專利名稱：含有穩(wěn)定操作的調(diào)壓器的供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如在液晶顯示(LCD)裝置中使用的供電電路。
背景技術(shù)：
一般而言，在含有LCD面板、數(shù)據(jù)線(信號線)驅(qū)動電路和柵線(掃描線)驅(qū)動電路的LCD裝置中，提供供電電路來向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路和柵線驅(qū)動電路供應調(diào)節(jié)電壓。
在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路中，向其供應的調(diào)節(jié)電壓無需很高；但是，需要有高電流驅(qū)動能力。因此，調(diào)節(jié)電壓例如從2·VDD得到，其中，VDD是供電電壓。另一方面，在柵線驅(qū)動電路中，向其供應的調(diào)節(jié)電壓無需高電流驅(qū)動能力；但是，調(diào)節(jié)電壓是足夠高的電壓且是足夠低的電壓。因此，調(diào)節(jié)電壓例如從4·VDD和(-2)·VDD得到。這將在下面得到詳細的解釋。
現(xiàn)有技術(shù)的供電電路由下述所構(gòu)成升壓電路，用于接收供電電壓VDD，以生成4倍的升壓電壓4·VDD、2倍的升壓電壓2·VDD和(-2)倍的升壓電壓(-2)·VDD；第一調(diào)壓器，由4倍的升壓電壓與地電壓供電，以生成第一調(diào)節(jié)電壓；第二調(diào)壓器，由2倍的升壓電壓與地電壓供電，以生成第二調(diào)節(jié)電壓；以及第三調(diào)壓器，由地電壓與(-2)倍的升壓電壓供電。這將在下面得到詳細的解釋。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)的供電電路中，第一調(diào)壓器中的兩個供電電壓之間的壓差是4·VDD，第二調(diào)壓器中的兩個供電電壓之間的壓差是2·VDD，以及第三調(diào)壓器中的兩個供電電壓之間的壓差是2·VDD。因而，所有的第一、第二和第三調(diào)壓器并不能總是得到穩(wěn)定的操作，或者一些調(diào)壓器的可靠性可能會下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠穩(wěn)定操作其調(diào)壓器并改善其可靠性的供電電路。
根據(jù)本發(fā)明，供電電路由升壓電路和多個調(diào)壓器構(gòu)成，其中，升壓電路用于接收輸入DC電壓來生成多個輸出DC電壓，每個調(diào)壓器由從輸出DC電壓與地電壓的組合中選擇的兩個電壓供電。所述調(diào)壓器中的每一個中的兩個電壓之間的壓差基本相同，以穩(wěn)定地操作調(diào)壓器。


參考附圖，將能從下面對比現(xiàn)有技術(shù)的描述中更加清楚的理解本發(fā)明，在附圖中圖1是示出了向其應用了供電電路的現(xiàn)有LCD裝置的方框圖；圖2是圖1的供電電路的方框圖；圖3是圖2的升壓電路的電路圖；圖4、5和6是圖2的調(diào)壓器的電路圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第一實施例的方框圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第二實施例的方框圖；以及圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第三實施例的方框圖。
具體實施例方式
在描述優(yōu)選實施例之前，參考圖1、2、3、4、5和6對現(xiàn)有技術(shù)的供電電路進行解釋說明。
在示出了向其應用了現(xiàn)有技術(shù)的供電電路的現(xiàn)有LCD裝置的圖1中，參考數(shù)字100表示具有例如240×3×320個點的LCD面板101的玻璃襯底。在這種情況中，LCD面板101包括720(240×3)個數(shù)據(jù)線(或信號線)DL和320個柵線(或掃描線)GL。位于數(shù)據(jù)線DL與柵線GL之間的一個像素由一個薄膜晶體管Q、一個像素電容器C和一個液晶單元CC構(gòu)成。向像素電容器C和液晶單元CC施加公共電壓VCOM。
提供數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102來驅(qū)動這720個數(shù)據(jù)線DL，而提供柵線驅(qū)動電路103來驅(qū)動這320個柵線GL。
