專利名稱：恒電流電路和使用了它的電源裝置及發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及生成預定的恒電流的恒電流電路。
背景技術：
在近年的便攜式電話、PDA(Personal Digital Assistance個人數(shù)字助理)等小型信息終端中，存在例如被用作液晶的背光燈的發(fā)光二極管(LightEmitting Diode，以下稱LED)等那樣需要比電池的輸出電壓高的電壓的器件。在這些小型信息終端中，較多使用鋰離子電池，其輸出電壓通常是3.5V左右，充滿電時是4.2V左右，但作為LED的驅動電壓，需要比電池電壓高的電壓。這樣，在需要比電池電壓高的電壓時，使用利用了開關調節(jié)器或電荷泵電路等的升壓型電源裝置來使電池電壓升壓，得到驅動LED等負載電路所需的電壓。
在通過這樣的電源裝置驅動LED時，在LED的驅動系電路上連接恒電流電路，使LED中流過的電流保持恒定，從而謀求其發(fā)光亮度的控制的穩(wěn)定化。此時，有采用監(jiān)視LED和恒電流電路的連接點的電壓，使該電壓為恒定值地生成LED的驅動電壓的方法。
專利文獻1特開2004-22929號公報發(fā)明內容〔發(fā)明所要解決的課題〕這里，為使與LED的陰極端子相連的恒電流電路穩(wěn)定地工作，構成恒電流電路的晶體管需要在恒電流區(qū)域進行工作。這里所謂晶體管的恒電流區(qū)域，在雙極型晶體管的情況下是指放大區(qū)，在場效應晶體管(以下稱FET)的情況下是指飽和區(qū)。構成恒電流電路的晶體管被串聯(lián)設置在LED的陰極端子和接地端子之間，為使該晶體管在恒電流區(qū)域工作，需要確保LED的陰極端子在一定電壓以上。
若將使恒電流電路穩(wěn)定工作所需要的電壓記為Vcs，將LED中流過的電流記為Iled，則在該恒電流電路中，消耗功率為Pcs＝Vcs×Iled。LED中流過的電流是根據(jù)LED的發(fā)光亮度而決定的值，所以為了降低恒電流電路中的消耗功率，必須要降低使恒電流電路穩(wěn)定工作所需要的電壓Vcs。
本發(fā)明是鑒于這樣的課題而設計的，其目的在于提供一種能在低電壓下工作的恒電流電路，和使用了它的電源裝置、發(fā)光裝置。
〔用于解決課題的手段〕本發(fā)明的一個方案涉及使與電流輸出端子相連的電路流過恒電流的恒電流電路。該恒電流電路包括設置在恒電流的電流路徑上的第1晶體管；與第1晶體管控制端子共連的第2晶體管；將第2晶體管中流過的電流轉換成電壓的第1電流電壓轉換部；生成基準電流的恒電流源；將基準電流轉換成電壓的第2電流電壓轉換部；以及被輸入第1電流電壓轉換部和第2電流電壓轉換部的輸出電壓，調節(jié)第1晶體管和第2晶體管的控制端子的電壓的第1誤差放大器。
所謂晶體管的控制端子，在FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)中指柵極端子，在雙極型晶體管中指基極端子。
根據(jù)該方案，第1、第2晶體管的控制端子的電壓被第1誤差放大器進行反饋控制，使得分別從第1、第2電流電壓轉換部輸出的電壓相接近。結果，第1晶體管中流過與基準電流成比例的恒電流，能夠使與電流輸入端子相連的電路流過與基準電流成比例的恒電流。
恒電流電路可以還包括與第2晶體管的一端相連的電壓調節(jié)部，進行調節(jié)使得該第2晶體管的一端的電壓接近預定的基準電壓。
通過將第2晶體管的一端的電壓固定為基準電壓，能夠生成穩(wěn)定的恒電流。
電壓調節(jié)部可以包括與第2晶體管串聯(lián)連接的第3晶體管；被輸入第2、第3晶體管的連接點的電壓和預定的基準電壓，調節(jié)第3晶體管的控制端子的電壓的第2誤差放大器。
通過由第3晶體管和第2誤差放大器構成三端子調節(jié)器，能夠將第2晶體管的一端的電壓固定為基準電壓。
