本發(fā)明涉及電子鐘表。

背景技術(shù)：

對于模擬顯示的電子鐘表而言，如果在通常工作的狀態(tài)下進(jìn)行保存、展示，則會驅(qū)動用于對時刻進(jìn)行計(jì)時的機(jī)構(gòu)，因而有時在例如2年左右就耗盡了電池的壽命。于是，在店鋪等中為了延長電池的壽命，有時拉出表冠，使用停止工作的模式。然而，這種情況下，要對確認(rèn)表冠的開/關(guān)的信號線進(jìn)行上拉或下拉，因而會消耗電流。關(guān)于這種情況，以下參照圖10進(jìn)行說明。

圖10是表示現(xiàn)有的電子鐘表的表冠開關(guān)檢測電路500的結(jié)構(gòu)的電路圖。另外，在圖10所示的電路中，基準(zhǔn)電位Vdd成為高于電源Vss的電壓。圖10中，表冠開關(guān)511被插入到信號線512的一端與基準(zhǔn)電位Vdd之間。信號線512的另一端經(jīng)由反相器513和反相器514連接于表冠開關(guān)檢測端子515。

在信號線512與電源Vss之間，作為下拉電阻而插入有N溝道MOS晶體管516和N溝道MOS晶體管517。N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻大于N溝道MOS晶體管517的導(dǎo)通電阻。N溝道MOS晶體管516的柵極連接于基準(zhǔn)電位Vdd。N溝道MOS晶體管517的柵極被提供NAND門(與非門)519的輸出信號。

NAND門519的一個輸入端被提供反相器514的輸出信號。NAND門519的另一個輸入端從系統(tǒng)復(fù)位端子518被提供系統(tǒng)復(fù)位信號SRX。另外，系統(tǒng)復(fù)位信號SRX是從控制電路4(圖2)提供的。

當(dāng)處于表冠被按入的狀態(tài)時，表冠開關(guān)511成為斷開狀態(tài)。在表冠開關(guān)511為斷開狀態(tài)時，信號線512的一端成為開路狀態(tài)。此時，由于N溝道MOS晶體管516的柵極成為基準(zhǔn)電位Vdd，因此N溝道MOS晶體管516成為接通狀態(tài)。因此，信號線512N被N溝道MOS晶體管516下拉至低電平。由此，來自表冠開關(guān)檢測端子515的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。

在初始設(shè)定時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子518的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為低電平，進(jìn)行上電復(fù)位。在來自系統(tǒng)復(fù)位端子518的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為低電平時，NAND門519的輸出信號成為高電平，N溝道MOS晶體管517成為接通狀態(tài)。在N溝道MOS晶體管517成為接通狀態(tài)時，N溝道MOS晶體管517作為下拉電阻發(fā)揮功能，信號線512被下拉至低電平。

在通常工作時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子518的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。此外，表冠成為被按入的狀態(tài)，表冠開關(guān)511是斷開狀態(tài)。由于N溝道MOS晶體管516始終處于接通狀態(tài)，因此經(jīng)由N溝道MOS晶體管516而連接，信號線512被下拉至低電平，反相器514的輸出信號成為低電平。此外，在通常工作時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子518的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX是高電平。因此，NAND門519的輸出信號成為高電平，N溝道MOS晶體管517導(dǎo)通，將信號線512下拉至低電平。

這樣，在通常工作時，利用N溝道MOS晶體管516和N溝道MOS晶體管517，將信號線512下拉至低電平，來自表冠開關(guān)檢測端子515的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。N溝道MOS晶體管517的導(dǎo)通電阻小于N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻，因而N溝道MOS晶體管517在作為下拉電阻的功能中起支配作用。這樣，利用導(dǎo)通電阻較小的N溝道MOS晶體管517將信號線512下拉，從而不易受到噪聲的影響。

接著，在系統(tǒng)工作中拉出了表冠時，表冠開關(guān)511成為接通狀態(tài)。在表冠開關(guān)511成為接通狀態(tài)時，信號線512的一端經(jīng)由表冠開關(guān)511而與基準(zhǔn)電位Vdd連接。由此，信號線512成為高電平。

在信號線512成為高電平時，反相器514的輸出成為高電平，來自表冠開關(guān)檢測端子515的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為高電平。此外，在系統(tǒng)工作中，系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。因此，NAND門519的輸出信號成為低電平，N溝道MOS晶體管517成為斷開狀態(tài)。因此，N溝道MOS晶體管517不再作為下拉電阻發(fā)揮功能。

另外，此時，雖然N溝道MOS晶體管516處于接通狀態(tài)，但由于N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻較大，因此經(jīng)由N溝道MOS晶體管516流過的電流很少。

這樣，在圖10所示的現(xiàn)有的電子鐘表的表冠開關(guān)檢測電路500中，如果拉出了表冠，則表冠開關(guān)511成為接通狀態(tài)，信號線512的一端經(jīng)由表冠開關(guān)511而與基準(zhǔn)電位Vdd連接，來自表冠開關(guān)檢測端子515的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為高電平。在鐘表的控制電路中，檢測出表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為高電平而進(jìn)入停止鐘表的動作的模式。在此期間內(nèi)，能夠使表冠旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行對時。此外，以停止鐘表的動作的模式進(jìn)行保存、展示，由此能夠延長電池的壽命。

然而，在圖10所示的現(xiàn)有的電子鐘表的表冠開關(guān)檢測電路500中，即使在接通了表冠開關(guān)511而使信號線512成為高電平的期間內(nèi)，由于下拉用的N溝道MOS晶體管516處于接通狀態(tài)，因此電流也會經(jīng)由N溝道MOS晶體管516而流動。N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻值較大，因此經(jīng)由該N溝道MOS晶體管516流動的電流很少。然而，在拉出表冠展示鐘表的情況下，這種少量的電流也會對電池的壽命帶來影響。

為了進(jìn)一步減少在使表冠開關(guān)511成為接通狀態(tài)時流過N溝道MOS晶體管516的電流，可以考慮增大N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻。然而，如果增大作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管516的導(dǎo)通電阻值，則會產(chǎn)生芯片面積增大的問題。于是，如專利文獻(xiàn)1所示，提出了使驅(qū)動下拉或上拉功能的開關(guān)元件周期性成為接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)的技術(shù)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-109734號公報

如專利文獻(xiàn)1所示，在使下拉或上拉的開關(guān)周期性成為接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)的情況下，如果縮短了下拉或上拉的開關(guān)的接通時間，則消耗電流的削減效果會變大。例如，如果按照頻率128Hz而以122usec的寬度接通開關(guān)，則在電源電壓為1.55V且導(dǎo)通電阻為2MΩ的情況下，能夠在122usec的接通時間內(nèi)實(shí)現(xiàn)12.1nA的消耗電流。然而，這種情況下，消耗電流為12nA左右，要求進(jìn)一步降低。這種情況下，需要以更高的速度來切換下拉或上拉的開關(guān)元件。對于電子鐘表而言，可以考慮根據(jù)石英振子的振蕩信號形成開關(guān)元件的切換信號。石英振子的振蕩頻率以下的頻率的信號可通過對石英振子的振蕩信號進(jìn)行分頻而形成。然而，高速的開關(guān)元件的切換信號需要將分頻電路的各信號組合起來生成，基于高速的信號對構(gòu)成組合電路的晶體管的寄生電容進(jìn)行充放電，因此存在由于該充放電電流導(dǎo)致消耗電流增大的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述的課題，本發(fā)明的目的在于提供一種在使表冠開關(guān)成為接通狀態(tài)時能夠削減流過上拉或下拉電阻的電流的鐘表裝置。

