用于微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)和其他裝置的具有由通道連接的腔的汽室結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)和其他裝置的具有由通道連接的腔的汽室結(jié)構(gòu)。第一設(shè)備包括具有由多個(gè)通道流體連接的第一腔和第二腔的汽室。所述第一腔被配置以接收能夠分解成包含在所述汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料。所述第二腔被配置以接收所述一種或更多種氣體。所述汽室被配置以允許輻射穿過所述第二腔。第二設(shè)備包括具有第一晶片和第二晶片的汽室，第一晶片具有第一腔和第二腔，第二晶片具有流體連接所述腔的一個(gè)或更多個(gè)通道。第一腔被配置以接收能夠分解成包含在所述汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料。所述第二腔被配置以接收所述一種或更多種氣體。所述汽室被配置以允許輻射穿過第二腔。
【專利說明】用于微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)和其他裝置的具有由通道連接的腔的汽室結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般涉及氣室(gas cell)。更具體地，本發(fā)明涉及用于微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)和其他裝置的具有由通道連接的腔的汽室結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]各種類型的裝置使用氣室內(nèi)的放射氣體或其它氣體運(yùn)轉(zhuǎn)。例如，微細(xì)加工原子鐘(MFAC)和微細(xì)加工原子磁力計(jì)(MFAM)通常包括含有金屬蒸汽和緩沖氣體的腔。在一些裝置中，通過將疊氮化銫(CsN3)分解成銫蒸汽和氮?dú)?N2)來生成金屬蒸汽和緩沖氣體。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本公開提供了用于微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)和其他裝置的具有由通道連接的腔的汽室結(jié)構(gòu)。
[0004]在第一示例中，一種設(shè)備包括具有由多個(gè)通道流體連接的第一腔和第二腔的汽室。第一腔被配置以接收能夠分解成包含在汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料。第二腔被配置以接收一種或更多種氣體。汽室被配置以允許輻射穿過第二腔。
[0005]在第二示例中，一種系統(tǒng)包括汽室和照明源。汽室包括由多個(gè)通道流體連接的第一腔和第二腔。第一腔被配置以接收能夠分解成包含在汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料。第二腔被配置以接收一種或更多種氣體。所述照明源被配置以引導(dǎo)輻射通過第二腔。
[0006]在第三示例中，一種設(shè)備包括具有第一晶片和第二晶片的汽室,第一晶片具有第一腔和第二腔，第二晶片具有流體連接腔的一個(gè)或更多個(gè)通道。第一腔被配置以接收能夠分解成包含在汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料。第二腔被配置以接收一種或更多種氣體。汽室被配置以允許輻射穿過第二腔。
[0007]根據(jù)下面附圖、說明和權(quán)利要求，本發(fā)明其它技術(shù)特征對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是明顯的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]為了更充分理解本發(fā)明及其特征，現(xiàn)在結(jié)合附圖參照下面描述，其中:
[0009]圖1至圖4不出根據(jù)本公開的不例性汽室結(jié)構(gòu)；
[0010]圖5和圖6示出根據(jù)本公開的另一個(gè)示例性汽室結(jié)構(gòu)；