預定的基準電壓可以被設定成與電流輸出端子的電壓相同。
此時，由于電流輸出端子的電壓和預定的基準電壓變得相等，所以第1、第2晶體管的三個端子都成為相同電位，能夠精度良好地生成恒電流。
可以設定預定的基準電壓，使得第2晶體管在非恒電流區(qū)域工作。
在本說明書中，所謂非恒電流區(qū)域，是指在使晶體管兩端的電壓變化時流過的電流發(fā)生變化的區(qū)域，在FET中指非飽和區(qū)，在雙極型晶體管中指飽和區(qū)。
第1、第2晶體管如果三個端子都是相同電位，則第1、第2晶體管都在非恒電流區(qū)域工作，所以第1晶體管能夠精度良好地生成與第2晶體管中流過的電流成比例的電流。這樣，能夠使第1、第2晶體管在非恒電流區(qū)域工作，即在第1、第2晶體管兩端的電壓較低的狀態(tài)下工作，從而能夠降低消耗功率。
本發(fā)明的另一方案是電源裝置。該電源裝置包括上述的恒電流電路；對與恒電流電路的電流輸出端子相連的負載電路提供驅動電壓的電壓生成部。電壓生成部生成驅動電壓，使得驅動負載電路的結果是恒電流電路的電流輸出端子所呈現(xiàn)的電壓接近第2晶體管的一端的電壓。
根據(jù)該方案，電壓生成部生成驅動電壓使得第1、第2晶體管的三個端子的電壓都變得相等，所以能夠高效率地驅動負載電路。
本發(fā)明的再一個方案是發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置包括發(fā)光元件；驅動發(fā)光元件的上述電源裝置。電源裝置基于由恒電流電路的恒電流源生成的基準電流，控制發(fā)光元件的發(fā)光亮度。
所謂發(fā)光元件，是指LED、有機EL(Electro Luminescence電螢光)等。
根據(jù)該方案，能夠基于基準電流調節(jié)發(fā)光元件的亮度，并高效率地生成發(fā)光元件的驅動電壓。
另外，將以上結構要件的任意組合、本發(fā)明的結構要件以及表達方式在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互置換的方案，作為本發(fā)明的實施方式也是有效的。
〔發(fā)明效果〕通過本發(fā)明的恒電流電路，能夠降低恒電流電路的輸出電壓。


圖1是表示第1實施方式的恒電流電路的結構的電路圖。
圖2是表示第2實施方式的恒電流電路的結構的電路圖。
圖3是表示MOSFET的電流電壓特性的圖。
圖4是表示第3實施方式的發(fā)光裝置的結構的電路圖。
圖5是表示第2實施方式的恒電流電路的變形例的電路圖。
〔標號說明〕M1第1晶體管、M2第2晶體管、M3第3晶體管、10恒電流源、12第1誤差放大器、14第1電流電壓轉換部、16第2電流電壓轉換部、20電壓調節(jié)部、22第2誤差放大器、40電壓生成部、100恒電流電路、102電流輸出端子、200恒電流電路、300發(fā)光元件、1000發(fā)光裝置。
具體實施例方式
(第1實施方式)圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的恒電流電路100的結構的電路圖。
該恒電流電路100生成恒電流Ic，使與電流輸出端子102相連的電路流過該恒電流Ic。
恒電流電路100包括第1晶體管M1、第2晶體管M2、恒電流源10、第1誤差放大器12、第1電流電壓轉換部14、第2電流電壓轉換部16。
第1晶體管M1是N型MOSFET，被設置在恒電流Ic的電流路徑上。第1晶體管M1的源極端子接地，漏極端子與電流輸出端子102相連接。第1晶體管M1中流過作為本恒電流電路100的輸出的恒電流Ic。
第2晶體管M2與第1晶體管M1一樣也是N型MOSFET，被構成為與第1晶體管M1進行柵極端子和源極端子共連，流過與各晶體管的面積比相應的電流。以下，將這樣構成的晶體管對稱為電流鏡。將第2晶體管M2中流過的電流記為Im2，將第1晶體管M1和第2晶體管M2的晶體管的尺寸比記為S1∶S2。