另外，供電電路104向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102供應調(diào)節(jié)電壓VR2且向柵線驅(qū)動電路103供應調(diào)節(jié)電壓VR1和VR3。
此外，控制電路105對數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102、柵線驅(qū)動電路103和供電電路104進行控制。在這種情況中，控制電路105生成水平時鐘信號HCK、水平開始脈沖信號HST、8位的數(shù)據(jù)信號D1、D2、……、D8等，并把它們發(fā)送至數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102。另外，控制電路105生成垂直時鐘信號VCK、垂直開始脈沖信號VST等，并把它們發(fā)送至柵線驅(qū)動電路103。此外，控制電路105生成兩個互補時鐘信號φ和/φ，并把它們發(fā)送至供電電路104。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102、柵線驅(qū)動電路103、供電電路104和控制電路105由大規(guī)模集成(LSI)電路構(gòu)成，其通過玻璃上芯片(Chips-on-glass，COG)工藝或玻璃上系統(tǒng)(system-on-glass，SOG)工藝被組裝在LCD面板101的玻璃襯底100上，以降低制造成本。
在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102中，每個數(shù)據(jù)線DL上的被施加到像素電容器C和液晶單元CC上的數(shù)據(jù)電壓無需很高；但是，對于每個數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)電壓則需要高電流驅(qū)動能力，以對像素電容器C和液晶顯示單元CC進行充電和放電。因此，供應給數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路102的調(diào)節(jié)電壓VR2是例如從2·VDD得到的電壓。
另一方面，在柵線驅(qū)動電路103中，由于向TFT Q的柵施加每個柵線QL上的選擇電壓，所以無需高電流驅(qū)動能力；但是，每個柵線GL上的選擇電壓比TFT Q的閾值電壓高到足以接通TFT Q，而每個柵線GL上的非選擇電壓比相應的數(shù)據(jù)線上的電壓低到足以斷開TFT Q。因此，用作選擇電壓的調(diào)節(jié)電壓VR1是例如從4·VDD得到的電壓，而調(diào)節(jié)電壓VR3是例如從(-2)·VDD得到的電壓。
在示出了圖1的供電電路104的詳細電路圖的圖2中，升壓電路1使用時鐘信號φ和/φ來接收供電電壓VDD，以生成的4·VDD、2·VDD和(-2)·VDD的電壓。
調(diào)壓器2由電壓4·VDD與地電壓GND供電，以生成調(diào)節(jié)電壓VR1。同樣，調(diào)壓器3由電壓2·VDD與地電壓GND供電，以生成調(diào)節(jié)電壓VR2。此外，調(diào)壓器4由地電壓GND和與電壓(-2)·VDD供電，以生成調(diào)節(jié)電壓VR3。
在圖2中，參考電壓Vref例如是供電電壓VDD。
在作為圖2的升壓電路1的詳細電路圖的圖3中，升壓電路1由下述的電路構(gòu)成2倍的電荷泵電路1-1，用于接收由時鐘信號φ和/φ定時鐘的電壓VDD，以生成2·VDD的電壓；2倍的電荷泵電路1-2，用于接收來自2倍的電荷泵電路1-1的由時鐘信號φ和/φ定時鐘的電壓2·VDD，以生成4·VDD；以及(-1)倍的電荷泵電路1-3，用于接收來自2倍的電荷泵電路1-1的電壓2·VDD，以生成(-2)·VDD的電壓。
2倍的電荷泵電路1-1由下述所構(gòu)成由時鐘信號φ定時鐘的充電開關(guān)111及112、由時鐘信號/φ定時鐘的升壓開關(guān)113及由時鐘信號/φ定時鐘的輸出開關(guān)114、升壓電容器115以及平滑電容器116。首先，當時鐘信號φ和/φ分別為高和低時，開關(guān)111及112被接通且開關(guān)113及114被斷開，因此，電容器115在VDD上充電。接下來，當時鐘信號φ和/φ分別為低和高時，開關(guān)111及112被斷開且開關(guān)113及114被接通，因此，電壓VDD被添加到電容器115的輸出電壓VDD上，從而生成了2·VDD。
