專利名稱：壓電振動片、壓電振動器及其制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振動片、壓電振動器、壓電振動器的制造方法，振蕩器，電子設(shè)備 及電波鐘。
背景技術(shù)：
一直以來，接合一對基板并在該基板間形成的空腔內(nèi)密封壓電振動片的壓電振動 器被廣為人知。壓電振動器例如用于便攜電話或便攜信息終端的時刻源或控制信號等的定 時源、參考信號源等。作為壓電振動器的形態(tài)，已知有各式各樣的壓電振動器，但作為其中 之一，眾所周知表面安裝型的壓電振動器。作為表面安裝型的壓電振動器，有直接接合基底基板和蓋基板并在兩基板之間形 成的空腔內(nèi)收納壓電振動片的2層構(gòu)造型的壓電振動器。該2層構(gòu)造型的壓電振動器，在 能實(shí)現(xiàn)薄型化等方面很優(yōu)越，能適宜使用。在這樣的2層構(gòu)造型的壓電振動器中，已知利用 以貫通基底基板的方式形成的導(dǎo)電部件(貫通電極)，使壓電振動片的裝配電極與形成在 基底基板的外部電極導(dǎo)通的壓電振動器。具體而言，在基底基板的外側(cè)，貫通電極與外部電極導(dǎo)通，在基底基板的空腔側(cè)， 貫通電極和迂回電極導(dǎo)通。該迂回電極形成在基底基板的表面。然后，在迂回電極與裝配 電極之間設(shè)有由金屬材料構(gòu)成的凸點(diǎn)(bump)，迂回電極與凸點(diǎn)之間、以及凸點(diǎn)與裝配電極 之間分別用超聲波接合來接合。在此，公開了這樣的技術(shù)作為凸點(diǎn)使用金，并且使用在迂回電極及裝配電極的表 面的與凸點(diǎn)的接合面成膜金的構(gòu)件，將它們分別超聲波接合(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。專利文獻(xiàn)1 日本特開平1H66135號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2001-102891號公報可是，在進(jìn)行了上述傳統(tǒng)的超聲波接合的壓電振動器中，凸點(diǎn)與壓電振動片(裝 配電極)之間的接合強(qiáng)度容易產(chǎn)生偏差，難以維持穩(wěn)定的接合強(qiáng)度。因此，為了確保凸點(diǎn)與壓電振動片之間的接合強(qiáng)度，可考慮采用在一個接合部位 形成多個凸點(diǎn)進(jìn)行超聲波接合的方法，但存在生產(chǎn)效率降低的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明鑒于上述問題構(gòu)思而成，其目的在于提供一種在與凸點(diǎn)之間能夠確 保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動片、壓電振動器、壓電振動器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備 及電波鐘。為了解決上述課題，本發(fā)明提供以下方案。本發(fā)明的壓電振動片，其中包括振動部、與該振動部鄰接的基部、形成在所述振 動部的激振電極、形成在所述基部的裝配電極、以及電連接所述激振電極和所述裝配電極 的引出電極，其特征在于，在所述裝配電極的表面成膜由金構(gòu)成的接合膜，該接合膜形成為在與由金構(gòu)成的凸點(diǎn)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散的厚度。依據(jù)本發(fā)明的壓電振動片，將凸點(diǎn)與裝配電極超聲波接合后，能夠在裝配電極的 表面形成的由金構(gòu)成的接合膜的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散，因此能夠防止在凸點(diǎn)與 裝配電極的接合部位中產(chǎn)生沒有對接合膜互相擴(kuò)散的區(qū)域。因而，能夠穩(wěn)定地確保凸點(diǎn)與 壓電振動片之間的接合強(qiáng)度。此外，僅僅這樣薄膜形成接合膜，無需為了確保接合強(qiáng)度而在 一個接合部位形成多個凸點(diǎn)后進(jìn)行超聲波接合，因此能夠提高生產(chǎn)效率。此外，本發(fā)明的壓電振動器，其中包括基底基板、以與該基底基板對置的狀態(tài)接合 到所述基底基板的蓋基板、以及收納于在所述基底基板和所述蓋基板之間形成的空腔內(nèi)的 壓電振動片，該壓電振動片具有振動部、與該振動部鄰接的基部、形成在所述振動部的激振 電極、形成在所述基部的裝配電極、以及電連接所述激振電極與所述裝配電極的引出電極， 形成在所述基底基板的貫通孔中設(shè)有貫通電極，并且為了電連接所述壓電振動片與所述貫 通電極而在所述基底基板形成迂回電極，其特征在于，在所述迂回電極的既定位置形成由 金構(gòu)成的凸點(diǎn)，以電連接該迂回電極和形成在所述壓電振動片的所述裝配電極，并且在所 述壓電振動片中的所述裝配電極的表面，成膜由金構(gòu)成的接合膜，該接合膜形成為在與所 述凸點(diǎn)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散的厚度。依據(jù)本發(fā)明的壓電振動器，將凸點(diǎn)和裝配電極超聲波接合后，能夠在裝配電極的 表面形成的由金構(gòu)成的接合膜的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散，因此能夠防止在凸點(diǎn)與 裝配電極的接合部位中產(chǎn)生沒有對接合膜互相擴(kuò)散的區(qū)域。因而，能夠穩(wěn)定地確保凸點(diǎn)與 壓電振動片之間的接合強(qiáng)度。此外，僅僅這樣薄膜形成接合膜，無需為了確保接合強(qiáng)度而在 一個接合部位形成多個凸點(diǎn)后進(jìn)行超聲波接合，因此能夠提高生產(chǎn)效率。此外，本發(fā)明的壓電振動器的制造方法，其中該壓電振動器包括基底基板、以與該 基底基板對置的狀態(tài)接合到所述基底基板的蓋基板、以及被收納于在所述基底基板與所述 蓋基板之間形成的空腔內(nèi)的壓電振動片，該壓電振動片具有振動部、與該振動部鄰接的基 部、形成在所述振動部的激振電極、形成在所述基部的裝配電極、以及電連接所述激振電極 和所述裝配電極的引出電極，形成在所述基底基板的貫通孔中設(shè)有貫通電極，并且為了電 連接所述壓電振動片和所述貫通電極而在所述基底基板形成迂回電極，在該迂回電極的既 定位置形成由金構(gòu)成的凸點(diǎn)，以電連接該迂回電極和形成在所述壓電振動片的所述裝配電 極，所述壓電振動器的制造方法的特征在于，包括在所述基底基板形成所述迂回電極的工 序；在所述迂回電極的既定位置形成所述凸點(diǎn)的工序；以及在所述凸點(diǎn)上超聲波接合所述 壓電振動片的裝配電極的工序，在所述壓電振動片的所述裝配電極的表面成膜由金構(gòu)成的 接合膜，該接合膜形成為在與所述凸點(diǎn)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散 的厚度。依據(jù)本發(fā)明的壓電振動器的制造方法，將凸點(diǎn)與裝配電極超聲波接合后，能夠在 裝配電極的表面形成的由金構(gòu)成的接合膜的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散，因此能夠防 止在凸點(diǎn)和裝配電極的接合部位中產(chǎn)生沒有對接合膜互相擴(kuò)散的區(qū)域。因而，能夠穩(wěn)定地 確保凸點(diǎn)與壓電振動片之間的接合強(qiáng)度。此外，僅僅這樣薄膜形成接合膜，無需為了確保接 合強(qiáng)度而在一個接合部位形成多個凸點(diǎn)后進(jìn)行超聲波接合，因此能提高生產(chǎn)效率。此外，本發(fā)明的振蕩器，其特征在于，使上述的壓電振動器，作為振子電連接至集 成電路。