[0011]圖7和圖8示出根據(jù)本公開的包含至少一個(gè)汽室結(jié)構(gòu)的示例性裝置；以及
[0012]圖9示出根據(jù)本公開的用于形成汽室結(jié)構(gòu)的示例性方法。

【具體實(shí)施方式】
[0013]在本申請(qǐng)文件中，下面討論的圖1到圖9和各種實(shí)例僅通過示例的方式用于描述本發(fā)明的原理，并不被解釋為以任何方式限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本發(fā)明的原理可以以任何合適的方式實(shí)施，并且在任何類型的適當(dāng)配置的裝置和系統(tǒng)中實(shí)施。
[0014]圖1到圖4示出根據(jù)本公開的一種示例性汽室結(jié)構(gòu)100。汽室結(jié)構(gòu)100能夠用于，例如，接收基于堿金屬的材料(諸如，疊氮化銫)以及允許將基于堿金屬的材料分解成金屬蒸汽和緩沖氣體(諸如，銫蒸汽和氮?dú)?。然而，這代表汽室結(jié)構(gòu)100的一個(gè)示例性用途。在此描述的汽室結(jié)構(gòu)100可以以任何其它合適的方式使用。
[0015]如圖1至圖3所示出的，汽室結(jié)構(gòu)100包括底部晶片102、中間晶片104和頂部晶片106。底部晶片102通常表示汽室結(jié)構(gòu)100的其它組件能夠被放置在其上的結(jié)構(gòu)。在裝置(諸如，微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)或其它裝置)運(yùn)轉(zhuǎn)期間，底部晶片102也基本上是光學(xué)透明的，以便輻射穿過汽室結(jié)構(gòu)100。底部晶片102能夠由任何合適的材料(一種或更多種)并以任何合適的方式形成。底部晶片102可以，例如，由硼硅玻璃(諸如，PYREX(派熱克斯玻璃)或BOROFLOAT玻璃)形成。
[0016]中間晶片104固定到底部晶片102,諸如通過粘接。中間晶片104包括通過中間晶片104的多個(gè)腔108-110。在汽室結(jié)構(gòu)100中，每個(gè)腔108-110可以用于不同目的。例如，腔108能夠接收將被分解的材料，諸如，疊氮化銫(CsN3)或其它基于堿金屬的材料。腔108能夠被稱為“容器腔(reservoir cavity)”。腔110能夠接收來自腔108的氣體,諸如金屬蒸汽和緩沖氣體。激光器照明或其它照明可以在裝置(諸如，微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)或其它裝置)運(yùn)轉(zhuǎn)期間穿過腔110。腔110能夠被稱為“審訊腔(interrogat1n cavity)”。
[0017]多個(gè)通道112流體連接汽室結(jié)構(gòu)100中的腔108-110。每個(gè)通道112表示氣體或其他材料(一種或更多種)能夠流過的任何合適的通路。在這個(gè)示例中，存在三個(gè)通道112，盡管汽室結(jié)構(gòu)100可以包括兩個(gè)或多于三個(gè)的通道112。此外，此處的通道112—般是直的、具有相同長度并且彼此平行。然而，通道112可以具有任何合適的形式(一種或更多種)。
[0018]中間晶片104可以由任何合適的材料(一種或更多種)并以任何合適的方式形成。例如，中間晶片104可以表示硅晶片，并且腔108-110和通道112可以使用濕式刻蝕或其他合適的處理技術(shù)中的一種或更多種在硅晶片中形成。作為一個(gè)具體的示例，通道112可以使用氫氧化鉀(KOH)濕式刻蝕在硅晶片中形成。硅晶片的刻蝕還可以自限制方式執(zhí)行，是指刻蝕在期望深度處或其附近處自停止。例如，當(dāng)窄掩模開口用于暴露硅晶片并且刻蝕以合適角度(諸如約54.75° )進(jìn)行時(shí)，刻蝕能夠在刻蝕完全通過硅晶片之前自終止。
[0019]每個(gè)腔108-110和通道112可以具有任何合適的大小、形狀和尺寸。而且，圖1到圖3所示的腔108-110和通道112的相對(duì)大小僅是用于示例，并且每個(gè)腔108-110或通道112相對(duì)于其它腔或通道可以具有不同的大小。進(jìn)一步，相比于腔108-110的深度(一個(gè)或更多個(gè))，每個(gè)通道112的相對(duì)深度僅用于示例，并且每個(gè)腔108-110和通道112可以具有任何其它合適的深度。此外，盡管每個(gè)腔108-110被示為形成完全通過晶片104，但是每個(gè)腔108-110可以被形成部分通過晶片104。