2倍的電荷泵電路1-2由下述所構(gòu)成由時鐘信號φ定時鐘的充電開關(guān)121及122、由時鐘信號/φ定時鐘的升壓開關(guān)123及由時鐘信號/φ定時鐘的輸出開關(guān)124、升壓電容器125以及平滑電容器126。首先，當時鐘信號φ和/φ分別為高和低時，開關(guān)121及122被接通且開關(guān)123及124被斷開，因此，電容器125在2·VDD上充電。接下來，當時鐘信號φ和/φ分別為低和高時，開關(guān)121及122被斷開且開關(guān)123及124被接通，因此，電壓2·VDD被添加到電容器125的輸出電壓電壓2·VDD上，從而生成了4·VDD。
2倍的電荷泵電路1-3由下述所構(gòu)成由時鐘信號φ定時鐘的充電開關(guān)131及132、由時鐘信號/φ定時鐘的降壓開關(guān)133及由時鐘信號/φ定時鐘的輸出開關(guān)134、升壓電容器135以及平滑電容器136。首先，當時鐘信號φ和/φ分別為高和低時，開關(guān)131及132被接通且開關(guān)133及134被斷開，因此，電容器135在2·VDD上充電。接下來，當時鐘信號φ和/φ分別為低和高時，開關(guān)131及132被斷開且開關(guān)133及134被接通，因此，從電容器135的地電壓GND減去電壓2·VDD，從而生成了(-2)·VDD。
在圖3中，開關(guān)111、112、113、114、121、122、123、124、131、132、133和134可以由N溝道MOS晶體管形成。另外，如果開關(guān)111、112、121、122、131和132由N溝道MOS晶體管形成且開關(guān)113、114、123、124、133和134由P溝道MOS晶體管形成，則時鐘信號φ和/φ替換為單個時鐘信號φ。
在示出了圖2(參見JP-A-2002-189454的圖7)的調(diào)壓器的詳細電路圖的圖4中，調(diào)壓器2是差分放大器型的調(diào)壓器，其由下述所構(gòu)成由N溝道MOS晶體管21及22形成的差分對、形成電流鏡像電路且連接至由P溝道MOS晶體管23及24所形成的差分對的負載電路、用于生成調(diào)節(jié)電壓VR1的輸出P溝道MOS晶體管25以及其柵接收恒定偏置電壓VB1且由N溝道MOS晶體管26及27所形成的恒定電流源。晶體管26及27分別被連接至差分對(21，22)和晶體管25。另外，向晶體管21的柵施加參考電壓Vref，而向晶體管22的柵施加由晶體管28及29所分配的調(diào)節(jié)電壓VR1的電壓。在這種情況中，圖4的調(diào)壓器2由其壓差是4·VDD的電壓4·VDD與地電壓GND供電。因此，如果P溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthp限定且N溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthn限定，則壓差4·VDD需要大于3·Vth，其中|Vthp|＝Vthn＝Vth，以使調(diào)壓器2的操作能夠穩(wěn)定進行，從而獲得了下述結(jié)果Vref＝(R29/(R28+R29))·VR1∴VR1＝((R28+R29)/R29)·Vref(1)其中，R28和R29分別是電阻器28和29的電阻值。
在示出了圖2的調(diào)壓器3的詳細電路圖的圖5中，調(diào)壓器3具有與圖4的調(diào)壓器2類似的結(jié)構(gòu)。即，調(diào)壓器3由下述所構(gòu)成由N溝道MOS晶體管31及32形成的差分對、形成電流鏡像電路且連接至由P溝道MOS晶體管33及34所形成的差分對的負載電路、用于生成調(diào)節(jié)電壓VR2的輸出P溝道MOS晶體管35以及其柵接收恒定偏置電壓VB2且由N溝道MOS晶體管36及37所形成的恒定電流源。晶體管36及37分別被連接至差分對(31，32)和晶體管35。另外，向晶體管31的柵施加參考電壓Vref，而向晶體管32的柵施加由晶體管38及39所分配的調(diào)節(jié)電壓VR2的電壓。在這種情況中，圖5的調(diào)壓器3由其壓差是2·VDD的電壓2·VDD與地電壓GND供電。因此，如果P溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthp限定且N溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthn限定，則壓差2·VDD需要大于3·Vth，其中|Vthp|＝Vthn＝Vth，以使調(diào)壓器3的操作能夠穩(wěn)定進行，從而獲得了下述結(jié)果Vref＝(R39/(R38+R39))·VR2∴VR2＝((R38+R39)/R39)·Vref(2)其中，R38和R39分別是電阻器38和39的電阻值。