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表具有連接于信號線的第1開關(guān)、第2開關(guān)和單觸發(fā)脈沖信號生成電路，所述第1開關(guān)被插入所述信號線，所述第2開關(guān)的一端連接于所述第1開關(guān)的后級的所述信號線，所述第2開關(guān)的另一端連接于電源，所述單觸發(fā)脈沖信號生成電路使用基準(zhǔn)時鐘信號生成單觸發(fā)脈沖信號，所述第2開關(guān)被所述單觸發(fā)脈沖信號控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，該電子鐘表具有振蕩電路和計(jì)時部，該計(jì)時部根據(jù)對從所述振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率而計(jì)時，所述基準(zhǔn)時鐘信號由對從所述振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率構(gòu)成，所述第1開關(guān)是通過表冠的動作而被選擇連接狀態(tài)和切斷狀態(tài)的開關(guān)。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，所述單觸發(fā)脈沖信號生成電路具有第1反相器、第2反相器、電容器和NAND門，所述第1反相器的輸入端被輸入所述基準(zhǔn)時鐘信號，輸出端連接著所述第2反相器的輸入端和所述NAND門的一個輸入端，所述第2反相器的輸出端連接著所述電容器的一端和所述NAND門的另一個輸入端，所述電容器的另一端連接于基準(zhǔn)電位，根據(jù)所述NAND門的輸出信號，生成比所述基準(zhǔn)時鐘信號的高電平期間短的期間的高電平信號。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，所述電容器由使用了柵氧化膜的電容形成，構(gòu)成所述第2反相器的晶體管對所述電容器進(jìn)行充放電而延遲所述基準(zhǔn)時鐘信號的下降，所述單觸發(fā)脈沖信號的高電平期間的脈沖寬度由所述電容器的電容和構(gòu)成所述第2反相器的晶體管的驅(qū)動能力決定。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，將所述第2開關(guān)用作第1下拉電阻，根據(jù)所述單觸發(fā)脈沖信號，對所述第1下拉電阻的功能進(jìn)行控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，在所述信號線與所述第2開關(guān)之間插入第1下拉電阻，根據(jù)所述單觸發(fā)脈沖信號對所述第1下拉電阻的功能進(jìn)行控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，在所述信號線與所述電源之間插入有第2下拉電阻，根據(jù)所述信號線的輸出電平和復(fù)位信號，對所述第2下拉電阻的功能進(jìn)行控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，在所述信號線與基準(zhǔn)電位之間，插入有連接所述信號線與所述基準(zhǔn)電位的第3開關(guān)，使所述第3開關(guān)與所述第2開關(guān)互補(bǔ)地進(jìn)行動作。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，該電子鐘表具有連接于信號線的第1開關(guān)、第2開關(guān)和單觸發(fā)脈沖信號生成電路，所述第1開關(guān)被插入所述信號線，所述第2開關(guān)的一端連接于所述第1開關(guān)的后級的所述信號線，所述第2開關(guān)的另一端連接于基準(zhǔn)電位，所述單觸發(fā)脈沖信號生成電路使用基準(zhǔn)時鐘信號生成單觸發(fā)脈沖信號，所述第2開關(guān)被所述單觸發(fā)脈沖信號控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，該電子鐘表具有振蕩電路和計(jì)時部，該計(jì)時部根據(jù)對從所述振蕩電路得到的頻率分頻后的頻率而計(jì)時，所述基準(zhǔn)時鐘信號由對從所述振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率構(gòu)成，所述第1開關(guān)是通過表冠的動作而被選擇連接狀態(tài)和切斷狀態(tài)的開關(guān)。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，所述單觸發(fā)脈沖信號生成電路具有第1反相器、第2反相器、電容器和NOR(或非)門，所述第1反相器的輸入端被輸入所述基準(zhǔn)時鐘信號，輸出端連接著所述第2反相器的輸入端和所述NOR門的一個輸入端，所述第2反相器的輸出端連接著所述電容器的一端和所述NOR門的另一個輸入端，所述電容器的另一端連接于基準(zhǔn)電位，根據(jù)所述NOR門的輸出信號，生成比所述基準(zhǔn)時鐘信號的低電平期間短的期間的低電平信號。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，所述電容器由使用了柵氧化膜的電容形成，構(gòu)成所述第2反相器的晶體管對所述電容器進(jìn)行充放電而延遲所述基準(zhǔn)時鐘信號的上升，所述單觸發(fā)脈沖信號的低電平期間的脈沖寬度由所述電容器的電容和構(gòu)成所述第2反相器的晶體管的驅(qū)動能力決定。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，將所述第2開關(guān)作為第1上拉電阻，根據(jù)所述單觸發(fā)脈沖信號對所述第1上拉電阻的功能進(jìn)行控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，在所述信號線與所述基準(zhǔn)電位之間插入有第2上拉電阻，根據(jù)所述信號線的輸出電平和復(fù)位信號對所述第2上拉電阻的功能進(jìn)行控制。

此外，本發(fā)明的一個方面的電子鐘表可以構(gòu)成為，在所述信號線與電源之間插入有連接所述信號線與所述電源的第3開關(guān)，使所述第3開關(guān)與所述第2開關(guān)互補(bǔ)地進(jìn)行動作。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，在拉出表冠而接通表冠開關(guān)時，能夠使得流過上拉或下拉電阻的電流非常小。由此，例如在店鋪等中拉出表冠進(jìn)行展示的情況下，能夠延長電池的壽命。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的具有太陽能電池面板的電子鐘表的俯視圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的電子鐘表的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4是表示第1實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路的具體例的電路圖。

圖5是表示第1實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路的動作的波形圖。

圖6是表示第1實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路的變形例的電路圖。

圖7是表示第2實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖8是表示第2實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路的一例的電路圖。

圖9是表示第2實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路的動作的波形圖。

圖10是表示現(xiàn)有的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

標(biāo)號說明

100：電子鐘表，1、1A、1B：表冠開關(guān)檢測電路，2：振蕩電路，3：分頻電路，4：控制電路，5：計(jì)時驅(qū)動部，6：計(jì)時部，101：外殼，102：表盤，103：指針，104：表冠，101a、101b：表帶安裝部，105：秒針，106：分針，107：時針，11：表冠開關(guān)，12：信號線，16、17、21：N溝道MOS晶體管，22、23：P溝道MOS晶體管，30：單觸發(fā)脈沖信號生成電路，311：表冠開關(guān)，312：信號線，316、317：P溝道MOS晶體管，322、323：N溝道MOS晶體管，330：單觸發(fā)脈沖信號生成電路。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

圖1是具有本發(fā)明的太陽能電池面板的電子鐘表100的俯視圖。

如圖1所示，電子鐘表100具有外殼101、表盤102、指針103和表冠104。

外殼101的側(cè)面形成有用于在6時側(cè)和12時側(cè)分別安裝表帶(未圖示)的表帶安裝部101a、101b。表冠104設(shè)置于外殼101的側(cè)面的3時位置側(cè)。在設(shè)置于外殼101的外表面的表盤102上配置有指針103，該指針103具有秒針105、分針106和時針107。

[第1實(shí)施方式]

首先，對電子鐘表的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖2是表示本實(shí)施方式的電子鐘表100的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖2所示，電子鐘表100具有表冠開關(guān)檢測電路1、振蕩電路2、分頻電路3、控制電路4、計(jì)時驅(qū)動部5和計(jì)時部6。

表冠開關(guān)檢測電路1根據(jù)對表冠104(圖1)的操作，生成后述的表冠開關(guān)檢測信號K1IN，并將所生成的表冠開關(guān)檢測信號K1IN輸出給控制電路4。另外，后面會敘述表冠開關(guān)檢測電路1的結(jié)構(gòu)和動作。

振蕩電路2具有石英振子，產(chǎn)生基于石英振子的振動的規(guī)定頻率(例如32768[Hz])的振蕩時鐘信號。振蕩電路2將所產(chǎn)生的振蕩信號輸出給分頻電路3。分頻電路3對從振蕩電路2輸入的振蕩信號進(jìn)行分頻，生成用于計(jì)時的計(jì)時基準(zhǔn)信號和基準(zhǔn)時鐘信號SMP等。計(jì)時基準(zhǔn)信號的驅(qū)動頻率例如是1[Hz]，基準(zhǔn)時鐘信號SMP的頻率例如是128[Hz]。分頻電路3將所生成的計(jì)時基準(zhǔn)信號輸出給控制電路4。此外，分頻電路3將所生成的基準(zhǔn)時鐘信號SMP輸出給表冠開關(guān)檢測電路1。

控制電路4使用從分頻電路3輸入的基準(zhǔn)信號，進(jìn)行計(jì)時。計(jì)時結(jié)果是當(dāng)前的時刻?？刂齐娐?將表示計(jì)時結(jié)果的計(jì)時信息輸出給計(jì)時驅(qū)動部5。此外，控制電路4根據(jù)表冠開關(guān)檢測電路1所輸出的表冠開關(guān)檢測信號K1IN，生成對計(jì)時部6的控制指示，并將所生成的控制指示輸出給計(jì)時驅(qū)動部5。另外，控制指示指的是指針103的驅(qū)動停止、指針103的驅(qū)動重新開始等指示。此外，控制電路4根據(jù)計(jì)時驅(qū)動部5輸出的感應(yīng)信號的模式，判定計(jì)時驅(qū)動部所具有的步進(jìn)馬達(dá)(未圖示)的旋轉(zhuǎn)狀況。控制電路4根據(jù)所判定的結(jié)果，在需要進(jìn)行校正驅(qū)動的情況下，生成輔助驅(qū)動脈沖，并將所生成的輔助驅(qū)動脈沖輸出給計(jì)時驅(qū)動部5。