[0020]頂部晶片106固定至中間晶片104,諸如通過粘接。頂部晶片106通常表不覆蓋中間晶片104的腔108-110和通道112的結(jié)構(gòu)，從而幫助將材料(諸如氣體)密封到汽室結(jié)構(gòu)100中。在裝置諸如微細(xì)加工原子鐘、磁力計(jì)或其他裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)期間，頂部晶片106還基本上是光學(xué)透明的，以便輻射穿過汽室結(jié)構(gòu)100。頂部晶片106能夠由任何合適的材料(一種或更多中)并以任何合適的方式形成。頂部晶片106可以，例如，由諸如PRREX玻璃或BOROFLOAT玻璃等的硼硅玻璃形成。
[0021]如此處所示，頂部晶片106的一部分114可以比頂部晶片106的剩余部分薄。這可以有助于促進(jìn)放置在容器腔108內(nèi)的材料更容易受到紫外線照射。注意，汽室結(jié)構(gòu)100中的任何晶片102-106在晶片的任何期望區(qū)域(一個(gè)或更多個(gè))處可以具有不均勻的厚度。還注意，頂部晶片106的一部分114可以具有任何合適的大小、形狀和尺寸并且可以比容器腔108更大或更小。頂部晶片106的一部分114可以任何合適的方式(諸如，利用濕式蛤同性蝕刻)變薄。
[0022]在汽室結(jié)構(gòu)100制造期間，底部和中間晶片102-104可以被固定到一起，并且中間晶片104能夠被刻蝕以形成腔108-110和通道112(在底部晶片和中間晶片固定到一起之前或之后)?；趬A金屬的材料116 (諸如疊氮化銫)或其他材料(一種或更多種)能夠被沉積到如圖3和圖4所示的容器腔108內(nèi)。能夠使用任何合適的沉積技術(shù)沉積材料(一種或更多種)116至腔108中。一旦材料116被放置在腔108內(nèi)，頂部晶片106能夠固定到中間晶片104。就這一點(diǎn)，腔108-110和通道112能夠被密封。
[0023]腔108中的材料116的至少一部分能夠分解。這可以通過將腔108中的材料116暴露于紫外線(UV)輻射來實(shí)現(xiàn)。例如，基于堿金屬的材料116能夠分解成金屬蒸汽和緩沖氣體。作為一個(gè)具體示例，疊氮化銫可以分解為銫蒸汽和氮?dú)?N2)。注意，然而，可以使用其他機(jī)制啟動(dòng)分解，諸如熱分解。材料116的分解產(chǎn)生容器腔108內(nèi)的氣體，其能夠通過通道112流動(dòng)至審訊腔110中。
[0024]在常規(guī)裝置中，材料經(jīng)常在單個(gè)腔中分解，并且所得的氣體被保持在相同的腔中。雖然在裝置運(yùn)轉(zhuǎn)期間，單個(gè)腔中的氣體能夠穿過輻射，但是來自原始材料的殘留仍然會(huì)存在于那個(gè)單個(gè)腔中。殘留能夠干擾腔的光學(xué)性質(zhì)并導(dǎo)致裝置故障。
[0025]根據(jù)本公開，材料116能夠被放置在一個(gè)腔108中并被分解，并且所得的氣體能夠在裝置運(yùn)轉(zhuǎn)期間用于不同的腔110中。如圖4所示，照明源118 (諸如垂直腔表面發(fā)射激光器(“VCSEL”)或其他激光器)可以引導(dǎo)輻射通過審訊腔110。即使殘留存在于容器腔108中，也不會(huì)干擾腔110的光學(xué)性質(zhì)。
[0026]多個(gè)通道112的使用還幫助確保蒸汽能夠從容器腔108行進(jìn)至審訊腔110，即使一個(gè)或更多個(gè)通道112被碎片或其他材料(一種或更多種)阻塞。在具體的實(shí)施例中，通道112可以表示使用濕式蝕刻而非更昂貴且耗時(shí)的干式蝕刻制造的高度自消除通道(self-height eliminating channel)。這能夠幫助簡化汽腔結(jié)構(gòu)100的制造。此外,通過變薄頂部晶片106的部分114，UV輻射被直接引導(dǎo)到容器腔108中，允許容器腔108中的材料116的增強(qiáng)分解(可能在降低的功率水平上)并保持整個(gè)裝置的機(jī)械完整性。
