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一種帶電測試設(shè)備的制造方法

文檔序號:8885357閱讀:355來源:國知局
一種帶電測試設(shè)備的制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種帶電測試設(shè)備。
【【背景技術(shù)】】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,電力測試儀器需要帶電作業(yè),比如需要在不斷電的情況下,測量變電站刀閘開關(guān)的接觸電阻。當測試儀器在進入高壓區(qū)或退出高壓區(qū)的時候,由于被測試對象處在高壓環(huán)境中,會對儀器產(chǎn)生高壓放電,如果儀器的端口沒有進行適當?shù)谋Wo,很容易被高壓放電擊穿,造成儀器損壞。
[0003]其中,端口的損壞,一般有兩種原因,一種是端口和端口之間施加的電壓超過了端口間的耐壓,造成若干個端口之間電壓擊穿,高壓放電一般是屬于這種類型,由于儀器在進入或離開高壓帶電體的時候,各個端口和高壓帶電體之間的距離不盡相同,帶電體對端口發(fā)生放電的強弱也不一樣,造成端口間不等電位,電位差超過端口間耐壓時,造成端口損壞。另外一種是端口和端口之間有比較大的電流流過,造成燒毀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型解決的技術(shù)問題是提供一種帶電測試設(shè)備,能對設(shè)備的測試端口進行保護。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種帶電測試設(shè)備,所述帶電測試設(shè)備包括測試電路和連接在測試電路上的若干測試端口,所述測試端口之間連接有瞬態(tài)抑制二極管。
[0007]進一步的,所述測試端口通過導(dǎo)線依次串聯(lián),相鄰所述測試端口之間的導(dǎo)線上設(shè)置所述瞬態(tài)抑制二極管。
[0008]進一步的,其中一個所述測試端口與其他測試端口之間均連接有所述瞬態(tài)抑制二極管。
[0009]進一步的,所述瞬態(tài)抑制二極管的額定反向關(guān)斷電壓不小于所述測試電路的最大工作電壓。
[0010]進一步的,所述瞬態(tài)抑制二極管的最大箝位電壓小于所述測試電路的擊穿電壓。
[0011]進一步的,所述瞬態(tài)抑制二極管的最大峰值脈沖功耗大于所述測試電路的峰值功率。
[0012]進一步的,所述瞬態(tài)抑制二極管的瞬態(tài)浪涌電流小于所述測試電路的峰值電流。
[0013]進一步的,所述瞬態(tài)抑制二極管為雙極性瞬態(tài)抑制二極管。
[0014]本實用新型的有益效果:
[0015]本實用新型的帶電測試設(shè)備,在測試端口之間連接有瞬態(tài)抑制二極管。瞬態(tài)二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,它能以10的負12次方秒量級的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值,有效地保護電測試設(shè)備中的各種元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。
[0016]本實用新型的這些特點和優(yōu)點將會在下面的【具體實施方式】、附圖中詳細的揭露?!尽靖綀D說明】】
[0017]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步的說明:
[0018]圖1為實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖2為實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖.【【具體實施方式】】
[0020]下面結(jié)合本實用新型實施例的附圖對本實用新型實施例的技術(shù)方案進行解釋和說明,但下述實施例僅僅為本實用新型的優(yōu)選實施例,并非全部?;趯嵤┓绞街械膶嵤├?,本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得其它實施例,都屬于本實用新型的保護范圍。
[0021]實施例一:
[0022]參考圖1,所示一種帶電測試設(shè)備,帶電測試設(shè)備包括測試電路和連接在測試電路上的若干測試端口 1,測試端口 I之間連接有瞬態(tài)抑制二極管2。瞬態(tài)二極管(TransientVoltage Suppressor)簡稱TVS,是一種二極管形式的高效能保護器件。當瞬態(tài)二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,它能以10的負12次方秒量級的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值,有效地設(shè)備中的元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。