計(jì)時驅(qū)動部5構(gòu)成為包括驅(qū)動電路、步進(jìn)馬達(dá)、輪系、旋轉(zhuǎn)檢測判定電路(未圖示)等。計(jì)時驅(qū)動部5根據(jù)控制電路4輸出的計(jì)時信息，對計(jì)時部6進(jìn)行驅(qū)動。此外，計(jì)時驅(qū)動部5的旋轉(zhuǎn)檢測判定電路對步進(jìn)馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動時的自由振動所產(chǎn)生的感應(yīng)信號進(jìn)行檢測，將表示步進(jìn)馬達(dá)是否進(jìn)行了旋轉(zhuǎn)等的驅(qū)動狀態(tài)的感應(yīng)信號的模式輸出給控制電路4。

計(jì)時部6具有指針103(圖1)，利用計(jì)時驅(qū)動部5進(jìn)行驅(qū)動、停止、驅(qū)動重新開始等。

下面，對表冠開關(guān)檢測電路1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖3是表示本實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路1的結(jié)構(gòu)的電路圖。另外，在圖3所示的電路中，基準(zhǔn)電位Vdd成為比電源Vss高的電壓。電源Vss例如是-1.55V。

表冠開關(guān)11根據(jù)表冠104(圖1)的操作，能夠以機(jī)械方式或電氣方式選擇連接狀態(tài)和切斷狀態(tài)。表冠開關(guān)11例如在表冠104處于按入狀態(tài)時切換為斷開狀態(tài)，而在處于拉出狀態(tài)時切換為接通狀態(tài)。此外，如圖3所示，表冠開關(guān)11插入到信號線12的一端與基準(zhǔn)電位Vdd之間。信號線12的另一端經(jīng)由反相器13和反相器14而連接于表冠開關(guān)檢測端子15。從表冠開關(guān)檢測端子15輸出表冠開關(guān)檢測信號K1IN。表冠開關(guān)檢測信號K1IN是對表冠開關(guān)11的接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測的信號。

在信號線12與電源Vss之間，插入有N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管21。此外，在信號線12與電源Vss之間，插入有N溝道MOS晶體管17。N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管17作為信號線12的下拉電阻發(fā)揮功能。N溝道MOS晶體管16的柵極(G)連接于基準(zhǔn)電位Vdd。N溝道MOS晶體管16的漏極(D)連接于信號線12，源極(S)連接于N溝道MOS晶體管21的漏極，體端(B；Body)(也稱作背柵)連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管21的源極和體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管21的柵極被NAND門36提供單觸發(fā)脈沖信號OSP。N溝道MOS晶體管17的漏極連接于信號線12，源極和體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管17的柵極被提供NAND門19的輸出信號PD。

此外，在信號線12與基準(zhǔn)電位Vdd之間插入有P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23。P溝道MOS晶體管22的漏極連接于信號線12，源極連接于P溝道MOS晶體管23的漏極，體端連接于基準(zhǔn)電位Vdd。P溝道MOS晶體管22的柵極被NAND門36提供單觸發(fā)脈沖信號OSP。P溝道MOS晶體管23的源極和體端連接于基準(zhǔn)電位Vdd。P溝道MOS晶體管23的柵極被提供NAND門19的輸出信號PD。

NAND門19的一個輸入端被提供反相器14的輸出信號。NAND門19的另一個輸入端被系統(tǒng)復(fù)位端子18提供系統(tǒng)復(fù)位信號SRX。系統(tǒng)復(fù)位信號SRX是進(jìn)行上電復(fù)位的信號。系統(tǒng)復(fù)位信號SRX在系統(tǒng)工作中成為高電平，在上電復(fù)位時成為低電平。反相器13的輸入端子連接于信號線12，而輸出端子連接于反相器14的輸入端子。

單觸發(fā)脈沖信號生成電路30由反相器31、反相器32、電容器33和NAND門34構(gòu)成。反相器31的輸入端被輸入基準(zhǔn)時鐘信號SMP，輸出端連接著反相器32的輸入端和NAND門34的一個輸入端。反相器32的輸出端連接著電容器33的一端和NAND門34的另一個輸入端。電容器33的另一端連接于基準(zhǔn)電位。另外，電容器33可由MOS晶體管的柵氧化膜的電容形成。

單觸發(fā)脈沖信號生成電路30被基準(zhǔn)時鐘端子37提供基準(zhǔn)時鐘信號SMP。單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的NAND門34的輸出信號被提供給NAND門36的一個輸入端。NAND門36的另一個輸入端被檢查信號輸入端子35提供檢查信號R＿CHECKX。檢查信號R＿CHECKX是下拉電阻的檢查用信號，在通常時成為高電平。在進(jìn)行下拉電阻的檢查時，檢查信號R＿CHECKX成為低電平。

從NAND門36輸出單觸發(fā)脈沖信號OSP。該單觸發(fā)脈沖信號OSP被提供給N溝道MOS晶體管21的柵極和P溝道MOS晶體管22的柵極。

圖4是表示本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的一例的電路圖。如圖4所示，反相器31由包含P溝道MOS晶體管51和N溝道MOS晶體管52的CMOS(Complementary MOS：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)反相器構(gòu)成。P溝道MOS晶體管51的漏極與N溝道MOS晶體管52的漏極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。P溝道MOS晶體管51的柵極和N溝道MOS晶體管52的柵極連接著基準(zhǔn)時鐘信號SMP。N溝道MOS晶體管52的源極和體端連接于電源Vss。

反相器32由包含P溝道MOS晶體管53和N溝道MOS晶體管54的CMOS反相器構(gòu)成。P溝道MOS晶體管53的柵極和N溝道MOS晶體管54的柵極連接著P溝道MOS晶體管51的漏極與N溝道MOS晶體管52的漏極的交點(diǎn)。P溝道MOS晶體管53的漏極與N溝道MOS晶體管54的漏極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。N溝道MOS晶體管54的源極和體端連接于電源Vss。電容器33的一端連接著P溝道MOS晶體管53的漏極與N溝道MOS晶體管54的漏極的交點(diǎn)。

NAND門34由包含P溝道MOS晶體管55和56、以及N溝道MOS晶體管57和58的CMOS的NAND門構(gòu)成。P溝道MOS晶體管55的柵極和N溝道MOS晶體管57的柵極上連接著P溝道MOS晶體管53的漏極、N溝道MOS晶體管54的漏極和電容器33的一端的交點(diǎn)。P溝道MOS晶體管55的漏極與N溝道MOS晶體管57 的漏極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。N溝道MOS晶體管57的源極連接于N溝道MOS晶體管58的漏極，體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管58的柵極連接于P溝道MOS晶體管51的漏極與N溝道MOS晶體管52的漏極的交點(diǎn)，源極和體端連接于電源Vss。P溝道MOS晶體管56的漏極連接于P溝道MOS晶體管55的漏極與N溝道MOS晶體管57的漏極的交點(diǎn)，柵極連接于P溝道MOS晶體管51的漏極與N溝道MOS晶體管52的漏極的交點(diǎn)，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。

NAND門36由包含P溝道MOS晶體管59和60、以及N溝道MOS晶體管61和62的CMOS的NAND門構(gòu)成。P溝道MOS晶體管59的柵極和N溝道MOS晶體管61的柵極上連接著P溝道MOS晶體管55的漏極、N溝道MOS晶體管57的漏極和P溝道MOS晶體管56的漏極的交點(diǎn)。P溝道MOS晶體管59的漏極與N溝道MOS晶體管61的漏極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。N溝道MOS晶體管61的源極連接于N溝道MOS晶體管62的漏極，體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管62的柵極連接于檢查信號輸入端子35，源極和體端連接于電源Vss。P溝道MOS晶體管60的漏極連接于P溝道MOS晶體管59的漏極與N溝道MOS晶體管61的漏極的交點(diǎn)，柵極連接于檢查信號輸入端子35，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。P溝道MOS晶體管59的漏極、N溝道MOS晶體管61的漏極和P溝道MOS晶體管60的漏極的交點(diǎn)是NAND門36的輸出，并且是單觸發(fā)脈沖信號OSP。

