專(zhuān)利名稱(chēng)：采用cmos技術(shù)中電流模式技術(shù)的精確電壓/電流參考電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)溫度和功率電源電壓的變化不敏感的精確電壓/電流參考電路。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及采用CMOS技術(shù)中電流模式技術(shù)的電壓/電流參考電路。
背景技術(shù)：
圖1是用于CMOS模擬/混合信號(hào)芯片的常規(guī)單片帶隙電壓參考電路100的電路圖。電壓參考電路100包括PMOS晶體管101-102，運(yùn)算放大器105，電阻器111-113和PNP雙極型晶體管121-122，其連接如圖所示。電阻器111，112和113的阻值分別位R1，R2和R3。輸入到運(yùn)算放大器的“+”和“-”輸入端的輸入電壓分別表示為輸入電壓V+和V-。雙極型晶體管121基射極的電壓設(shè)計(jì)為VBE1，雙極型晶體管122基射極的電壓設(shè)計(jì)為VBE2。因此，輸入電壓V-等于VBE1。迫使輸入電壓V+和V-相等，使得輸入電壓V+也等于VBE1。
電阻器113上的電壓降設(shè)計(jì)為ΔVBE，且因此可采用以下的定義ΔVBE＝VBE1-VBE2(1)隨后，流過(guò)電阻器113的電流可以采用以下的定義I113＝ΔVBE/R3 (2)因此，電阻器112的電壓降(即，V112)可以采用以下的定義I112＝I113×R2＝ΔVBE×R2/R3 (3)于是，該參考電壓VFRE1可以定義成VREF1＝VBE1+ΔVBE×R2/R3 (4)電壓ΔVBE正比于閾值電壓VT。電壓VBE1具有大約-2mV/℃的負(fù)溫度系數(shù)，而VT具有0.086mV/℃的正溫度系數(shù)。因此，VFRE1的溫度變量可以得到R2/R3比例的補(bǔ)償。
圖2是應(yīng)用于CMOS模擬/混合信號(hào)芯片的另一常規(guī)單片帶隙電壓參考電路200的電路圖。電壓參考電路200包括PMOS晶體管201-203，運(yùn)算放大器205，電阻器211-214，以及NPN雙極型晶體管221-222，其連接如圖所說(shuō)明。PMOS晶體管201-203具有相同的尺寸。流過(guò)PMOS晶體管201，202和203分別設(shè)計(jì)成I1，I2和I3。電阻器211，212，213和214分別具有電阻R1，R2，R3和R4。電阻R1等于電阻R2。輸入到運(yùn)算放大器的“+”和“-”輸入端的輸入電壓分別標(biāo)記為輸入電壓V+和V-。雙極型晶體管221的基射極電壓設(shè)計(jì)成VBE1，雙極型晶體管222的基射極電壓設(shè)計(jì)成VBE2。因此，輸入電壓V-等于VBE1。運(yùn)算放大器205迫使輸入電壓V+和V-相等，從而使得輸入電壓V+也相等于VBE1。
因?yàn)镻MOS晶體管201-203是相同的，并且R1等于R2，所以電流I1，I2和I3是相互相等的。
I1＝I2＝I3(5)由于電壓V+等于電壓V-，所以流過(guò)電阻器211(即，I1B)的電流等于流過(guò)電阻器212(即，I2B)。
I1B＝I2B(6)因此，流過(guò)雙極型晶體管221(即，I1A)等于流過(guò)電阻器213和雙極型晶體管222的電流(即，I2A)。
I1A＝I2A(7)流過(guò)電阻器213的電流I2A可以作以下定義。該電流I2A正比于閾值電壓VT。
I2A＝ΔVBE/R3 (8)流過(guò)電阻器212的電流I2B可以作以下定義。該電流I2B正比于VBE1。
I2B＝VBE1/R2 (9)因此，電流I3可以作以下定義。
I3＝I2＝I2A+I2B(10)因此，輸出參考電壓VREF2等于電流I3×R4，可以作以下定義。
VREF2＝R4×(ΔVBE/R3+VBE1/R2) (11)正如以上所討論的，電壓ΔVBE正比于閾值電壓VT，該閾值電壓VT具有0.086mV/℃正的溫度系數(shù)，而電壓VBE1具有大約-2mV/℃的負(fù)溫度系數(shù)。因此，VREF2的溫度變量可以得到R1，R2和R3電阻比例的補(bǔ)償。
