本實用新型涉及用于長時間常數(shù)(LTC)電路級的讀取電路。

背景技術：

存在需要在電子設備中等待預設時間的若干應用，該預設時間甚至可以具有長持續(xù)時間(數(shù)分鐘或數(shù)小時)?？赡苓€需要在電子設備處于關閉、去激活或阻塞的狀態(tài)的情況下測量該等待時間。

例如，在安全微控制器(所謂的安全MCU)應用中，例如對于認證、通信或安全信息存儲的操作，當檢測到旨在竊取敏感信息的攻擊時，其中使用了安全微控制器的電子設備被設置為禁用狀態(tài)。

通常，在重復攻擊的情況下，電子設備被設置為明確的禁用狀態(tài)以保護敏感信息。然而，這種防御行為必然使得用戶隨后不可能操作電子設備。

因此，優(yōu)選的是，將電子設備設置為阻塞狀態(tài)達足夠長的時間(數(shù)分鐘或數(shù)小時)以防止攻擊成功(如果在攻擊之后必須要等待長時間段來為同一電子設備解除阻塞，則難以侵犯設備)，同時保持用戶繼續(xù)操作設備的可能性。

為此目的，基本上由電荷保持電子電路構成的長時間常數(shù)電路級(以下稱為“LTC級”)被使用，其限定了用于先前存儲電荷的放電的極長RC時間常數(shù)(該時間常數(shù)確定在恢復電子設備的功能之前的等待時間間隔)。限定RC時間常數(shù)的電阻可具有例如用于定義數(shù)分鐘或甚至數(shù)小時量級的放電時間的PΩ(10¹⁵Ω)量級的值。

此外，LTC級可以通過施加適當?shù)钠眯盘杹碓O置(編程)或復位(擦除)。

例如，LTC級在US 2015/0043269A1中被描述。該LTC級在圖1中示出，其中它由1表示，并且基本上是用于時間測量的電荷保持電子電路，包括電容性電荷存儲元件，其中通過經(jīng)由相同電容元件的電介質空間的緩慢泄漏過程來發(fā)生放電。

特別地，LTC級1包括：存儲電容器2，其被連接在設置成在第一偏置電壓V₁使用的第一偏置端子3a和浮置節(jié)點4之間；傳輸電容器5，其被連接在設置成在第二偏置電壓V₂使用的第二偏置端子3b與浮置節(jié)點4之間；以及連接在相同浮置節(jié)點4和參考端子7之間的放電元件6，其被設置成在參考電壓使用或設置為接地(gnd)。

特別地，放電元件6由多個基本放電單元8形成，多個基本放電單元8一起串聯(lián)連接在上述浮置節(jié)點4和上述參考端子7之間，并且在它們之間限定多個中間節(jié)點N_i(其中，i為對應于基本放電單元8的數(shù)量減1的整數(shù))。

如在上述文獻US 2015/0043269 A1中詳細描述的，每個基本放電單元8包括第一電極和第二電極(例如由多晶硅制成)，布置在第一電極和第二電極之間的是薄電介質層，通過薄電介質層而發(fā)生憑借隧道效應的電荷傳送。通過串聯(lián)的連續(xù)基本放電單元8的第一電極或第二電極之間的耦合，實現(xiàn)了不同的基本放電單元8之間的串聯(lián)連接。

浮置節(jié)點4被保持浮置，即被隔離，通過電介質空間與施加了電壓的端子隔開，并且沒有被直接連接到其中提供了LTC級1的半導體材料的襯底的任何非隔離區(qū)域。

存儲電容器2的電容C₁(例如，包括在1pF和100pF之間)比傳輸電容器5的電容C₂(例如，包括在0.01pF和50pF之間)大得多；此外，例如由氧化物-氮化物-氧化物(ONO)電介質制成的存儲電容器2的電介質層的厚度(例如，包括在和之間)大于由隧道氧化物制成的傳輸電容器5(例如，包括在和之間)的相應厚度。

基本上，存儲電容器2的功能一方面是使LTC級1能夠具有良好的耦合系數(shù)以支持福勒-諾得海姆(Fowler-Nordheim)機制(隧道效應)用于設置和復位操作(電荷在浮置節(jié)點4中的存儲和電荷從浮置節(jié)點4的移除)，而另一方面是構成時間常數(shù)中電容的最重要部分。傳輸電容器5的功能是實現(xiàn)電荷向浮置節(jié)點4的注入或電荷從浮置節(jié)點4的提取，以總類似于對于非易失性存儲器的浮柵端子所發(fā)生的方式，浮置節(jié)點4特別地通過隧道效應也耦合到存儲電容器2。

