專利名稱：一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD，全稱plasma enhanced chemicalvapor deposition)設(shè)備，是制造工藝中最理想的鍍膜設(shè)備之一，主要用射頻等離子增強化學(xué)氣相沉積的方法制備各種薄膜。
在晶硅太陽能電池制造設(shè)備中，PECVD設(shè)備用來對多個硅片進行鍍膜工藝。鍍膜工藝的過程就是在既定的工藝條件下，如工藝腔室加熱到一定溫度，工藝腔室的壓力穩(wěn)定在工藝要求的范圍內(nèi)，按照一定的比例對腔室通入多種氣體，然后對射頻設(shè)備加一定的電壓，通過電離工藝氣體對硅片進行鍍膜工
藝
目前，PECVD設(shè)備鍍膜工藝中，工藝條件所涉及到的參數(shù)，采用人機交互配置的方式實現(xiàn)，即在人機交互的平臺完成，所述參數(shù)包括有溫度值、壓力值、流量值、時間值和電壓值，具體實現(xiàn)步驟如下
首先，針對當(dāng)前所要鍍膜的硅片，設(shè)置需要的配置參數(shù)；
其次，工藝人員根據(jù)設(shè)置好的配置參數(shù)設(shè)置所需的溫度值、壓力值、流量值、時間值和電壓值，軟件對各個參數(shù)的值進行保存；
再次，按照設(shè)置好的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值執(zhí)行工藝流程，完成鍍膜工
藝
最后，對工控腔室的各個設(shè)備進行恢復(fù)操作，使腔室恢復(fù)到不做工藝時候的狀態(tài)。
上述步驟是對一批硅片進行鍍膜的處理，當(dāng)對下一批采用不同參數(shù)的硅片進行鍍膜時，工藝人員需要才艮據(jù)軟件提供的新配置參數(shù)輸入新的配置參數(shù)值。因此，如果對一批一批的硅片釆用不同的參數(shù)，要求連續(xù)進行時，工藝人員需要手動的修改參數(shù)，會影響自動化量產(chǎn)，而且手動輸入的過程中難免會出現(xiàn)錯誤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確的實現(xiàn)多批次鍍膜工藝釆用不同配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的連續(xù)進行，完成自動化量產(chǎn)要求。
為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種鍍膜工藝控制方法，包括針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存；
在每批鍍膜工藝流程中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；
根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。
其中，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步
的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
優(yōu)選的，所述方法通過以下方式編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相
應(yīng)參數(shù)值，并保存
針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中
針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象，單步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為單步對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；
針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為對象數(shù)組中的一個對象，每步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為相應(yīng)對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；
將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。優(yōu)選的，所述方法通過以下方式保存配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值序列化為 一個文件后進行保存；
則通過以下方式自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值將所保存的文件進行反序列化，然后根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
其中，所述鍍膜工藝為對硅片的鍍膜工藝。本發(fā)明還提供了一種鍍膜工藝控制系統(tǒng)，包括
配置單元，用于針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存；
參數(shù)獲取單元，用于在每批鍍膜工藝中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；
工藝執(zhí)行單元，用于根據(jù)所獲取的配置^fet及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。
其中，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
優(yōu)選的，所述配置單元包括
對象定義子單元，用于針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象；針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為對象數(shù)組中的一個對象；
屬性定義子單元，用于針對單步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為單步對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；多步鍍膜工藝中，每步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為相應(yīng)對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；
存儲子單元，用于將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。
優(yōu)選的，所述系統(tǒng)還包括
加密單元，用于將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值序列化為一個文件，然后所述配置單元將所述文件進行保存；
解密單元，用于將所保存的文件進行反序列化，然后所述參數(shù)獲取單元根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
其中，所述工藝執(zhí)行單元執(zhí)行對硅片的鍍膜工藝。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