圖5是表示本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的動作的波形圖?；鶞?zhǔn)時鐘端子37被提供圖5(A)所示的基準(zhǔn)時鐘信號SMP?；鶞?zhǔn)時鐘信號SMP例如是頻率128Hz的矩形波，其高電平期間與低電平期間相等。該基準(zhǔn)時鐘信號SMP被提供給反相器31。如圖5(B)所示，從反相器31輸出基準(zhǔn)時鐘信號SMP的反轉(zhuǎn)信號。反相器31的輸出信號被提供給NAND門34的一個輸入端。

此外，反相器31的輸出信號經(jīng)由反相器32而被提供給NAND門34的另一個輸入端。反相器32的輸出信號對電容器33進(jìn)行充放電。由此，從反相器32輸出圖5(C)所示的波形的信號。該反相器32的輸出信號被提供給NAND門34。

NAND門34被輸入圖5(B)所示的反相器31的輸出信號和圖5(C)所示的反相器32的輸出信號。由此，如圖5(D)所示，從NAND門34以規(guī)定周期輸出規(guī)定的脈沖寬度的脈沖信號。

NAND門34的輸出信號被提供給NAND門36的一個輸入端。NAND門36的另一個輸入端被檢查信號輸入端子35提供檢查信號R＿CHECKX。如圖5(E)所示，檢查信號R＿CHECKX在通常時成為高電平。如圖5(F)所示，在檢查信號R＿CHECKX為高電平的期間內(nèi)，從NAND門36輸出NAND門34的輸出信號(圖5(D))的反轉(zhuǎn)信號。該NAND門36的輸出信號作為單觸發(fā)脈沖信號OSP而被提供給N溝道MOS晶體管21和P溝道MOS晶體管22的柵極。

如圖5(F)所示，該單觸發(fā)脈沖信號OSP成為規(guī)定脈沖寬度的脈沖信號。即，在本示例中，單觸發(fā)脈沖信號OSP與頻率128Hz的基準(zhǔn)時鐘信號SMP的下降同步地成為高電平，高電平的脈沖寬度成為100n秒。該脈沖寬度100n秒是與周期相比非常短的脈沖寬度。

下面，對本實(shí)施方式的動作進(jìn)行說明。圖3中，在表冠104(圖1)處于被按入的狀態(tài)時，表冠開關(guān)11為斷開狀態(tài)。在表冠開關(guān)11處于斷開狀態(tài)時，信號線12的一端成為開路狀態(tài)。此時，N溝道MOS晶體管16的柵極是基準(zhǔn)電位Vdd，因此N溝道MOS晶體管16為接通狀態(tài)。這里，如果單觸發(fā)脈沖信號OSP為高電平，則N溝道MOS晶體管21成為接通狀態(tài)，將信號線12經(jīng)由N溝道MOS晶體管16、N溝道MOS晶體管21而連接于電源Vss，信號線12被下拉至低電平。

在初始設(shè)定時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子18的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為低電平。在系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為低電平時，NAND門19的輸出信號PD成為高電平，N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)，P溝道MOS晶體管23成為斷開狀態(tài)。在N溝道MOS晶體管17接通時，N溝道MOS晶體管17作為下拉電阻發(fā)揮功能，信號線12被下拉至低電平。

這樣，在初始設(shè)定時，利用N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管17，將信號線12下拉至低電平。由此，來自表冠開關(guān)檢測端子15的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。

另外，在初始設(shè)定時，NAND門19的輸出信號PD為高電平，P溝道MOS晶體管23處于斷開狀態(tài)。因此，從信號線12經(jīng)由P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23而連接至基準(zhǔn)電位Vdd的路徑成為斷開狀態(tài)。

在通常工作時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子18的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。此外，表冠開關(guān)11是斷開狀態(tài)。在通常工作時，N溝道MOS晶體管16是接通狀態(tài)，在單觸發(fā)脈沖信號OSP使得N溝道MOS晶體管21成為接通狀態(tài)時，信號線12經(jīng)由N 溝道MOS晶體管16、N溝道MOS晶體管21而連接于電源Vss，信號線12被下拉至低電平。

在信號線12成為低電平時，NAND門19的輸入信號成為低電平。由于NAND門19的輸入信號是低電平，而且系統(tǒng)復(fù)位信號SRX是高電平，因而NAND門19的輸出信號PD成為高電平，N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)，P溝道MOS晶體管23成為斷開狀態(tài)。在N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)時，N溝道MOS晶體管17作為下拉電阻發(fā)揮功能，信號線12被下拉至低電平。

這樣，在通常工作時，利用N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管17，將信號線12下拉至低電平，來自表冠開關(guān)檢測端子15的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。

另外，在通常工作時，NAND門19的輸出信號PD是高電平，P溝道MOS晶體管23截止。因此，從信號線12經(jīng)由P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23而連接至基準(zhǔn)電位Vdd的路徑成為斷開狀態(tài)。

在系統(tǒng)工作中拉出表冠104時，表冠開關(guān)11成為接通狀態(tài)。在表冠開關(guān)11成為接通狀態(tài)時，信號線12的一端經(jīng)由表冠開關(guān)11而與基準(zhǔn)電位Vdd連接，信號線12成為高電平。

在信號線12成為高電平時，反相器14的輸出成為高電平，來自表冠開關(guān)檢測端子15的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為高電平。此外，在系統(tǒng)工作中，系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。因此，NAND門19的輸出信號PD成為低電平。在NAND門19的輸出信號PD成為低電平時，N溝道MOS晶體管17成為斷開狀態(tài)，P溝道MOS晶體管23成為接通狀態(tài)。N溝道MOS晶體管17成為斷開狀態(tài)，從而N溝道MOS晶體管17不再作為下拉電阻發(fā)揮功能。

此外，在本實(shí)施方式中，在N溝道MOS晶體管16與電源Vss之間設(shè)置有N溝道MOS晶體管21。N溝道MOS晶體管21根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSP而成為接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)。在N溝道MOS晶體管16中流過電流的期間是單觸發(fā)脈沖信號OSP為高電平而N溝道MOS晶體管21處于接通狀態(tài)的期間，如圖5(F)所示，單觸發(fā)脈沖信號OSP為高電平的期間是100ns那樣的非常短的期間。因此，經(jīng)由N溝道MOS晶體管16而流過的電流很少。

此外，此時，P溝道MOS晶體管23處于接通狀態(tài)。P溝道MOS晶體管22根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSP，與N溝道MOS晶體管21互補(bǔ)地進(jìn)行動作。由此，在單觸發(fā)脈沖信號OSP為低電平的期間內(nèi)，利用從信號線12經(jīng)由P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23而連接至基準(zhǔn)電位Vdd的路徑，將信號線12維持在高電平。

在表冠104再次被按入時，表冠開關(guān)11從接通狀態(tài)成為斷開狀態(tài)。在表冠開關(guān)11從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)時，信號線12的一端成為開路狀態(tài)。此時，N溝道MOS晶體管16是接通狀態(tài)，在單觸發(fā)脈沖信號OSP使得N溝道MOS晶體管21導(dǎo)通時，來自信號線12的電流經(jīng)由N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管21而流動，信號線12被下拉至低電平。由此，反相器14的輸出信號成為低電平，來自表冠開關(guān)檢測端子15的表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。

在反相器14的輸出信號成為低電平時，NAND門19的輸出信號PD成為高電平，N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)，P溝道MOS晶體管23成為斷開狀態(tài)。在N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)時，N溝道MOS晶體管17作為下拉電阻發(fā)揮功能，信號線12被下拉至低電平。

另外，如圖5(G)所示，在表冠開關(guān)11處于斷開狀態(tài)時，如果單觸發(fā)脈沖信號OSP為低電平，則P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23處于接通狀態(tài)，N溝道MOS晶體管21處于斷開狀態(tài)。因此，利用從信號線12經(jīng)由P溝道MOS晶體管22和P溝道MOS晶體管23而連接至基準(zhǔn)電位Vdd的路徑，將信號線12維持在高電平，如圖5(H)所示，表冠開關(guān)檢測信號K1IN被維持在高電平。然而，在單觸發(fā)脈沖信號OSP從低電平變?yōu)楦唠娖綍r，P溝道MOS晶體管22截止，N溝道MOS晶體管21成為接通狀態(tài)，信號線12被下拉至低電平。在信號線12被下拉至低電平時，NAND門19的輸出信號PD成為高電平，P溝道MOS晶體管23成為斷開狀態(tài)，N溝道MOS晶體管17成為接通狀態(tài)。因此，信號線12被下拉至低電平，如圖5(H)所示，表冠開關(guān)檢測信號K1IN成為低電平。

