專利名稱：用于給雙線線路供電的阻抗匹配供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于給雙線線路供電的阻抗匹配供電電路，更具體地涉及一種多通道供電電路，用于給通信網(wǎng)絡(luò)中的用戶設(shè)備供電。
背景技術(shù)：
典型的電話網(wǎng)絡(luò)通常由雙線線路配置，該雙線線路用于給連接的終端供電和傳送信號。為了操作用戶端上的網(wǎng)絡(luò)終端，甚至比較新的ISDN系統(tǒng)也需要在交換端提供電力。提供給雙線線路的供電電壓通常是100伏，該電壓和相應(yīng)的電流由交換機(jī)提供。
當(dāng)供電時，對于最大電流和形成雙線線路的兩條線的對稱性有特殊的要求。為了滿足所有的技術(shù)要求，相關(guān)的供電電路必須限制注入相應(yīng)用戶回路的電流。
典型用于供電的電路如圖3中所示。
圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于給雙線用戶線路TL供電的電路結(jié)構(gòu)IPC。此時，雙線線路TL的第一線路接點(diǎn)OUT1’通過第一電阻R1接地GND。第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’通過晶體管T1的可控路徑D-S以及通過第二電阻R4連接到供電電壓電位VBAT。晶體管T1具有源極、漏極、本體(bulk)和柵極接點(diǎn)G、S、B、D，該漏極接點(diǎn)D與第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’連接，本體和源極接點(diǎn)B、S與第二電阻R4連接。設(shè)備還包括運(yùn)算放大器(OP1)，其具有兩個輸入端E1、E2和輸出端A。輸出端A連接到晶體管T1的柵極接點(diǎn)G。設(shè)定電位VR1提供給第一輸入端E1，第二輸入端E2連接到晶體管T1的源極接點(diǎn)S和第二電阻R4之間的電路節(jié)點(diǎn)K上。
通常，第一和第二電阻R1、R4，晶體管T1和運(yùn)算放大器OP1一體化形成，實(shí)際的雙線線路TL通過各電阻R2、R3連接到供電電路IPC。在ISDN應(yīng)用系統(tǒng)中，注入用戶回路TL的電流強(qiáng)度必須被限制到大約50mA。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電路IPC的情況中，通過將控制電壓施加給晶體管的柵極接點(diǎn)G來控制晶體管T1的溝道電阻，這是有效的。在此，所述的控制電壓由運(yùn)算放大器OP1提供，該放大器在線路節(jié)點(diǎn)K接收晶體管T1可控路徑D-S間的壓降作為輸入信號，并且將其與設(shè)定電位VR1作比較。
在電話線路網(wǎng)絡(luò)的情況下，具體地，對于當(dāng)前電流的對稱性附加有特殊要求。例如，接地GND和用戶線路的第一線路接點(diǎn)OUT1之間的阻抗等于用戶線路的第二線路接點(diǎn)OUT2和第二供電電壓電位VBAT之間的阻抗，是必需的。
在電話網(wǎng)絡(luò)中，第二供電電壓電位通常是-100伏。在ISDN中，連接各雙線線路的兩個阻抗必須盡可能精確地等于28Ω的絕對值。在此，根據(jù)系統(tǒng)需求，公差不得大于0.4Ω。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電路中，具體地如果因?yàn)闇系离娮璧臏囟纫蕾囆院椭圃旃钭柚沽嗽诳煽芈窂降南鄬Ω叩碾娮柚抵兴璧木軐ΨQ性，晶體管T1的溝道電阻而僅約為1Ω，則僅能夠得到相應(yīng)阻抗的對稱性。
由于在本例子中僅1Ω的低電阻是必要的，所以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電路裝置占用了非常大的芯片面積。具有低電阻的晶體管T1的比較大的尺寸還導(dǎo)致柵極和漏極或源極之間的高電容。因此，電流被限制得相對緩慢。因此，為了獲得阻抗對稱性所需的公差，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的這樣的基本電路的缺點(diǎn)具體在于緩慢的限流動作和在面積方面的高額費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供用于給雙線線路供電的供電電路，該供電電路必需在面積和電路方面的費(fèi)用低，并且關(guān)于形成雙線線路的各線路具有盡可能對稱的阻抗。