例如在相應電介質層的厚度方面，每個基本放電單元8具有的特性比如是具有隨時間的不可忽略的經(jīng)由相應的電介質空間的電荷泄漏。此外，由不同的基本放電單元8共同限定的放電元件6的總電阻非常高，例如為TΩ或PΩ的量級。

放電元件6的功能是以足夠長的時間間隔(數(shù)分鐘或數(shù)小時的量級)以受控方式對存儲在由存儲電容器2和傳輸電容器5的并聯(lián)構成的電容器中的電荷進行放電。

在使用中，在LTC級1中，可以設想以下操作：

編程操作，所謂的設置操作，其用于通過在第一偏置端子3a和第二偏置端子3b之間施加例如為正值的高電位差，對存儲電容器2中的電荷進行初始化，以及隨之發(fā)生的通過傳輸電容器5的電荷注入；例如，在第一偏置端子3a上施加高正電壓+HV(例如，經(jīng)由電荷泵級，相對于邏輯電源電壓的升壓)，并且在第二偏置端子3b上施加高負電壓-HV；

通過在第一偏置端子3a和第二偏置端子3b之間施加高電位差(例如負值)，對存儲在存儲電容器2中的電荷進行復位或擦除的操作，以及隨之發(fā)生的通過傳輸電容器5的電荷提取；例如，在第一偏置端子3a上施加高負電壓-HV，在第二偏置端子3b上施加高正電壓+HV；和

通過檢測浮置節(jié)點4上或一個或多個中間節(jié)點N_i上的電壓，在存儲于存儲電容器2中的電荷(在先前的編程操作中被存儲)的放電期間對存儲電容器2中存在的剩余電荷的讀取操作；該放電通過放電元件6發(fā)生，其中第一偏置端子3a和第二偏置端子3b設置為接地，放電時間常數(shù)RC是放電元件6的電阻與存儲電容器2和傳輸電容器5(它們并聯(lián)連接在一起并連接到放電元件6)的總電容的乘積。

如圖2中更詳細地示出的，LTC級1的讀取電路9包括操作為比較器的運算放大器10(特別是運算跨導放大器-OTA)，運算放大器10具有第一輸入端子10a、第二輸入端子10b和輸出10c，第一輸入端子10a例如負輸入端子被連接到浮置節(jié)點4，第二輸入端子10b在該例子中為正輸入端子，接收具有適當值(以本身已知的方式從電源電壓產(chǎn)生)的比較參考電壓V_x，以及輸出10c提供輸出電壓V_out，輸出電壓V_out的值指示存儲電容器2中的剩余電荷。

特別地，如果浮置節(jié)點4上的讀取電壓V_L與比較參考電壓V_x具有給定關系(例如，低于或高于相同的比較參考電壓V_x)，則可以認為存儲電容器2的放電已完成(例如，為了對由于檢測到攻擊企圖而先前已被阻塞的電子設備解除阻塞的目的)。

因此，選擇比較參考電壓V_x的值，以便也根據(jù)在編程步驟結束時(或在讀取步驟開始時)由浮置節(jié)點4上的讀取電壓V_L呈現(xiàn)的值來設置放電間隔的期望持續(xù)時間。

類似地，如在前述圖1中示意性地示出的，可以提供另一比較器級(由10_i表示)，其被連接到一個或多個中間節(jié)點N_i，以便檢測中間節(jié)點N_i上的電壓并將其與相應的參考電壓進行比較。

本申請人已經(jīng)認識到，讀取LTC級1中的剩余電荷的操作有許多問題，這可能使其實施變得困難。

首先，正電荷(在這種情況下，放電從正讀取電壓演變到地)和負電荷(在這種情況下，放電從負讀取電壓演變到地)都可以被存儲在電容器2中。實際上，出于可靠性的原因，通?？赡苄枰鎯υ诖鎯﹄娙萜?中的電荷也是負的。

