專利名稱：一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)及其方法
一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)及其方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于控制與測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)及其方法。
背景技術(shù)：
隨著智能電能表的推廣與普及，時(shí)鐘的準(zhǔn)確度不僅在分段計(jì)費(fèi)、分時(shí)計(jì)費(fèi)方面有著重要的作用，同時(shí)為智能電能表運(yùn)行工況分析、需求側(cè)管理提供重要依據(jù)。智能電能表的計(jì)時(shí)誤差需經(jīng)過檢測(cè)后才可投入使用。時(shí)鐘芯片作為智能電能表計(jì)時(shí)的依據(jù)，其質(zhì)量決定了智能電能表整機(jī)計(jì)時(shí)的準(zhǔn)確性，只有經(jīng)過全性能檢測(cè)合格的時(shí)鐘芯片才可應(yīng)用于智能電能表中。
時(shí)鐘芯片本質(zhì)是通過對(duì)晶體振蕩器產(chǎn)生的震蕩頻率進(jìn)行分頻然后累加得到年月日時(shí)分秒等時(shí)間信息，并通過計(jì)算機(jī)通訊口送入處理器處理。隨著智能電能表對(duì)時(shí)鐘芯片的要求越來越高，需要根據(jù)時(shí)鐘芯片在電能表中應(yīng)用的實(shí)際工況，制定時(shí)鐘芯片的全性能檢測(cè)方法，包括基本參數(shù)試驗(yàn)、環(huán)境參數(shù)試驗(yàn)，以檢驗(yàn)其工藝設(shè)計(jì)方法。目前對(duì)于智能電能表的計(jì)時(shí)誤差僅僅檢測(cè)其日計(jì)時(shí)誤差，沒有針對(duì)時(shí)鐘芯片采取專門的檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法，導(dǎo)致在現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)智能電能表的計(jì)時(shí)誤差。因此有必要提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能檢測(cè)系統(tǒng)及其方法，確保時(shí)鐘芯片的可靠性，為電能表計(jì)時(shí)準(zhǔn)確度提供保障。發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)及其方法，可對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)可對(duì)采用該時(shí)鐘芯片的電能表整機(jī)進(jìn)行測(cè)試，采用芯片測(cè)試座形式裝入時(shí)鐘芯片，避免了在測(cè)試中的芯片焊接，提高測(cè)試效率和測(cè)試成本； 可以完成時(shí)鐘芯片的基本性能試驗(yàn)、芯片可靠性試驗(yàn)、電能表計(jì)時(shí)可靠性試驗(yàn)，試驗(yàn)項(xiàng)目全面，操作簡單；具有擴(kuò)展性，可針對(duì)不同的芯片外接相應(yīng)的測(cè)試板即可進(jìn)行測(cè)試；可對(duì)時(shí)鐘芯片可靠性進(jìn)行評(píng)估，實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘芯片的壽命預(yù)計(jì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案
提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括測(cè)試模塊、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元和溫度試驗(yàn)箱；置于測(cè)試模塊中的時(shí)鐘芯片輸出秒脈沖信號(hào)，所述測(cè)試模塊將秒脈沖信號(hào)輸入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元，通過調(diào)節(jié)溫度試驗(yàn)箱的溫度，測(cè)試模塊和日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元測(cè)試不同溫度下的晶體振蕩輸出頻率偏差和日計(jì)時(shí)誤差。
所述測(cè)試模塊包括芯片測(cè)試座、芯片晶體振蕩頻率輸出端子、電流檢測(cè)單元、芯片功耗測(cè)試輸出端子、頻率測(cè)試單元、電能表集成模塊、芯片外圍電路和可調(diào)直流電壓源。
所述時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，芯片晶體振蕩頻率輸出端子連接頻率測(cè)試單元，電流檢測(cè)單元連接芯片功耗測(cè)試輸出端子，可調(diào)直流電壓源為所述芯片外圍電路和電能表集成模塊供電。
所述電流檢測(cè)單元包括數(shù)字微安表，所述電能表集成模塊包括測(cè)試底座和電能表。
所述系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行輸出頻率測(cè)試、芯片功耗測(cè)試、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試、溫度頻差測(cè)試、溫度日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試和溫度功耗測(cè)試。
提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟
步驟I :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率和晶體振蕩溫度頻差；
步驟2 :測(cè)試時(shí)鐘芯片功耗和時(shí)鐘芯片溫度功耗；
步驟3 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差和溫度日計(jì)時(shí)誤差；
步驟4 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
