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非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀的制作方法

文檔序號(hào):10209749閱讀:684來源:國(guó)知局
非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種測(cè)厚儀,尤其涉及一種非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀,可用于測(cè)量任何導(dǎo)電基體上的絕緣覆層厚度。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,無(wú)損地測(cè)量金屬基體上絕緣覆蓋層的厚度的厚度的儀器,精度較差,難以滿足科學(xué)技術(shù)的需要,該問題亟待解決。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]現(xiàn)有技術(shù)不能滿足人們的需要,為彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)不足,本實(shí)用新型旨在提供一種非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案,非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀,包括:
[0005]殼體,所述殼體外設(shè)有LCD顯示屏,所述殼體內(nèi)封裝有主控MCU,所述主控MCU采用32位CPU,所述IXD顯示屏與所述主控MCU電性連接;
[0006]電源模塊,所述電源模塊為內(nèi)置式的聚合物鋰電池,所述電源模塊與所述主控MCU電性連接,所述電源模塊還包括一逆變器用以輸出高頻交流電;
[0007]探頭,所述探頭內(nèi)設(shè)有一線圈,所述線圈在高頻交流電的作用下產(chǎn)生交變電磁場(chǎng),當(dāng)探頭與涂層接觸時(shí),金屬基體上產(chǎn)生渦流并對(duì)探頭中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?,所述探頭將線圈受到的反饋信號(hào)傳送給所述主控MCU,所述主控MCU根據(jù)探頭傳來的數(shù)據(jù)計(jì)算出涂層的厚度,所述探頭與所述主控MCU電性連接;
[0008]存儲(chǔ)模塊,所述存儲(chǔ)模塊用以儲(chǔ)存涂層厚度的測(cè)量數(shù)據(jù),包括測(cè)量的時(shí)間、測(cè)量時(shí)的溫度、環(huán)境光強(qiáng)度、物體的硬度、表面平均曲率、表面粗糙度、探頭的角度、測(cè)出的厚度數(shù)值,以上數(shù)據(jù)以數(shù)組的形式保存在存儲(chǔ)模塊中,所述存儲(chǔ)模塊與所述主控MCU電性連接;
[0009]USB通信模塊,所述USB通信模塊與所述主控MCU通過信號(hào)線連接,所述USB通信模塊通過主控MCU可以讀取所述存儲(chǔ)模塊內(nèi)的數(shù)據(jù),所述USB通信模塊與所述電源模塊電性連接;
[0010]藍(lán)牙通信模塊,所述藍(lán)牙通信模塊與所述主控MCU通過信號(hào)線連接,所述藍(lán)牙通信模塊通過主控MCU可以讀取所述存儲(chǔ)模塊內(nèi)的數(shù)據(jù);
[0011]校準(zhǔn)模塊,所述校準(zhǔn)模塊與所述主控MCU電性連接,所述校準(zhǔn)模塊與傳感器模塊電性連接;
[0012]報(bào)警器,所述報(bào)警器包括指示燈、蜂鳴器,所述報(bào)警器與所述主控MCU電性連接。
[0013]優(yōu)選的,所述傳感器模塊包括溫度傳感器、加速度傳感器、光傳感器、三維掃描模塊、曲率半徑測(cè)量?jī)x、硬度測(cè)量?jī)x、表面粗糙度測(cè)量?jī)x、電阻率測(cè)量模塊、濕度傳感器;所述傳感器模塊將測(cè)出的各種物理量信號(hào)傳遞給所述校準(zhǔn)模塊,所述校準(zhǔn)模塊將所述物理量信號(hào)傳遞給所述主控MCU進(jìn)而校準(zhǔn)讀數(shù)。
[0014]優(yōu)選的,所述藍(lán)牙通信模塊與手機(jī)通過無(wú)線信道連接。
[0015]優(yōu)選的,所述USB通信模塊與所述PC上位機(jī)通過信號(hào)線連接,所述PC上位機(jī)與云服務(wù)器通過GPRS連接。
[0016]優(yōu)選的,所述主控MCU采用安卓系統(tǒng)或1S系統(tǒng)。
[0017]優(yōu)選的,所述主控MCU采用Cortex_M3處理器。