因此，讀取電路9還需要能夠利用負讀取電壓V_L進行操作，如上述圖2中所示，這勢必使得運算放大器10具有第一電源輸入10d和第二電源輸入10e，它們分別接收正電源電壓V_cc(>0)和負電源電壓Vss(<0)。另外，參考電壓V_x也應該能夠呈現(xiàn)負值(例如，為了它的生成需要特意提供的電荷泵級)。

一般來說，負讀取電壓V_L的存在因此導致電路復雜性的增加，以及集成實施例中的面積占用的相應增加，以及電功率消耗的增加。

此外，以已知的方式，設置負電路的需求(例如，用于生成負電壓參考值)需要在讀取操作執(zhí)行之前的延遲時間的增加，并且從而防止達到高的讀取速度。

影響讀取電路9的另一個問題與以下事實有關：當其所結合的電子設備關閉時(在所謂的“斷電”狀況下)，例如在連接到偏置端子3a、3b的偏置電路(在此為已知類型，未示出)內(nèi)，可以生成對地的放電路徑(例如，通過MOS晶體管的結的泄露路徑構成)；這些放電路徑可以影響LTC級1的放電時間常數(shù)RC，從而修改它。事實上，由所述替代的泄漏放電路徑構成的對地電阻通常可以與LTC級1的放電元件6的電阻相當。

基本上，由于在斷電狀況下的上述替代的泄漏放電路徑，可能出現(xiàn)時間常數(shù)的值的顯著擴展。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是至少部分地解決上述問題，特別地是提供一種用于LTC級的改進的讀取電路，其具有改進的電性能。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種讀取電路。該讀取電路包括用于時間間隔的測量的電荷保持電路級，所述電荷保持電路級具有：存儲電容器，所述存儲電容器被連接在第一偏置端子和浮置節(jié)點之間；和放電元件，所述放電元件被連接在所述浮置節(jié)點和參考端子之間，并且被設計成通過經(jīng)由相應的電介質的泄漏來實施存儲在所述存儲電容器中的電荷的放電。所述讀取電路還包括：運算放大器，所述運算放大器具有連接到所述浮置節(jié)點并被設計成接收讀取電壓的第一輸入端子，被設計成接收參考電壓的第二輸入端子，和被設計成在其上提供輸出電壓的輸出端子，所述輸出電壓的值取決于所述讀取電壓和所述參考電壓之間的比較并且指示在所述存儲電容器在其放電期間的剩余電荷。所述讀取電路還包括：移位級，所述移位級被配置成在執(zhí)行所述讀取電壓和所述參考電壓之間的比較之前，執(zhí)行所述浮置節(jié)點的所述讀取電壓的值的移位以提供所述輸出電壓，所述輸出電壓指示所述存儲電容器在其放電期間的所述剩余電荷。

在一個實施例中，所述移位級被配置成將所述讀取電壓從負值移位到正值。

在一個實施例中，所述移位級包括：生成器級，所述生成器級被配置成產(chǎn)生移位電壓；和切換級，所述切換級被配置成在指示所述存儲電容器中的剩余電荷的讀取步驟開始的讀取控制信號的切換時，接收所述移位電壓并將所述第一偏置端子和所述第二偏置端子的電壓從參考電壓切換到所述移位電壓。

在一個實施例中，讀取電路還包括：第一開關元件，所述第一開關元件被連接在所述第一偏置端子和所述參考端子之間并由所述讀取控制信號驅動；和第二開關元件，所述第二開關元件被連接在所述第二偏置端子和所述參考端子之間并由所述讀取控制信號驅動。

在一個實施例中，所述移位電壓具有的值加上所述讀取電壓在所述讀取步驟開始時呈現(xiàn)的初始值得到正電壓值。

在一個實施例中，所述移位電壓具有滿足以下表達式的值：V_L0+V_R<V_x<V_R。其中，V_L0是所述讀取電壓在所述讀取步驟開始時呈現(xiàn)的值，V_R是所述移位電壓的值，而V_x是所述參考電壓的值。

在一個實施例中，所述運算放大器具有被設計成接收正電源電壓的第一電源輸入和被設計成接收所述接地電壓的第二電源輸入，所述運算放大器因此被設計成在正電壓范圍內(nèi)操作。

在一個實施例中，所述電荷保持電路級還包括連接在第二偏置端子和所述浮置節(jié)點之間的傳輸電容器；其中，所述傳輸電容器被設計成通過隧道效應將電荷注入所述存儲電容器或從所述存儲電容器提取電荷。