而且，本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，使上述的壓電振動器電連接至計(jì)時部。然后，本發(fā)明的電波鐘，其特征在于，使上述的壓電振動器電連接至濾波部。在本發(fā)明的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘中，由于采用能夠在壓電振動片與凸點(diǎn)之 間確保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動器，能夠提供成品率得到提高并且質(zhì)量穩(wěn)定的振蕩器、 電子設(shè)備及電波鐘。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明的壓電振動器，將凸點(diǎn)與裝配電極超聲波接合后，能夠在裝配電極的 表面形成的由金構(gòu)成的接合膜的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散，因此能夠防止在凸點(diǎn)與 裝配電極的接合部位中產(chǎn)生沒有對接合膜互相擴(kuò)散的區(qū)域。因而，能夠穩(wěn)定地確保凸點(diǎn)與 壓電振動片之間的接合強(qiáng)度。此外，僅僅這樣薄膜形成接合膜，無需為了確保接合強(qiáng)度而在 一個接合部位形成多個凸點(diǎn)后進(jìn)行超聲波接合，因此能提高生產(chǎn)效率。
圖1是表示本發(fā)明的壓電振動器的一實(shí)施方式的外觀斜視圖。圖2是圖1所示的壓電振動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，并且是在拆下蓋基板的狀態(tài)下俯視 壓電振動片的圖。圖3是沿著圖2所示的A-A線的壓電振動器的剖視圖。圖4是圖1所示的壓電振動器的分解斜視圖。圖5是構(gòu)成圖1所示的壓電振動器的壓電振動片的俯視圖。圖6是圖5所示的壓電振動片的仰視圖。圖7是沿著圖5的B-B線的剖視圖。圖8是圖3的D部分放大圖。圖9是表示制造圖1所示的壓電振動器之際的流程的流程圖。圖10是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示在成為蓋基板的根源的蓋基板用圓片(wafer)形成多個凹部的狀態(tài)的圖。圖11是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示在成為基底基板的根源的基底基板用圓片形成一對貫通孔的狀態(tài)的圖。圖12是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示為了將形成在基底基板用圓片的凹部做成貫通孔而進(jìn)行研磨的狀態(tài)的圖。圖13是從基底基板用圓片的剖面觀看圖11所示的狀態(tài)的圖。圖14是沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際使用的鉚釘體的斜視圖。圖15是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示在貫通孔內(nèi)配置鉚釘體并填充玻璃料的狀態(tài)的圖。圖16是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示除去多余部分的玻璃料的狀態(tài)的圖。圖17是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示除去多余部分的玻璃料的狀態(tài)的圖。圖18是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示圖17所示的狀態(tài)之后，燒結(jié)玻璃料的狀態(tài)的圖。
圖19是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示在圖18所示的狀態(tài)之后，研磨鉚釘體的基座部及基底基板用圓片的狀態(tài)的圖。圖20是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是表 示在圖19所示的狀態(tài)之后，在基底基板用圓片的上表面對接合膜及迂回電極進(jìn)行構(gòu)圖的 狀態(tài)的圖。圖21是圖20所示的狀態(tài)的基底基板用圓片的整體圖。圖22是表示沿著圖9所示的流程圖制造壓電振動器之際的一工序的圖，并且是在 空腔內(nèi)收納壓電振動片的狀態(tài)下陽極接合基底基板用圓片與蓋基板用圓片的圓片體的分 解斜視圖。圖23是表示本發(fā)明的振蕩器的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖M是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖25是表示本發(fā)明的電波鐘的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照圖1 圖25，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，對 使用音叉型壓電振動片的壓電振動器的情形進(jìn)行說明。如圖1至圖4所示，本實(shí)施方式的壓電振動器1，形成為由基底基板2和蓋基板3 層疊為2層的箱狀，是在內(nèi)部的空腔C內(nèi)收納了壓電振動片4的表面安裝型的壓電振動器。 此外，在圖4中為了方便圖示而省略了后述的激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17 及重錘金屬膜21的圖示。如圖5至圖7所示，壓電振動片4是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等的壓電材料形成的 音叉型振動片，在被施加既定電壓時振動。該壓電振動片4具有平行配置的一對振動腕部10、11 ；將該一對振動腕部10、11 的基端側(cè)固定成一體的基部12 ；形成在一對振動腕部10、11的外表面上并使一對振動腕部 IOUl振動的由第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15 ；以及與第一激振 電極13及第二激振電極14電連接的裝配電極16、17。