根據(jù)本發(fā)明，該目的通過用于給具有專利權(quán)利要求1特征的雙線線路供電的阻抗匹配供電電路來實(shí)現(xiàn)。
因此，提供一種用于給雙線線路供電的阻抗匹配供電電路，所述供電電路具有a)電阻，其連接在第一供電電壓電位和雙線線路的第一雙線線路接點(diǎn)之間；b)限流設(shè)備，其連接在雙線線路的第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間，并且基于可變的設(shè)定電位提供具有限制電流的雙線線路；c)該可變的設(shè)定電位由阻抗匹配設(shè)備基于參考電位和限流設(shè)備兩端下降的電壓而提供，該阻抗匹配設(shè)備連接在第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間；以及
d)限流設(shè)備和阻抗匹配設(shè)備的阻抗(其連接到第二雙線線路接點(diǎn))，實(shí)質(zhì)上與電阻的阻抗相同。
本發(fā)明供電電路的基本觀點(diǎn)是給具有可變設(shè)定電位的限流設(shè)備供電，該可變設(shè)定電位由阻抗匹配設(shè)備提供。因?yàn)槠渫瑯拥剡B接在第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間，所以該阻抗匹配設(shè)備以這樣的方式綜合連接的阻抗，即其對應(yīng)于連接在第一供電電壓電位和第一雙線線路接點(diǎn)之間的電阻。具體地，這種匹配或者綜合阻抗使得實(shí)際的限流設(shè)備被設(shè)計(jì)地更小成為可能，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，在實(shí)現(xiàn)中就面積來說，減少了費(fèi)用。
在本發(fā)明供電電路的一優(yōu)選實(shí)施例中，所述限流設(shè)備具有第一晶體管，其具有可控路徑和柵極接點(diǎn)，該可控路徑通過第一電阻連接在第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間；以及該限流設(shè)備具有第一差動放大器，其具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端。在此，該第一輸入端連接到設(shè)定電位，第二輸入端連接到第一晶體管的可控路徑和第一電阻之間的第一線路節(jié)點(diǎn)。該輸出端連接到第一晶體管的柵極接點(diǎn)。
在此優(yōu)選實(shí)施例中，限流設(shè)備實(shí)質(zhì)上對應(yīng)于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所知的功能元件。然而，本發(fā)明的阻抗匹配設(shè)備具體地使第一晶體管被設(shè)計(jì)為比現(xiàn)有技術(shù)供電電路中的小很多并且具有更高的電阻成為可能。這使得降低了對整個電路的空間要求。
在供電電路的另一優(yōu)選實(shí)施例中，阻抗匹配設(shè)備具有第二晶體管，其具有可控路徑和柵極接點(diǎn)，該可控路徑連接到第二電阻和第三電阻之間的第二線路節(jié)點(diǎn)，其中第二電阻連接到第二雙線線路接點(diǎn)，第三電阻連接到第二供電電壓電位。該阻抗匹配設(shè)備還具有第二差動放大器，其具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，該第一輸入端連接到第二線路節(jié)點(diǎn)，該第二輸入端連接到參考電位，輸出端連接到第二晶體管的柵極接點(diǎn)。在此，設(shè)定電位能夠在第二線路節(jié)點(diǎn)處分接。
在本發(fā)明的阻抗匹配設(shè)備中的這些附加元件以簡單的方式提供了在第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間的綜合阻抗。在該阻抗匹配設(shè)備中，晶體管、電阻和差動放大器的本發(fā)明的連接提供了特別可靠的綜合阻抗，其與第一電阻對稱。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，晶體管是常斷IGFET晶體管的形式。