[0027]盡管圖1至圖4示出汽室結(jié)構(gòu)100的一個(gè)示例，可以對(duì)圖1至圖4做出各種變化。例如，汽室結(jié)構(gòu)100不必包括兩個(gè)腔并且可以包括三個(gè)或更多個(gè)腔。此外，腔108-110和通道112不必要被線性地配置，并且通道112不必是直的。可以使用由通道連接的腔的任何配置，包括非線性配置和多層配置。此外，汽室結(jié)構(gòu)100可以與任何其他材料連用且不限于基于堿金屬的材料或金屬蒸汽和緩沖氣體。此外，汽室結(jié)構(gòu)100能夠以任何其他合適的方式使用并且不限于圖4所示的使用。
[0028]圖5和圖6根據(jù)本公開示出另一個(gè)示例性汽室結(jié)構(gòu)500。此處示出的汽室結(jié)構(gòu)500在結(jié)構(gòu)上類似于圖1至圖4所示的。此處使用的附圖標(biāo)記102-110和114-118示出的結(jié)構(gòu)可以與上述結(jié)構(gòu)相同或相似。然而，在這個(gè)示例中，通道不在中間晶片104中形成。而是一個(gè)或更多個(gè)通道512在頂部晶片106中形成。在這個(gè)示例中，頂部晶片106可以表示為“覆蓋”層，因?yàn)槠湓诓牧?16插入到腔108中之后，能夠固定到中間晶片104，從而覆蓋結(jié)構(gòu)500。
[0029]通道512(并且可能是腔108-110的部分)能夠以任何合適的方式被蝕刻到頂部晶片106。例如，光致抗蝕劑掩模能夠在頂部晶片106上形成、被圖案化以及烘烤/固化。接著能夠執(zhí)行蛤同性濕式蝕刻(如使用氫氟酸浸潰)以刻蝕頂部晶片106的暴露部分。能夠選擇濕式刻蝕槽和刻蝕時(shí)間的組成以根據(jù)需要降低頂部晶片106的厚度。然后能夠移除光致抗蝕劑層，并且頂部晶片106能夠被清除以準(zhǔn)備固定到中間晶片104。以這種方式，審訊腔110上方的頂部晶片106不必顯著變薄或者根本不需要變薄，幫助維持汽室結(jié)構(gòu)500的機(jī)械強(qiáng)度。覆蓋層中的通道112也能夠用于其他功能，諸如通過用作汽室結(jié)構(gòu)500中的冷凝位置。
[0030]圖6示出能夠被刻蝕到覆蓋層(諸如頂部晶片106)中的通道和腔部分的各種示例。例如，配置602包括兩個(gè)大小不相同的腔的部分和所述腔之間的單個(gè)通道。配置604包括兩個(gè)大小不相同的腔的部分和所述腔之間的兩個(gè)通道。配置606包括兩個(gè)大小相同的腔的部分和所述腔之間的三個(gè)通道。配置608包括兩個(gè)大小不相同的腔的部分和所述腔之間的四個(gè)通道。配置610包括三個(gè)大小不相同的腔的部分和耦合每個(gè)相鄰腔對(duì)的五個(gè)通道。配置612包括三個(gè)大小不相同的腔的部分和耦合每個(gè)相鄰腔對(duì)的五個(gè)通道。這些配置僅用于示例，并且汽室結(jié)構(gòu)500中可以使用腔和通道的其他配置(無論是線性或是非線性的)。
[0031]在具體實(shí)施例中，頂部晶片106可以由硼硅玻璃形成，并且頂部晶片106的刻蝕可以使用氫氟酸(BHF)槽進(jìn)行。硬掩模可以用來掩模頂部晶片106。也可以使用任何合適的刻蝕、硬掩模和刻蝕深度。
[0032]盡管圖5和圖6示出汽室結(jié)構(gòu)500的另一個(gè)示例，但是可以對(duì)圖5和圖6做出各種改變。例如，汽室結(jié)構(gòu)500可以以任何合適配置包括任何數(shù)量的腔和任何數(shù)量的通道。此夕卜，汽室結(jié)構(gòu)500可以與任何合適的材料(一種或更多種)連用并不限于基于堿金屬的材料或金屬蒸汽和緩沖氣體。而且，能夠以任何合適的方式使用汽室結(jié)構(gòu)500。
[0033]圖7和8示出根據(jù)本公開的包含至少一個(gè)汽室結(jié)構(gòu)的示例性裝置。如圖7所示，裝置700表示微細(xì)加工原子鐘或其它原子鐘。此處的裝置700包括一個(gè)或更多個(gè)照明源702和汽室704。每個(gè)照明源702包括用于產(chǎn)生輻射的任何合適的結(jié)構(gòu)，所述輻射被引導(dǎo)通過汽室704。每個(gè)照明源702可以，例如，包括激光器或照射器。