所述步驟I包括以下步驟
步驟1-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將探頭置于所述頻率測(cè)試單元中,測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；
步驟1-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片晶體振蕩溫度頻差。
所述步驟2包括以下步驟
步驟2-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，通過所述數(shù)字微安表測(cè)試其回路電流， 模擬電能表運(yùn)行不同工況，測(cè)試電能表運(yùn)行不同工況下的時(shí)鐘芯片功耗；
步驟2-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片溫度功耗。
所述步驟3包括以下步驟
步驟3-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，并將電能表秒輸出的脈沖接入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元中，測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差；
步驟3-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片的溫度日計(jì)時(shí)誤差。
所述步驟4包括以下步驟
步驟4-1 :將時(shí)鐘芯片置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置溫度為其最高存儲(chǔ)溫度，根據(jù)時(shí)鐘芯片具體要求設(shè)置存儲(chǔ)時(shí)間，取出后常溫下靜置，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；
步驟4-2 :將時(shí)鐘芯片置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置溫度為其最低存儲(chǔ)溫度，根據(jù)時(shí)鐘芯片具體要求設(shè)置存儲(chǔ)時(shí)間，取出后常溫下靜置，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于
(I)本發(fā)明可對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)可對(duì)采用該時(shí)鐘芯片的電能表整機(jī)進(jìn)行測(cè)試；
(2)采用芯片測(cè)試座形式裝入時(shí)鐘芯片，避免了在測(cè)試中的芯片焊接，提高測(cè)試效率和測(cè)試成本；
(3)可以完成時(shí)鐘芯片的基本性能試驗(yàn)、芯片可靠性試驗(yàn)、電能表計(jì)時(shí)可靠性試驗(yàn)，試驗(yàn)項(xiàng)目全面，操作簡單；
(4)采用模塊化設(shè)計(jì)，針對(duì)不同的測(cè)試要求采用不同的測(cè)試模塊，且具有擴(kuò)展性， 可針對(duì)不同的芯片外接相應(yīng)的測(cè)試板即可進(jìn)行測(cè)試；
(5)可對(duì)時(shí)鐘芯片可靠性進(jìn)行評(píng)估，實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘芯片的壽命預(yù)計(jì)。
圖I是本發(fā)明實(shí)施例中電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意其中，I-芯片晶體振蕩頻率輸出端子，2-電流檢測(cè)單元，3-芯片測(cè)試座，4-芯片功耗測(cè)試輸出端子，5-芯片外圍電路，6-頻率測(cè)試單元，7-溫度控制面板，8-電能表集成模塊，9-可調(diào)直流電壓源，10-日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元，11-溫度試驗(yàn)箱。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖I，提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括測(cè)試模塊、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元10和溫度控制箱11 ;置于測(cè)試模塊中的時(shí)鐘芯片輸出秒脈沖信號(hào)，所述測(cè)試模塊將秒脈沖信號(hào)輸入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元10，通過調(diào)節(jié)溫度控制箱11的溫度，測(cè)試模塊和日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元10測(cè)試不同溫度下的晶體振蕩輸出頻率偏差和日計(jì)時(shí)誤差。
所述溫度試驗(yàn)箱11包括溫度控制面板7、觀測(cè)窗、溫度傳感器、鼓風(fēng)機(jī)、加熱器、溫度調(diào)節(jié)器。
所述測(cè)試模塊包括芯片測(cè)試座3、芯片晶體振蕩頻率輸出端子I、電流檢測(cè)單元2、 芯片功耗測(cè)試輸出端子4、頻率測(cè)試單元6、電能表集成模塊8、芯片外圍電路5和可調(diào)直流電壓源9。
所述時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座3中，芯片晶體振蕩頻率輸出端子I連接頻率測(cè)試單元6，電流檢測(cè)單元2連接芯片功耗測(cè)試輸出端子4，可調(diào)直流電壓源9為所述芯片外圍電路5和電能表集成模塊8供電。
所述電流檢測(cè)單元2包括數(shù)字微安表，所述電能表集成模塊8包括測(cè)試底座和電能表。
所述系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行輸出頻率測(cè)試、芯片功耗測(cè)試、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試、溫度頻差測(cè)試、溫度日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試和溫度功耗測(cè)試。