此外，本實(shí)施方式的壓電振動片4具備在一對振動腕部10、11的兩主表面上沿著 該振動腕部10、11的長邊方向分別形成的溝部18。該溝部18從振動腕部10、11的基端一 側(cè)形成至大致中間附近。由第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15是使一對振動腕部10、 11以既定的諧振頻率在彼此接近或分離的方向上振動的電極，在一對振動腕部10、11的外 表面，以分別電性切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言，第一激振電極13主要形成在一個振 動腕部10的溝部18上和另一振動腕部11的兩側(cè)面上，第二激振電極14主要形成在一個 振動腕部10的兩側(cè)面上和另一振動腕部11的溝部18上。此外，第一激振電極13及第二激振電極14，在基部12的兩主表面上，分別經(jīng)由引 出電極19、20電連接至裝配電極16、17。然后壓電振動片4成為經(jīng)由該裝配電極16、17被 施加電壓。此外，上述的激振電極15、裝配電極16、17及引出電極19、20，通過覆蓋例如導(dǎo)電 材料的鉻(Cr)的膜來形成。此外，如圖8所示，在裝配電極16、17上的與凸點(diǎn)B的接合面，在由鉻構(gòu)成的覆蓋膜(基底膜71)上再成膜由金(Au)構(gòu)成的接合膜72。例如，基底膜71 的膜厚形成為約500 600 A的厚度，接合膜72的膜厚形成為約500 600 A的厚度。也 就是說，接合膜72形成為薄膜狀。此外，作為上述各電極的覆蓋膜，也可以使用其它的鎳 (Ni)、鋁(Al)或鈦(Ti)等。此外，在一對振動腕部10、11的前端覆蓋了用于進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)的重錘金 屬膜21，以使本身的振動狀態(tài)在既定頻率的范圍內(nèi)振動。再者，該重錘金屬膜21分為在粗 調(diào)頻率時使用的粗調(diào)膜21a和在微調(diào)時使用的微調(diào)膜21b。利用這些粗調(diào)膜21a及微調(diào)膜 21b進(jìn)行頻率調(diào)整，從而能夠使一對振動腕部10、11的頻率落入器件的標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)。這樣構(gòu)成的壓電振動片4，如圖3及圖4所示，利用金等的凸點(diǎn)B，凸點(diǎn)接合至基底 基板2的上表面。更具體地說，以在基底基板2的上表面構(gòu)圖的迂回電極36、37上形成的 2個凸點(diǎn)B上分別接觸的狀態(tài)凸點(diǎn)接合一對裝配電極16、17，其中利用超聲波接合等方法進(jìn) 行凸點(diǎn)接合。由此，壓電振動片4以從基底基板2的上表面浮置的狀態(tài)被支撐，并且成為分 別電連接有裝配電極16、17和迂回電極36、37的狀態(tài)。上述蓋基板3是用玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，如圖1、圖3及 圖4所示，形成為板狀。然后，在接合基底基板2的接合面一側(cè)，形成有收納壓電振動片4 的矩形狀的凹部3a。該凹部3a是疊合兩基板2、3時成為收納壓電振動片4的空腔C的空 腔用的凹部。再者，蓋基板3以使該凹部3a與基底基板2 —側(cè)對置的狀態(tài)對該基底基板2 陽極接合。上述基底基板2是用與蓋基板3相同的玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣 基板，如圖1至圖4所示，能對蓋基板3疊合的大小形成為板狀。在該基底基板2形成有貫通該基底基板2的一對貫通孔(throughhole)30、31。這 時，一對貫通孔30、31形成為被收納于空腔C。更詳細(xì)地說，本實(shí)施方式的貫通孔30、31中， 一個貫通孔30形成在與所裝配的壓電振動片4的基部12 —側(cè)對應(yīng)的位置，另一貫通孔31 形成在與振動腕部10、11的前端側(cè)對應(yīng)的位置。此外，在本實(shí)施方式的貫通孔30、31，形成 為從基底基板2的上表面朝著下表面而直徑逐漸擴(kuò)大的錐(taper)狀。然后，在這些一對貫通孔30、31形成有以埋入該貫通孔30、31的方式形成的一對 貫通電極32、33。這些貫通電極32、33如圖3所示，由經(jīng)燒結(jié)而對貫通孔30、31固定成一體 的筒體6及芯材部7形成，完全堵塞貫通孔30、31而維持空腔C內(nèi)的氣密，并且承擔(dān)使后述 的外部電極38、39與迂回電極36、37導(dǎo)通的作用。此外，筒體6燒結(jié)膏狀的玻璃料而成。筒體6形成為兩端平坦且厚度與基底基板2 大致相同的圓筒狀。此外，在筒體6的中心，以貫通筒體6的方式配置有芯材部7。而且，該 筒體6如圖3所示，以埋入貫通孔30、31內(nèi)的狀態(tài)被燒結(jié)，對該貫通孔30、31牢固地固接。上述芯材部7是用金屬材料形成為圓柱狀的導(dǎo)電性的芯材，與筒體6同樣地形成 為兩端平坦且厚度與基底基板2的厚度大致相同。此外，如圖3所示，貫通電極32、33在形 成為成品時，如上所述，芯材部7形成為厚度與基底基板2的厚度大致相同，但在制造過程 中，采用芯材部7的長度稍短于制造過程當(dāng)初的基底基板2的厚度的部件。然后，該芯材部 7經(jīng)筒體6的燒結(jié)而對該筒體6牢固地固接。此外，貫通電極32、33通過導(dǎo)電性的芯材部7 確保電導(dǎo)通性。在基底基板2的上表面一側(cè)(接合蓋基板3的接合面一側(cè))，如圖1至圖4所示，利用導(dǎo)電材料構(gòu)圖陽極接合用的接合膜35和一對迂回電極36、37。其中接合膜35以包圍 形成在蓋基板3的凹部3a周圍的方式沿著基底基板2的周邊而形成。再者，如圖8所示， 在本實(shí)施方式中，迂回電極36、37例如在導(dǎo)電材料的鉻(Cr)的覆蓋膜(基底膜7 上再成 膜由金(Au)構(gòu)成的接合膜74。例如，基底膜73的膜厚形成為約500 600人的厚度，接合 膜74的膜厚形成為約1000 1500人的厚度。此外，一對迂回電極36、37構(gòu)圖成為使一對貫通電極32、33中的一個貫通電極32 與壓電振動片4的一個裝配電極16電連接，并且使另一貫通電極33與壓電振動片4的另 一裝配電極17電連接。更詳細(xì)地說，一個迂回電極36以位于壓電振動片4的基部12的正下方的方式形 成在一個貫通電極32的正上方。此外，另一迂回電極37形成為從一個迂回電極36附近的 位置，沿著振動腕部10、11而迂回至該振動腕部10、11的前端側(cè)后，位于另一貫通電極33 的正上方位置。然后，在這些一對迂回電極36、37上分別形成有凸點(diǎn)B，利用該凸點(diǎn)B裝配壓電振 動片4。由此，壓電振動片4的一個裝配電極16經(jīng)由一個迂回電極36而與一個貫通電極 32導(dǎo)通，另一裝配電極17經(jīng)由另一迂回電極37而與另一貫通電極33導(dǎo)通。