的組合波。16.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述儲能電容器Cl和所述調(diào)波電路LR相互配合以生成參數(shù)不同的波形。17.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述高壓直流電源HVCD輸出電壓的范圍為25kV至30kV。18.根據(jù)權利要求10所述的試驗方法，所述高頻電感LI采用高頻鐵氧體繞制，并且所述高頻電感LI的電感值取值范圍為0.1uH至4uH。
【文檔編號】G01R31/00GK106019005SQ201610327363
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月17日
【發(fā)明人】李志遠, 劉之方, 李龍龍, 肖燕, 劉有為, 黨冬, 李會兵
【申請人】中國電力科學研究院, 國家電網(wǎng)公司, 國網(wǎng)河南省電力公司電力科學研究院