圖3是說(shuō)明在晶體管201-203的柵極從0伏到3伏的模擬DC電壓擺動(dòng)(線(xiàn)301)，和運(yùn)算放大器205的最終輸出電壓(線(xiàn)302)的圖形300。在該模擬中，運(yùn)算放大器205的輸出端并沒(méi)有連接PMOS晶體管201-203的柵極。圖形300說(shuō)明了在運(yùn)算放大器205的輸出等于施加在晶體管201-203柵極的電壓的情況下，存在著三個(gè)交叉點(diǎn)，A，B和C。于是，對(duì)參考電路200來(lái)說(shuō)，就有三種可能的穩(wěn)態(tài)操作條件。然而，這些操作條件中只有一個(gè)(交點(diǎn)A)表示為參考電路200所要求的操作條件。根據(jù)在電流I1和I2或者電阻R1和R2之間的不匹配的情況，參考電路200可以或者不可以在所要求的操作狀態(tài)中中止。
此外，正如以上所討論的，參考電路100和200都是電壓參考。如果需要電流參考時(shí)，一般都需要采用電壓到電流的轉(zhuǎn)換電路，其中參考電壓施加在電阻器上，從而產(chǎn)生所對(duì)應(yīng)的參考電流IREF。然而，這類(lèi)電阻器具有正的溫度系數(shù)。于是，即使參考電壓對(duì)溫度不是很敏感，但由于溫度與電阻器無(wú)關(guān)，所以參考電流仍會(huì)隨著溫度的變化而變化。電阻器的處理變量使電流參考精確度等級(jí)的主要因素。
因此，要求參考電路具有產(chǎn)生對(duì)溫度和功率電源電壓的變化都不敏感的參考電壓和參考電流的功能。還要求該參考電流具有單一穩(wěn)態(tài)的操作點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種參考電路，它包括呈現(xiàn)出第一基射極電壓VBE1的第一雙極型晶體管，和呈現(xiàn)出第二基射極電壓VBE2的第二雙極型晶體管，其中，VBE1大于VBE2。電壓VBE1施加在第一電阻器的一端，而電壓VBE2施加在第一電阻器的另一端，使得VBE1-VBE2的電壓施加在第一電阻器上。第一電阻器具有電阻值R1，使得流過(guò)該第一電阻器的第一電流等于(VBE1-VBE2)/R1。
此外，電壓VBE1也施加在第二電阻器上。第二電阻器具有電阻R2，使得流過(guò)該第二電阻器的第二電流等于VBE1/R2。
所構(gòu)成的第一MOS晶體管向第一和第二電阻器提供第一和第二電流。因此，第一MOS晶體管所攜帶的電流等于第一和第二電流之和，或者(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2。第二MOS晶體管具有關(guān)于第一晶體管的電流鏡結(jié)構(gòu)，直接提供等于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的參考電流。通過(guò)適當(dāng)?shù)倪x擇電阻R1和R2的比例，參考電流就能夠?qū)囟群凸β孰娫措妷旱淖兓幻舾小?br> 第三晶體管具有關(guān)于第一晶體管的電流鏡結(jié)構(gòu)，向電阻為R3的第三電阻器提供了等于參考電流(即，(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2)。該第三電阻器與呈現(xiàn)出第三基射極電壓VBE3的第三雙極型晶體管相串聯(lián)。因此，第三電阻器和第三雙極型晶體管的電壓降等于VBE3+(R3×(VBE1-VBE2)/R1+R3×VBE1/R2)。該電壓降可作為參考電壓使用。通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇電阻R1，R2和R3的比例，可以使得參考電壓對(duì)溫度和功率電源電壓的變化不敏感。此外，通過(guò)適當(dāng)選擇電阻R1，R2和R3的比例，可以將電壓和電流參考電路控制成具有單一的穩(wěn)態(tài)操作點(diǎn)。
通過(guò)以下討論和附圖將更全面的理解本發(fā)明。


圖1是應(yīng)用于CMOS模擬/混合信號(hào)芯片的常規(guī)單片帶隙電壓參考電路的電路圖。
圖2是另一常規(guī)帶隙電壓參考電路的電路圖。
圖3是說(shuō)明圖2所示電壓參考電路的晶體管柵極的模擬DC電壓擺動(dòng)的圖形。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的單片帶隙電壓和電流參考電流的電路圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的單片帶隙電壓和電流參考電路的電路圖。