在示出了圖2的調(diào)壓器4的詳細電路圖的圖6中，調(diào)壓器4是差分放大器型的調(diào)壓器，其由下述所構(gòu)成由P溝道MOS晶體管41及42形成的差分對、形成電流鏡像電路且連接至由N溝道MOS晶體管43和44所形成的差分對的負載電路、用于生成調(diào)節(jié)電壓VR3的輸出N溝道MOS晶體管45以及其柵接收恒定偏置電壓VB3且由N溝道MOS晶體管46及47所形成的恒定電流源。晶體管46及47分別被連接至差分對(41，42)和晶體管45。另外，向晶體管41的柵施加地電壓GND，而向晶體管42的柵施加由晶體管48及49所分配的參考電壓Vref與調(diào)節(jié)電壓VR3的電壓。在這種情況中，圖6的調(diào)壓器4由其壓差是2·VDD的地電壓與電壓(-2)·VDD供電。因此，如果P溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthp限定且N溝道MOS晶體管的閾值電壓由Vthn限定，則壓差2·VDD需要大于3·Vth，其中|Vthp|＝Vthn＝Vth，以使調(diào)壓器4的操作能夠穩(wěn)定進行，從而獲得了下述結(jié)果Vref＝(R49/(R48+R49))·(VR3-Vref)∴VR1＝(R48+2·R49)/R49·Vref(3)其中，R48和R49分別是電阻器48和49的電阻值。
例如，電阻器28、29、38、39、48和49的電阻值R28、R29、R38、R39、R48和R49被調(diào)節(jié)為滿足下面的表達式VR1＝2·VR2VR3＝-VR2因此，在圖2中，調(diào)壓器2由大電壓差4·VDD供電，調(diào)壓器3由小電壓差2·VDD供電，以及調(diào)壓器4由小電壓差2·VDD供電。
因此，如果調(diào)壓器2的MOS晶體管的閾值電壓與調(diào)壓器3和4的閾值電壓相同，則MOS晶體管的閾值電壓的絕對值需要小到足以操作由小電壓差2·VDD供電的調(diào)壓器3和4的MOS電阻器。但是，一般而言，在MOS晶體管中，閾值電壓的絕對值越小，則擊穿電壓也越小。因而，由大電壓差4·VDD所供電的調(diào)壓器2的MOS晶體管容易發(fā)生故障，從而降低了可靠性。
請注意，由于在圖1的LCD面板101中使用的TFT一般具有大的絕對閾值電壓，所以具有這么小的絕對閾值電壓的MOS晶體管不能被替換為TFT，其會提高圖1的LCD裝置的制造成本。
請注意，調(diào)壓器2的MOS晶體管的絕對閾值電壓可以高于調(diào)壓器3和4的閾值電壓，從而改善調(diào)壓器2的擊穿特性；但是，這會提高制造成本。
在示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第一實施例的圖7中，圖2的調(diào)壓器3由電壓2·VDD和電壓(-2)·VDD供電，且圖2的調(diào)壓器4由電壓2·VDD與電壓(-2)·VDD供電。即調(diào)壓器2、3和4都由大電壓差4·VDD供電。
因此，可以增大調(diào)壓器2、3和4的MOS晶體管的絕對閾值電壓，以操作MOS晶體管，從而提高了擊穿電壓。另外，在這種情況中，由于MOS晶體管可以替換為具有大絕對閾值電壓的TFT，所以降低了圖1的LCD裝置的制造成本。請注意，圖1的升壓電路也可以由TFT形成，其進一步降低了圖1的LCD裝置的制造成本。
在示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第二實施例的圖8中，圖2的調(diào)壓器2由電壓4·VDD和電壓2·VDD供電。即調(diào)壓器2、3和4都由小電壓差2·VDD供電。
因此，可以降低調(diào)壓器2、3和4的MOS晶體管的絕對閾值電壓，以操作MOS晶體管。在這種情況中，擊穿電壓被降低；但是，由于調(diào)壓器2、3和4都由小電壓差供電，所以這不會造成什么問題。
在示出了根據(jù)本發(fā)明的供電電路的第三實施例的圖9中，未使用圖7的調(diào)節(jié)電壓VR1和VR3；直接向圖1的柵線驅(qū)動電路103施加電壓4·VDD和電壓(-2)·VDD。即，在柵線驅(qū)動電路103中，無需如上面所解釋的高電流驅(qū)動能力，并且另外，功耗很小且所供應的電流的波動也很小。因此，柵線GL可以直接由電壓4·VDD和(-2)·VDD供電。
因此，在圖9中，由于不必使用圖7的調(diào)壓器2和4，所以能夠降低圖1的LCD裝置的制造成本。
如上所解釋，根據(jù)本發(fā)明，可以穩(wěn)定地操作所有調(diào)壓器并且還能夠改善可靠性。
權(quán)利要求
1.一種供電電路，包括升壓電路(1)，用于接收輸入DC電壓(VDD)來生成多個輸出DC電壓；以及多個調(diào)壓器(2，3，4)，每個調(diào)壓器由從所述輸出DC電壓與地電壓的組合中選擇的兩個電壓供電，所述調(diào)壓器中的每一個中的兩個電壓之間的壓差基本相同，以穩(wěn)定地操作所述調(diào)壓器。