在一個實施例中，讀取電路還包括：第一放電電阻器，所述第一放電電阻器被連接在所述第一偏置端子和被設置在所述接地電壓的接地節(jié)點之間；和第二放電電阻器，所述第二放電電阻器被連接在所述第二偏置端子和所述接地節(jié)點之間，其中，所述第一放電電阻器和所述第二放電電阻器的電阻值低于所述放電元件的相應電阻值。

在一個實施例中，讀取電路還包括連接在所述參考端子和所述接地節(jié)點之間的第三放電電阻器；其中，所述第三放電電阻器的電阻值比所述放電元件的相應電阻值低至少一個數(shù)量級。

在一個實施例中，所述移位級包括：切換級，所述切換級被配置成接收正偏置電壓和負偏置電壓，并且將所述第一偏置端子和所述第二偏置端子的相應的偏置電壓切換到所述正偏置電壓的值或所述負偏置電壓的值，以便將電荷注入所述存儲電容器或從所述存儲電容器提取電荷。

根據(jù)本實用新型的另一方面，提供一種電子設備。該電子設備包括控制單元、被操作地耦合到所述控制單元的非易失性類型的存儲器和根據(jù)前述權利要求中任一項所述的讀取電路，所述讀取電路被操作地耦合到所述控制單元以用于測量時間間隔；其中，所述時間間隔對應于所述電子設備的操作暫停的間隔。

根據(jù)本實用新型的方案，可以提供一種用于LTC級的改進的讀取電路和相應的電子設備，其具有改進的電性能。

附圖說明

為了更好地理解本實用新型，現(xiàn)在僅通過非限制性示例并參考附圖來描述本實用新型的優(yōu)選實施例，其中：

-圖1示出了已知類型的LTC級的電路圖；

-圖2示出了與圖1的LTC級相關聯(lián)的讀取電路，該讀取電路也是已知類型；

-圖3示出了根據(jù)本解決方案的一個實施例的用于LTC級的讀取電路；

-圖4示出了在讀取操作狀況下的圖3的讀取電路；和

-圖5是根據(jù)本解決方案的另一方面的結合了LTC級和相應的讀取電路的電子設備的一般框圖。

具體實施方式

圖3示出了用于LTC級的讀取電路19，再次由1表示，其如前所述包括(并且如在上述US 2015/0043269 A1中詳細描述的)：存儲電容器2，其被連接在第一偏置端子3a和浮置節(jié)點4之間，第一偏置端子3a被設置在第一偏置電壓V1處使用；傳輸電容器5，其被連接在第二偏置端子3b與浮置節(jié)點4之間，第二偏置端子3b被設置在第二偏置電壓V2處使用；以及放電元件6，其被連接在同一浮置節(jié)點4和參考端子7之間，并且由多個基本放電單元8形成，該多個基本放電單元8串聯(lián)在一起并且在它們之間限定內(nèi)部節(jié)點N_i。

讀取電路19包括操作為比較器的運算放大器20(特別是運算跨導放大器-OTA)，其具有第一輸入端子20a、第二輸入端子20b以及輸出20c，第一輸入端子20a例如為負輸入端子連接到浮置節(jié)點4，第二輸入端子20b在該示例中為正輸入端子，接收具有適當值的比較參考電壓V_x，以及輸出20c提供比較電壓V_out，比較電壓V_out的值指示存儲電容器2中的剩余電荷。運算放大器20還具有接收讀使能信號EN的使能輸入20d。

特別地，在這種情況下，運算放大器20包括第一電源輸入20e和第二電源輸入20f，第一電源輸入20e接收例如為3.5V的正電源電壓V_cc(>0)，第二電源輸入20f接收接地電壓gnd。根據(jù)本解決方案的特定方面，運算放大器20被配置成只在正電壓范圍內(nèi)操作并且不接收任何負電源電壓。