此外，在基底基板2的下表面，如圖1、圖3及圖4所示，形成有與一對貫通電極32、 33分別電連接的外部電極38、39。即，一個外部電極38經(jīng)由一個貫通電極32及一個迂回 電極36電連接至壓電振動片4的第一激振電極13。此外，另一外部電極39經(jīng)由另一貫通 電極33及另一迂回電極37電連接至壓電振動片4的第二激振電極14。在使這樣構(gòu)成的壓電振動器1動作時，對形成在基底基板2的外部電極38、39施 加既定的驅(qū)動電壓。由此，能夠使電流在壓電振動片4的由第一激振電極13及第二激振電 極14構(gòu)成的激振電極15中流過，并能使一對振動腕部10、11以既定頻率沿著接近/分離 的方向振動。然后，利用該一對振動腕部10、11的振動，能夠作為時刻源、控制信號的定時 源或參考信號源等而加以利用。接著，參照圖9所示的流程圖，對利用基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50 —次 性制造多個上述壓電振動器1的制造方法進(jìn)行說明。最先，進(jìn)行壓電振動片制作工序，制作圖5至圖7所示的壓電振動片4(S10)。具 體而言，首先將未加工的朗伯(Lambert)水晶以既定角度切片而做成固定厚度的圓片。 接著，研磨(lapping)該圓片而進(jìn)行粗加工后，利用蝕刻除去加工變質(zhì)層，其后進(jìn)行拋光 (polish)等的鏡面研磨加工，做成既定厚度的圓片。接著，對圓片進(jìn)行清洗等的適當(dāng)?shù)奶幚?后，利用光刻技術(shù)，以壓電振動片4的外形形狀對該圓片進(jìn)行構(gòu)圖，并且進(jìn)行金屬膜的成膜 及構(gòu)圖，形成激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17及重錘金屬膜21。由此，能夠制 作出多個壓電振動片4。此外，在本實(shí)施方式中，作為基底膜71，至少在裝配電極16、17上 成膜約500 600 A的厚度的鉻，并且作為接合膜72，成膜約500 600 A的厚度的金。此外，在制作出壓電振動片4后，進(jìn)行諧振頻率的粗調(diào)。這是通過對重錘金屬膜21 的粗調(diào)膜21a照射激光使一部分蒸發(fā)，從而改變重量來進(jìn)行的。此外，更高精度地調(diào)整諧振 頻率的微調(diào)是在裝配后進(jìn)行的。對此，將在后面進(jìn)行說明。接著，進(jìn)行將后面成為蓋基板3的蓋基板用圓片50制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前 的狀態(tài)的第一圓片制作工序(S20)。首先，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，形成利用蝕刻等除去了最表面的加工變質(zhì)層的圓板狀的蓋基板用圓片50(S21)。接著， 如圖10所示，進(jìn)行凹部形成工序(S22)，在該工序中利用蝕刻等在蓋基板用圓片50的接合 面沿行列方向形成多個空腔用的凹部3a。在該時刻，結(jié)束第一圓片制作工序。接著，與上述工序同時或者在上述工序前后的定時，進(jìn)行將后面成為基底基板2 的基底基板用圓片40制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)的第二圓片制作工序(S30)。首 先，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，形成經(jīng)蝕刻等而除去了最表面的加 工變質(zhì)層的圓板狀的基底基板用圓片40(S31)。接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40形成多個 一對貫通電極32、33的貫通電極形成工序(S30A)。在此，對該貫通電極形成工序進(jìn)行詳細(xì) 說明。首先，如圖11所示，進(jìn)行在基底基板用圓片40形成與一對貫通孔30、31對應(yīng)的凹 部30a、31a的凹部形成工序(S32)。此外，圖11所示的虛線M示出在后面進(jìn)行的切斷工序 中切斷的切斷線。接著，進(jìn)行形成多個貫通基底基板用圓片40的一對貫通孔30、31的貫通孔形成工 序(S33)。為了在基底基板用圓片40形成貫通孔30、31，如圖12所示，從兩面研磨基底基 板用圓片40。然后，如圖13所示，以從基底基板用圓片40的上表面朝著下表面而直徑逐漸 擴(kuò)大的錐狀形成多個貫通孔30、31。此外，一個貫通孔30形成為位于壓電振動片4的基部 12側(cè)，另一貫通孔31形成為位于振動腕部10、11的前端側(cè)。接著，進(jìn)行在這些多個貫通孔30、31內(nèi)，配置鉚釘體9的芯材部7，并且將由玻璃材 料構(gòu)成的膏狀的玻璃料6a填充到貫通孔30、31內(nèi)的貫通電極配置工序(S34)。這時，作為 鉚釘體9，如圖14所示，采用包括平板狀的基座部8和從該基座部8上沿著與該基座部8的 表面大致正交的方向以比基底基板用圓片40的厚度稍短的(例如，約短0.02mm左右)長 度形成并且前端形成為平坦的芯材部7的導(dǎo)電性的鉚釘體9。然后，如圖15所示，插入芯材 部7，直到該鉚釘體9的基座部8與基底基板用圓片40接觸。在此，需要將鉚釘體9配置 成使芯材部7的軸向與貫通孔30、31的軸向大致一致。在本實(shí)施方式中，由于使用基座部 8上形成有芯材部7的鉚釘體9，所以僅僅將基座部8按壓到使基座部8與基底基板用圓片 40接觸為止的簡單的作業(yè)，就能使芯材部7的軸向與貫通孔30、31的軸向大致一致。因而， 能夠提高進(jìn)行貫通電極配置工序時的作業(yè)性。進(jìn)而，通過使基座部8與基底基板用圓片40的表面接觸，能夠切實(shí)地向貫通孔30、 31內(nèi)填充膏狀的玻璃料6a。而且，由于基座部8形成為平板狀，所以在貫通電極配置工序后，直到后面進(jìn)行的 燒結(jié)工序?yàn)橹沟钠陂g，即便將基底基板用圓片40承載于臺上等的平面上，也不會晃動而穩(wěn) 定。在這一點(diǎn)上，也能提高作業(yè)性。此外，在對貫通孔30、31內(nèi)填充玻璃料6a時，涂敷略多點(diǎn)，以對貫通孔30b、3Ib內(nèi) 切實(shí)地填充玻璃料6a。因而，在基底基板用圓片40的表面也涂敷有玻璃料6a。在此狀態(tài) 下燒結(jié)玻璃料6a時，要在后面的研磨工序花費(fèi)較多的時間，因此在燒結(jié)前進(jìn)行除去多余的 玻璃料6a的玻璃料除去工序(S35)。如圖16所示，在該玻璃料除去工序中，例如使用樹脂 制的刮板47 (squeegee)，使刮板47的前端47a抵接到基底基板用圓片40的表面，沿著該表 面使之移動而除去玻璃料6a。通過這樣，如圖17所示，能以簡單的作業(yè)切實(shí)地除去多余的 玻璃料6a。然后，本實(shí)施方式中，使鉚釘體9的芯材部7的長度比基底基板用圓片40的厚度稍短，因此當(dāng)刮板47通過貫通孔30、31的上部之際，刮板47的前端47a和芯材部7的前 端不會有接觸，能夠抑制芯材部7傾斜。