2.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其中，所述升壓電路包括多個電荷泵電路(1-1，1-2，1-3)，每個均用于生成所述輸出DC電壓中的一個。
3.如權(quán)利要求2所述的供電電路，其中，所述電荷泵電路包括MOS晶體管。
4.如權(quán)利要求2所述的供電電路，其中，所述電荷泵電路包括薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其中，所述調(diào)壓器中的每一個包括由MOS晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
6.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其中，所述調(diào)壓器中的每一個包括由薄膜晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
7.一種供電電路，包括升壓電路(1)，用于接收供電電壓(VDD)，以生成第一升壓電壓、低于所述第一升壓電壓且高于地電壓的第二升壓電壓、以及低于地電壓的第三升壓電壓；第一調(diào)壓器(2)，由所述第一升壓電壓與地電壓供電，以生成第一調(diào)節(jié)電壓(VR1)；第二調(diào)壓器(3)，由所述第二升壓電壓與所述第三升壓電壓供電，以生成第二調(diào)節(jié)電壓(VR2)；以及第三調(diào)壓器(4)，由所述第二升壓電壓與第三升壓電壓供電，以生成第三調(diào)節(jié)電壓(VR3)。
8.如權(quán)利要求7所述的供電電路，其中，所述升壓電路包括第一電荷泵電路(1-1)，用于接收所述供電電壓，以生成所述第二升壓電壓；第二電荷泵電路(1-2)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第一升壓電壓；以及第三電荷泵電路(1-3)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第三升壓電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的供電電路，其中，所述第一電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第二電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第三電荷泵電路包括(-1)倍的電荷泵電路。
10.如權(quán)利要求8所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括MOS晶體管。
11.如權(quán)利要求8所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括薄膜晶體管。
12.如權(quán)利要求7所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三調(diào)壓器中的每一個包括由MOS晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
13.如權(quán)利要求7所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三調(diào)壓器中的每一個包括由薄膜晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
14.如權(quán)利要求7所述的供電電路，其中，所述第二調(diào)節(jié)電壓被供應至液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(102)且所述第一和第三調(diào)節(jié)電壓被供應至所述液晶顯示裝置的柵線驅(qū)動電路(103)。
15.一種供電電路，包括升壓電路(1)，用于接收供電電壓(VDD)，以生成第一升壓電壓、低于所述第一升壓電壓且高于地電壓的第二升壓電壓、以及低于地電壓的第三升壓電壓；第一調(diào)壓器(2)，由所述第一升壓電壓與所述第二升壓電壓供電，以生成第一調(diào)節(jié)電壓(VR1)；第二調(diào)壓器(3)，由所述第二升壓電壓與地電壓供電，以生成第二調(diào)節(jié)電壓(VR2)；以及第三調(diào)壓器(4)，由地電壓與第三升壓電壓供電，以生成第三調(diào)節(jié)電壓(VR3)。
