納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及基本電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上耐震鉑熱電阻多采用內(nèi)埋式，只能用于震幅小、震動頻率低的場所，主要原因是采用薄膜電阻焊接，焊接后薄膜電阻絕緣層全部采用石英砂填充，在強(qiáng)列震動時(shí)里面的石英砂相互碰撞磨擦，很快就損壞了薄膜電阻，使整個(gè)傳感器損壞，影響工業(yè)生產(chǎn)。由于化工行業(yè)溫度都是在線測量的特殊性，溫度系統(tǒng)出了問題嚴(yán)重影響生產(chǎn)安全又不能立即停機(jī)更換，而且停機(jī)一次損失很大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，所述熱電阻采用納米陶瓷填充，減少在震動時(shí)填充物對電阻的磨損，提高了所述熱電阻的使用壽命O
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:包括鉑電阻元件，第一引線的一端經(jīng)四芯磁珠與鉑電阻元件的一端連接，第二引線的一端經(jīng)四芯磁珠與鉑電阻元件的另一端連接，所述鉑電阻元件和四芯磁珠位于保護(hù)筒內(nèi)，保護(hù)筒內(nèi)填充有納米陶瓷，所述保護(hù)筒的尾端固定有接頭，納米陶瓷右側(cè)的接頭內(nèi)填充有環(huán)氧樹脂，所述第一引線和第二引線的另一端依次穿過納米陶瓷和環(huán)氧樹脂后延伸到接頭的外側(cè)，形成所述熱電阻的兩個(gè)接線端。
[0005]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述第一引線為銅引線。
[0006]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述第二引線為銀引線。
[0007]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述保護(hù)筒為不銹鋼保護(hù)筒。
[0008]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述接頭為鋼接頭。
[0009]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:所述熱電阻采用納米陶瓷填充，減少在震動時(shí)填充物對電阻的磨損，提高了所述熱電阻的使用壽命。
【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0011]圖1是本實(shí)用新型的半剖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]其中:1、鉑電阻元件2、第一引線3、四芯磁珠4、第二引線5、保護(hù)筒6、納米陶瓷7、接頭8、環(huán)氧樹脂。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型公開了一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，包括鉑電阻元件1，第一引線2的一端經(jīng)四芯磁珠3與鉑電阻元件I的一端連接，第二引線4的一端經(jīng)四芯磁珠3與鉑電阻元件I的另一端連接，所述鉑電阻元件I和四芯磁珠3位于保護(hù)筒5內(nèi)，保護(hù)筒5內(nèi)填充有納米陶瓷6，所述保護(hù)筒5的尾端固定有接頭7，納米陶瓷6右側(cè)的接頭7內(nèi)填充有環(huán)氧樹脂8，所述第一引線2和第二引線4的另一端依次穿過納米陶瓷6和環(huán)氧樹脂8后延伸到接頭7的外側(cè)，形成所述熱電阻的兩個(gè)接線端。優(yōu)選的，所述第一引線2可以為銅引線，所述第二引線4可以為銀引線，所述保護(hù)筒5可以為不銹鋼保護(hù)筒，所述接頭7可以為鋼接頭，需要指出的是，上述器件的制作材料并不局限于上述材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。
[0016]所述鉑熱電阻在震頻25KHZ、震幅200um、溫度120°C以及震動30m的條件下完好無損。原來每支產(chǎn)品只能使用15-30個(gè)工作日，提高到6個(gè)月以上都可以正常使用。通過采用納米陶瓷填充，減少在震動時(shí)填充物對電阻的磨損，提高了所述熱電阻的使用壽命。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:包括鉑電阻元件(1)，第一引線(2)的一端經(jīng)四芯磁珠(3)與鉑電阻元件(I)的一端連接，第二引線(4)的一端經(jīng)四芯磁珠(3)與鉑電阻元件(I)的另一端連接，所述鉑電阻元件(I)和四芯磁珠(3)位于保護(hù)筒(5)內(nèi)，保護(hù)筒(5)內(nèi)填充有納米陶瓷(6)，所述保護(hù)筒(5)的尾端固定有接頭(7)，納米陶瓷(6)右側(cè)的接頭(7)內(nèi)填充有環(huán)氧樹脂(8)，所述第一引線(2)和第二引線(4)的另一端依次穿過納米陶瓷(6)和環(huán)氧樹脂(8)后延伸到接頭(7)的外側(cè)，形成所述熱電阻的兩個(gè)接線端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:所述第一引線(2)為銅引線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:所述第二引線(4)為銀引線。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:所述保護(hù)筒(5)為不銹鋼保護(hù)筒。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，其特征在于:所述接頭(7)為鋼接頭。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種納米陶瓷封裝耐震鉑熱電阻，涉及基本電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。所述熱電阻包括鉑電阻元件，第一引線的一端經(jīng)四芯磁珠與鉑電阻元件的一端連接，第二引線的一端經(jīng)四芯磁珠與鉑電阻元件的另一端連接，所述鉑電阻元件和四芯磁珠位于保護(hù)筒內(nèi)，保護(hù)筒內(nèi)填充有納米陶瓷，所述保護(hù)筒的尾端固定有接頭，納米陶瓷右側(cè)的接頭內(nèi)填充有環(huán)氧樹脂，所述第一引線和第二引線的另一端依次穿過納米陶瓷和環(huán)氧樹脂后延伸到接頭的外側(cè)，形成所述熱電阻的兩個(gè)接線端。所述熱電阻采用納米陶瓷填充，減少在震動時(shí)填充物對電阻的磨損，提高了所述熱電阻的使用壽命。
【IPC分類】G01K7/18
【公開號】CN204666274
【申請?zhí)枴緾N201520373324
【發(fā)明人】陶玲天
【申請人】天長市徽寧電器儀表廠
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月3日