[0023]在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下,流過瞬態(tài)二極管的電流,由原來的反向漏電流ID上升到IR時,其兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR,瞬態(tài)二極管被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn),流過瞬態(tài)二極管的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的最大箝位電壓以下。爾后,隨著脈沖電流按指數(shù)衰減,瞬態(tài)二極管兩極的電壓也不斷下降,最后恢復(fù)到起始狀態(tài)。這就是瞬態(tài)二極管抑制可能出現(xiàn)的浪涌脈沖功率,保護電子元器件的整個過程。
[0024]本實施例中,測試端口 I通過導(dǎo)線串聯(lián),相鄰測試端口 I之間的導(dǎo)線上設(shè)置瞬態(tài)抑制二極管2。例如:有4個端口,則可按圖1所示連接。前提條件是端口之間的耐壓要高于2個瞬態(tài)二極管保護電壓之和。
[0025]為了保護帶電測試設(shè)備不被瞬間高壓擊壞,采用的瞬態(tài)抑制二極管2的額定反向關(guān)斷電壓不小于測試電路的最大工作電壓。瞬態(tài)抑制二極管2的最大箝位電壓應(yīng)小于所述測試電路的擊穿電壓。瞬態(tài)抑制二極管2的最大峰值脈沖功耗大于所述測試電路的峰值功率。瞬態(tài)抑制二極管2的瞬態(tài)浪涌電流小于所述測試電路的峰值電流。從而有效抑制可能出現(xiàn)的瞬間高壓,防止帶電測試設(shè)備被損壞。
[0026]優(yōu)選的,瞬態(tài)抑制二極管2為雙極性瞬態(tài)抑制二極管2。雙極性瞬態(tài)抑制二極管2可在更高強度的高壓放電中進行保護。
[0027]實施例二:
[0028]參考圖2,一種帶電測試設(shè)備,帶電測試設(shè)備包括測試電路和連接在測試電路上的若干測試端口 1,測試端口 I之間連接有瞬態(tài)抑制二極管2。其中一個所述測試端口 I與其他測試端口 I之間均連接有瞬態(tài)抑制二極管2。本實施例在同一測試端口 I上連接有更多的瞬態(tài)抑制二極管2,越密集的設(shè)置瞬態(tài)抑制二極管,能抵抗更高的高壓放電。
[0029]通過上述實施例,本實用新型的目的已經(jīng)被完全有效的達到了。熟悉該項技術(shù)的人士應(yīng)該明白本實用新型包括但不限于附圖和上面【具體實施方式】中描述的內(nèi)容。任何不偏離本實用新型的功能和結(jié)構(gòu)原理的修改都將包括在權(quán)利要求書的范圍中。
【主權(quán)項】
1.一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述帶電測試設(shè)備包括測試電路和連接在測試電路上的若干測試端口,所述測試端口之間連接有瞬態(tài)抑制二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述測試端口通過導(dǎo)線依次串聯(lián),相鄰所述測試端口之間的導(dǎo)線上設(shè)置所述瞬態(tài)抑制二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:其中一個所述測試端口與其他測試端口之間均連接有所述瞬態(tài)抑制二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述瞬態(tài)抑制二極管的額定反向關(guān)斷電壓不小于所述測試電路的最大工作電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述瞬態(tài)抑制二極管的最大箝位電壓小于所述測試電路的擊穿電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述瞬態(tài)抑制二極管的最大峰值脈沖功耗大于所述測試電路的峰值功率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述瞬態(tài)抑制二極管的瞬態(tài)浪涌電流小于所述測試電路的峰值電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶電測試設(shè)備,其特征在于:所述瞬態(tài)抑制二極管為雙極性瞬態(tài)抑制二極管。
【專利摘要】本實用新型公開了一種帶電測試設(shè)備,屬于電力測試工具領(lǐng)域,解決現(xiàn)有技術(shù)中,測試儀器在進入高壓區(qū)或退出高壓區(qū)的時候,由于被測試對象處在高壓環(huán)境中,會對儀器產(chǎn)生高壓放電,而造成儀器損壞的技術(shù)問題。本實用新型的帶電測試設(shè)備包括測試電路和連接在測試電路上的若干測試端口,測試端口之間連接有瞬態(tài)抑制二極管。本實用新型應(yīng)用于電力測試作業(yè)中。
【IPC分類】G01R1-36
【公開號】CN204595036
【申請?zhí)枴緾N201520227246
【發(fā)明人】程歐閩, 張一軍, 鄭曉東
【申請人】國網(wǎng)浙江省電力公司金華供電公司, 國家電網(wǎng)公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月15日
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