本實(shí)施方式中，向N溝道MOS晶體管21的柵極提供單觸發(fā)脈沖信號OSP而使得N溝道MOS晶體管21成為接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)，間歇性地對N溝道MOS晶體管16進(jìn)行驅(qū)動，從而削減使表冠開關(guān)11接通時的消耗電流。本實(shí)施方式中，例如，通過使用圖5(F)所示的頻率為128Hz、脈沖寬度為100n秒的單觸發(fā)脈沖信號OSP，能夠使得下拉的平均電流例如在1nA以下。

這里，如果縮短了圖5(F)所示的單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度(高電平期間)，則電流的削減效果會進(jìn)一步增大。然而，如果減小單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度，則作為下拉電阻的功能會降低。

如圖4所示，在本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路30中，利用反相器32的N溝道MOS晶體管54對電容器33進(jìn)行充放電，形成圖5(C)所示的波形的信號，生成單觸發(fā)脈沖信號OSP。單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度由電容器33的電容和N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力決定。

即，如果增大了電容器33的電容，則圖5(C)所示的信號的下降沿的變化變慢，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變長。如果電容器33的電容較小，則圖5(C)所示的信號的下降沿的變化變快，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短。

此外，如果N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力較小，則電容器33的電容的充放電所需的時間變長，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變長。如果N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力較大，則電容器33的電容的充放電所需的時間變短，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短。

圖3中，作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16與單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的N溝道MOS晶體管54同樣為N溝道的MOS晶體管。因此，集成電路上的特性表現(xiàn)出同樣的趨勢。由此，在本實(shí)施方式中，單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的脈沖寬度的變化與N溝道MOS晶體管16的下拉能力的變化互補(bǔ)地產(chǎn)生作用，下拉能力的偏差變小，下拉能力穩(wěn)定。

即，在單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力較大的情況下，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短。如果單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短，則N溝道MOS晶體管16的下拉能力有降低的趨勢。然而，N溝道MOS晶體管54和N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力表現(xiàn)出同樣的趨勢。即，如果由于制造上的偏差，使得N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力變大，則N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力也會變大。此外，如果由于溫度變化等的影響，使得N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力變大，則N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力也變大。由此，即使N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力變大，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短，因單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變短而造成的下拉能力的降低也會被N溝道MOS晶體管16的下拉能力的增加所抵消，下拉能力不會大幅變動。

此外，在單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力較小的情況下，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變長。如果單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變長，則N溝道MOS晶體管16的電流有增加的趨勢。然而，N溝道MOS晶體管54和N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力表現(xiàn)出同樣的趨勢。因此，如果N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力較小，則N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力也較小，流過N溝道MOS晶體管16的電流也減少。由此，因單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度變長而造成的電流的增加會被N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力的降低所帶來的電流的減少抵消，消耗電流不會大幅變動。

此外，在本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路30中，電容器33是使用了柵氧化膜的電容。因此，電容器33的電容與N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力互補(bǔ)地產(chǎn)生作用，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度的偏差變小。

即，由于單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的電容器33是使用了柵氧化膜的電容，因此如果柵氧化膜變厚，則其電容會變小。如果電容器33的電容變小，則單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度有變短的趨勢。然而，如果使柵氧化膜變厚，則單觸發(fā)脈沖信號生成電路30的電容器33會與之聯(lián)動地使得構(gòu)成反相器32的N溝道MOS晶體管54的柵氧化膜也變厚。如果N溝道MOS晶體管54的柵氧化膜變厚，則N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力會變低。因此，電容器33的充放電時間變長，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度有變長的趨勢。這樣，柵氧化膜變厚，電容器33的電容變小，由此，即使單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度較短，也會被N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力的降低所抵消，單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度的偏差變小。

此外，通過使柵氧化膜的下方成為雜質(zhì)濃度較高的區(qū)域，能夠降低耗盡層的擴(kuò)展，使得電容值相對于柵極電壓的偏差降低，能夠進(jìn)一步抑制單觸發(fā)脈沖信號OSP的脈沖寬度的偏差。

如上所述，本實(shí)施方式的電子鐘表100具有連接于信號線12的作為第1開關(guān)的表冠開關(guān)11、作為第2開關(guān)的N溝道MOS晶體管21、以及單觸發(fā)脈沖信號生成電路30，表冠開關(guān)11被插入信號線12，N溝道MOS晶體管21的一端連接于表冠開關(guān)11的后級的信號線12，N溝道MOS晶體管21的另一端連接于電源Vss，單觸發(fā)脈沖信號生成電路30使用基準(zhǔn)時鐘信號SMP生成單觸發(fā)脈沖信號OSP，N溝道MOS晶體管21被單觸發(fā)脈沖信號OSP控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在拉出表冠104而使表冠開關(guān)11接通時，能夠使得流過下拉電阻的電流變得非常小。由此，在店鋪等中拉出表冠104進(jìn)行展示的情況下，能夠延長電池的壽命。

此外，本實(shí)施方式的電子鐘表100具有振蕩電路2、以及根據(jù)對從振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率而計(jì)時的計(jì)時部6，基準(zhǔn)時鐘信號SMP由對從振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率構(gòu)成，第1開關(guān)(表冠開關(guān)11)是通過表冠104的動作而被選擇連接狀態(tài)和切斷狀態(tài)的開關(guān)。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，關(guān)于基準(zhǔn)時鐘信號SMP，單觸發(fā)脈沖信號生成電路30具有第1反相器31、第2反相器32、電容器33和NAND門34，第1反相器31的輸入端被輸入基準(zhǔn)時鐘信號SMP，輸出端連接著第2反相器32的輸入端和NAND門34的一個輸入端，第2反相器32的輸出端連接著電容器33的一端和NAND門34的另一個輸入端，電容器33的另一端連接于基準(zhǔn)電位，根據(jù)NAND門34的輸出信號，生成比基準(zhǔn)時鐘信號SMP的高電平期間短的期間的高電平信號。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，不必使用高頻率的信號，就能夠生成高電平期間較短的脈沖信號，對下拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動，能夠降低功耗。即，能夠利用基于電子鐘表100的振蕩電路2所具備的石英振子的振蕩頻率32kHz(32768Hz)而制作出的例如128Hz左右的頻率(基準(zhǔn)時鐘信號SMP)，來生成短時間的脈沖信號而對下拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動，因此不需要該間歇驅(qū)動專用的高頻率，能夠高效地實(shí)現(xiàn)低消耗化。即，例如為了生成圖5(F)所示的100ns的短時間的脈沖，單純地對上述的振蕩頻率進(jìn)行分頻等并不充分，而通過采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的表冠開關(guān)檢測電路1，既能夠?qū)㈦娐芬?guī)模抑制在適當(dāng)程度，又能夠使用上述的振蕩頻率實(shí)現(xiàn)基于時間非常短的脈沖的間歇驅(qū)動。這是源于能夠使得上述的基準(zhǔn)時鐘信號SMP成為基于構(gòu)成鐘表的本質(zhì)的計(jì)時機(jī)構(gòu)中也用到的振蕩頻率32kHz而制作出的頻率，從而成為能夠?qū)崿F(xiàn)電子鐘表100所特有的作用的結(jié)構(gòu)。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，電容器33由使用了柵氧化膜的電容形成，構(gòu)成第2反相器32的N溝道MOS晶體管54對電容器33進(jìn)行充放電而延遲基準(zhǔn)時鐘信號SMP的下降，單觸發(fā)脈沖信號OSP的高電平期間的脈沖寬度由電容器33的電容和構(gòu)成第2反相器32的N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力決定。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第2反相器32的N溝道MOS晶體管54的驅(qū)動能力與電容器33的電容互相抵消，能夠抑制脈沖寬度的偏差。此外，電容器33的變化與作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16的驅(qū)動能力的變化相互抵消，抑制了下拉能力的偏差，能夠使得下拉能力和消耗電流變得穩(wěn)定。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，將作為第2開關(guān)的N溝道MOS晶體管16用作第1下拉電阻，根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSP對N溝道MOS晶體管16的功能進(jìn)行控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，將作為第2開關(guān)發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16用作第1下拉電阻，能夠?qū)Φ?下拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，在信號線12與作為第2開關(guān)發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管21之間插入有作為第1下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16，根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSP對第1下拉電阻的功能進(jìn)行控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在信號線12與作為第2開關(guān)發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管21之間插入有作為第1下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16，能夠?qū)Φ?下拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，在信號線12與電源Vss之間插入有作為第2下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管17，根據(jù)信號線12的輸出電平和復(fù)位信號SRX，對N溝道MOS晶體管17的功能進(jìn)行控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在表冠開關(guān)11斷開的期間內(nèi)，利用作為第2下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管17對信號線12進(jìn)行下拉，從而不易受到噪聲的影響。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表100中，在信號線12與基準(zhǔn)電位Vdd之間插入有連接信號線12與基準(zhǔn)電位Vdd的作為第3開關(guān)的P溝道MOS晶體管22，使P溝道MOS晶體管22與N溝道MOS晶體管21互補(bǔ)地進(jìn)行動作。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在表冠開關(guān)11接通的期間內(nèi)，利用作為第3開關(guān)發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管22，能夠?qū)⑿盘柧€12的信號電平維持在高電平。