第1電流電壓轉換部14包括第2電阻R2。第2電阻R2的一端與第2晶體管M2的漏極端子相連接，另一端被施加固定電壓Vdd。第2電阻R2流過第2晶體管M2中所流過的電流Im2，產生R2×Im2的電壓降。第1電流電壓轉換部14的輸出電壓Vx成為Vx1＝Vdd-R2×Im2。這樣，第1電流電壓轉換部14將第2晶體管M2中流過的電流Im2轉換成電壓Vx1。
恒電流源10生成基準電流Iref。第2電流電壓轉換部16包括第1電阻R1。第1電阻R1的一端與恒電流源10相連，另一端被施加固定電壓Vdd。第1電阻R1流過由恒電流源10生成的基準電流Iref，產生R1×Iref的電壓降。第2電流電壓轉換部16的輸出電壓Vx2成為Vx2＝Vdd-R1×Iref。
這樣，第2電流電壓轉換部16將基準電流Iref轉換成電壓Vx2。
第1誤差放大器12的非反相輸入端子被輸入第1電流電壓轉換部14的輸出電壓Vx，反相輸入端子被輸入第2電流電壓轉換部16的輸出電壓Vx2。第1誤差放大器12的輸出端子與第1晶體管M1、第2晶體管M2的柵極端子相連接，基于電壓Vx1、Vx2調節(jié)柵極電壓Vg。
下面說明如上那樣構成的恒電流電路100的動作。
第1誤差放大器12、第2晶體管M2、第1電流電壓轉換部14形成反饋回路，電壓Vx1根據(jù)第1誤差放大器12的輸出電壓、即第2晶體管M2的柵極電壓Vg而變化。
結果，第1誤差放大器12反饋控制第2晶體管M2的柵極端子Vg，使得施加在非反相輸入端子和反相輸入端子上的電壓Vx1、Vx2變得相等。即，調節(jié)第2晶體管M2的柵極電壓Vg使得Vdd-R1×Iref＝Vdd-R2×Im2。此時，第2晶體管M2中流過的電流Im2由Im2＝R1/R2×Iref給出。
第1晶體管M1和第2晶體管M2構成柵極端子和源極端子共連的電流鏡電路，所以第1晶體管M1中流過與第2晶體管M2中流過的電流Im2成比例的電流。因為如上所述第1晶體管M1和第2晶體管M2的尺寸比為S1∶S2，所以第1晶體管M1中成為流過Ic＝Im2×S1/S2＝R1/R2×S1/S2×Iref所給出的恒電流。
根據(jù)本實施方式的恒電流電路100，通過調節(jié)基準電流Iref、電阻值R1、R2、晶體管的尺寸比S1、S2，能夠生成所希望的恒電流，能夠使與電流輸出端子102相連的電路流過該恒電流Ic。
進而，通過本實施方式的恒電流電路100，能夠取得以下效果。
一般，將N型MOSFET的柵極電壓Vg設定得越高，其流過的電流就越增加。然而，在輸入側的晶體管的柵極端子與漏極端子相連接的通常的電流鏡電路中，柵極端子的電壓沒有那么高，所以無法充分發(fā)揮輸出側的晶體管的能力。
在本實施方式的恒電流電路100中，通過將第2電阻R2的電阻值設定得較低，能夠將第1晶體管M1、第2晶體管M2的柵極電壓Vg設定得較高，所以能夠完全發(fā)揮出晶體管的能力。這意味著即使晶體管尺寸較小，也能流過更多的電流，能夠使恒電流電路100的尺寸減小。
(第2實施方式)第2實施方式的恒電流電路200在第1實施方式的恒電流電路100的基礎上還具有固定第2晶體管M2的漏極端子的電壓的電壓調節(jié)部20。
圖2是表示第2實施方式的恒電流電路200的結構的電路圖。在后面的圖中，對與圖1相同或等同的結構要件標注相同的標號，并適當省略其說明。
電壓調節(jié)部20被連接在作為第2晶體管M2的一端的漏極端子和第2電阻R2之間，進行調節(jié)，使得第2晶體管M2的漏極電壓Vd2接近預定的基準電壓。
電壓調節(jié)部20包括第3晶體管M3、第2誤差放大器22、基準電壓源24，構成調節(jié)器電路。
第3晶體管M3是N型MOSFET，與第2晶體管M2串聯(lián)連接。即，第3晶體管M3的源極端子與第2晶體管M2的漏極端子相連，其漏極端子與第2電阻R2相連。