[0034]汽室704表示汽室結(jié)構(gòu)，諸如上述汽室結(jié)構(gòu)100或500。來自照明源(一個(gè)或更多個(gè))702的輻射穿過汽室704的審訊腔110并與金屬蒸汽相互作用。輻射還能夠與一個(gè)或更多個(gè)光電探測(cè)器相互作用，所述光電探測(cè)器測(cè)量穿過審訊腔110的輻射。例如，光電探測(cè)器能夠測(cè)量來自一個(gè)或更多個(gè)激光器或照射器的輻射。
[0035]來自光電探測(cè)器的信號(hào)被提供給時(shí)鐘發(fā)生電路706，其使用該信號(hào)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。當(dāng)金屬蒸汽是，例如，銣87或銫133時(shí)，時(shí)鐘發(fā)生電路706產(chǎn)生的信號(hào)可以表示高精確度時(shí)鐘。來自光電探測(cè)器的信號(hào)也被提供給控制器708，其控制照明源(一個(gè)或更多個(gè))702的運(yùn)轉(zhuǎn)?？刂破?08有助于保證原子鐘的閉環(huán)穩(wěn)定。
[0036]如圖8所示，裝置80表示微細(xì)加工原子磁力計(jì)或其它原子磁力計(jì)。此處的裝置800包括一個(gè)或更多個(gè)照明源802和汽室804。每個(gè)照明源802包括用于產(chǎn)生輻射的任何合適的結(jié)構(gòu)，所述輻射被引導(dǎo)通過汽室804。每個(gè)照明源802可以，例如，包括激光器和照射器。
[0037]汽室804表示汽室結(jié)構(gòu)，諸如，上述汽室結(jié)構(gòu)100或500。來自照明源(一個(gè)或更多個(gè))802的輻射能夠穿過汽室804的審訊腔110并與金屬蒸汽相互作用。輻射也能夠與一個(gè)或更多個(gè)光電探測(cè)器相互作用，所述光電探測(cè)器測(cè)量穿過審訊腔110的輻射。例如，光電探測(cè)器(一個(gè)或更多個(gè))能夠測(cè)量來自一個(gè)或更多個(gè)激光器或照射器的輻射。
[0038]來自光電探測(cè)器(一個(gè)或更多個(gè))的信號(hào)被提供給磁場計(jì)算器806，其使用該信號(hào)測(cè)量穿過審訊腔110的磁場。此處的磁場計(jì)算器806能夠測(cè)量極小的磁場。來自光電探測(cè)器(一個(gè)或更多個(gè))的信號(hào)也能夠被提供給控制器808，其控制照明源(一個(gè)或更多個(gè))802的運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0039]雖然圖7和圖8示出包含至少一個(gè)汽室結(jié)構(gòu)的示例性裝置700和800，但是可以對(duì)圖7和圖8進(jìn)行各種改變。例如，圖7和圖8所示的裝置700和800已被簡化以示出上述汽室結(jié)構(gòu)100和500的示例性使用。原子鐘和原子磁力計(jì)能夠具有其復(fù)雜性隨一個(gè)或更多個(gè)汽室結(jié)構(gòu)而變化的各種其它設(shè)計(jì)。
[0040]圖9示出用于形成根據(jù)本公開的汽室結(jié)構(gòu)的示例性方法900。如圖9所示，在步驟902處，在汽室結(jié)構(gòu)的中間晶片中形成多個(gè)腔。這可以包括，例如，在硅晶片或其它中間晶片104中形成腔108-110。任何合適的技術(shù)(諸如，濕式或干式蝕刻)可以用于形成腔。
[0041]在步驟904處，在汽室結(jié)構(gòu)的中間晶片或頂部晶片中形成一個(gè)或更多個(gè)通道。這可以包括，例如，在硅晶片或其它中間晶片104中形成一個(gè)或更多個(gè)通道112。這還可以包括在中間晶片106或其他覆蓋層中形成一個(gè)或更多個(gè)通道512?？梢允褂萌魏魏线m的技術(shù)(諸如，濕式蝕刻)形成通道。腔和通道的形成也可以重疊，諸如，當(dāng)使用相同的蝕刻形成腔108-110和通道112時(shí)。
[0042]在步驟906處，使頂部晶片的一部分變薄。這可以包括，例如，在相鄰容器腔108的區(qū)域中刻蝕頂部晶片106的一部分。此處能夠進(jìn)行任何合適的刻蝕，諸如蛤同性濕式刻蝕。頂部晶片中通道的形成和頂部晶片的變薄也可以重疊，諸如，當(dāng)使用相同的刻蝕形成通道512和變薄的部分114時(shí)。
[0043]在步驟908處，中間晶片被固定到下部晶片。這可以包括，例如，將中間晶片104粘接到底部晶片102。如果腔108-110被形成完全通過中間晶片104，則將中間晶片104固定到底部晶片102能夠密封腔108-110的下部開口。