＜第1實(shí)施方式的變形例＞

圖6是表示本實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路1A的變形例的電路圖。圖6中，對于與圖3的表冠開關(guān)檢測電路1相同的部分賦予同一符號并省略對其的說明。另外，變形例的電子鐘表100的結(jié)構(gòu)是在圖2中將表冠開關(guān)檢測電路1置換為表冠開關(guān)檢測電路1A而成的結(jié)構(gòu)。

在前述的圖3所示的表冠開關(guān)檢測電路1中，在作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16與電源Vss之間插入有N溝道MOS晶體管21，利用單觸發(fā)脈沖信號OSP使得N溝道MOS晶體管21成為接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)，從而對N溝道MOS晶體管16間歇性地進(jìn)行驅(qū)動。這樣，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，成為作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16與作為開關(guān)元件的N溝道MOS晶體管21分離的結(jié)構(gòu)。

與此相對，在圖6所示的變形例中，利用單觸發(fā)脈沖信號OSP使得作為下拉電阻發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管16成為接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)，利用1個N溝道MOS晶體管16來實(shí)現(xiàn)圖3的結(jié)構(gòu)中的N溝道MOS晶體管16和N溝道MOS晶體管21的功能。其他結(jié)構(gòu)都與圖3所示的內(nèi)容同樣。另外，N溝道MOS晶體管16的漏極連接于信號線12，源極和體端連接于電源Vss，柵極被提供單觸發(fā)脈沖信號OSP。

上述第1實(shí)施方式的變形例也可得到與第1實(shí)施方式同樣的效果。

[第2實(shí)施方式]

下面，對第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施方式的電子鐘表100的結(jié)構(gòu)是在圖2中將表冠開關(guān)檢測電路1置換為表冠開關(guān)檢測電路1B后的結(jié)構(gòu)。

圖7是表示本實(shí)施方式的鐘表裝置的表冠開關(guān)檢測電路1B的結(jié)構(gòu)的電路圖。另外，圖7所示的電路中，基準(zhǔn)電位Vdd成為比電源Vss高的電壓。電源Vss例如為-1.55V。

圖7中，表冠開關(guān)311被插入到信號線312的一端與電源Vss之間。信號線312的另一端經(jīng)由反相器313而連接于表冠開關(guān)檢測端子315。從表冠開關(guān)檢測端子315輸出表冠開關(guān)檢測信號K1INX。表冠開關(guān)檢測信號K1INX是對表冠開關(guān)311的接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)進(jìn)行檢測的信號。

在信號線312與基準(zhǔn)電位Vdd之間，插入有P溝道MOS晶體管316和P溝道MOS晶體管317。P溝道MOS晶體管316和P溝道MOS晶體管317作為上拉電阻發(fā)揮功能。P溝道MOS晶體管316的漏極連接于信號線312，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位Vdd。P溝道MOS晶體管316的柵極被NOR門336提供單觸發(fā)脈沖信號OSPX。P溝道MOS晶體管317的漏極連接于信號線312，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位Vdd。P溝道MOS晶體管317的柵極被提供AND(與)門319的輸出信號PU。

此外，在信號線312與電源Vss之間，插入有N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323。N溝道MOS晶體管322的漏極連接于信號線312，源極和體端連接于N溝道MOS晶體管323的漏極。N溝道MOS晶體管322的柵極被NOR門336 提供單觸發(fā)脈沖信號OSPX。N溝道MOS晶體管323的源極和體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管323的柵極被提供AND門319的輸出信號PU。

AND門319的一個輸入端被提供反相器313的輸出信號。AND門319的另一個輸入端被系統(tǒng)復(fù)位端子318提供系統(tǒng)復(fù)位信號SRX。系統(tǒng)復(fù)位信號SRX是進(jìn)行上電復(fù)位的信號。系統(tǒng)復(fù)位信號SRX在系統(tǒng)工作中成為高電平，而在上電復(fù)位時成為低電平。反相器313的輸入端子連接于信號線312。

單觸發(fā)脈沖信號生成電路330由反相器331、反相器332、電容器333和NOR門334構(gòu)成。

反相器331的輸入端被輸入基準(zhǔn)時鐘信號SMP，輸出端連接著反相器332的輸入端和NOR門334的一個輸入端。反相器332的輸出端連接著電容器333的一端和NOR門334的另一個輸入端。電容器333的另一端連接于基準(zhǔn)電位。

單觸發(fā)脈沖信號生成電路330被基準(zhǔn)時鐘端子337提供基準(zhǔn)時鐘信號SMP。來自單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的NOR門334的輸出信號被提供給NOR門336的一個輸入端。NOR門336的另一個輸入端被檢查信號輸入端子335提供檢查信號R＿CHECK。檢查信號R＿CHECK是上拉電阻的檢查用的信號，在通常時成為低電平。在進(jìn)行上拉電阻的檢查時，檢查信號R＿CHECK成為高電平。

從NOR門336輸出單觸發(fā)脈沖信號OSPX。該單觸發(fā)脈沖信號OSPX被提供給P溝道MOS晶體管316的柵極和N溝道MOS晶體管322的柵極。

圖8是表示單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的一例的電路圖。如圖8所示，反相器331由包含P溝道MOS晶體管351和N溝道MOS晶體管352的CMOS反相器構(gòu)成。另外，反相器331的結(jié)構(gòu)是將反相器31(圖4)的P溝道MOS晶體管51置換為P溝道MOS晶體管351，并將N溝道MOS晶體管52置換為N溝道MOS晶體管352而成的結(jié)構(gòu)。

此外，反相器332由包含P溝道MOS晶體管353和N溝道MOS晶體管354的CMOS反相器構(gòu)成。另外，反相器332的結(jié)構(gòu)是將反相器32(圖4)的P溝道MOS晶體管53置換為P溝道MOS晶體管353，并將N溝道MOS晶體管54置換為N溝道MOS晶體管354而成的結(jié)構(gòu)。電容器333由使用了柵氧化膜的電容形成。

NOR門334由包含P溝道MOS晶體管355和356、以及N溝道MOS晶體管357和358的CMOS的NOR門構(gòu)成。P溝道MOS晶體管355的柵極和N溝道MOS晶體管357的柵極連接著P溝道MOS晶體管353的漏極、N溝道MOS晶體管354的漏極和電容器333的一端的交點(diǎn)。P溝道MOS晶體管355的漏極與P溝道MOS晶體管356的源極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。P溝道MOS晶體管356的漏極連接于N溝道MOS晶體管357的漏極和N溝道MOS晶體管358的漏極，柵極連接于P溝道MOS晶體管351的漏極、N溝道MOS晶體管352的漏極和N溝道MOS晶體管358的柵極。N溝道MOS晶體管357的源極和體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管358的源極和體端連接于電源Vss。

NOR門336由包含P溝道MOS晶體管359和360、以及N溝道MOS晶體管361和362的CMOS的NOR門構(gòu)成。P溝道MOS晶體管359的柵極和N溝道MOS晶體管361的柵極連接著P溝道MOS晶體管356的漏極、N溝道MOS晶體管357的漏極和N溝道MOS晶體管358的漏極的交點(diǎn)。P溝道MOS晶體管359的漏極與P溝道MOS晶體管360的源極連接，源極和體端連接于基準(zhǔn)電位。P溝道MOS晶體管360的漏極連接于N溝道MOS晶體管361的漏極和N溝道MOS晶體管362的漏極，柵極連接于檢查信號輸入端子335。N溝道MOS晶體管361的源極和體端連接于電源Vss。N溝道MOS晶體管362的源極和體端連接于電源Vss。P溝道MOS晶體管360的漏極、N溝道MOS晶體管361的漏極和N溝道MOS晶體管362的漏極的交點(diǎn)是NOR門336的輸出，即是單觸發(fā)脈沖信號OSPX。