提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟
步驟I :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率和晶體振蕩溫度頻差；
步驟2 :測(cè)試時(shí)鐘芯片功耗和時(shí)鐘芯片溫度功耗；
步驟3 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差和溫度日計(jì)時(shí)誤差；
步驟4 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
所述步驟I包括以下步驟
步驟1-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座3中，并將探頭置于所述頻率測(cè)試單元 6中,測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；
步驟1-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座3中，并將芯片測(cè)試座3置于溫度控制箱11內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，每10°c設(shè)置一測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留lh，測(cè)試時(shí)鐘芯片晶體振蕩溫度頻差。
所述步驟2包括以下步驟
步驟2-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，通過所述數(shù)字微安表測(cè)試其回路電流， 模擬電能表運(yùn)行不同工況，測(cè)試電能表運(yùn)行不同工況下的時(shí)鐘芯片功耗；
步驟2-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座3中，并將芯片測(cè)試座3置于溫度控制箱11內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，每10°c設(shè)置一測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留lh，測(cè)試時(shí)鐘芯片溫度功耗。
所述步驟3包括以下步驟
步驟3-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，并將電能表秒輸出的脈沖接入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元中，測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差；
步驟3-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座3中，并將芯片測(cè)試座3置于溫度控制箱11內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，每10°c設(shè)置一測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留lh，測(cè)試時(shí)鐘芯片的溫度日計(jì)時(shí)誤差。
所述步驟4包括以下步驟
步驟4-1 :將時(shí)鐘芯片置于溫度控制箱11內(nèi)，設(shè)置溫度為其最高存儲(chǔ)溫度，時(shí)間為 500h，取出后常溫下靜置2h，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；
步驟4-2 :將時(shí)鐘芯片置于溫度控制箱11內(nèi)，設(shè)置溫度為其最低存儲(chǔ)溫度，時(shí)間為 500h，取出后常溫下靜置2h，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
最后應(yīng)當(dāng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其限制，盡管參照上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行修改或者等同替換，而未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。權(quán)利要求
1.一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于所述系統(tǒng)包括測(cè)試模塊、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元和溫度試驗(yàn)箱；置于測(cè)試模塊中的時(shí)鐘芯片輸出秒脈沖信號(hào)，所述測(cè)試模塊將秒脈沖信號(hào)輸入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元，通過調(diào)節(jié)溫度試驗(yàn)箱的溫度，測(cè)試模塊和日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元測(cè)試不同溫度下的晶體振蕩輸出頻率偏差和日計(jì)時(shí)誤差。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于所述測(cè)試模塊包括芯片測(cè)試座、芯片晶體振蕩頻率輸出端子、電流檢測(cè)單元、芯片功耗測(cè)試輸出端子、頻率測(cè)試單元、電能表集成模塊、芯片外圍電路和可調(diào)直流電壓源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于所述時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，芯片晶體振蕩頻率輸出端子連接頻率測(cè)試單元，電流檢測(cè)單元連接芯片功耗測(cè)試輸出端子，可調(diào)直流電壓源為所述芯片外圍電路和電能表集成模塊供電。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于所述電流檢測(cè)單元包括數(shù)字微安表，所述電能表集成模塊包括測(cè)試底座和電能表。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于所述系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行輸出頻率測(cè)試、芯片功耗測(cè)試、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試、溫度頻差測(cè)試、溫度日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試和溫度功耗測(cè)試。