因此，比較參考電壓V_x也具有適當?shù)恼担錆M足以下關系：0<V_x<V_cc。

讀取電路19還包括：

第一開關元件22，其被連接在第一偏置端子3a和參考端子7之間，并且由讀取控制信號S_R(例如，從其中使用了LTC級1的電子設備的控制單元接收，圖中未示出)驅動；

第二開關元件23，其被連接在第二偏置端子3b和參考端子7之間，并由相同的讀取控制信號S_R驅動；

生成器級24，被配置成例如從正電源電壓V_cc開始產(chǎn)生具有適當正值(如下文詳細描述)的移位電壓V_R；和

電壓切換級26，其具有第一電壓輸入26a和第二電壓輸入26b、第三電壓輸入26c、第四電壓輸入26d以及控制輸入26e，第一電壓輸入26a和第二電壓輸入26b分別從高壓生成器級27(已知類型，例如電荷泵的類型)接收高正電壓+HV和高負電壓-HV，第三電壓輸入26c被連接到生成器級24并接收移位電壓V_R，第四電壓輸入26d接收接地電壓gnd，以及控制輸入26e接收讀取控制信號S_R；電壓切換級26還具有分別連接到第一偏置端子3a和第二偏置端子3b的第一輸出26f和第二輸出26g，在讀取電路19的操作狀況期間(如下文詳細描述的)電壓切換級26向第一偏置端子3a和第二偏置端子3b提供適當?shù)钠秒妷褐?V₁和V₂)。

特別地，使能信號EN相對于控制信號S_R被便利地定時，例如用已被同步的切換生成，或者相對于控制信號S_R的切換具有適當?shù)臅r間延遲。

讀取電路19還包括：

第一放電電阻器28，其被連接在第一偏置端子3a和設置成接地電壓gnd的接地節(jié)點N_g之間；

第二放電電阻器29，其被連接在第二偏置端子3b和接地節(jié)點N_g之間；和

第三放電電阻器30，其被連接在參考端子7和接地節(jié)點N_g之間。

特別地，第一放電電阻器28、第二放電電阻器29和第三放電電阻器30的電阻值比放電元件7的電阻低得多，例如低了至少一個數(shù)量級，例如數(shù)兆歐的量級。

在使用中，在用于存儲電容器2中的電荷的初始化的編程(設置)操作期間，電壓切換級26例如分別將第一偏置電壓V₁和第二偏置電壓V₂送至高正電壓+HV和高負電壓-HV。此外，讀取控制信號S_R確定第一開關元件22和第二開關元件23的斷開。

在存儲電容器2中存儲的電荷的復位或擦除的操作期間，電壓切換級26例如分別將第一偏置電壓V₁和第二偏置電壓V₂置于高負電壓-HV和高正電壓+HV。讀取控制信號S_R再次確定第一開關元件22和第二開關元件23的斷開。

在編程和擦除的兩個操作步驟中，第一放電電阻器28、第二放電電阻器29和第三放電電阻器30的電阻值高到足以防止高電壓生成器級27(和相應的電荷泵電路)造成的不期望的電流消耗。

接下來，在通過放電元件6對存儲電容器2中存儲的電荷進行放電期間，電壓切換級26再一次確定第一開關元件22和第二開關元件23的斷開。

根據(jù)本解決方案的特定方面，如圖4所示，通過檢測浮置節(jié)點4上的讀取電壓V_L來讀取存儲電容器2中存在的剩余電荷的操作設想讀取控制信號S_R確定第一開關元件22和第二開關元件23的閉合(因此使第一偏置端子3a和第二偏置端子3b短路)，并且進一步地，電壓開關級26將第一偏置電壓V₁和第二偏置電壓V₂兩者都置于移位電壓V_R。應當注意，在這種情況下，通過讀取控制信號S_R的切換來確定讀取步驟的開始。

因此，讀取電壓V_L瞬時增加等于移位電壓V_R的值，呈現(xiàn)遞增后的值：V_L+V_R。

特別地，移位電壓V_R的值被選擇成使得呈現(xiàn)在編程步驟結束時初始電壓值V_L0例如為負并且等于-1.5V，則滿足以下關系：

V_L0+V_R>0

例如，移位電壓V_R的值為2.5V，并且遞增后的值最初為1V(如前述的圖4所示)。

因此，生成器級24和電壓切換級26共同操作為用于移位浮置節(jié)點4的讀取電壓V_L的級，以在執(zhí)行與比較參考電壓V_x的比較之前將相同的讀取電壓V_L置于正值(并且在運算放大器接受的操作電壓范圍內(nèi))，并且因此提供對存儲電容器2中的剩余電荷的指示。