圖6是說(shuō)明圖5所示電壓和電流參考電路的晶體管柵極的模擬DC電壓擺動(dòng)的圖形。
具體實(shí)施例方式
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的單片帶隙電壓和電流參考電路400的電路圖。電壓/電流參考電路400可以應(yīng)用于，例如，在CMOS模擬/混合信號(hào)芯片中。
電壓參考電路400包括PMOS晶體管401-404，運(yùn)算放大器405，電阻器411-414，和PNP雙極型晶體管421-423。PMOS晶體管401-404的尺寸是相同的。PMOS晶體管401-404源極都耦合著VDD電壓電源端。PMOS晶體管401和402漏極耦合著運(yùn)算放大器405的“-”和“+”輸入端。施加到運(yùn)算放大器405“-”和“+”輸入端的輸入電壓分別標(biāo)記為“V-”和“V+”。運(yùn)算放大器405的輸出端耦合著PMOS晶體管401-404的柵極。流過(guò)PMOS晶體管401，402，403和404的電流分別設(shè)計(jì)成I1，I2，IREF和IUNIT。這些電流都相互相等。
I1＝I2＝IREF＝IUNIT(12)電阻器411和PNP雙極型晶體管421并行耦合在PMOS晶體管401和VSS(接地)電壓電源端之間。PNP雙極型晶體管421的基極也耦合著VSS(接地)電壓電源端。雙極型晶體管421的基射極電壓設(shè)計(jì)成電壓VBE1。因此，輸入電壓V-等于VBE1。運(yùn)算放大器405迫使輸入電壓V-和V+相等，使得PMOS晶體管402漏極的輸入電壓V+也等于VBE1。流過(guò)PNP雙極型晶體管421和電阻器411的電流分別設(shè)計(jì)成I1A和I1B。值得注意的是，電流I1，I1A和I1B呈現(xiàn)著下列關(guān)系I1＝I1A+I1B(13)電阻器412和一系列電阻器413的組合以及PNP雙極型晶體管422以并行的方式耦合在PMOS晶體管402和VSS電壓電源端之間。PNP雙極型晶體管422的基極也耦合著VSS電壓電源端。雙極型晶體管422的基射極電壓設(shè)計(jì)成電壓VBE2。流過(guò)電阻器413和PNP雙極型晶體管422的電流設(shè)計(jì)成電流I2A。流過(guò)電阻器412的電流設(shè)計(jì)成電流I2B。值得注意的是，電流I2，I2A和I2B呈現(xiàn)出以下關(guān)系I2＝I2A+I2B(14)電阻器413具有電阻為R，以及電阻器411和412各自具有電阻為(R×N)，其中N為整數(shù)。
電阻器414和PNP雙極型晶體管423串聯(lián)耦合在PMOS晶體管403和VSS電壓電源端之間。PNP雙極型晶體管423的基極也耦合著SS電壓電源端。雙極型晶體管423的基射極電壓設(shè)計(jì)成電壓VBE3。電阻器414是帶隙參考電阻器，它具有設(shè)計(jì)成RBGR的電阻并構(gòu)成提供參考電壓VBRF4。PMOS晶體管403的漏極連接著電阻器414。
參考電路400以下列方式工作。正如上述討論的，運(yùn)算放大器405迫使電壓迫使輸入電壓V-和V+相等(即，VBE1)。因此，流過(guò)電阻器411的電流I1B和流過(guò)電阻器412的電流I2B可以定義為I1B＝I2B＝VBE1/(R×N)(15)組合上述等式(12)，(13)，(14)和(15)提供以下電流關(guān)系。
I1A＝I2A(16)在電阻器413上的電壓降為ΔVBE，且可以定義為ΔVBE＝V+-VBE2＝VBE1-VBE2(17)因此，流過(guò)電阻器413的電流I2A可以定義成I2A＝ΔVBE/R(18)從等式(14)，(15)和(18)中可以得到電流I2定義為I2＝ΔVBE/R+VBE1/(R×N)(19)其中，ΔVBE項(xiàng)可以具有正的溫度系數(shù)，而VBE1項(xiàng)具有負(fù)的溫度系數(shù)，以及電阻R具有正的溫度系數(shù)。因此，電流I2的溫度變化可以由電阻器的比例N來(lái)補(bǔ)償。該電流I2鏡像PMOS晶體管404，產(chǎn)生參考電流IUNIT。于是，PMOS晶體管404直接提供了所需要的參考電流IUNIT，該電流對(duì)溫度的變化是不敏感的。值得注意的是，電阻器比例N可選擇用于補(bǔ)償電流的溫度變化，而不再是電壓。因此，電流參考IUNIT可以直接產(chǎn)生。