在本發(fā)明供電電路的一優(yōu)選擴(kuò)展例中，供電電路完全地集成在芯片上。在此，特別是在集成在半導(dǎo)體芯片上的情況中，表現(xiàn)出本發(fā)明的供電電路的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樾纬奢^高值的晶體管溝道電阻的能力使得能夠在芯片上很緊湊的設(shè)計(jì)，這對于面積來說是有利的。
該雙線線路優(yōu)選地是電話線路。電阻可以優(yōu)選地以這樣的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，即連接到第一和第二雙線線路接點(diǎn)的阻抗分別為28歐姆。第一晶體管優(yōu)選地具有至少5歐姆的溝道電阻。如果電阻和晶體管的溝道電阻以這樣的方式來選擇，即流過雙線線路或用戶回路的電流至多是50mA，第一和第二供電電壓電位之間的電壓是100伏，這將是特別有利的。電阻、阻抗電壓和最大電流的這種選擇實(shí)質(zhì)上符合對ISDN供電電路的要求。
最后，供電電路通過相應(yīng)得分立耦合電阻(discrete coupling-in resistor)連接到各雙線線路接點(diǎn)。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選展開例中，提供一種具有多個本發(fā)明的阻抗匹配供電電路的多通道供電電路，該供電電路并聯(lián)連接，用于將限制電流提供給多個雙線線路。
那么，對于多通道供電電路特別有利的是完全地集成在芯片上，并且特別適合于在ISDN網(wǎng)絡(luò)中操作。具體地，晶體管的低費(fèi)用的優(yōu)點(diǎn)特別在用于大量用戶線路的集成供電電路IC中得到實(shí)現(xiàn)。


本發(fā)明進(jìn)一步的有利得改進(jìn)由從屬權(quán)利要求和下面根據(jù)附圖的各實(shí)施例的說明來體現(xiàn)，其中圖1示出了發(fā)明的供電電路的實(shí)施例；圖2示出了發(fā)明的多通二道供電電路的實(shí)施例；圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的供電電路。
在附圖中，除非特別說明，否則相同的或功能相同的元件具有相同的附圖標(biāo)記。
具體實(shí)施例方式
圖1示了發(fā)明的用于給雙線線路供電的阻抗匹配供電電路。
阻抗匹配供電電路11具有第一雙線線路接點(diǎn)OUT1’和第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’。在此考慮下，在實(shí)施例中該第一雙線線路接點(diǎn)OUT1’通過第一電阻1連接到接地的第一供電電壓電位GND。第一雙線線路接點(diǎn)OUT1’通過第一分立耦合電阻2連接到雙線線路TL的線路OUT1，第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’通過第二分立耦合電阻3連接到雙線線路TL的線路OUT2。
提供限流設(shè)備19，其連接在第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’和第二供電電壓電位VBAT(在這種情況下，其被設(shè)計(jì)為-100伏的電池電壓)之間，并且提供第一晶體管7的可控路徑D-S和第一電阻4。在此是MOSFET形式的第一晶體管7例如具有柵極接點(diǎn)G、漏極接點(diǎn)D、本體接點(diǎn)B和源極接點(diǎn)S。
限流設(shè)備19還具有第一運(yùn)算放大器9，其具有第一輸入端11、第二輸入端12和輸出端13。輸出端13連接到第一晶體管7的柵極接點(diǎn)G。施加給第一線路節(jié)點(diǎn)15(其位于第一晶體管7的可控路徑DS和第一電阻4之間)的電壓下降并且被引入到第一運(yùn)算放大器9的第二輸入端12。施加給第二線路節(jié)點(diǎn)14的設(shè)定電位VR1連接到第一運(yùn)算放大器9的第一輸入端11。
在第二線路節(jié)點(diǎn)14處的該可變設(shè)定電位VR1由阻抗匹配設(shè)備20提供。該阻抗匹配設(shè)備20具有第二電阻5和第三電阻6，它們串聯(lián)在第二雙線線路接點(diǎn)OUT2’和第二供電電壓電位VBAT之間。線路節(jié)點(diǎn)14位于第二和第三電阻5、6之間。在阻抗匹配設(shè)備20中，第二晶體管8的可控路徑D-S連接在第二線路節(jié)點(diǎn)14和第二供電電壓電位VBAT之間。該第二晶體管8具有柵極接點(diǎn)G、漏極接點(diǎn)D、本體接點(diǎn)B和源極接點(diǎn)S。