接著，進(jìn)行將埋入的填充材料在既定溫度下燒結(jié)的燒結(jié)工序(S36)。由此，貫通孔 30、31和埋入該貫通孔30、31內(nèi)的玻璃料6a和配置在玻璃料6a內(nèi)的芯材部7互相固接。 在進(jìn)行該燒結(jié)時，按每個基座部8進(jìn)行燒結(jié)，因此能夠在使芯材部7的軸向和貫通孔30、31 的軸向大致一致的狀態(tài)下，能夠?qū)烧吖潭ǔ梢惑w。如果玻璃料6a被燒結(jié)，會固化為筒體 6。接著，如圖18所示，在燒結(jié)后進(jìn)行將鉚釘體9的基座部8研磨并除去的研磨工序 (S37)。由此，能夠除去筒體6及起到將芯材部7定位的作用效果的基座部8，并能在筒體6 的內(nèi)部只留下芯材部7。此外，同時研磨基底基板用圓片40的背面(沒有配置鉚釘體9的基座部8 一側(cè)的 面)使之成為平坦面。然后，研磨至芯材部7的前端露出為止。其結(jié)果是，如圖19所示，能 夠得到多個使筒體6與芯材部7固定成一體的一對貫通電極32、33。如上所述，基底基板用圓片40的表面和筒體6及芯材部7的兩端成為大致共面的 狀態(tài)。即，能做成使基底基板用圓片40的表面和貫通電極32、33的表面大致共面的狀態(tài)。 此外，在進(jìn)行了研磨工序的時刻，結(jié)束貫通電極形成工序(S30A)。接著，如圖20、圖21所示，進(jìn)行在基底基板用圓片40的上表面對導(dǎo)電材料進(jìn)行 構(gòu)圖而形成接合膜35的接合膜形成工序(S38)，并且進(jìn)行形成多個與各一對貫通電極32、 33分別電連接的迂回電極36、37的迂回電極形成工序(S39)。在本實(shí)施方式中，作為基底 膜73，至少對迂回電極36、37成膜約500 600人厚度的鉻，并且作為接合膜74，成膜約 1000 1500人厚度的金。此外，圖20、圖21所示的虛線M示出在后面進(jìn)行的切斷工序中 切斷的切斷線。特別是，如上所述，貫通電極32、33成為相對于基底基板用圓片40的上表面大致 共面的狀態(tài)。因此，在基底基板用圓片40的上表面構(gòu)圖的迂回電極36、37以在其間不發(fā)生 間隙等而對貫通電極32、33密合的狀態(tài)接觸。由此，能夠使一個迂回電極36與一個貫通電 極32確實(shí)導(dǎo)通，并能使另一迂回電極37與另一貫通電極33確實(shí)導(dǎo)通。在這時刻結(jié)束第二 圓片制作工序?？墒?，在圖9中，設(shè)工序順序?yàn)榻雍夏ば纬晒ば?S38)之后進(jìn)行迂回電極形成工序 (S39)，但與此相反地，在進(jìn)行迂回電極形成工序(S39)之后進(jìn)行接合膜形成工序(S38)也 可，并且將兩工序同時進(jìn)行也可。不管是何種工序順序，都能得到相同的作用效果。因而， 根據(jù)需要適宜變更工序順序也可。接著，進(jìn)行將制作的多個壓電振動片4分別經(jīng)由迂回電極36、37接合至基底基板 用圓片40的上表面的裝配工序(S40)。首先通過引線接合等，在一對迂回電極36、37上分 別形成由金構(gòu)成的凸點(diǎn)B，然后，通過超聲波接合，接合迂回電極36、37與凸點(diǎn)B。這時，迂 回電極36、37和凸點(diǎn)B的金彼此互相擴(kuò)散，從而能確保接合強(qiáng)度。接著，將壓電振動片4的基部12(裝配電極16、17)承載于凸點(diǎn)B上后，一邊將凸 點(diǎn)B加熱至既定溫度一邊將壓電振動片4按壓在凸點(diǎn)B，并且施加超聲波而進(jìn)行接合。由 此，壓電振動片4被機(jī)械支撐于凸點(diǎn)B，并且成為電連接有裝配電極16、17和迂回電極36、 37的狀態(tài)。因而，在該時刻壓電振動片4的一對激振電極15成為分別對一對貫通電極32、33導(dǎo)通的狀態(tài)。特別是，壓電振動片4被凸點(diǎn)接合，因此以從基底基板用圓片40的上表面 浮置的狀態(tài)被支撐。在此，本實(shí)施方式中，成膜在裝配電極16、17的由金構(gòu)成的接合膜72的膜厚較薄， 因此在與凸點(diǎn)B進(jìn)行超聲波接合之際在接合膜72的厚度方向的大致全體上，裝配電極16、 17與凸點(diǎn)B的金彼此互相擴(kuò)散，使裝配電極16、17與凸點(diǎn)B之間會以穩(wěn)定的接合強(qiáng)度進(jìn)行 接合。此外，由于迂回電極36、37與凸點(diǎn)B的金彼此再次互相擴(kuò)散，因此能進(jìn)一步提高接合 強(qiáng)度。在壓電振動片4的裝配結(jié)束后，進(jìn)行將蓋基板用圓片50對基底基板用圓片40疊 合的疊合工序(S50)。具體而言，以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為標(biāo)志，將兩圓片40、50對準(zhǔn)到正 確的位置。由此，所裝配的壓電振動片4成為被收納于形成在蓋基板用圓片50的凹部3a 內(nèi)，即由兩圓片40、50包圍的空腔C內(nèi)的狀態(tài)。在疊合工序后，進(jìn)行將疊合后的兩塊圓片40、50置于未圖示的陽極接合裝置，并 在既定溫度氣氛下施加既定電壓而陽極接合的接合工序(S60)。具體而言，對接合膜35和 蓋基板用圓片50之間施加既定電壓。這樣，在接合膜35與蓋基板用圓片50的界面發(fā)生 電化學(xué)反應(yīng)，使兩者分別牢固地密合而陽極接合。從而，能夠?qū)弘娬駝悠?密封于空腔C 內(nèi)，并能得到基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50接合的圖25所示的圓片體60。此外， 在圖22中，為了方便圖示，示出分解圓片體60的狀態(tài)。此外，圖22所示的虛線M示出在后 面進(jìn)行的切斷工序中切斷的切斷線?？墒?，在進(jìn)行陽極接合時，形成在基底基板用圓片40的貫通孔30、31被貫通電極 32,33完全堵塞，因此空腔C內(nèi)的氣密不會通過貫通孔30、31而受破壞。特別是，通過燒結(jié) 而筒體6和芯材部7固定成一體，并且對這些貫通孔30、31牢固地固接，因此能切實(shí)地維持 空腔C內(nèi)的氣密。然后，在結(jié)束上述的陽極接合后，進(jìn)行外部電極形成工序(S70)，即，在基底基板用 圓片40的下表面對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，形成多個與一對貫通電極32、33分別電連接的一對 外部電極38、39。通過該工序，能夠利用外部電極38、39使密封于空腔C內(nèi)的壓電振動片4動作。特別是，在進(jìn)行該工序時也與形成迂回電極36、37時同樣，使貫通電極32、33相對 于基底基板用圓片40的下表面成為大致共面的狀態(tài)，因此構(gòu)圖的外部電極38、39以不會在 其間發(fā)生間隙等而對貫通電極32、33密合的狀態(tài)接觸。由此，能夠使外部電極38、39和貫 通電極32、33確實(shí)導(dǎo)通。