電路400也能夠產(chǎn)生參考電壓VREF4。參考電壓VREF4可以定義為VREF4＝VBE3+IREF×RBGR(20)因?yàn)殡娏鱅REF等于I2，等式(20)就可以寫(xiě)成VREF4＝VBE3+[ΔVBE/R+VBE1/(R×N)]×RBGR(21)VREF4＝VBE3+RBGR×ΔVBE/R+RBGR×VBE1/(R×N)(22)因?yàn)棣BE具有負(fù)的溫度系數(shù)和RBGR具有正的溫度系數(shù)，當(dāng)適當(dāng)?shù)剡x擇了電阻器的比例N時(shí)，參考電壓VREF4可以與溫度無(wú)關(guān)。然而，參考電壓VREF4是由電阻比例RBGR/R所確定的，這就不再會(huì)受到阻值精度的明顯影響。采用上述方式，PNP雙極型晶體管423和帶隙參考電阻器414能夠產(chǎn)生對(duì)溫度變化不敏感的電壓參考VREF4。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的單片帶隙電壓和電流參考電路500的電路圖。電壓和電流參考電路500可以應(yīng)用于，例如，在CMOS模擬/混合信號(hào)芯片中。
因?yàn)殡妷汉碗娏鲄⒖茧娐?00類(lèi)似于電壓和電流參考電路400(圖4)，所以在圖4和圖5中的類(lèi)似元件都采用類(lèi)似的參考數(shù)值來(lái)標(biāo)記。于是，電壓和電流參考電路500包括PMOS晶體管401-404，運(yùn)算放大器405，電阻器411和413-414以及PNP雙極型晶體管421-423，這些元件采用圖4已經(jīng)討論過(guò)的連接方式相連接。此外，電壓參考電路500包括電阻器512，它取代了電壓電流參考電路400的電阻器412。電阻器512具有的阻值等于(R×N/2)。于是，電阻器512具有等于電阻器412的一半的阻值。正如以下更詳細(xì)的討論那樣，這樣有助于確保參考電路500只具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)操作的條件。
參考電路500采用類(lèi)似于參考電路400的方式工作，但具有以下所不同的地方。正如以上所討論的，運(yùn)算放大器405迫使電壓V+和V-相等(即，VBE1)。因此，流過(guò)電阻器512的電流I2B可定義為I2B‘＝2×VBE1/(R×N)(23)流過(guò)電阻器413的電流I2A可定義為(見(jiàn)上述等式(18))I2A＝ΔVBE/R (24)從上述等式(23)和(24)中可以得出，流過(guò)PMOS晶體管402的電流I2可以定義為I2‘＝ΔVBE/R+2×VBE1/(R×N)(25)電流I2‘反射到晶體管404形成參考電流IUNIT‘。ΔVBE項(xiàng)具有正的溫度系數(shù)，而VBE1項(xiàng)可具有負(fù)的溫度系數(shù)以及電阻R具有正的溫度系數(shù)。因此，電流IUNIT‘的溫度變化可以由電阻器比例N來(lái)補(bǔ)償。于是，電流IUNIT‘對(duì)溫度的變化并不敏感。值得注意的是，所選擇的電阻器比例N可以用于補(bǔ)償電流的溫度變化，而不是電壓。因此，電流參考IUNIT‘可以直接產(chǎn)生。
電路500也能夠產(chǎn)生參考電壓VREF5。參考電壓VREF5可以定義為VREF5＝VBE3+IREF’×RBGR(26)因?yàn)殡娏鱅REF’等于電流I2‘’，所以等式(26)可以再寫(xiě)成VREF5＝VBE3+[ΔVBE/R+2×VBE1/(R×N)]×RBGR(27)VREF5＝VBE3+RBGR×ΔVBE/R+2RBGR×VBE1/(R×N)(28)因?yàn)棣BE具有負(fù)的溫度系數(shù)和RBGR具有正的溫度系數(shù)，當(dāng)適當(dāng)?shù)剡x擇了電阻器的比例N時(shí)，參考電壓VREF5可以與溫度無(wú)關(guān)。然而，參考電壓VREF5是由電阻比例RBGR/R所確定的，這就不再會(huì)受到阻值精度的明顯影響。采用上述方式，PNP雙極型晶體管423和帶隙參考電阻器414能夠產(chǎn)生對(duì)溫度變化不敏感的電壓參考VREF5。