6.一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，其特征在于所述方法包括以下步驟步驟I :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率和晶體振蕩溫度頻差；步驟2 :測(cè)試時(shí)鐘芯片功耗和時(shí)鐘芯片溫度功耗；步驟3 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差和溫度日計(jì)時(shí)誤差；步驟4 :測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，其特征在于所述步驟I 包括以下步驟步驟1-1:將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將探頭置于所述頻率測(cè)試單元中，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；步驟1-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片晶體振蕩溫度頻差。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，其特征在于所述步驟2 包括以下步驟步驟2-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，通過所述數(shù)字微安表測(cè)試其回路電流，模擬電能表運(yùn)行不同工況，測(cè)試電能表運(yùn)行不同工況下的時(shí)鐘芯片功耗；步驟2-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片溫度功耗。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，其特征在于所述步驟3 包括以下步驟步驟3-1 :將時(shí)鐘芯片置于所述電能表中，并將電能表秒輸出的脈沖接入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試單元中，測(cè)試時(shí)鐘芯片的日計(jì)時(shí)誤差；步驟3-2 :將時(shí)鐘芯片置于所述芯片測(cè)試座中，并將芯片測(cè)試座置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置不同的溫度點(diǎn)，按照時(shí)鐘芯片的極限最高工作溫度開始測(cè)試，選擇不同時(shí)間間隔設(shè)置測(cè)試點(diǎn)，直至溫度為時(shí)鐘芯片的極限最低工作溫度，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間停留設(shè)定時(shí)間，測(cè)試時(shí)鐘芯片的溫度日計(jì)時(shí)誤差。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試方法，其特征在于所述步驟 4包括以下步驟步驟4-1 :將時(shí)鐘芯片置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置溫度為其最高存儲(chǔ)溫度，根據(jù)時(shí)鐘芯片具體要求設(shè)置存儲(chǔ)時(shí)間，取出后常溫下靜置，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩輸出頻率；步驟4-2 :將時(shí)鐘芯片置于溫度試驗(yàn)箱內(nèi)，設(shè)置溫度為其最低存儲(chǔ)溫度，根據(jù)時(shí)鐘芯片具體要求設(shè)置存儲(chǔ)時(shí)間，取出后常溫下靜置，測(cè)試時(shí)鐘芯片的晶體振蕩溫度輸出頻率。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電能表用時(shí)鐘芯片全性能測(cè)試系統(tǒng)及其方法，系統(tǒng)包括測(cè)試模塊、日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試儀和溫度試驗(yàn)箱；置于測(cè)試模塊中的時(shí)鐘芯片輸出秒脈沖信號(hào)，所述測(cè)試模塊將秒脈沖信號(hào)輸入日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試儀，通過調(diào)節(jié)溫度試驗(yàn)箱的溫度，測(cè)試模塊和日計(jì)時(shí)誤差測(cè)試儀測(cè)試不同溫度下的晶體振蕩輸出頻率偏差和日計(jì)時(shí)誤差。本發(fā)明可對(duì)時(shí)鐘芯片進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)可對(duì)采用該時(shí)鐘芯片的電能表整機(jī)進(jìn)行測(cè)試，采用芯片測(cè)試座形式裝入時(shí)鐘芯片，避免了在測(cè)試中的芯片焊接，提高測(cè)試效率和測(cè)試成本；具有擴(kuò)展性，可針對(duì)不同的芯片外接相應(yīng)的測(cè)試板即可進(jìn)行測(cè)試；可對(duì)時(shí)鐘芯片可靠性進(jìn)行評(píng)估，實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘芯片的壽命預(yù)計(jì)。
文檔編號(hào)G04F10/00GK102981138SQ201210457679
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者郜波, 劉鷹, 薛陽, 張蓬鶴 申請(qǐng)人:中國電力科學(xué)研究院, 國家電網(wǎng)公司