[0044]在步驟910處，將要分解的材料沉積在至少一個(gè)腔中。這可以包括，例如，將材料116沉積在容器腔106中。任何合適的沉積技術(shù)可以用于沉積任何合適的材料(一種或更多種)116，諸如，基于堿金屬的材料。
[0045]在步驟912處，頂部晶片固定到中間晶片。這可以包括，例如，將頂部晶片106粘接到中間晶片104。將頂部晶片106固定至中間晶片104能夠密封腔108-110和通道112、512的上部開口。就這一點(diǎn)而言,汽室結(jié)構(gòu)中的腔和通道能夠?qū)ν獠凯h(huán)境密封。
[0046]在步驟914處，材料被分解以產(chǎn)生金屬蒸汽和緩沖氣體。這可以包括，例如，通過頂部晶片106的變薄的部分114將UV輻射施加到材料116。這還可以包括將材料116的至少一部分轉(zhuǎn)換成金屬蒸汽和緩沖氣體。然而，注意，也可以使用其它分解技術(shù)。
[0047]以這種方式，汽室結(jié)構(gòu)能夠以允許材料116的較容易分解并保持汽室的結(jié)構(gòu)完整性的方式被制造。此外，多個(gè)通道的使用能夠幫助確保氣體能夠流進(jìn)審訊腔110，甚至在一個(gè)或更多個(gè)通道被阻塞時(shí)。
[0048]雖然圖9示出用于形成汽室結(jié)構(gòu)的方法900的一個(gè)示例，但是可以對(duì)圖9進(jìn)行各種改變。例如，如上面所提到的，能夠?qū)χ圃旃に囘M(jìn)行各種修改。而且，盡管示出一系列步驟，但圖9中的各種步驟可以重疊、并行發(fā)生或以不同的順序發(fā)生。
[0049]闡述整個(gè)申請(qǐng)文件使用的某些詞語或短語可能是有益的。術(shù)語“頂部”、“中間”和“底部”是指圖中的相對(duì)位置中的結(jié)構(gòu)，并不是指對(duì)裝置如何在其上制造或使用進(jìn)行結(jié)構(gòu)限制。術(shù)語“固定”及其衍生詞是指附接，經(jīng)由另一個(gè)結(jié)構(gòu)或直接或間接附接。術(shù)語“包括”和“包含”及其衍生詞是指包括但不限于。術(shù)語“或”是包括的，意思是或/和。短語“與...關(guān)聯(lián)”及其衍生詞可以指包括、被包含在、與...互連、包含、被包含在、連接到或與...連接、耦合到或與...耦合、可與...通信、與...協(xié)作、交錯(cuò)、并列、鄰近于、粘接到或與...粘接、具有、具有...屬性、具有...關(guān)系等等。短語“至少一個(gè)”，當(dāng)與項(xiàng)目列表連用時(shí)，意思是可以使用所列項(xiàng)目的一個(gè)或更多個(gè)的不同組合，并且可以只需要列表中的一個(gè)項(xiàng)目。例如，“A、B和C中的至少一個(gè)”包括任意下列組合:A、B、C、A和B、A和C、B和C、以及A和B和C。
[0050]盡管本公開已經(jīng)描述了某些實(shí)施例及其相關(guān)方法，但是這些實(shí)施例和方法的修改和轉(zhuǎn)換對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是明顯的。因此，示例性實(shí)施例的上面描述不限定或約束本公開。在不脫離如下權(quán)利要求所限定的本公開的精神和范圍的情況下，其它變化、替換和修改也是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，其包括: 汽室，其具有由多個(gè)通道流體連接的第一腔和第二腔； 所述第一腔，其被配置以接收能夠分解成包含在所述汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料；和 所述第二腔，其被配置以接收所述一種或更多種氣體； 其中所述汽室被配置以允許輻射穿過所述第二腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述汽室包括: 包括所述腔和所述通道的第一晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述汽室進(jìn)一步包括: 固定到所述第一晶片的至少一個(gè)第二晶片，所述至少一個(gè)第二晶片密封所述腔和所述通道的端部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中: 