接著，在圓片體60的狀態(tài)下，進(jìn)行微調(diào)密封于空腔C內(nèi)的各個壓電振動器1的頻 率而使之落入既定范圍內(nèi)的微調(diào)工序(S80)。具體說明，則對形成在基底基板用圓片40的 下表面的一對外部電極38、39施加電壓而使壓電振動片4振動。然后，一邊測量頻率一邊 從外部通過蓋基板用圓片50而照射激光，使重錘金屬膜21的微調(diào)膜21b蒸發(fā)。由此，一對 振動腕部10、11的前端側(cè)的重量發(fā)生變化，因此能夠?qū)弘娬駝悠?的頻率進(jìn)行微調(diào)，以使 頻率落入標(biāo)稱頻率的既定范圍內(nèi)。在頻率的微調(diào)結(jié)束后，進(jìn)行沿著圖22所示的切斷線M切斷已接合的圓片體60而 進(jìn)行小片化的切斷工序(S90)。其結(jié)果是，能夠一次性制造多個在互相陽極接合的基底基 板2與蓋基板3之間形成的空腔C內(nèi)密封了壓電振動片4的、圖1所示的2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動器1。再者，在進(jìn)行切斷工序(S90)而小片化為各個壓電振動器1后，進(jìn)行微調(diào)工序 (S80)的工序順序也可。但是，如上所述，通過先進(jìn)行微調(diào)工序(S80)，能在圓片體60的狀 態(tài)下進(jìn)行微調(diào)，因此能更加有效率地微調(diào)多個壓電振動器1。因而，能夠提高生產(chǎn)率，因此是 優(yōu)選的。其后，進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查(S100)。即，測定壓電振動片4的諧振頻率、諧振電 阻值、驅(qū)動電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力依賴性)等并加以核對。此外，將 絕緣電阻特性等一并核對。并且，最后進(jìn)行壓電振動器1的外觀檢查，對尺寸或質(zhì)量等進(jìn)行 最終核對。由此結(jié)束壓電振動器1的制造。依據(jù)本實(shí)施方式，若將凸點(diǎn)B和裝配電極16、17進(jìn)行超聲波接合，則能夠在裝配電 極16、17的表面形成的由金構(gòu)成的接合膜72的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散。也就是 說，能夠防止在凸點(diǎn)B與裝配電極16、17的接合部位中產(chǎn)生不會對接合膜72互相擴(kuò)散的區(qū) 域。因而，能穩(wěn)定地確保凸點(diǎn)B與壓電振動片4之間的接合強(qiáng)度。此外，僅僅這樣薄膜形成 接合膜72，無需為了確保接合強(qiáng)度而在1個接合部位形成多個凸點(diǎn)進(jìn)行超聲波接合，因此 能提高生產(chǎn)效率。此外，通過將壓電振動片4的接合膜72形成為薄膜，能提高壓電振動片4的驅(qū)動 電平特性，并能提高作為壓電振動器1的性能。而且，在接合膜72的厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散，從而能抑制按每個產(chǎn)品在 接合強(qiáng)度上發(fā)生偏差的情形。因而，能夠獲得成品率得到提高并且質(zhì)量穩(wěn)定的壓電振動器 1。(振蕩器)接著，參照圖23，對本發(fā)明的振蕩器的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的振蕩器100如圖23所示，將壓電振動器1構(gòu)成為電連接至集成電路 101的振子。該振蕩器100具備安裝了電容器等的電子部件102的基板103。在基板103 安裝有振蕩器用的上述集成電路101，在該集成電路101的附近安裝有壓電振動器1。這些 電子部件102、集成電路101及壓電振動器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外，各 構(gòu)成部件通過未圖示的樹脂來模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器100中，對壓電振動器1施加電壓時，該壓電振動器1內(nèi)的壓 電振動片4振動。通過壓電振動片4所具有的壓電特性，將該振動轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號 方式輸入至集成電路101。通過集成電路101對輸入的電信號進(jìn)行各種處理，以頻率信號的 方式輸出。從而，壓電振動器1作為振子起作用。此外，根據(jù)需求有選擇地設(shè)定集成電路101的結(jié)構(gòu)，例如RTC(實(shí)時時鐘)模塊等， 除了鐘表用單功能振蕩器等之外，還能夠附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時刻或 者提供時刻或日歷等的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器100，由于使用能夠在壓電振動片4與凸點(diǎn)B 之間確保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動器1，能夠提供成品率得到提高并且質(zhì)量穩(wěn)定的振蕩 器 100。(電子設(shè)備)接著，參照圖M，就本發(fā)明的電子設(shè)備的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外作為電子設(shè)備，舉例說明了具有上述壓電振動器1的便攜信息設(shè)備110。最初本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110例如以便攜電話為代表，發(fā)展并改良現(xiàn)有技 術(shù)的手表。外觀類似于手表，在相當(dāng)于文字盤的部分配有液晶顯示器，能夠在該畫面上顯示 當(dāng)前的時刻等。此外，在作為通信機(jī)而利用的情況下，從手腕取下，通過內(nèi)置于表帶的內(nèi)側(cè) 部分的揚(yáng)聲器和麥克風(fēng)而能夠進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話相同的通信。然而，與現(xiàn)有的便 攜電話相比較，明顯小型化且輕型化。下面，對本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖M所示，該便攜 信息設(shè)備110具備壓電振動器1和供電用的電源部111。電源部111例如由鋰二次電池構(gòu) 成。進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時刻等的計(jì)數(shù)的計(jì)時部113、與外部進(jìn)行通信的通信 部114、顯示各種信息的顯示部115、和檢測各功能部的電壓的電壓檢測部116與該電源部 111并聯(lián)連接。而且，通過電源部111來對各功能部供電。