專利名稱：發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種測量系統(tǒng)，特別涉及一種用以測量發(fā)光二極管的溫度特性的測量系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode; LED)具有工作電壓低，耗電量小，發(fā)光效率高，反 應(yīng)時(shí)間短，光色純，結(jié)構(gòu)牢固，抗沖擊，耐振動(dòng)，性能穩(wěn)定可靠，重量輕，體積小及成本低 等特點(diǎn)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，發(fā)光二極管可展現(xiàn)的亮度等級(jí)越來越高，其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣 泛，例如大面積圖文顯示全彩屏，狀態(tài)指示、標(biāo)志照明、信號(hào)顯示、液晶顯示器的背光源 或車內(nèi)照明。
為了得知環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光電特性的影響，需要對發(fā)光二極管進(jìn)行溫度特性 的測量。當(dāng)進(jìn)行發(fā)光二極管的溫度特性測量時(shí)，需利用例如環(huán)境控制箱、烤箱或冷熱二極 管等溫控設(shè)備，來控制發(fā)光二極管的環(huán)境溫度，并通過光學(xué)測量系統(tǒng)來測量環(huán)境溫度對于發(fā) 光二極管的光電特性的影響。當(dāng)進(jìn)行發(fā)光二極管的低溫測試時(shí)，則需另搭配壓縮機(jī)或其它冷 卻裝置，來降低發(fā)光二極管的環(huán)境溫度。
然而，在一般發(fā)光二極管的溫度特性測量過程中，發(fā)光二極管組件和光學(xué)測量系統(tǒng)的偵 測器暴露于一般大氣中，當(dāng)環(huán)境溫度產(chǎn)生變化時(shí)，例如當(dāng)環(huán)境溫度由室溫下降至零度以下時(shí)， 則容易發(fā)生水氣凝結(jié)或結(jié)霜的情形，因而造成光學(xué)測量上的誤差，影響測量的準(zhǔn)確性。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，用以測量發(fā)光二極 管的溫度特性，并可避免在測量時(shí)發(fā)生水氣凝結(jié)或結(jié)霜的情形，因而確保測量準(zhǔn)確度。 本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案
一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，用以測量發(fā)光二極管的溫度特性，其中測量系統(tǒng) 至少包含環(huán)境控制裝置、流體介質(zhì)、溫度控制裝置及光學(xué)測量裝置。環(huán)境控制裝置具有容置 空間，其中發(fā)光二極管設(shè)置于該容置空間中。所述流體介質(zhì)填充于環(huán)境控制裝置的容置空間 中，并包覆住發(fā)光二極管。其中，所述流體介質(zhì)為絕緣材料，且流體介質(zhì)在容置空間內(nèi)的溫 度操作范圍介于一55度('C)至140度('C)之間。溫度控制裝置用以控制容置空間內(nèi)的溫度。光學(xué)測量裝置用以測量發(fā)光二極管的光學(xué)特性。
本實(shí)用新型可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光學(xué)特性的影響，并可確保在環(huán)境溫 度變化時(shí)的測量準(zhǔn)確度。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。


圖l、圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。 圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。 標(biāo)號(hào)說明
100:測量系統(tǒng)133:冷卻裝置
110:環(huán)境控制裝置140:光學(xué)測量裝置
111:容置空間141:偵測器
112:均溫裝置142:隔絕透鏡
120、120a:流體介質(zhì)跳控制單元
130:溫度控制裝置跳電源電表
131:溫度控制器200:發(fā)光二極管
132:加熱裝置
具體實(shí)施方式第一實(shí)施例
如圖l、圖2所示， 一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)100，用以測量發(fā)光二極管200 的溫度特性，以此了解環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管200的光學(xué)特性的影響。其至少包含有環(huán)境 控制裝置110、流體介質(zhì)120、溫度控制裝置130、光學(xué)測量裝置140、控制單元150及電源 電表(Source Meter) 160。發(fā)光二極管200設(shè)置于環(huán)境控制裝置110內(nèi)，以進(jìn)行測量，流體介 質(zhì)120填充于環(huán)境控制裝置110內(nèi)，并包覆住發(fā)光二極管200,溫度控制裝置130用以控制環(huán) 境控制裝置110內(nèi)的溫度，光學(xué)測量裝置140用以測量發(fā)光二極管200的光學(xué)特性，控制單 元150導(dǎo)電連接于溫度控制裝置130、光學(xué)測量裝置140及電源電表160，以進(jìn)行控制動(dòng)作， 電源電表160用于偵測發(fā)光二極管200的電學(xué)性能。