圖6是說(shuō)明晶體管401-404柵極從0伏到3伏模擬電壓擺動(dòng)(線(xiàn)601)和運(yùn)算放大器405的最終輸出(線(xiàn)602)的圖形600。在該模擬中，運(yùn)算放大器405的輸出端并沒(méi)有連接PMOS晶體管401-403的柵極。圖形600說(shuō)明了在運(yùn)算放大器405的輸出等于施加在晶體管401-403柵極的電壓的情況下，存在著一個(gè)交叉點(diǎn)，D，即，運(yùn)算放大器405的輸出等于施加在晶體管401-404柵極的電壓。于是，對(duì)參考電路500來(lái)說(shuō)，只有一種可能的穩(wěn)態(tài)操作條件，從而確保了該電路能中止在所要求的工作狀態(tài)中。采用這種方式，電阻器512避免了圖3中所說(shuō)明的啟動(dòng)問(wèn)題，是的參考電路500只具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)條件。
采用上述方式，參考電路400和500都能提供電流和電壓參考。兩個(gè)電路都對(duì)溫度和功率電源電壓的變化不敏感。這類(lèi)電路的典型變化是小于+/-10％，這是受到處理變化的限制。這就對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的參考電路100和200作出了改進(jìn)，現(xiàn)有技術(shù)常呈現(xiàn)出與參考電流相關(guān)的+/-30％的變化。
雖然已經(jīng)結(jié)合幾個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了討論，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不限制于所披露的實(shí)施例，對(duì)業(yè)內(nèi)的技術(shù)人士來(lái)說(shuō)，它可以具有各種改進(jìn)。于是，本發(fā)明僅僅只受附加權(quán)利要求的限制。
權(quán)利要求
1.一種電流參考電路，其特征在于，它包括第一雙極型晶體管，它呈現(xiàn)出第一電壓降VBE1；第二雙極型晶體管，它呈現(xiàn)出第二電壓降VBE2；第一電阻器，它具有電阻R1，所構(gòu)成的第一電阻器使第一電流正比于(VBE1-VBE2)/R1；第二電阻器，它具有電阻R2，所構(gòu)成的第二電阻器使第二電流正比于VBE1/R2；構(gòu)成第一晶體管，以提供第一和第二電流；采用第一晶體管的電流鏡電路構(gòu)成的第二晶體管，其中，第二晶體管提供正比于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的參考電流。
2.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，進(jìn)一步包括采用第一晶體管的電流鏡電路構(gòu)成的第三晶體管，其中，第三晶體管提供正比于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的參考電流；具有電阻R3的第三晶體管；以及呈現(xiàn)出第三電壓降VBE3的第三雙極型晶體管，其中，第三電阻器和第三雙極型晶體管以于第三晶體管串聯(lián)的方式相連接，使得在第三電阻器和第三雙極型晶體管兩端的電壓降正比于VBE3+R3[(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2]。
3.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，電阻R1大于電阻R2。
4.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，第一電壓降VBE1大于第二電壓降VBE2。
5.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管都是PNP雙極型晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，第一和第二晶體管都是P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。
7.如權(quán)利要求1所述的電流參考，其特征在于，進(jìn)一步包括第三電阻器，它具有電阻R3且與第一雙極型晶體管并聯(lián)耦合，所述第三電阻器構(gòu)成了使第三電流正比于VBE1/R3；構(gòu)成向第三電阻器和第一雙極型晶體管提供電流的第三晶體管；以及運(yùn)算放大器，它具有與第一和第三晶體管的漏極相耦合的輸入端，并且其輸出端與第一、第二和第三晶體管的柵極相耦合。