還提供第二運(yùn)算放大器10，其具有第一輸入端16、第二輸入端17和輸出端18。第二運(yùn)算放大器10的輸出端18連接到第二晶體管8的柵極接點(diǎn)G。第二運(yùn)算放大器10的第一輸入端16連接到第二線路節(jié)點(diǎn)14，并且參考電位VREF被引入到第二運(yùn)算放大器10的第二輸入端17。
在本發(fā)明的供電電路11中，第一晶體管7以這樣的方式由反饋電阻5、6驅(qū)動，即并非在第二接點(diǎn)OUT2’和第二供電電壓電位VBAT之間的可控路徑D-S的呈現(xiàn)得溝道電阻，而是綜合阻抗Rs＝(R5/R6)R4，Ri分別表示電阻i＝4、5、6的電阻值。
當(dāng)集成本發(fā)明的供電電路11時，相同類型的電阻優(yōu)選地用于第一電阻1和第一電阻4；這些例如是多晶硅電阻形式。能夠獲得的并且在GND和OUT1’或OUT2’之間以及VBAT和OUT2’或OUT2之間的供電電流中所需的對稱性，取決于電阻R5/R6和R1/R4的平衡。對于連接阻抗的這種對稱，分立的外部形成的電阻2、3不是決定性的。
當(dāng)本發(fā)明的供電電路11被用于給ISDN雙線線路供電時，電阻值Ri的一些合適的實(shí)例值在額定以下，i＝1、4、5、6。R5/R6＝2的比率和典型的R4＝4Ω導(dǎo)致8Ω的綜合阻抗Rs。因此，在雙線線路TL的OUT1、OUT2的兩個接點(diǎn)處，在這兩個接點(diǎn)處集成電阻和外部分立電阻的比例是恒定的，R1＝R4+Rs＝R4(1+R5/R6)也是匹配的。為了在寬的溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)這些條件，并且為了保持第一晶體管7、8制造公差的影響是可以接受的，第一晶體管7的可控路徑的額定溝道電阻或電阻必須僅約為5Ω。與現(xiàn)有技術(shù)相比，第一晶體管7僅占有先前所需面積的五分之一。因此，用于給雙線線路供電的整個電路裝置11的面積實(shí)際能夠減半。
除了阻抗匹配，本發(fā)明的供電電路11利用第二晶體管8和第二運(yùn)算放大器10，限制通過用戶回路TL的電壓或電流。第二晶體管8和第二運(yùn)算放大器10將第一運(yùn)算放大器9的第一(正)輸入端11的電壓限制為第二運(yùn)算放大器10第二(負(fù))輸入端17的參考電位VREF的值。因此，通過第一晶體管7可控路徑的最大電流被限制為值Imax＝VREF/R4。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，因?yàn)榈谝痪w管7的門-源極電容由于其面積小而非常小，所以用戶回路TL的電流限制響應(yīng)得非?？?。如果用戶回路中的負(fù)載電阻很快地出現(xiàn)故障或者在極端情況下如果短路，第一晶體管7因此被保護(hù)而不被熱損壞。
作為根據(jù)本發(fā)明所計(jì)算的綜合阻抗Rs的結(jié)果，第一晶體管7的制造公差能夠因此以改進(jìn)的方式被控制，晶體管能夠被設(shè)計(jì)得更小，并且一方面能夠因此在面積方面以更有利的方式集成，另一方面對電流限制具有更快的響應(yīng)動作。
圖2示出了本發(fā)明的擴(kuò)展。
描述了多通道供電電路21，所述電路具有多個本發(fā)明的阻抗匹配供電電路11-1、...、11-4，它們中的每個都提供有第一供電電壓電位GND，第二供電電壓電位VBAT和參考電位VREF。該多通道供電電路21被完全集成并且具有用于與雙線線路TL1-TLA連接的接點(diǎn)OUT-1、OUT-2、OUT-3、OUT-4。電話用戶線路TL1-TL4通過兩相應(yīng)得分立外部電阻2-1、...、2-4、3-1、...、3-4連接到這些接點(diǎn)OUT-1、...、OUT-4。
因?yàn)槎鄠€本發(fā)明的阻抗匹配供電電路11-1、...、11-4被用于本發(fā)明的多通道供電電路21中，在集成以形成多通道供電電路期間各供電電路的小空間需求(與現(xiàn)有技術(shù)相比)是特別明顯的。具有集成電路的這樣的模塊尤其適合用于給ISDN電話線路供電的交換中心。