圖9是表示本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的動作的波形圖?；鶞?zhǔn)時鐘端子337被提供圖9(A)所示的基準(zhǔn)時鐘信號SMP。基準(zhǔn)時鐘信號SMP例如是頻率128Hz的矩形波，其高電平期間和低電平期間相等。該基準(zhǔn)時鐘信號SMP被提供給反相器331。如圖9(B)所示，從反相器331輸出基準(zhǔn)時鐘信號SMP的反轉(zhuǎn)信號。反相器331的輸出信號被提供給NOR門334的一個輸入端。

此外，反相器331的輸出信號經(jīng)由反相器332而被提供給NOR門334的一個輸入端。在反相器332與NOR門334之間形成有電容器333。反相器332的輸出信號對電容器333進(jìn)行充放電，從反相器332輸出如圖9(C)所示的波形的信號。該反相器332的輸出信號被提供給NOR門334的另一個輸入端。

NOR門334被輸入圖9(B)所示的反相器331的輸出信號和圖9(C)所示的波形的反相器332的輸出信號。由此，如圖9(D)所示，從NOR門334以規(guī)定周期輸出規(guī)定的脈沖寬度的脈沖信號。

NOR門334的輸出信號被提供給NOR門336的一個輸入端。NOR門336的另一個輸入端被檢查信號的輸入端提供檢查信號R＿CHECK。如圖9(E)所示，檢查信號R＿CHECK在通常時成為低電平。如圖9(F)所示，在檢查信號R＿CHECK為低電平的期間內(nèi)，從NOR門336輸出NOR門334的輸出信號(圖9(D))的反轉(zhuǎn)信號。該NOR門336的輸出信號作為單觸發(fā)脈沖信號OSPX而被提供給P溝道MOS晶體管316和N溝道MOS晶體管322的柵極。

如圖9(F)所示，該單觸發(fā)脈沖信號OSPX成為規(guī)定脈沖寬度的脈沖信號。即，在本例中，單觸發(fā)脈沖信號OSPX以與頻率128Hz的基準(zhǔn)時鐘信號SMP的上升同步的周期成為低電平，低電平的脈沖寬度為100n秒。該脈沖寬度100n秒是與周期相比非常短的脈沖寬度。

下面，對本實(shí)施方式的動作進(jìn)行說明。在表冠104處于被按入的狀態(tài)時，表冠開關(guān)311處于斷開狀態(tài)。在表冠開關(guān)311為斷開狀態(tài)時，信號線312的一端成為開路狀態(tài)。這里，在單觸發(fā)脈沖信號OSPX成為低電平，P溝道MOS晶體管316成為接通狀態(tài)時，經(jīng)由P溝道MOS晶體管316而與基準(zhǔn)電源Vdd連接，信號線312被上拉至高電平。在信號線312為高電平時，反相器313的輸出信號成為低電平。

在初始設(shè)定時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子318的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為低電平，AND門319的輸出信號PU成為低電平，P溝道MOS晶體管317成為接通狀態(tài)，N溝道MOS晶體管323成為斷開狀態(tài)。在P溝道MOS晶體管317成為接通狀態(tài)時，P溝道MOS晶體管317作為上拉電阻發(fā)揮功能，信號線312被上拉至高電平。

這樣，在初始設(shè)定時，利用P溝道MOS晶體管317和P溝道MOS晶體管316，將信號線312上拉至高電平。由此，表冠開關(guān)檢測信號K1INX成為低電平。

另外，在初始設(shè)定時，AND門319的輸出信號PU是低電平，N溝道MOS晶體管323處于斷開狀態(tài)。因此，從信號線312經(jīng)由N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323而連接至電源Vss的路徑處于斷開狀態(tài)。

在通常工作時，來自系統(tǒng)復(fù)位端子318的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。此外，表冠開關(guān)311處于斷開狀態(tài)。在通常工作時，單觸發(fā)脈沖信號OSPX使得P溝道MOS晶體管316成為接通狀態(tài)時，經(jīng)由P溝道MOS晶體管316而連接于基準(zhǔn)電源Vdd，信號線312被上拉至高電平。在信號線312被上拉至高電平時，反相器313的輸出信號成為低電平，由此，來自表冠開關(guān)檢測端子315的表冠開關(guān)檢測信號K1INX成為低電平。

反相器313的輸出信號是低電平，來自系統(tǒng)復(fù)位端子318的系統(tǒng)復(fù)位信號SRX為高電平，因而AND門319的輸出信號PU成為低電平。在AND門319的輸出信號PU成為低電平時，P溝道MOS晶體管317導(dǎo)通，N溝道MOS晶體管323成為斷開狀態(tài)。在P溝道MOS晶體管317成為接通狀態(tài)時，P溝道MOS晶體管317作為上拉電阻發(fā)揮功能，信號線312被上拉至高電平。

這樣，在通常工作時，利用P溝道MOS晶體管317和P溝道MOS晶體管316，將信號線312上拉至高電平。

另外，在通常工作時，AND門319的輸出信號PU是低電平，N溝道MOS晶體管323處于斷開狀態(tài)。因此，從信號線312經(jīng)由N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323而連接至電源Vss的路徑處于斷開狀態(tài)。

在系統(tǒng)工作中拉出表冠104時，表冠開關(guān)311成為接通狀態(tài)。在表冠開關(guān)311成為接通狀態(tài)時，信號線312的一端經(jīng)由表冠開關(guān)311而連接于電源Vss，信號線312成為低電平。

在信號線312成為低電平時，反相器313的輸出成為高電平，來自表冠開關(guān)檢測端子315的表冠開關(guān)檢測信號K1INX成為高電平。此外，在系統(tǒng)工作中，系統(tǒng)復(fù)位信號SRX成為高電平。因此，AND門319的輸出信號PU成為高電平，P溝道MOS晶體管317截止，N溝道MOS晶體管323成為接通狀態(tài)。在P溝道MOS晶體管317成為斷開狀態(tài)時，P溝道MOS晶體管317不再作為上拉電阻發(fā)揮功能。

另外，此時，在P溝道MOS晶體管316處于接通狀態(tài)時，電流經(jīng)由P溝道MOS晶體管316而流動。P溝道MOS晶體管316導(dǎo)通的期間僅為單觸發(fā)脈沖信號OSPX成為低電平的期間。如圖9(F)所示，單觸發(fā)脈沖信號OSPX為低電平的期間很短。因此，經(jīng)由P溝道MOS晶體管316而流過的電流很少。

此外，此時，N溝道MOS晶體管322根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSPX，與P溝道MOS晶體管316互補(bǔ)地進(jìn)行動作。由此，在單觸發(fā)脈沖信號OSPX為高電平的期間內(nèi)，與從信號線312經(jīng)由N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323連接至電源Vss的路徑相連，信號線312被維持在低電平。

在表冠104再次被按入時，表冠開關(guān)311從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。在表冠開關(guān)311從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)時，信號線312的一端成為開路狀態(tài)。此時，在單觸發(fā)脈沖信號OSPX成為低電平，P溝道MOS晶體管316成為接通狀態(tài)時，經(jīng)由P溝道MOS晶體管316而連接信號線312，信號線312被上拉至高電平。由此，反相器313的輸出信號成為低電平，來自表冠開關(guān)檢測端子315的表冠開關(guān)檢測信號K1INX成為低電平。

在反相器313的輸出信號成為低電平時，AND門319的輸出信號PU成為低電平，P溝道MOS晶體管317成為接通狀態(tài)，N溝道MOS晶體管323成為斷開狀態(tài)。在P溝道MOS晶體管317成為接通狀態(tài)時，P溝道MOS晶體管317作為上拉電阻發(fā)揮功能，信號線312被上拉至高電平。

另外，在表冠開關(guān)311斷開時，如果單觸發(fā)脈沖信號OSPX為高電平，則N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323處于接通狀態(tài)，P溝道MOS晶體管316處于斷開狀態(tài)。因此，利用從信號線312經(jīng)由N溝道MOS晶體管322和N溝道MOS晶體管323而連接至電源Vss的路徑，使得信號線312被維持在低電平，如圖9(H)所示，表冠開關(guān)檢測信號K1INX被維持在高電平。然而，在單觸發(fā)脈沖信號OSPX成為低電平時，N溝道MOS晶體管322成為斷開狀態(tài)，P溝道MOS晶體管316成為接通狀態(tài)，信號線312被上拉至高電平。在信號線312被上拉至高電平時，AND門319的輸出信號PU成為低電平，N溝道MOS晶體管323截止。因此，如圖9(H)所示，表冠開關(guān)檢測信號K1INX成為低電平。