如圖2所示，本實(shí)施例的環(huán)境控制裝置110具有容置空間111，用以容設(shè)發(fā)光二極管200 和流體介質(zhì)120，以此使發(fā)光二極管200設(shè)置于流體介質(zhì)120中，并透過流體介質(zhì)120來測量發(fā)光二極管200的溫度特性，亦即測量發(fā)光二極管200在不同環(huán)境溫度下的光學(xué)特性表現(xiàn)。 此外，環(huán)境控制裝置110可設(shè)有均溫裝置112，例如為磁力攪拌棒或通過馬達(dá)來帶動(dòng)葉片， 其設(shè)置于容置空間111中，用于對容置空間111內(nèi)的流體介質(zhì)120進(jìn)行攪拌動(dòng)作，而達(dá)到快 速均勻溫度效果。
如圖2所示，本實(shí)施例的流體介質(zhì)120填充于環(huán)境控制裝置110的容置空間111中，并 包覆住發(fā)光二極管200，其中流體介質(zhì)120優(yōu)選絕緣流體材料，且流體介質(zhì)120在容置空間 111內(nèi)的溫度操作范圍(亦即發(fā)光二極管200的環(huán)境溫度變化)介于負(fù)55度(一55'C)至140度 rc)之間，優(yōu)選介于負(fù)40度(一4(TC)至125度(。C)之間。在本實(shí)施例中，流體介質(zhì)120可采 用油質(zhì)材料，較好的是選用硅油，此時(shí)環(huán)境控制裝置110例如可為油浴槽，以容置硅油和發(fā) 光二極管200。由于本實(shí)施例的流體介質(zhì)120在高溫(例如IOO度以上)或低溫(例如零下溫度) 時(shí)不會(huì)發(fā)生變化，并且不會(huì)與發(fā)光二極管200發(fā)生反應(yīng)，因而本實(shí)施例的流體介質(zhì)120可適 合作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質(zhì)，以進(jìn)行發(fā)光二極管200溫度特性的測量。
如圖2所示，本實(shí)施例的溫度控制裝置130設(shè)有溫度控制器131、加熱裝置132及冷卻裝 置133,溫度控制器131導(dǎo)電性連接于加熱裝置132和冷卻裝置133，以控制加熱裝置132來 加熱容置空間111內(nèi)的流體介質(zhì)120，或者控制冷卻裝置133來冷卻流體介質(zhì)120，以提高或 降低測量系統(tǒng)100的環(huán)境溫度。加熱裝置132例如為加熱線圈或冷熱二極管，用以快速地提 高流體介質(zhì)120的溫度。冷卻裝置133例如為冷卻壓縮機(jī)、冷熱二極管或液態(tài)氣體冷卻裝置， 用以快速地降低流體介質(zhì)120的溫度。
如圖2所示，本實(shí)施例的光學(xué)測量裝置140用以測量在流體介質(zhì)120中的發(fā)光二極管200 的光學(xué)特性，例如光通量、光分布、亮度、光譜分布、色度坐標(biāo)、顯色指數(shù)或發(fā)光效率等。 光學(xué)測量裝置140設(shè)有偵測器141和隔絕透鏡142，偵測器141設(shè)置于環(huán)境控制裝置110中， 并對應(yīng)于發(fā)光二極管200，以直接偵測發(fā)光二極管200的光學(xué)特性。隔絕透鏡142設(shè)置偵測器 141上，用以隔絕流體介質(zhì)120，并允許光線透過，其中偵測器141和隔絕透鏡142之間可進(jìn) 行真空處理或設(shè)有除濕劑材料，以防止水氣產(chǎn)生?？刂茊卧?50用以控制溫度控制裝置130、 光學(xué)測量裝置140及電源電表160,控制單元150例如為計(jì)算機(jī)主機(jī)或微控制芯片，并可設(shè)有 顯示裝置(未繪示)，以顯示測量結(jié)果。電源電表160導(dǎo)電連接于發(fā)光二極管200，以實(shí)時(shí)偵測 發(fā)光二極管200的電學(xué)性能，例如電壓和電流等。
值得注意的是，本實(shí)施例的測量系統(tǒng)100可分別測量發(fā)光二極管200在不同環(huán)境溫度下 的光學(xué)特性，以進(jìn)行比對，因而可得到發(fā)光二極管200的溫度特性。
因此，本實(shí)施例的測量系統(tǒng)100可通過絕緣的流體介質(zhì)120來作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質(zhì)，以避免在環(huán)境溫度產(chǎn)生變化時(shí)發(fā)生水氣凝結(jié)或結(jié)霜的情形，因而可確保測量準(zhǔn) 確性。
第二實(shí)施例