雖然已經(jīng)參考具體實(shí)施例解釋了本發(fā)明，但是并不限制于此而是能夠進(jìn)行種種修改。因此，例如為了使用用于雙線電話線路、ISDN線路或其他通信網(wǎng)絡(luò)的供電電路，能夠根據(jù)需要選擇額定電壓、電流和電阻值。使用的第一和第二晶體管可以根據(jù)需要具體的以常斷IGFETS的形式、雙極性結(jié)構(gòu)或者利用其他MOS技術(shù)而設(shè)計(jì)。
總之，本發(fā)明提供了具有對稱電流限制的供電電路，利用根據(jù)本發(fā)明中對稱的阻抗該電路的阻抗精確地匹配。本發(fā)明的電路在面積方面也是特別有利的，并且由于所使用的元件數(shù)量少其能夠以簡單的方式生產(chǎn)。
附圖標(biāo)記列表GND，VABT供電電壓電位OUT1’，OUT2’，OUT1，OUT2雙線線路接點(diǎn)R1-R4 電阻TL 用戶線路A輸出端E1，E2 輸入端OP1 運(yùn)算放大器VR1 設(shè)定電位T1 晶體管D漏極接點(diǎn)B本體接點(diǎn)S源極接點(diǎn)G柵極接點(diǎn)K線路節(jié)點(diǎn)IPC 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的供電電路
1-6 電阻7，8 晶體管9，10 運(yùn)算放大器11，12輸入端13輸出端14，15線路節(jié)點(diǎn)16，17輸入端18輸出端19限流設(shè)備20阻抗匹配設(shè)備21多通道供電電路11-1，11-2，11-3，11-4阻抗匹配供電電路OUT-1，OUT-2，OUT-3，OUT-4 雙線線路接點(diǎn)TL-1-TL-4 用戶線路2-1，2-2，2-3，2-4，3-1，3-2，3-3，3-4 分立電阻
權(quán)利要求
1.用于給雙線線路(TL)供電的阻抗匹配供電電路(11)，所述供電電路具有a)電阻(1)，其連接在第一供電電壓電位(GND)和雙線線路(TL)的第一雙線線路接點(diǎn)(OUT1’)之間；b)限流設(shè)備(19)，其連接在雙線線路(TL)的第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)和第二供電電壓電位(VBAT)之間，并且基于可變的設(shè)定電位(VR1)提供具有限制電流的雙線線路(TL)；c)該可變的設(shè)定電位(VR1)由阻抗匹配設(shè)備(20)基于參考電位(VREF)和限流設(shè)備(19)兩端下降的電壓而提供，該阻抗匹配設(shè)備(20)連接在第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)和第二供電電壓電位(VBAT)之間；以及d)限流設(shè)備(19)和阻抗匹配設(shè)備(20)的阻抗(其連接到第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’))，實(shí)質(zhì)上與電阻(1)的阻抗相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的供電電路(11)，其特征在于所述限流設(shè)備(19)e)具有第一晶體管(7)，其具有可控路徑(DS)和柵極接點(diǎn)(G)，該可控路徑(DS)通過第一電阻(4)連接在第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)和第二供電電壓電位(VBAT)之間；f)具有第一差動放大器(9)，其具有第一輸入端(11)、第二輸入端(12)和輸出端(13)，該第一輸入端(11)連接到設(shè)定電位(VR1)，該第二輸入端(12)連接到第一晶體管(7)的可控路徑(DS)和第一電阻(4)之間的第一線路節(jié)點(diǎn)(15)，該輸出端(13)連接到第一晶體管(7)的柵極接點(diǎn)(G)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的供電電路(11)，其特征在于所述阻抗匹配設(shè)備(20)g)具有第二晶體管(8)，其具有可控路徑(DS)和柵極接點(diǎn)(G)，該可控路徑(DS)連接到第二電阻(5)和第三電阻(6)之間的第二線路節(jié)點(diǎn)(14)，其中第二電阻連接到第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)，第三電阻連接到第二供電電壓電位(VBAT)；h)具有第二差動放大器(10)，其具有第一輸入端(16)、第二輸入端(17)和輸出端(18)，該第一輸入端(16)連接到第二線路節(jié)點(diǎn)(14)，該第二輸入端(17)連接到參考電位(VREF)，輸出端(18)連接到第二晶體管(8)的柵極接點(diǎn)(G)；i)設(shè)定電位(VR1)能夠在第二線路節(jié)點(diǎn)(14)處分接。