基準電壓源24是帶隙基準(band-gap reference)電路等，生成預定的基準電壓Vref。
第2誤差放大器22的非反相輸入端子被輸入由基準電壓源24生成的基準電壓Vref。反相輸入端子被輸入第2晶體管M2與第3晶體管M3的連接點、即第2晶體管M2的漏極端子的電壓Vd2。第2誤差放大器22的輸出端子與第3晶體管M3的柵極端子相連接。
下面說明如上那樣構成的恒電流電路200的動作。本實施方式的恒電流電路200與第1實施方式的恒電流電路100一樣，生成與基準電流Iref成比例的恒電流Ic。
首先，為明確本實施方式的恒電流電路200所得到的效果，說明以往的電流鏡電路的特性。
圖3表示MOSFET的電流電壓特性。橫軸表示漏-源間電壓，縱軸表示漏-源電流，表示出針對不同的柵-源間電壓Vgs1、Vgs2的電流電壓特性。在該圖中，電壓Vth1、Vth2表示柵-源間電壓Vgs1、Vgs2各自的恒電流區(qū)域和非恒電流區(qū)域的閾值電壓。如該圖所示，在漏-源間電壓比閾值電壓Vth低的非恒電流區(qū)域(非飽和區(qū))，若漏-源間電壓變化，則漏-源電流大幅度地發(fā)生變化。
因此，在以往的電流鏡電路中，當兩個晶體管都在恒電流區(qū)域進行工作時，與晶體管的尺寸比相應的電流流過各晶體管，但若兩個晶體管的某一者或兩者在非恒電流區(qū)域工作，則晶體管的成對(pair)性受損，變得無法生成與尺寸比相應的電流。
回到本實施方式的恒電流電路200的說明。
如上所述，在電壓調節(jié)部20中，第2誤差放大器22調節(jié)作為其輸出的第3晶體管M3的柵極電壓，使得被施加到非反相輸入端子和反相輸入端子的電壓變得相等。結果，第3晶體管M3的導通電阻被調節(jié)，進行反饋使得基準電壓Vref和第2晶體管M2的漏極電壓Vd2變得相等。
如上所述，當構成電流鏡電路的兩個晶體管的漏-源間電壓不同時，在非恒電流區(qū)域中，不作為正確的電流鏡電路進行工作。但是，在本實施方式的第1晶體管M1、第2晶體管M2的情況下，由于電壓調節(jié)部20的存在，能夠使兩個晶體管的漏-源間電壓變得相等。因此，各晶體管在三個端子都相等的電壓下工作，因而即使在非恒電流區(qū)域，也能使之流過與尺寸比相應的電流。
現(xiàn)在，在將基準電壓Vref的值設定成與電流輸出端子102所呈現(xiàn)的電壓Vd1相同時，第1晶體管M1和第2晶體管M2三個端子都被施加幾乎相同的電壓。換言之，第1晶體管M1、第2晶體管M2即使在漏-源間電壓在非飽和區(qū)進行工作時，也能精度良好地生成與各晶體管的尺寸成比例的電流。
第1晶體管M1和第2晶體管M2的漏-源間電壓越低，恒電流電路200所消耗的功率就越減少。這里，如上所述，在將基準電壓Vref的值設定成與電流輸出端子102所呈現(xiàn)的電壓Vd1相同時，即使使第1晶體管M1、第2晶體管M2在非飽和區(qū)工作，也能精度良好地生成恒電流。因此，在本實施方式的恒電流電路200中，通過設定基準電壓Vref和電流輸出端子102所呈現(xiàn)的電壓Vd1以使得第2晶體管M2、第1晶體管M1在非飽和區(qū)工作，能夠降低恒電流電路200的消耗功率。
另外，在以往的電流鏡電路中，在為充分驅動晶體管而使第1晶體管M1、第2晶體管M2的柵-源間電壓較大時，需要加大漏-源間電壓。這是因為如圖3所示，若提高柵-源間電壓，則閾值電壓Vth變高。
與此不同，在本實施方式的恒電流電路200中，即使為充分發(fā)揮第1晶體管M1、第2晶體管M2的能力而將柵-源間電壓設定得較大，也能確保兩個晶體管的成對性，所以能夠將各晶體管的漏-源間電壓、即基準電壓Vref和電流輸出端子102所呈現(xiàn)的電壓Vd2設定得較低。
(第3實施方式)本發(fā)明的第3實施方式是包含作為發(fā)光元件的LED的發(fā)光裝置。
圖4是表示第3實施方式的發(fā)光裝置1000的結構的電路圖。發(fā)光裝置1000包括LED300、電壓生成部40、恒電流電路200。