控制部112控制各功能部，進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時刻的測量或顯示 等的整個系統(tǒng)的動作控制。此外，控制部112具備預(yù)先寫入程序的ROM、讀取寫入到該ROM 的程序并執(zhí)行的CPU、和作為該CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計(jì)時部113具備內(nèi)置了振蕩電路、寄存器電路、計(jì)數(shù)器電路及接口電路等的集成 電路和壓電振動器1。對壓電振動器1施加電壓時壓電振動片4振動，通過水晶所具有的 壓電特性，該振動轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號的方式輸入到振蕩電路。振蕩電路的輸出被二值 化，通過寄存器電路和計(jì)數(shù)器電路來計(jì)數(shù)。然后，通過接口電路，與控制部112進(jìn)行信號的 發(fā)送與接收，在顯示部115顯示當(dāng)前時刻或當(dāng)前日期或者日歷信息等。通信部114具有與傳統(tǒng)的便攜電話相同的功能，具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123及呼叫控制存儲器部124。通過天線125，無線電部117與基站進(jìn)行收發(fā)聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。聲音處 理部118對從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號進(jìn)行編碼及解碼。放大部120將 從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號放大到既定電平。聲音輸入/輸出 部121由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，擴(kuò)大來電音或受話聲音，或者將聲音集音。此外，來電音發(fā)生部123響應(yīng)來自基站的呼叫而生成來電音。切換部119僅在來 電時，通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123，在來電音發(fā)生 部123中生成的來電音經(jīng)由放大部120輸出至聲音輸入/輸出部121。此外，呼叫控制存儲器部1 存放與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。此外，電 話號碼輸入部122具備例如0至9的號碼鍵及其它鍵，通過按壓這些號碼鍵等，輸入通話目 的地的電話號碼等。電壓檢測部116在通過電源部111對控制部112等的各功能部施加的電壓小于既 定值時，檢測其電壓降后通知控制部112。這時的既定電壓值是作為使通信部114穩(wěn)定動作 所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如，3V左右。從電壓檢測部116收到電壓降的通知 的控制部112禁止無線電部117、聲音處理部118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動作。 特別是，停止耗電較大的無線電部117的動作是必需的。而且，顯示部115顯示通信部114 由于電池余量的不足而不能使用的提示。S卩，能夠由電壓檢測部116和控制部112禁止通信部114的動作并在顯示部115顯示該提示。該顯示可以是文字消息，但作為更直觀的顯示，也可以在顯示于顯示部115的 顯示面的上部的電話圖標(biāo)打“ X (叉)”標(biāo)記。此外，通過具備能夠有選擇地截斷與通信部114的功能相關(guān)的部分的電源的電源 截斷部126，能夠更加可靠地停止通信部114的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110，由于使用能夠在壓電振動片4與 凸點(diǎn)B之間確保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動器1，能夠提供成品率得到提高并且質(zhì)量穩(wěn)定 的便攜信息設(shè)備110。(電波鐘)接著，參照圖25，就本發(fā)明的電波鐘的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖25所示，本實(shí)施方式的電波鐘130具備電連接到濾波部131的壓電振動器 1，是接收包含時鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波，并具有自動修正為正確的時刻并加以顯示的功能的鐘表。在日本國內(nèi)，在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā) 送局)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長波兼有沿地表傳播的性質(zhì)和在電離層 和地表一邊反射一邊傳播的性質(zhì)，因此其傳播范圍寬，且由上述的兩個發(fā)送站覆蓋整個日 本國內(nèi)。以下，對電波鐘130的功能性結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。天線132接收40kHz或60kHz長波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長波的標(biāo)準(zhǔn)電波是將被稱為定時 碼的時刻信息AM調(diào)制為40kHz或60kHz的載波。所接收的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波由放大器133 放大，由具有多個壓電振動器1的濾波部131濾波并調(diào)諧。本實(shí)施方式中的壓電振動器1分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的 諧振頻率的水晶振動器部138、139。而且，濾波后的既定頻率的信號通過檢波、整流電路134來檢波并解調(diào)。接著，經(jīng) 由波形整形電路135而抽出定時碼，由CPU136計(jì)數(shù)。在CPU136中，讀取當(dāng)前的年、累積日、 星期、時刻等的信息。被讀取的信息反映于RTC137，顯示出準(zhǔn)確的時刻信息。由于載波為40kHz或60kHz，所以水晶振動器部138、139優(yōu)選具有上述的音叉型結(jié) 構(gòu)的振動器。此外，雖然上述的說明由日本國內(nèi)的示例表示，但長波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外 是不同的。例如，在德國使用77.5KHZ的標(biāo)準(zhǔn)電波。所以，在將即使在海外也能夠?qū)?yīng)的電 波鐘130裝入便攜設(shè)備的情況下，還需要與日本的情況不同的頻率的壓電振動器1。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘130，由于使用能夠在壓電振動片4與凸點(diǎn)B 之間確保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動器1，能夠提供成品率得到提高并且質(zhì)量穩(wěn)定的電波 鐘 130。此外，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施的方式，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可做 各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，將貫通孔30、31的形狀形成為截面錐狀的圓錐形狀，但 也可以不是截面錐狀而直筒形狀的大致圓柱形狀。此外，在上述實(shí)施方式中，作為芯材部7，優(yōu)選使用熱膨脹系數(shù)與基底基板2 (基底 基板用圓片40)及筒體6大致相同的材料。