如圖3所示， 一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，以下僅就本實(shí)施例與第一實(shí)施例之 間的不同之處進(jìn)行說明，關(guān)于相似處則在此不再贅述。與第一實(shí)施例相比，第二實(shí)施例的流 體介質(zhì)120a例如為超純水(Ultrapure Water)，以作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質(zhì)，以 確保測量準(zhǔn)確性。
由上述本實(shí)用新型的實(shí)施例可知，本實(shí)用新型的測量系統(tǒng)可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光 二極管的光學(xué)特性的影響，并可確保在環(huán)境溫度變化時(shí)的測量準(zhǔn)確度。
以上所述的實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域內(nèi)的技 術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能僅以本實(shí)施例來限定本實(shí)用新型的專 利范圍，即凡依本實(shí)用新型所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍落在本實(shí)用新型的專利 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于包括一環(huán)境控制裝置，其具有一容置空間的，發(fā)光二極管設(shè)置于該容置空間中；一流體介質(zhì)，填充于該容置空間中，并包覆住該發(fā)光二極管；一溫度控制裝置，用以控制該容置空間內(nèi)的溫度；以及一光學(xué)測量裝置，用以測量在該流體介質(zhì)中的該發(fā)光二極管的光學(xué)特性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于還包括 一控制單元，電性連接于該溫度控制裝置和該光學(xué)測量裝置，以該溫度控制裝置和該光學(xué)測量裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于還包括一用于偵 測該發(fā)光二極管的電壓或電流的電源電表。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該該容置空間 還設(shè)有一均勻流體介質(zhì)溫度的均溫裝置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該流體介質(zhì)為 絕緣材料，且該流體介質(zhì)在該容置空間內(nèi)的溫度操作范圍介于一55度至140度之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該流體介質(zhì)在 該容置空間內(nèi)的溫度操作范圍介于一40度至125度之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該流體介質(zhì)為 油質(zhì)材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該流體介質(zhì)為硅油。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特征在于該流體介質(zhì)為 超純水。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，其特 征在于該溫度控制裝置包括一加熱裝置，用以對該流體介質(zhì)進(jìn)行加熱； 一冷卻裝置，用以對該流體介質(zhì)進(jìn)行冷卻；以及一溫度控制器，電性連接于該加熱裝置和該冷卻裝置，用以控制該加熱裝置和該冷卻裝置。
專利摘要一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)，用于測量發(fā)光二極管的溫度特性，其包括環(huán)境控制裝置、流體介質(zhì)、溫度控制裝置及光學(xué)測量裝置。所述發(fā)光二極管設(shè)置于環(huán)境控制裝置的容置空間中，所述流體介質(zhì)填充于環(huán)境控制裝置的容置空間中，所述溫度控制裝置用于控制容置空間內(nèi)的溫度，光學(xué)測量裝置用于測量發(fā)光二極管的光學(xué)特性。本實(shí)用新型可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光學(xué)特性的影響，并可確保在環(huán)境溫度變化時(shí)的測量準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)G05D23/00GK201145717SQ20072018980
公開日2008年11月5日 申請日期2007年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者翁思淵 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司