[0018]優(yōu)選的,所述IXD顯示屏采用2.4寸TFT-1XD彩色顯示屏。
[0019]優(yōu)選的,所述藍(lán)牙通信模塊采用藍(lán)牙4.0BLE/3.0雙模,所述藍(lán)牙通信模塊兼容藍(lán)牙 2.0o
[0020]優(yōu)選的,所述主控MCU上還電性連接有語(yǔ)音播報(bào)模塊,所述語(yǔ)音播報(bào)模塊用以語(yǔ)音播報(bào)出測(cè)量結(jié)果。
[0021]優(yōu)選的,所述主控MCU上還電性連接有打印模塊,所述打印模塊用以打印出所測(cè)的涂層厚度數(shù)據(jù)。
[0022]優(yōu)選的,所述主控MCU上還電性連接有3D打印模塊,所述三維掃描模塊用以構(gòu)建涂層的三維模型,所述三維掃描模塊將三維模型數(shù)據(jù)傳遞給所述3D打印模塊,所述3D打印模塊驅(qū)動(dòng)3D打印機(jī)進(jìn)行打印。
[0023]優(yōu)選的,所述主控MCU上還電性連接有指紋解鎖模塊,所述指紋解鎖模塊用以解除主控MCU的鎖定狀態(tài)。
[0024]優(yōu)選的,所述主控MCU上還電性連接有GPS定位器。
[0025]優(yōu)選的,所述殼體采用塑料制成。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本儀器采用了渦流測(cè)厚方法,可無(wú)損地測(cè)量非磁性金屬基體(如銅、鋁、鋅、錫等)上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度(如:琺瑯、橡膠、油漆、塑料等)。利用高頻交變電流在線圈中產(chǎn)生一個(gè)電磁場(chǎng),當(dāng)探頭與覆蓋層接觸時(shí),金屬基體上產(chǎn)生電渦流,并對(duì)探頭中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?,通過測(cè)量反饋?zhàn)饔玫拇笮】蓪?dǎo)出覆蓋層的厚度。通過設(shè)置校準(zhǔn)模塊用以校準(zhǔn)讀數(shù),使讀數(shù)更加準(zhǔn)確、可靠,在基體性質(zhì)變化不大的情況下,溫度等外界原因?qū)е碌臏y(cè)量誤差可由儀器自動(dòng)修正,修正后的測(cè)量誤差< 3%。測(cè)量精度高。本實(shí)用新型測(cè)量精度高??煽啃院?,穩(wěn)定性高,操作使用方便,設(shè)計(jì)新穎,制造成本低,實(shí)用性強(qiáng)。
【附圖說明】
[0027]圖1是本實(shí)用新型所述的非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖2是圖1中所述傳感器模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]其中,
[0030]10、主控MCU ;20、存儲(chǔ)模塊;30、探頭;40、校準(zhǔn)模塊;50、傳感器模塊;501、溫度傳感器;502、加速度傳感器;503、光傳感器;504、三維掃描模塊;505、曲率半徑測(cè)量?jī)x;506、硬度測(cè)量?jī)x;507、表面粗糙度測(cè)量?jī)x;508、電阻率測(cè)量模塊;509、濕度傳感器;60、電源模塊;61、逆變器;70、LCD顯示屏;80、報(bào)警器;91、藍(lán)牙通信模塊;911、手機(jī);92、USB通信模塊;921、PC上位機(jī);9211、云服務(wù)器。
[0031]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說明。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0033]請(qǐng)參閱圖1和圖2,其中,圖1是本實(shí)用新型所述的非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1中所述傳感器模塊50的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]如圖1,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案,非鐵基彩屏涂層測(cè)厚儀,包括殼體,所述殼體外設(shè)有IXD顯示屏70,所述殼體內(nèi)封裝有主控MCU10,所述主控MCU10采用32位CPU,所述LCD顯示屏70與所述主控MCU10電性連接;電源模塊60,所述電源模塊60為內(nèi)置式的聚合物鋰電池,所述電源模塊60與所述主控MCU10電性連接,所述電源模塊60還包括一逆變器61 (圖未視出)用以輸出高頻交流電;探頭30,所述探頭30內(nèi)設(shè)有一線圈(圖未視出),所述線圈在高頻交流電的作用下產(chǎn)生交變電磁場(chǎng),當(dāng)探頭30與涂層接觸時(shí),金屬基體上產(chǎn)生渦流并對(duì)探頭中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?,所述探頭30將線圈受到的反饋信號(hào)傳送給所述主控MCU10,所述主控MCU10根據(jù)所述探頭30傳來的數(shù)據(jù)計(jì)算出涂層的厚度,所述探頭30與所述主控MCU10電性連接;存儲(chǔ)模塊20,所述存儲(chǔ)模塊20用以儲(chǔ)存涂層厚度的測(cè)量數(shù)據(jù),包括測(cè)量的時(shí)間、測(cè)量時(shí)的溫度、環(huán)境光強(qiáng)度、物體的硬度、表面平均曲率、表面粗糙度、探頭30的角度、測(cè)出的厚度數(shù)值,以上數(shù)據(jù)以數(shù)組的形式保存在存儲(chǔ)模塊20中,所述存儲(chǔ)模塊20與所述主控MCU10電性連接;USB通信模塊92,所述USB通信模塊92與所述主控MCU10通過信號(hào)線連接,所述USB通信模塊92通過主控MCU10可以讀取所述存儲(chǔ)模塊20內(nèi)的數(shù)據(jù),所述USB通信模塊92與所述電源模塊60電性連接;藍(lán)牙通信模塊91,所述藍(lán)牙通信模塊91與所述主控MCU10通過信號(hào)線連接,所述藍(lán)牙通信模塊91通過主控MCU10可以讀取所述存儲(chǔ)模塊20內(nèi)的數(shù)據(jù);校準(zhǔn)模塊40,所述校準(zhǔn)模塊40與所述主控MCU10電性連接,所述校準(zhǔn)模塊40與傳感器模塊50電性連接;報(bào)警器80,所述報(bào)警器80包括指示燈、蜂鳴器,所述報(bào)警器80與所述主控MCU10電性連接。
[0035]在上述實(shí)施例中,本儀器采用了渦流測(cè)厚方法,可無(wú)損地測(cè)量非磁性金屬基體(如銅、招、鋅、錫等)上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度(如:琺瑯、橡膠、油漆、塑料等)。利用高頻交變電流在線圈中產(chǎn)生一個(gè)電磁場(chǎng),當(dāng)探頭30與覆蓋層接觸時(shí),金屬基體上產(chǎn)生電渦流,并對(duì)探頭30中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?,通過測(cè)量反饋?zhàn)饔玫拇笮】蓪?dǎo)出覆蓋層的厚度。通過設(shè)置校準(zhǔn)模塊40用以校準(zhǔn)讀數(shù),使讀數(shù)更加準(zhǔn)確、可靠,在基體性質(zhì)變化不大的情況下,溫度等外界原因?qū)е碌臏y(cè)量誤差可由儀器自動(dòng)修正,修正后的測(cè)量誤差< 3%。測(cè)量精度高。
[0036]進(jìn)一步的,所述校準(zhǔn)模塊40包括零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40,所述零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40基體性質(zhì)變化較大的情況下,可在無(wú)涂層基體上校零。零點(diǎn)校準(zhǔn)可在全量程獲得土(1+3% Η)的精度。
[0037]更進(jìn)一步的,所述校準(zhǔn)模塊40還包括多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40,當(dāng)基體性質(zhì)較特殊,或者需要更小的誤差范圍時(shí),可以采用所述多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40。多點(diǎn)校準(zhǔn)可在校準(zhǔn)點(diǎn)附近獲得(1%的誤差,在全量程范圍獲得±1+3% Η)的精度。
[0038]所述零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40、多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40通過與之電性連接的按鍵激活或者關(guān)閉。
[0039]如圖2,作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例,所述傳感器模塊50包括溫度傳感器501、加速度傳感器502、光傳感器503、三維掃描模塊504、曲率半徑測(cè)量?jī)x505、硬度測(cè)量?jī)x5
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