8.如權(quán)利要求7所述的電流參考，其特征在于，第二電阻R2等于第三電阻R3。
9.如權(quán)利要求8所述的電流參考，其特征在于，第一電阻R1小于第二電阻R2和第三電阻R3。
10.如權(quán)利要求7所述的電流參考，其特征在于，第二電阻R2小于第三電阻R3。
11.一種電流參考電路，其特征在于，它包括運(yùn)算放大器，它具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端；第一晶體管，它具有與第一電源電源端相耦合的源極、與運(yùn)算放大器的輸出端相耦合的柵極以及與運(yùn)算放大器的第一輸入端相耦合的漏極；第二晶體管，它具有與第一電源電源端相耦合的源極、與運(yùn)算放大器的輸出端相耦合的柵極以及與運(yùn)算放大器的第二輸入端相耦合的漏極；第一電阻器，它耦合在第一晶體管的漏極和第二電壓電源端之間；第一雙極型晶體管，它耦合在第一晶體管的漏極和第二電壓電源端之間，其中，第一雙極型晶體管的基極與第二電壓電源端相耦合；第二電阻器，它耦合在第二晶體管的漏極和第二電壓電源端之間；第三電阻器，它與第二晶體管的漏極相耦合；第二雙極型晶體管，它串聯(lián)耦合在第三電阻器和第二電壓電源端之間，第二雙極型晶體管具有與第二電壓電源端相耦合的基極；以及第三晶體管，它具有與第一電壓電源端相耦合的源極、與運(yùn)算放大器的輸出端相耦合的柵極，以及所構(gòu)成的漏極提供參考電流。
12.如權(quán)利要求11所述的電流參考電路，其特征在于，進(jìn)一步包括第四晶體管，它具有與第一電壓電源端相耦合的源極，與運(yùn)算放大器的輸出端相耦合的柵極和漏極；第四電阻器，它與第四晶體管的漏極相耦合，且構(gòu)成提供參考電壓；以及，第三雙極型晶體管，其中，第四電阻器和第三雙極型晶體管串聯(lián)耦合在第四晶體管的漏極和第二電壓電源端之間，第三雙極型晶體管具有與第二電壓電源端相耦合的基極。
13.如權(quán)利要求12所述的電流參考電路，其特征在于，第一電阻器的電阻比第三電阻器的電阻大N倍。
14.如權(quán)利要求13所述的電流參考電路，其特征在于，第二電阻器的電阻等于第一電阻器的電阻。
15.如權(quán)利要求13所述的電流參考電路，其特征在于，第二電阻器的電阻小于第一電阻器的電阻。
16.如權(quán)利要求11所述的電流參考電路，其特征在于，第一雙極型晶體管呈現(xiàn)出的基射極電壓大于第二雙極型晶體管呈現(xiàn)出的基射極電壓。
17.一種產(chǎn)生參考電流的方法，其特征在于，該方法包括產(chǎn)生正比于在第一雙極型晶體管的基射極電壓和第二雙極型晶體管的基射極電壓之間差異的第一電流；產(chǎn)生正比于第一雙極型晶體管的基射極電壓的第二電流；以及產(chǎn)生等于第一電流和第二電流之和的參考電流。
18.一種產(chǎn)生參考電流的方法，其特征在于，該方法包括將表示為第一雙極型晶體管基射極電壓的第一電壓施加于第一電阻器，從而產(chǎn)生第一電流；將第二電壓施加于第二電阻器，從而產(chǎn)生第二電流，其中，第二電壓可表示為在第一電壓和第三電壓之間的差異，其中，第三電壓可表示為第二雙極型晶體管的基射極電壓；提供等于第一電流和第二電流之和的參考電流。
19.如權(quán)利要求18所述方法，其特征在于，提供參考電流的步驟包括提供流過(guò)第一MOS晶體管的第一電流和第二電流；以及監(jiān)視從第一MOS晶體管流到第二MOS晶體管的電流。
20.如權(quán)利要求18所述方法，其特征在于，進(jìn)一步包括提供等于流過(guò)第三電阻器的參考電流的第三電流，從而產(chǎn)生第四電阻器上的電壓降；以及將該電壓降加到表示第三雙極型晶體管的基射極電壓的第四電壓上，從而產(chǎn)生參考電壓。
全文摘要
一種電壓/電流參考電路包括第一雙極型晶體管各第二雙極型晶體管，它們分別呈現(xiàn)出第一電壓降V
文檔編號(hào)G05F3/30GK1581008SQ0315409
公開(kāi)日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2003年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月15日
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