面，而非基底10的側(cè)壁面。
[0038]加熱層20和功能層30彼此絕緣。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式中，所說(shuō)的加熱層20可以是指加熱電極，加熱電極的材質(zhì)選自金、銀、鉬、銅、鎢、鉬金合金、銀鈀合金、鎳鉻合金、鉬猛合金、氮化鈦、氧化iI了中的一種。
[0039]在本實(shí)施方式中，加熱層20和功能層30分別設(shè)置于基底10的兩相對(duì)表面，也即，這里利用基底10實(shí)現(xiàn)加熱層20和功能層30彼此的絕緣。基底10上與功能層30對(duì)應(yīng)的部分的粗糙度被制作為相對(duì)于其它部分基底更高，以使功能層30中氣敏材料搭建時(shí)與基底10之間會(huì)形成較為理想的空隙，保證待檢測(cè)氣體可以通過(guò)這些空隙流通，也即增加了氣敏材料的表面活性位點(diǎn)，提高了傳感器的靈敏度和響應(yīng)速率。
[0040]功能層30包括彼此電性連接的信號(hào)電極31和檢測(cè)層32。這里所說(shuō)的檢測(cè)層32也即上文中所提到的“氣敏材料”。信號(hào)電極31的材質(zhì)可以采用金屬，例如Pt、Au、Ag、Cu、Al、N1、W中的一種制得，又或者是采用合金薄膜，例如Ni/Cr、Mo/Mn、Cu/Zn、Ag/Pd、Pt/Au、Fe/Co中的一種制得。通常地，一個(gè)半導(dǎo)體氣體傳感器100中至少包括兩個(gè)信號(hào)電極31。
[0041]檢測(cè)層32包括依次形成于基底10上的第一薄膜層321和第二薄膜層322，并且，第一薄膜層321的比表面積小于第二薄膜層322的比表面積。通過(guò)在基底10上制作兩層具有不同比表面的第一薄膜層321和第二薄膜層322，第一薄膜層321的比表面積較小，可以起到穩(wěn)定檢測(cè)層32的體電阻的作用，而第二薄膜層322的比表面積較大，可以保證對(duì)目標(biāo)氣體的較好吸附作用。需要說(shuō)明的是，所說(shuō)的“依次形成”是指第一薄膜層321相對(duì)第二薄膜層322更加鄰近基底10，而并非限制第一薄膜層321和第二薄膜層322的制作流程或與彼此與基底10的連接關(guān)系。具體地，在本實(shí)施方式中，第一薄膜層321直接設(shè)置于基底10的一側(cè)表面，第二薄膜層322直接設(shè)置于第一薄膜層321上；相應(yīng)地，加熱電極20直接設(shè)置于基底10上的另一相對(duì)側(cè)的表面。當(dāng)然，由于第一薄膜層321主要是起到穩(wěn)定檢測(cè)層32的電阻的作用，故在一些替換的實(shí)施方式中，第二薄膜層322也可以是與第一薄膜層321之間通過(guò)設(shè)置導(dǎo)電介質(zhì)(圖中未示)實(shí)現(xiàn)電性連接。
[0042]在具體的結(jié)構(gòu)中，第一薄膜層321為金屬氧化物薄膜，第二薄膜層322為具有納米結(jié)構(gòu)的金屬氧化物層。一般地，該第二薄膜層322中形成有例如包括納米線、納米棒、納米球、納米片、納米塊、納米墻、納米柱等納米結(jié)構(gòu)，第二薄膜層322中可以是僅僅具有上述的納米結(jié)構(gòu)中的一種，也可以是同時(shí)具有上述的納米結(jié)構(gòu)中的多種。這里所說(shuō)的“納米結(jié)構(gòu)”通常是指尺寸介于分子和微米尺度間的物體的結(jié)構(gòu)，也就是以納米尺度的物質(zhì)單元為基礎(chǔ)，按一定規(guī)律構(gòu)筑或組裝成的一種體系。
[0043]當(dāng)然，在一些其它的實(shí)施例中，根據(jù)檢測(cè)層32材料選用的差異，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)針對(duì)性氣體的有效檢測(cè)，一實(shí)施例中，例如采用氧化鎳功能化碳納米管或氧化鎳，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)甲醛氣體的良好檢測(cè)。
[0044]繼續(xù)參圖1，在本實(shí)施方式中，第一薄膜層321的厚度為50ηπι~100μπι，第二薄膜層322的厚度為lnm~100 μπι。第一薄膜層321和第二薄膜層322可以由同種材料或者同種類型的半導(dǎo)體材料制得。這里的“同種類型的半導(dǎo)體”是指第一薄膜層321和第二薄膜層322可以都是由N型金屬氧化物半導(dǎo)體、或P型金屬氧化物半導(dǎo)體、或Ρ、Ν雙性金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。上述的N型金屬氧化物半導(dǎo)體可以是選自MgO、CaO、T12、ZrO2、V2O5、Nb2O5、Ta205、Mo03、W03、ZnO, Al2O3, Ga2O3, ln203、SnO2中的一種；P型金屬氧化物半導(dǎo)體可以是選自Y 203、La203、CeO2, Mn203、Co3O4, N1、PdO、Ag2O, Bi2O3' Sb2O3, TeO2* 的一種；P、N 雙性金屬氧化物半導(dǎo)體可以是選自Hf02、Cr203、Fe2O3、CuO中的一種。當(dāng)然，在一些實(shí)施方式中，第一薄膜層321和第二薄膜層322也可以是由不同類的半導(dǎo)體材料制得。
[0045]參圖2，介紹本實(shí)用新型金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器10a的第二【具體實(shí)施方式】。在本實(shí)施方式中，該半導(dǎo)體氣體傳感器10a包括基底10a、加熱層20a、以及功能層30a。