16.如權(quán)利要求15所述的供電電路，其中，所述升壓電路包括第一電荷泵電路(1-1)，用于接收所述供電電壓，以生成所述第二升壓電壓；第二電荷泵電路(1-2)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第一升壓電壓；以及第三電荷泵電路(1-3)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第三升壓電壓。
17.如權(quán)利要求16所述的供電電路，其中，所述第一電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第二電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第三電荷泵電路包括(-1)倍的電荷泵電路。
18.如權(quán)利要求16所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括MOS晶體管。
19.如權(quán)利要求16所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括薄膜晶體管。
20.如權(quán)利要求15所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三調(diào)壓器中的每一個包括由MOS晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
21.如權(quán)利要求15所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三調(diào)壓器中的每一個包括由薄膜晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
22.如權(quán)利要求15所述的供電電路，其中，所述第二調(diào)節(jié)電壓被供應至液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(102)且所述第一和第三調(diào)節(jié)電壓被供應至所述液晶顯示裝置的柵線驅(qū)動電路(103)。
23.一種供電電路，包括升壓電路(1)，用于接收供電電壓(VDD)，以生成第一升壓電壓、低于所述第一升壓電壓且高于地電壓的第二升壓電壓、以及低于地電壓的第三升壓電壓；以及調(diào)壓器(3)，由所述第二升壓電壓與所述第三升壓電壓供電，以生成調(diào)節(jié)電壓(VR2)，所述調(diào)節(jié)電壓被供應至液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(102)，所述第一和第三升壓電壓被供應至所述液晶顯示裝置的柵線驅(qū)動電路(103)。
24.如權(quán)利要求23所述的供電電路，其中，所述升壓電路包括第一電荷泵電路(1-1)，用于接收所述供電電壓，以生成所述第二升壓電壓；第二電荷泵電路(1-2)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第一升壓電壓；以及第三電荷泵電路(1-3)，其連接至所述第一電荷泵電路，用于接收所述第二升壓電壓，以生成所述第三升壓電壓。
25.如權(quán)利要求24所述的供電電路，其中，所述第一電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第二電荷泵電路包括2倍的電荷泵電路，所述第三電荷泵電路包括(-1)倍的電荷泵電路。
26.如權(quán)利要求24所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括MOS晶體管。
27.如權(quán)利要求24所述的供電電路，其中，所述第一、第二和第三電荷泵電路包括薄膜晶體管。
28.如權(quán)利要求23所述的供電電路，其中，所述調(diào)壓器包括由MOS晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
29.如權(quán)利要求23所述的供電電路，其中，所述調(diào)壓器包括由薄膜晶體管所構(gòu)成的差分放大器。
全文摘要
一種供電電路由升壓電路(1)和多個調(diào)壓器構(gòu)成(2，3，4)，其中，升壓電路用于接收輸入DC電壓(V
文檔編號G05F1/56GK1622435SQ20041004317
公開日2005年6月1日 申請日期2004年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月13日
發(fā)明者野中義弘 申請人:日本電氣株式會社, 恩益禧電子股份有限公司