恒電流電路200的電流輸出端子102與LED300的陰極端子相連接。LED300由恒電流電路200所生成的恒電流Ic來控制其發(fā)光亮度。LED300的陽極端子與電壓生成部40的輸出端子50相連，被施加電壓生成部40的輸出電壓Vout。
電壓生成部40是開關調節(jié)器，從輸出端子50輸出使輸入到輸入端子48的輸入電壓Vin升壓后的電壓Vout。電壓生成部40包括開關元件SW1、整流二極管D1、電感L1、輸出電容C1、第3誤差放大器42、振蕩器44、電壓比較器46。
第3誤差放大器42的非反相輸入端子被輸入電流輸出端子102的電壓Vd1。另外，反相輸入端子被施加從恒電流電路200的基準電壓源24輸出的基準電壓Vref。第3誤差放大器42輸出將電壓Vd2、Vref的誤差電壓放大后所得到的誤差電壓Verr。該誤差電壓Verr被輸入到電壓比較器46。
振蕩器44生成三角波或者鋸齒波狀的周期電壓Vosc，輸出到電壓比較器46。
電壓比較器46對誤差電壓Verr和周期電壓Vosc進行比較，生成高電平和低電平根據(jù)該兩電壓的大小關系而變化的開關信號Vsw。這樣生成的開關信號Vsw，成為高電平和低電平的期間比、即占空比變化的脈沖寬度調制后的信號。
該開關信號Vsw經(jīng)由未圖示的驅動電路輸入到作為開關元件SW1的MOSFET的柵極端子。開關元件SW1在開關信號Vsw為高電平的期間導通，在其為低電平的期間截止。
通過開關元件SW1的導通、截止，由電感L1和輸出電容C1進行能量轉換，施加在輸入端子48上的輸入電壓被升壓。升壓后的電壓由輸出電容C1進行濾波，作為直流的輸出電壓Vout輸出。這樣由電壓生成部40生成的輸出信號Vout被作為驅動電壓提供給LED300。
下面說明以上那樣構成的發(fā)光裝置1000的動作。
恒電流電路200的電流輸出端子102呈現(xiàn)驅動作為負載電路的LED300的結果、即Vd1＝Vout-Vf的電壓。這里，Vf是LED300的順方向電壓。
生成電壓生成部40中的開關信號Vsw，使得輸入到第3誤差放大器42的兩個電壓Vref和Vd1變得相等。其結果，電壓生成部40的輸出電壓Vout被穩(wěn)定化，使得Vout＝Vd1+Vf＝Vref+Vf成立。
此時，在恒電流電路200中，由電壓調節(jié)部20進行調節(jié)，使得第2晶體管M2的漏極端子的電壓Vd2接近基準電壓Vref。
其結果，進行控制，使得電流輸出端子102的電壓Vd1和第2晶體管M2的漏極端子的電壓Vd2變得相等。
在本實施方式的恒電流電路200中，第1晶體管M1、第2晶體管M2構成電流鏡電路，不僅其柵極端子和源極端子，漏極端子的電壓也被調節(jié)成相等。因此，第1晶體管M1能夠精度良好地使第2晶體管M2中流過的電流Im2放大，使LED300流過恒電流Ic。
在以往，因為需要使第1晶體管M1在飽和區(qū)工作，所以需要將電流輸出端子102所呈現(xiàn)的電壓控制在例如0.3V以上。
而在本實施方式的恒電流電路200中，如在第2實施方式中說明的那樣，第1晶體管M1、第2晶體管M2在非飽和區(qū)也確保兩個晶體管的成對性。結果，在本實施方式的恒電流電路200中，能夠使第1晶體管M1在非飽和區(qū)工作，所以例如能夠將基準電壓Vref設定成0.1V。結果，能夠減少第1晶體管M1、第2晶體管M2的功率消耗，能夠改善發(fā)光裝置1000的效率。
上述實施方式是個例示，可以對各結構要件和各處理過程的組合進行各種變形，本領域技術人員能夠理解這些變形例也處于本發(fā)明的范圍內。
圖5是表示第2實施方式的恒電流電路的變形例的電路圖。本實施方式的恒電流電路600是將MOSFET的N型、P型相置換而構成的。通過該恒電流電路600，也能使與電流輸出端子102相連的電路流過恒電流Ic。本變形例的恒電流電路600能夠適用于與電流輸出端子102相連的電路的電壓降較小的情況，或者在能使用負電源的電子設備中較好地適用。