[0046]與第一實(shí)施方式不同的是，在本實(shí)施方式中，加熱層20a和功能層30a都設(shè)置于基底1a的同一側(cè)表面上。具體地，加熱層20a直接設(shè)置于基底1a的一側(cè)表面上，該加熱層20a上形成有一絕緣層40a，功能層30a設(shè)置于該絕緣層40a之上。也即，通過(guò)設(shè)置的絕緣層40a實(shí)現(xiàn)加熱層20a和功能層30a彼此之間的絕緣。
[0047]與第一實(shí)施方式類似的是，功能層30a包括信號(hào)電極31a和檢測(cè)層32a，檢測(cè)層32a包括依次設(shè)置于絕緣層40a上的第一薄膜層321a和第二薄膜層322a。本實(shí)施方式中，關(guān)于功能層30a的具體設(shè)置可以參考第一實(shí)施方式中所述，在此不作贅述。
[0048]參圖3，介紹本實(shí)用新型金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器10b的第三【具體實(shí)施方式】。在本實(shí)施方式中，該半導(dǎo)體氣體傳感器10b包括基底10b、加熱層20b、以及功能層30b。
[0049]與第一實(shí)施方式不同的是，在本實(shí)施方式中，加熱層20b和功能層30b都設(shè)置于基底1a的同一側(cè)表面上，但加熱層20b環(huán)繞功能層30b設(shè)置。通過(guò)這樣的設(shè)置，加熱層20b和功能層30b實(shí)質(zhì)上彼此錯(cuò)開(kāi)布置，以實(shí)現(xiàn)彼此之間的絕緣。而通過(guò)設(shè)置環(huán)繞功能層30b的加熱層20b，可以對(duì)功能層30b提供均勻的熱場(chǎng)，并且，由于功能層20b和加熱層20b之間并未設(shè)置有其它介質(zhì)(例如第一實(shí)施方式中的基底10和第二實(shí)施方式中的絕緣層40a)，故可以保證加熱層20b更高的加熱效率，降低傳感器的功耗。需要說(shuō)明的是，這里所說(shuō)的環(huán)繞為“非封閉”式的，以便功能層30b與外部電路電性連接。
[0050]與第一實(shí)施方式類似的是，功能層30b包括信號(hào)電極31b和檢測(cè)層32b，檢測(cè)層32b包括依次設(shè)置于基底1b上且電性連接兩個(gè)信號(hào)電極31b的第一薄膜層321a和第二薄膜層322a。本實(shí)施方式中，關(guān)于功能層30a的具體設(shè)置可以參考第一實(shí)施方式中所述，在此不作贅述。
[0051]參圖4，介紹本實(shí)用新型金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器制造方法的一【具體實(shí)施方式】。在本實(shí)施方式中，該方法包括以下步驟:
[0052]S1、在基底上制作加熱層；
[0053]S2、在所述基底上制作信號(hào)電極；
[0054]S3、在所述基底上依次用物理氣相沉積法形成第一薄膜層和用化學(xué)方法形成與所述第一薄膜層電性連接的第二薄膜層。
[0055]其中，第一薄膜層和第二薄膜層構(gòu)成與信號(hào)電極電性連接的檢測(cè)層，該檢測(cè)層與信號(hào)電極構(gòu)成與加熱層絕緣的功能層。
[0056]這里所說(shuō)的“物理氣相沉積法”包括磁控濺射法、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、激光脈沖沉積法、分子束外延法等；物理氣相沉積一般是在高真空或者超高真空下制備薄膜，制備出的薄膜厚度均勻，表面平整致密無(wú)缺陷，故薄膜的質(zhì)量較高，體電阻比較穩(wěn)定，可以用于穩(wěn)定檢測(cè)層的體電阻。所說(shuō)的“化學(xué)方法”包括溶膠-凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、化學(xué)水浴沉積法、水熱法、熱注入法、靜電紡絲法、模板法等；化學(xué)方法在制備薄膜的過(guò)程中會(huì)發(fā)生多種的化學(xué)反應(yīng)，利用這些化學(xué)方法以及晶體生長(zhǎng)理論，可以制備出形態(tài)各異的納米結(jié)構(gòu)，例如納米線、納米棒、納米球、納米片、納米塊、納米墻、納米柱等，由這些納米結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第二薄膜層相對(duì)于由物理氣相沉積法制得的第一薄膜層具有更大的比表面積，更易吸附大量的目標(biāo)氣體，可以使得檢測(cè)層對(duì)目標(biāo)氣體有較高的檢測(cè)精度。
[0057]特別需要說(shuō)明的是，區(qū)別于本實(shí)用新型各實(shí)施方式中所述的“化學(xué)方法”，一些本領(lǐng)域中用于薄膜生長(zhǎng)的工藝，例如滴涂法等不屬于這里所說(shuō)的“化學(xué)方法”之列。以滴涂法為例，其一般是將分散有目標(biāo)薄膜成分的溶液滴涂在目標(biāo)表面上，并例如通過(guò)烘干等得到形成在目標(biāo)表面的薄膜層。這種類似的方法過(guò)程中并沒(méi)有發(fā)生相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)，也并不能控制最終形成的薄膜層的納米結(jié)構(gòu)，故也不能起到控制薄膜層的比表面積的作用。而本實(shí)用新型中所提到的“化學(xué)方法”，能根據(jù)需要進(jìn)行反應(yīng)的調(diào)控，使得最終生成的第二薄膜層中生長(zhǎng)出大量的納米結(jié)構(gòu)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)增加第二薄膜層的比表面積的目的。
[0058]為了更好地解釋本實(shí)用新型，以下