所述汽室進(jìn)一步包括固定至所述第一晶片的第二晶片；并且 所述第二晶片在靠近所述第一腔的位置中較薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述汽室包括: 包括所述腔的第一晶片；和 固定至所述第一晶片的第二晶片，所述第二晶片包括所述通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述材料包括基于堿金屬的材料，所述基于堿金屬的材料能夠分解成金屬蒸汽和緩沖氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述材料包括疊氮化銫，即CsN3,并且其能夠分解成銫蒸汽和氮?dú)饧碞2。
8.一種系統(tǒng)，其包括: 汽室，其包括: 由多個(gè)通道流體連接的第一腔和第二腔； 所述第一腔被配置以接收能夠分解成包含在所述汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料；以及 所述第二腔被配置以接收所述一種或更多種氣體；和 照明源，其被配置以弓I導(dǎo)輻射通過所述第二腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述汽室包括: 包括所述腔和所述通道的第一晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述汽室進(jìn)一步包括: 固定至所述第一晶片的至少一個(gè)第二晶片，所述至少一個(gè)第二晶片密封所述腔和所述通道的端部。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中: 所述汽室進(jìn)一步包括固定至所述第一晶片的第二晶片；并且 所述第二晶片在靠近所述第一腔的位置中較薄。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述汽室包括: 包括所述腔的第一晶片；和 固定至所述第一晶片的第二晶片，所述第二晶片包括所述通道。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述材料包括基于堿金屬的材料，所述基于堿金屬的材料能夠分解為金屬蒸汽和緩沖氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述材料包括疊氮化銫，即CsN3，并且其能夠分解成銫蒸汽和氮?dú)饧碞2。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括: 時(shí)鐘發(fā)生電路，其被配置以基于引導(dǎo)通過所述第二腔的所述輻射產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括: 磁場計(jì)算器，其被配置以基于引導(dǎo)通過所述第二腔的所述輻射確定通過所述汽室的磁場的測(cè)量。
17.—種設(shè)備,其包括: 汽室，其具有包括第一腔和第二腔的第一晶片和包括流體連接所述腔的一個(gè)或更多個(gè)通道的第二晶片； 所述第一腔被配置以接收能夠分解成包含在所述汽室內(nèi)的一種或更多種氣體的材料；以及 所述第二腔被配置以接收所述一種或更多種氣體； 其中所述汽室被配置以允許輻射穿過所述第二腔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述汽室進(jìn)一步包括: 固定至所述第一晶片的第三晶片，所述第三晶片密封所述腔的端部。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述第二晶片在靠近所述第一腔的位置中較薄。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述材料包括基于堿金屬的材料，所述基于堿金屬的材料能夠分解為金屬蒸汽和緩沖氣體。
【文檔編號(hào)】G04F5/14GK104345634SQ201410347317
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月23日
【發(fā)明者】R·伯爾薩, P·J·霍佩爾 申請(qǐng)人:德克薩斯儀器股份有限公司