半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體材料少子壽命測試
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]通過MffPCD(MicrowavePhotoconductivity Decay，微波光電導(dǎo)衰減)的方法測試半導(dǎo)體材料的非平衡載流子(通常稱少子)壽命是一種比較常見的方法。主要是通過激光照射半導(dǎo)體材料，激發(fā)電子空穴對以改變半導(dǎo)體材料瞬時(shí)的電導(dǎo)率，并用微波垂直入射到半導(dǎo)體材料進(jìn)行測量，通過微波反射信號的變化，測量半導(dǎo)體材料的少子壽命。
[0003]但由于半導(dǎo)體材料少子壽命較小，多為ps(皮秒)或ns(納秒)量級，無法較好的測量其衰減曲線，所以有使用微波垂直反射信號的峰值(PEAK VALUE)來間接反映半導(dǎo)體材料的少子壽命的方法和裝置。
[0004]請參考圖1，其為現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置。如圖1所示，所述半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置I包括載臺(Stage)lO、微波探頭12以及激光頭13，其中，所述載臺10用以承載樣品11，所述微波探頭12用以發(fā)射探測微波，所述激光頭13用以發(fā)射激光。所述樣品11包括玻璃基板110及形成于玻璃基板110上的半導(dǎo)體材料層1110具體的，所述載臺10包括金屬平板100以及位于所述金屬平板100上的絕緣材料層101，所述金屬平板100用于反射透過樣品11的微波，以增強(qiáng)樣品11信號;所述絕緣材料層101用于增強(qiáng)其上樣品11所處的微波場信號敏感度，從而增強(qiáng)樣品11電導(dǎo)率變化時(shí)微波反射信號的變化。
[0005]但是由于探測微波不僅會(huì)沿垂直方向傳播和反射，也會(huì)沿著橫向進(jìn)行傳播，所以在測試樣品11時(shí)其邊緣反射回來的第一反射微波14將和絕緣材料層101邊緣反射回來的第二反射微波15在樣品11的固定位置形成干涉，產(chǎn)生干擾信號，從而對檢測結(jié)果形成影響。請參考圖2，其為現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置做出的半導(dǎo)體材料少子壽命檢測圖(mapping)。如圖2所示，所述檢測圖上具有周期性的波紋和橫豎條紋，此即干擾信號。
[0006]因此，如何避免半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置在檢測半導(dǎo)體材料少子壽命時(shí)形成干涉，成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置，以解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置在檢測半導(dǎo)體材料少子壽命時(shí)形成干涉，產(chǎn)生干擾信號，從而對檢測結(jié)果形成影響的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置，所述半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置包括:載臺、位于所述載臺上方的微波探頭以及激光頭，其中，所述載臺包括金屬平板以及位于所述金屬平板上的絕緣材料層，所述絕緣材料層包括底面、與底面相對的頂面及連接頂面與底面的側(cè)面，其中所述絕緣材料層的側(cè)面與底面的夾角小于等于45°。
[0009]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述絕緣材料層的每個(gè)側(cè)面上具有多個(gè)凹陷。
[0010]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述多個(gè)凹陷所占的側(cè)面面積大于等于側(cè)面總面積的60%。
[0011]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述凹陷的形狀為不規(guī)則形狀。
[0012]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述凹陷的深度為0.5mm?Imm0
[0013]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述絕緣材料層的每個(gè)側(cè)面上具有多個(gè)凸起。
[0014]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述多個(gè)凸起所占的側(cè)面面積大于等于側(cè)面總面積的60%。
[0015]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述凸起的高度為0.5mm?Imm0
[0016]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述絕緣材料層的每個(gè)側(cè)面表面形成有微波吸收材料層。
[0017]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述微波吸收材料層為鐵氧體層。
[0018]可選的，在所述的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，所述微波吸收材料層的厚度為0.5mm?Imm0
[0019]在本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置中，絕緣材料層的側(cè)面與底面的夾角小于等于45°，由此能夠使得發(fā)射到絕緣材料層側(cè)面的微波向絕緣材料層底面反射，從而可減少絕緣材料層側(cè)面反射的微波與樣品側(cè)面反射的微波形成干涉的幾率，由此可減弱甚至消除干擾信號。
[0020]進(jìn)一步的，所述絕緣材料層的每個(gè)側(cè)面上具有多個(gè)凹陷或凸起，可使得發(fā)射到絕緣材料層側(cè)面的微波向多個(gè)方向反射，從而可進(jìn)一步減少絕緣材料層側(cè)面反射的微波與樣品側(cè)面反射的微波形成干涉的幾率，進(jìn)而可進(jìn)一步減弱甚至消除干擾信號。
[0021]更進(jìn)一步的，所述絕緣材料層的每個(gè)側(cè)面表面形成有微波吸收材料層，從而可部分吸收發(fā)射到絕緣材料層側(cè)面的微波，進(jìn)而可進(jìn)一步減少絕緣材料層側(cè)面反射的微波與樣品側(cè)面反射的微波形成干涉的幾率，進(jìn)一步減弱甚至消除干擾信號。
【附圖說明】
[0022]圖1是現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2是現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置做出的半導(dǎo)體材料少子壽命檢測圖(mapping)；
[0024]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4是圖3所示的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置做出的半導(dǎo)體材料少子壽命檢測圖(mapping)；
[0026]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例二的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0028]【實(shí)施例一】
[0029]請參考圖3，其為本實(shí)用新型實(shí)施例一的半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述半導(dǎo)體材料少子壽命測試裝置2包括:載臺20、位于所述載臺20上方的微波探頭22以及激光頭23，其中，所述載臺20包括金屬平板200以及位于所述金屬平板200上的絕緣材料層201，所述絕緣材料層201包括底面、與底面相對的頂面及連接頂面與底面的側(cè)面，所述側(cè)面與底面的夾角A小于等于45°。其中，所述載臺20用以承載樣品21，所述微波探頭22用以發(fā)射探測微波，所述激光頭23用以發(fā)射激光，所述樣品21包括玻璃基板210及形成于玻璃基板210上的半導(dǎo)體材料層211。
[0030]由于所述絕緣材料層201的側(cè)面與底面的夾角A小于等于45°，由此便能夠使得發(fā)射到絕緣材料層201側(cè)面的微波向絕緣材料層201底面反射，從而可減少絕緣材料層201側(cè)面反射的微波與樣品21側(cè)面反射的微波(更具體為所述玻璃基板210側(cè)面反射的微波)形成干涉的幾率，由此可減弱甚至消除干擾信號。
[0031]進(jìn)一步的，所述絕緣材料層201的每個(gè)側(cè)面上具有多個(gè)凹陷202(圖3中示意性的示出了兩個(gè)側(cè)面，以及每個(gè)側(cè)面具有兩個(gè)凹陷202)，在本申請實(shí)施例中，所述凹陷202的形狀為圓錐形狀。在本申請的其他實(shí)施例中，所述凹陷202的形狀也可以為半球形狀、長方體形狀、圓臺形狀、圓