本實(shí)施方式中，向P溝道MOS晶體管316的柵極提供單觸發(fā)脈沖信號OSPX，對P溝道MOS晶體管316間歇性地進(jìn)行驅(qū)動，從而削減表冠開關(guān)311接通時的消耗電流。這里，如果縮短了圖9(F)所示的單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度(低電平期間)，則電流的削減效果變大。

此外，作為上拉電阻發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管316與單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的P溝道MOS晶體管353同樣地是P溝道的MOS晶體管。因此，集成電路上的特性表現(xiàn)出同樣的趨勢。由此，在本實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式同樣，單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的脈沖寬度的變化與P溝道MOS晶體管316的上拉能力的變化互補(bǔ)地產(chǎn)生作用，上拉能力的偏差變小，上拉能力和消耗電流變得穩(wěn)定。

即，如果增大了電容器333的電容，則圖9(C)所示的信號的上升沿的變化變慢，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變長。如果電容器333的電容較小，則圖9(C)所示的信號的上升沿的變化變快，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短。

此外，如果P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較小，則電容器333的電容的充放電所需的時間變長，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變長。如果P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較大，則電容器333的電容的充放電所需的時間變短，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短。

圖7中，作為上拉電阻發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管316與單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的P溝道MOS晶體管353同樣是P溝道的MOS晶體管。因此，集成電路上的特性表現(xiàn)出同樣的趨勢。即，如果由于制造上的偏差，使得P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力變大，則P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力也變大。此外，如果由于溫度變化等的影響，使得P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力變大，則P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力也會變大。

在單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較大的情況下，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短。如果單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短，則P溝道MOS晶體管316的上拉能力有降低的趨勢。然而，P溝道MOS晶體管353和P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力表現(xiàn)出同樣的趨勢。因此，如果P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較大，則P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力也較大。由此，因單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短而造成的上拉能力的降低被P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力的增加所抵消，上拉能力不會大幅變動。

此外，在單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較小的情況下，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變長。如果單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變長，則P溝道MOS晶體管316的電流有增加的趨勢。然而，P溝道MOS晶體管353和P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力表現(xiàn)出同樣的趨勢。因此，如果P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力較小，則P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力也較小，流過P溝道MOS晶體管316的電流也減少。由此，因單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變長而造成的電流的增加被P溝道MOS晶體管316的電流的減少所抵消，消耗電流不會大幅變動。

此外，在本實(shí)施方式的單觸發(fā)脈沖信號生成電路330中，電容器333是使用了柵氧化膜的電容。因此，與第1實(shí)施方式同樣，電容器333的電容和P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力互補(bǔ)地產(chǎn)生作用，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度的偏差變小。

即，由于單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的電容器333是使用了柵氧化膜的電容，因而如果柵氧化膜變厚，則其電容變小。在電容器333的電容變小時，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度有變短的趨勢。然而，如果單觸發(fā)脈沖信號生成電路330的電容器333的柵氧化膜變厚，則與之聯(lián)動地，構(gòu)成反相器332的P溝道MOS晶體管353的柵氧化膜也變厚。在P溝道MOS晶體管353的柵氧化膜變厚時，P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力變低。因此，電容器333的充放電時間變長，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度有變長的趨勢。這樣，通過使柵氧化膜變厚，減小電容器333的電容，即使單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度變短，也會被P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力的降低所抵消，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度的偏差變小。

此外，通過使柵氧化膜的下方成為雜質(zhì)濃度較濃的區(qū)域，能夠降低耗盡層的擴(kuò)展，使得電容值相對于柵極電壓的偏差降低，能夠進(jìn)一步抑制單觸發(fā)脈沖信號OSPX的脈沖寬度的偏差。

如上所述，本實(shí)施方式的電子鐘表100具有連接于信號線312的作為第1開關(guān)的表冠開關(guān)311、作為第2開關(guān)的P溝道MOS晶體管316和單觸發(fā)脈沖信號生成電路330，表冠開關(guān)311被插入到信號線312，P溝道MOS晶體管316的一端連接于表冠開關(guān)311的后級的信號線312，P溝道MOS晶體管316的另一端連接于基準(zhǔn)電位Vdd，單觸發(fā)脈沖信號生成電路330使用基準(zhǔn)時鐘信號SMP生成單觸發(fā)脈沖信號OSPX，P溝道MOS晶體管316被單觸發(fā)脈沖信號OSPX控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在拉出表冠104而接通了表冠開關(guān)311時，能夠使得流過上拉電阻的電流變得非常小。由此，在店鋪等中拉出表冠104進(jìn)行展示的情況下，能夠延長電池的壽命。

此外，本實(shí)施方式的電子鐘表100具有振蕩電路2和計(jì)時部6，該計(jì)時部6根據(jù)對從振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率而計(jì)時，基準(zhǔn)時鐘信號SMP由對從振蕩電路得到的頻率進(jìn)行分頻后的頻率構(gòu)成，第1開關(guān)(表冠開關(guān)311)是通過表冠104的動作而被選擇連接狀態(tài)和切斷狀態(tài)的開關(guān)。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表中，單觸發(fā)脈沖信號生成電路330具有第1反相器331、第2反相器332、電容器333和NOR門334，第1反相器331的輸入端被輸入基準(zhǔn)時鐘信號SMP，輸出端連接著第2反相器332的輸入端和NOR門334的一個輸入端，第2反相器332的輸出端連接著電容器333的一端和NOR門334的另一個輸入端，電容器333的另一端連接于基準(zhǔn)電位，根據(jù)NOR門334的輸出信號，生成比基準(zhǔn)時鐘信號SMP的低電平期間短的期間的低電平信號。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，不必使用高頻率的信號，就能夠生成低電平期間較短的脈沖信號，能夠?qū)ι侠娮栝g歇性地進(jìn)行驅(qū)動，降低功耗。此外，與第1實(shí)施方式同樣，能夠利用基于電子鐘表100的振蕩電路2所具備的石英振子的振蕩頻率32kHz而制作出的基準(zhǔn)時鐘信號SMP，來生成短時間的脈沖信號而對下拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動，因此無需該間歇性驅(qū)動專用的較高頻率，能夠高效地實(shí)現(xiàn)低消耗化。通過采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的表冠開關(guān)檢測電路1A，能夠?qū)㈦娐芬?guī)模抑制在適當(dāng)程度并能夠使用上述的振蕩頻率進(jìn)行基于時間非常短的脈沖的間歇性驅(qū)動。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表中，電容器333由使用了柵氧化膜的電容而形成，構(gòu)成第2反相器332的P溝道MOS晶體管353對電容器333進(jìn)行充放電而使基準(zhǔn)時鐘信號SMP的上升延遲，單觸發(fā)脈沖信號OSPX的低電平期間的脈沖寬度由電容器333的電容和構(gòu)成第2反相器332的P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力決定。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第2反相器332的P溝道MOS晶體管353的驅(qū)動能力和電容器333的電容相抵消，能夠抑制脈沖寬度的偏差。此外，電容器333的變化與作為上拉電阻發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管316的驅(qū)動能力的變化相抵消，能夠抑制上拉能力的偏差，使得上拉能力和消耗電流變得穩(wěn)定。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表中，將作為第2開關(guān)的P溝道MOS晶體管316用作第1上拉電阻，根據(jù)單觸發(fā)脈沖信號OSPX對P溝道MOS晶體管316的功能進(jìn)行控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，將作為第2開關(guān)發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管316用作第1上拉電阻，能夠?qū)Φ?上拉電阻間歇性地進(jìn)行驅(qū)動。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表中，在信號線312與基準(zhǔn)電位Vdd之間插入有作為第2上拉電阻發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管317，根據(jù)信號線312的輸出電平和復(fù)位信號SRX，對P溝道MOS晶體管317的功能進(jìn)行控制。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在表冠開關(guān)311斷開的期間，利用作為第2上拉電阻發(fā)揮功能的P溝道MOS晶體管317對信號線312進(jìn)行上拉，從而不易受到噪聲的影響。

此外，在本實(shí)施方式的電子鐘表中，在信號線312與電源Vss之間插入有連接信號線312與電源Vss的作為第3開關(guān)的N溝道MOS晶體管322，使N溝道MOS晶體管322與P溝道MOS晶體管316互補(bǔ)地進(jìn)行動作。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在表冠開關(guān)311接通的期間，能夠利用作為第3開關(guān)發(fā)揮功能的N溝道MOS晶體管322，將信號線312的信號電平維持在低電平。

以上，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，然而具體的結(jié)構(gòu)不限于這些實(shí)施方式，還包含不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)變更等。