在實施方式中說明了各晶體管是MOSFET的情況，但也可以使用雙極型晶體管等其他類型的晶體管。這些選擇根據(jù)恒電流電路所要求的設計標準、所使用的半導體制造工藝等決定即可。
在實施方式中，構成恒電流電路和電源裝置等的元件可以全部被一體集成，也可以是其一部分由分立部件構成。至于將哪部分集成，根據(jù)所使用的半導體制造工藝、成本、所占面積等決定即可。
在實施方式中，說明了電壓生成部40是開關調節(jié)器的情況，但也可以是絕緣型的開關調節(jié)器、電荷泵電路、三端子調節(jié)器等。
〔工業(yè)可利用性〕本發(fā)明能夠廣泛地適用于電子電路。
權利要求
1.一種使與電流輸出端子相連的電路流過恒電流的恒電流電路，其特征在于，包括設置在上述恒電流的電流路徑上的第1晶體管；與上述第1晶體管進行控制端子共連的第2晶體管；將上述第2晶體管中流過的電流轉換成電壓的第1電流電壓轉換部；生成基準電流的恒電流源；將上述基準電流轉換成電壓的第2電流電壓轉換部；以及被輸入上述第1電流電壓轉換部和第2電流電壓轉換部的輸出電壓，調節(jié)上述第1晶體管和第2晶體管的控制端子的電壓的第1誤差放大器。
2.根據(jù)權利要求1所述的恒電流電路，其特征在于還包括與上述第2晶體管的一端相連的電壓調節(jié)部，進行調節(jié)使得該第2晶體管的一端的電壓接近預定的基準電壓。
3.根據(jù)權利要求2所述的恒電流電路，其特征在于上述電壓調節(jié)部包括與上述第2晶體管串聯(lián)連接的第3晶體管，和被輸入上述第2晶體管與第3晶體管的連接點的電壓和上述預定的基準電壓，調節(jié)上述第3晶體管的控制端子的電壓的第2誤差放大器。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的恒電流電路，其特征在于上述預定的基準電壓被設定成與上述電流輸出端子的電壓相同。
5.根據(jù)權利要求4所述的恒電流電路，其特征在于設定上述預定的基準電壓，使得上述第2晶體管在非恒電流區(qū)域工作。
6.一種電源裝置，其特征在于，包括權利要求1至3的任一項所述的恒電流電路；和對與上述恒電流電路的電流輸出端子相連的負載電路提供驅動電壓的電壓生成部；其中，上述電壓生成部生成上述驅動電壓，使得驅動上述負載電路的結果是上述恒電流電路的電流輸出端子所呈現(xiàn)的電壓接近上述第2晶體管的一端的電壓。
7.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括發(fā)光元件；和驅動上述發(fā)光元件的權利要求6所述的電源裝置；其中，基于由上述恒電流電路的恒電流源生成的上述基準電流，控制上述發(fā)光元件的發(fā)光亮度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能在低電壓下工作的恒電流電路。在對與電流輸出端子(102)相連的電路提供恒電流(Ic)的恒電流電路(100)中，第1晶體管(M1)設置在恒電流(Ic)的電流路徑上。第2晶體管(M2)與第1晶體管的控制端子、即柵極端子共連。第1電流電壓轉換部(14)將第2晶體管中流過的電流(Im2)轉換成電壓。恒電流源(10)生成基準電流(Iref)。第2電流電壓轉換部(16)將基準電流轉換成電壓。第1誤差放大器(12)被輸入電壓(Vx1、Vx2)，調節(jié)第1晶體管和第2晶體管的柵極電壓。電壓調節(jié)部(20)調節(jié)第3晶體管的柵極端子的電壓，使得第2晶體管的一端的電壓接近預定的基準電壓。
文檔編號G05F3/24GK101091144SQ20068000151
公開日2007年12月19日 申請日期2006年1月19日 優(yōu)先權日2005年1月20日
發(fā)明者千田泰輔 申請人:羅姆股份有限公司