此外，選擇比較參考電壓V_x的值，使得以下關系(在初始電壓V_L0具有負值的情況下有效)被滿足：

V_L0+V_R<V_x<V_R

應當注意，有利地，這種方式中的運算放大器20僅在輸入端子20a、20b處具有正電壓的情況下工作。

在存儲電容器2的放電期間，在負電荷已經(jīng)被存儲在相同的存儲電容器2中的假設下，讀取電壓V_L從初始值V_L0變?yōu)榈?。因此，遞增后的值V_L+V_R從初始值V_L0+V_R演變?yōu)橐莆浑妷篤_R的值。

當該遞增后的值超過比較參考電壓V_x的值時，運算放大器20的輸出切換或觸發(fā)，并且比較電壓V_out呈現(xiàn)指示放電步驟結束的值(例如，高值)。

特別地，通過運算放大器20在使能輸入20d處接收的讀使能信號EN來使能讀操作。

應當注意，因此可以以適當?shù)姆绞竭x擇比較參考電壓V_x的值，以調節(jié)存儲電容器2的放電步驟的期望持續(xù)時間，比較參考電壓V_x的該值因此表示運算放大器20的觸發(fā)閾值。

所提出的解決方案的優(yōu)點從前面的描述中清楚地顯現(xiàn)出來。

在任何情況下，再次強調的是讀取電路19允許解決先前所突出的問題，只要：

它實現(xiàn)了僅以正電壓操作的運算放大器20的使用，從而防止需要為了產(chǎn)生負參考值而特意提供電路，并且進一步防止相關的讀延遲；和

由于向接地端子引入有效的放電電阻路徑，它特別是在斷電期間降低了放電時間常數(shù)的值的擴展。

在這方面，應當注意，在斷電狀況下，有利地，第一放電電阻器28和第二放電電阻器29的存在確保了從偏置端子3a、3b到地的有效放電路徑的存在。特別地，該放電路徑防止了可能改變放電時間常數(shù)RC的值的替代放電泄漏路徑的形成。

相反，放電電阻器28，29的電阻值使得不改變放電時間常數(shù)RC的值，該電阻值實際上大大低于放電元件6的電阻值。

基本上，所描述的解決方案實現(xiàn)了LTC級1的讀取操作的性能和可靠性的提高。

因此，前述特性使得在電子設備40中使用LTC級1和相關聯(lián)的讀取電路19，例如用于圖5中示意性示出的安全應用。

電子設備40包括：例如為微處理器或微控制器類型的控制單元41，控制單元41監(jiān)控電子設備40的一般操作；以及非易失性類型的存儲器42，其可操作地耦合到控制單元41。

控制單元41還包括LTC級1和相關聯(lián)的電子接口電路44，其包括讀取電路19和另外的偏置電路(這里未示出)。

特別地，在檢測到外部電子設備46的攻擊企圖之后(例如，在檢測到對存儲在存儲器42中的信息的未授權訪問之后)，控制單元41可以確定電子設備40的阻塞狀態(tài)?？刂茊卧?1還可以例如以規(guī)則的間隔讀取存儲在LTC級1的存儲電容器2中的剩余電荷，以便在預設持續(xù)時間的等待間隔(如上所述，這可以經(jīng)由比較參考電壓V_x的值適當?shù)卣{節(jié))結束時確定從阻塞狀態(tài)的退出。

電子設備40可以有利地集成在便攜式移動通信裝置(未示出)或可穿戴設備中，便攜式移動通信裝置諸如蜂窩電話、智能電話、個人數(shù)字助理(PDA)、具有語音記錄能力的數(shù)字音頻播放器、照相機或視頻攝像機、用于視頻游戲的控制器等，可穿戴設備比如智能手表或電子手鐲。

最后，很清楚，可以對本文所描述和示出的內(nèi)容進行修改和變化，而不脫離如所附權利要求中限定的本實用新型的范圍。

例如，顯然的是，為在讀取電路19中起作用的電壓而指出的數(shù)值應當被理解為純粹作為示例提供，因為不同的值可以以等效的方式根據(jù)特定的操作要求而存在。

此外，LTC級1和相應的讀取電路19可以用在不同的電子設備中，通常用于安全應用。在任何情況下，可以設想其他使用，例如在對多媒體內(nèi)容的訪問權限的定時管理領域中。