4.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述的晶體管(7，8)是常斷IGFET晶體管。
5.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述的供電電路(11)完全地集成在芯片上。
6.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述的雙線線路(TL)是電話線路。
7.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述的電阻(1，4，5，6)以這樣的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，即連接到第一雙線線路接點(diǎn)(OUT1’)和連接到第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)的阻抗實(shí)質(zhì)上分別為28歐姆。
8.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述的第一晶體管(7)具有至少5歐姆的溝道電阻。
9.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述電阻(1，4，5，6)和晶體管(7，8)的溝道電阻以這樣的方式來選擇，即流過雙線線路(TL)的電流至多是50mA，第一供電電壓電位(GND)和第二供電電壓電位(VBAT)之間的電壓是100伏。
10.根據(jù)至少任何一項(xiàng)在前權(quán)利要求的供電電路(11)，其特征在于所述供電電路(11)通過相應(yīng)的分立耦合電阻(1，2)連接到雙線線路接點(diǎn)(OUT1，OUT2)。
11.具有多個分別根據(jù)權(quán)利要求1-11中至少一項(xiàng)的阻抗匹配供電電路(11-1，…，11-4)的多通道供電電路(21)，該供電電路(11-1，…，11-4)并聯(lián)連接，用于將限制電流提供給多個雙線線路(TL1，…，TL4)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的多通道供電電路(21)，其特征在于所述的多通道供電電路(21)完全地集成在芯片上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的多通道供電電路(21)，其特征在于所述的多通道供電電路(21)被設(shè)計(jì)用于在ISDN網(wǎng)絡(luò)中工作。
全文摘要
用于給雙線線路供電的阻抗匹配供電電路，所述供電電路具有電阻(1)，其連接在第一供電電壓電位(GND)和雙線線路(TL)的第一雙線線路接點(diǎn)(OUT1’)之間；還具有限流設(shè)備，其連接在雙線線路(TL)的第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’)和第二供電電壓電位之間，并且基于可變的設(shè)定電位(VR1)提供具有限制電流的雙線線路；該可變的設(shè)定電位(VR1)由阻抗匹配設(shè)備基于參考電位和限流設(shè)備兩端下降的電壓而提供，該阻抗匹配設(shè)備連接在第二雙線線路接點(diǎn)和第二供電電壓電位之間；并且限流設(shè)備和阻抗匹配設(shè)備的阻抗(其連接到第二雙線線路接點(diǎn)(OUT2’))實(shí)質(zhì)上與電阻(1)的阻抗相同。
文檔編號G05F1/46GK1811654SQ200510137360
公開日2006年8月2日 申請日期2005年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者T·費(fèi)里安茨 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司