的N極相連接、其另一端則與三極管Q5的集電極相連接，電阻R14的一端與三極管Q5的基極相連接、其另一端接地，電阻R13的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其另一端則與三極管Q4的集電極相連接，電容C9的負(fù)極與三極管Q4的集電極相連接、其正極則接地，電容C8的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其正極則與三極管Q4的基極相連接。
[0025]該場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極與糾偏電路相連接、其漏極則與三極管Q5的發(fā)射極相連接。所述三極管Q5的集電極接地，三極管Q4的發(fā)射極則與糾偏電路相連接。
[0026]其中，場(chǎng)效應(yīng)管MOSl，電容C8以及三極管Q4構(gòu)成一個(gè)鎖相器，當(dāng)信號(hào)輸送進(jìn)來后，該鎖相器可以對(duì)信號(hào)頻率進(jìn)行鎖定，使其頻率與原始信號(hào)的頻率相同，避免因頻率波動(dòng)而降低本發(fā)明的精確度。
[0027]所述的信號(hào)采集電路包括電阻R1，電阻R2以及電容Cl。連接時(shí)，所述電容Cl的正極與電容C2的負(fù)極相連接、其負(fù)極接地。電阻Rl的一端與外部電源相連接、其另一端則經(jīng)電阻R2后與電容Cl的負(fù)極相連接。
[0028]糾偏電路由糾偏芯片M，三極管Q3，一端與糾偏芯片M的RESET管腳相連接、另一端與三極管Q3的基極相連接的電阻R8，一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)電容C6后與糾偏芯片M的PFO管腳相連接的電阻R9，一端與電容C6和電阻R9的連接點(diǎn)相連接、另一端經(jīng)電阻Rll后接地的電阻R10，與電阻Rll并聯(lián)的電容C7，反相端分別與糾偏芯片M的WDI管腳以及三極管Q2的集電極相連接、同相端則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端與輸出端之間的電容C4，反相端與糾偏芯片M的WDO管腳相連接、同相端則分別與主控芯片K的IN管腳以及二極管D3的P極相連接的差分放大器U1，正極與差分放大器U2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管Q4的發(fā)射極相連接的電容C5，以及一端與差分放大器Ul的輸出端相連接、另一端則經(jīng)電阻R7后與差分放大器U2的輸出端相連接的電阻R6組成；所述三極管Q3的集電極接地。為了更好的實(shí)施本實(shí)用新型，該糾偏芯片M優(yōu)先采用SGM706集成電路，而主控芯片K則優(yōu)選為具有低功耗特性的單片微型計(jì)算機(jī)來實(shí)現(xiàn)。
[0029]如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其由信號(hào)采集電路，主控芯片K，與該主控芯片K相連接的糾偏電路和鎖相電路組成；其特征在于，在信號(hào)采集電路與糾偏電路之間還串接有信號(hào)調(diào)理電路，所述的主控芯片K還與該信號(hào)調(diào)理電路相連接；所述的信號(hào)調(diào)理電路由三極管Q1，三極管Q2，P極經(jīng)電阻R5后與三極管Q2的發(fā)射極相連接、N極則經(jīng)電容C3后與三極管Ql的發(fā)射極相連接的二極管D3，正極經(jīng)二極管Dl后與三極管Q2的基極相連接、負(fù)極則經(jīng)電阻R3后與二極管D3的N極相連接的電容C2，與二極管Dl相并聯(lián)的二極管D2，以及一端與三極管Q2的基極相連接、另一端則與三極管Ql的發(fā)射極相連接的電阻R4組成；所述電容C2的負(fù)極還與信號(hào)采集電路相連接；所述三極管Ql的集電極與電容C2的正極相連接、其基極則與三極管Q2的基極相連接；所述三極管Q2的集電極和二極管D3的P極均與糾偏電路相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其特征在于，所述的鎖相電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOSl，三極管Q4，三極管Q5，N極與該主控芯片K的OUT管腳相連接、P極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的二極管D4，一端與二極管D4的N極相連接、另一端則與三極管Q5的集電極相連接的電阻R12，一端與三極管Q5的基極相連接、另一端接地的電阻R14，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、另一端則與三極管Q4的集電極相連接的電阻R13，負(fù)極與三極管Q4的集電極相連接、正極則接地的電容C9，以及負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、正極則與三極管Q4的基極相連接的電容CS組成；所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極與糾偏電路相連接、其漏極則與三極管Q5的發(fā)射極相連接；所述三極管Q5的集電極接地，三極管Q4的發(fā)射極則與糾偏電路相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其特征在于，所述的信號(hào)采集電路包括電阻Rl，電阻R2以及電容Cl ;所述電容Cl的正極與電容C2的負(fù)極相連接、其負(fù)極接地；電阻Rl的一端與外部電源相連接、其另一端則經(jīng)電阻R2后與電容Cl的負(fù)極相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其特征在于，所述的糾偏電路由糾偏芯片M，三極管Q3，一端與糾偏芯片M的RESET管腳相連接、另一端與三極管Q3的基極相連接的電阻R8，一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)電容C6后與糾偏芯片M的PFO管腳相連接的電阻R9，一端與電容C6和電阻R9的連接點(diǎn)相連接、另一端經(jīng)電阻Rll后接地的電阻R10，與電阻Rll并聯(lián)的電容C7，反相端分別與糾偏芯片M的WDI管腳以及三極管Q2的集電極相連接、同相端則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端與輸出端之間的電容C4，反相端與糾偏芯片M的WDO管腳相連接、同相端則分別與主控芯片K的IN管腳以及二極管D3的P極相連接的差分放大器U1，正極與差分放大器U2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管Q4的發(fā)射極相連接的電容C5，以及一端與差分放大器Ul的輸出端相連接、另一端則經(jīng)電阻R7后與差分放大器U2的輸出端相連接的電阻R6組成；所述三極管Q3的集電極接地。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其特征在于，所述主控芯片K為具有低功耗特性的單片微型計(jì)算機(jī)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其特征在于，所述糾偏芯片M為SGM706集成電路。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于信號(hào)調(diào)理的鎖相式光電糾偏傳感器，其由信號(hào)采集電路，主控芯片K，與該主控芯片K相連接的糾偏電路和鎖相電路組成；其特征在于，在信號(hào)采集電路與糾偏電路之間還串接有信號(hào)調(diào)理電路，所述的主控芯片K還與該信號(hào)調(diào)理電路相連接；本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，能在不增加電子溫度計(jì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜程序和防水難度的情況下，實(shí)現(xiàn)溫度計(jì)的低功耗性能。本實(shí)用新型設(shè)置有信號(hào)調(diào)理電路，其可以對(duì)所采集到的信號(hào)進(jìn)行濾波處理，避免信號(hào)受到電路自身的電壓波動(dòng)或來自外界的干擾因素影響，使本實(shí)用新型所輸出的信號(hào)更加穩(wěn)定。
【IPC分類】G01D3/028, G01D5/56
【公開號(hào)】CN204944517
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520364639
【發(fā)明人】劉霖, 劉永, 古家順, 南璽
【申請(qǐng)人】寧波摩米創(chuàng)新工場(chǎng)電子科技有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年5月30日