在這種情況下，進(jìn)行燒結(jié)時，基底基板用圓片40、筒體6及芯材部7這三個分別以 同樣的方式熱膨脹。因而，不會出現(xiàn)因熱膨脹系數(shù)的不同而對基底基板用圓片40或筒體6 過度作用壓力，從而發(fā)生裂痕等，或者在筒體6與貫通孔30、31之間或在筒體6與芯材部7 之間形成間隙的情形。因此，能夠形成更加高質(zhì)量的貫通電極，其結(jié)果是，能謀求壓電振動 器1的更進(jìn)一步的高質(zhì)量化。此外，在上述實(shí)施方式中，作為壓電振動片4的一個例子，舉例說明了在振動腕部 IOUl的兩面形成溝部18的帶溝的壓電振動片4，但沒有溝部18的類型的壓電振動片也 可。但是，通過形成溝部18，能夠在對一對激振電極15施加既定電壓時，提高一對激振電 極15間的電場效率，因此能夠進(jìn)一步抑制振動損耗而進(jìn)一步改善振動特性。即，能夠進(jìn)一 步降低CI值(Crystal Impedance)，并能將壓電振動片4進(jìn)一步高性能化。在這一點(diǎn)上，優(yōu) 選形成溝部18。此外，在上述實(shí)施方式中，舉例說明了音叉型壓電振動片4，但并不限于音叉型。例 如，間隙滑移型振動片也可。此外，在上述實(shí)施方式中，利用接合膜35陽極接合了基底基板2與蓋基板3，但并 不限于陽極接合。但是，通過進(jìn)行陽極接合，能夠?qū)苫?、3牢固地接合，因此是優(yōu)選的。附圖標(biāo)記說明1...壓電振動器；2...基底基板；3...蓋基板；4...壓電振動片；10、11...振動 腕部(振動部)；12...基部；15...激振電極；16、17...裝配電極；19、20...引出電極； 30,31. · ·貫通孔(through hole) ；32,33. · ·貫通電極；36,37. · ·迂回電極；72. · ·接合膜； 100...振蕩器；110...便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備)；130...電波鐘；B...凸點(diǎn)；C...空腔。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動片，其中包括 振動部；與該振動部鄰接的基部； 形成在所述振動部的激振電極； 形成在所述基部的裝配電極；以及電連接所述激振電極和所述裝配電極的引出電極，其特征在于， 在所述裝配電極的表面成膜由金構(gòu)成的接合膜，該接合膜形成為在與由金構(gòu)成的凸點(diǎn)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò) 散的厚度。
2.一種壓電振動器，其中包括 基底基板；以與該基底基板對置的狀態(tài)接合到所述基底基板的蓋基板；以及 收納于在所述基底基板和所述蓋基板之間形成的空腔內(nèi)的壓電振動片， 該壓電振動片具有振動部、與該振動部鄰接的基部、形成在所述振動部的激振電極、形 成在所述基部的裝配電極、以及電連接所述激振電極與所述裝配電極的引出電極，形成在所述基底基板的貫通孔中設(shè)有貫通電極，并且為了電連接所述壓電振動片與所 述貫通電極而在所述基底基板形成迂回電極，其特征在于，在所述迂回電極的既定位置形成由金構(gòu)成的凸點(diǎn)，以電連接該迂回電極和形成在所述 壓電振動片的所述裝配電極，并且在所述壓電振動片中的所述裝配電極的表面，成膜由金構(gòu)成的接合膜， 該接合膜形成為在與所述凸點(diǎn)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散的厚度。
3.一種壓電振動器的制造方法，其中該壓電振動器包括 基底基板；以與該基底基板對置的狀態(tài)接合到所述基底基板的蓋基板；以及 被收納于在所述基底基板與所述蓋基板之間形成的空腔內(nèi)的壓電振動片， 該壓電振動片具有振動部、與該振動部鄰接的基部、形成在所述振動部的激振電極、形 成在所述基部的裝配電極、以及電連接所述激振電極和所述裝配電極的引出電極，形成在所述基底基板的貫通孔中設(shè)有貫通電極，并且為了電連接所述壓電振動片和所 述貫通電極而在所述基底基板形成迂回電極，在該迂回電極的既定位置形成由金構(gòu)成的凸點(diǎn)，以電連接該迂回電極和形成在所述壓 電振動片的所述裝配電極，所述壓電振動器的制造方法的特征在于，包括 在所述基底基板形成所述迂回電極的工序； 在所述迂回電極的既定位置形成所述凸點(diǎn)的工序；以及 在所述凸點(diǎn)上超聲波接合所述壓電振動片的裝配電極的工序， 在所述壓電振動片的所述裝配電極的表面成膜由金構(gòu)成的接合膜， 該接合膜形成為在與所述凸點(diǎn)超聲波接合之際，在厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散的 厚度。
4.一種振蕩器，其特征在于，使權(quán)利要求2所述的壓電振動器，作為振子電連接至集成 電路。
5.一種電子設(shè)備，其特征在于，使權(quán)利要求2所述的壓電振動器電連接至計(jì)時部。
6.一種電波鐘，其特征在于，使權(quán)利要求2所述的壓電振動器電連接至濾波部。
全文摘要
本發(fā)明提供在與凸點(diǎn)之間能確保穩(wěn)定的接合強(qiáng)度的壓電振動片、壓電振動器、壓電振動器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。在包括振動部、與該振動部鄰接的基部(12)、形成在所述振動部的激振電極、形成在所述基部的裝配電極(16、17)、以及電連接所述激振電極和所述裝配電極的引出電極的壓電振動片(4)中，在所述裝配電極的表面成膜由金構(gòu)成的接合膜(72)，該接合膜形成為在與由金構(gòu)成的凸點(diǎn)(B)超聲波接合之際，厚度方向的大致全體上互相擴(kuò)散的厚度。
文檔編號G04C9/02GK102142828SQ20111003729
公開日2011年8月3日 申請日期2011年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者福田純也 申請人:精工電子有限公司