首先，本發(fā)明所提供的一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)，針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)值，并通過哈希表保存，在每批鍍膜工藝中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)值，根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程，從而避免了一批工藝完成之后還需要工藝人員手動的修改參數(shù)，降低了工藝人員錯誤地修改參數(shù)的概率，準(zhǔn)確的實現(xiàn)了多批次鍍膜工藝采用不同配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的連續(xù)進行，完成了自動化量產(chǎn)要求。
其次，本發(fā)明針對每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，將每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍
膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象，針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存，實現(xiàn)了鍍膜工藝完成自動化量產(chǎn)要求的同時還支持鍍膜工藝需要多步配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的工藝要求。
再次，本發(fā)明中多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存時，將哈希表對象序列化為文件進行保存，進行鍍膜工藝時，通過反序列化保存的文件獲取相應(yīng)配置參數(shù)和參數(shù)值，準(zhǔn)確的完成了數(shù)據(jù)存儲和傳輸?shù)倪^程，并且能夠?qū)?shù)據(jù)進行保密處理。


圖1是本發(fā)明實施例一所述一種鍍膜工藝控制方法流程圖；圖2是本發(fā)明實施例二中所述一種工藝流程方法流程圖；圖3是本發(fā)明實施例四所述一種鍍膜工藝控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
本發(fā)明提供一種鍍膜工藝控制方法，通過編寫針對多批次工藝所需的不同的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并進行保存，在工藝開始之前，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，從而在大量的生產(chǎn)過程中完全實現(xiàn)量產(chǎn)，避免了 一批工藝完成之后還需要工藝人員手動的修改配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；同時對一些成功的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值也做了保存，供下次工藝的時候繼續(xù)使用，降低了工藝人員錯誤的修改參數(shù)的概率；同時本發(fā)明還支持多步的
7工藝過程，對同一批次進行多步的工藝過程處理。
下面將通過實施例詳細說明鍍膜工藝控制方法的實現(xiàn)。
實施例一
參照圖1，是本實施例所述一種鍍膜工藝控制方法流程圖。SlOl，配置及保存參數(shù)；
在多批次鍍膜工藝生產(chǎn)過程中，針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)和相應(yīng)參數(shù)值，將每批鍍膜工藝定義一個對象，每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值，將上述多批鍍膜工藝中定義的全部信息通過哈希表保存；
S102，獲取參數(shù)；
在多批次鍍膜工藝中，對每批鍍膜工藝指定對象名稱，在每批鍍膜工藝中，按照對象名稱在哈希表中尋找相應(yīng)的對象，自動獲取相應(yīng)對象的屬性和屬性值，也即自動獲取了當(dāng)前批次需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；
S103，執(zhí)行工藝；
根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。與針對不同批次的鍍膜工藝，手動的去修改參數(shù)相比，本實施例所述的鍍膜工藝控制方法，避免了一批工藝完成之后需要手動的修改參數(shù)，降低了工藝人員錯誤地修改參數(shù)的概率，準(zhǔn)確的實現(xiàn)了多批次鍍膜工藝采用不同配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的連續(xù)進行，完成了自動化量產(chǎn)要求。
實施例二
每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或者多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，本實施例中詳細介紹通過設(shè)計三個類來實現(xiàn)鍍膜工藝控制方法的功能。
本實施例中i殳計的三個類分別命名為StepData 、 RecipeData 、RecipeManager 。
所述StepData類包4舌兩個主要的屬性stepName和stepNUM;所述RecipeData類包4舌兩個主要的屬性recipeName和stepData[];所述RecipeManager類對RecipeData對象進行管理，包括一個屬性recipeList。在多批次鍍膜工藝生產(chǎn)過程中，針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)和相應(yīng)參數(shù)值，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或者多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。針對每批鍍膜工藝定
義一個RecipeData對象，recipeName代表該批鍍膜工藝對象的名稱，在每批鍍膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個StepData單步對象，此時stepNUM值設(shè)為1代表單步鍍膜工藝；針對多步鍍膜工藝定義一個stepData[]對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為stepData[]對象數(shù)組中的 一個StepData對象，stepNUM代表該StepData對象為對象數(shù)組中的第幾個，即該步為多步中的第幾步?？梢娨粋€RecipeData對象可以是一個StepData單步對象，也可以是由多個StepData對象構(gòu)成的stepData[]對象數(shù)組。
在StepData對象中，stepName代表的是StepData對象的名稱，實際工藝流程中常用rcpPressureData代表工藝設(shè)備控制壓強設(shè)定值；rcpTempData代表工藝溫度設(shè)定值；rcpTimeData代表工藝反應(yīng)時間設(shè)定值；rcpRFPower代表工藝射頻電源的電壓設(shè)定值。
RecipeManager類對RecipeData對象進行管理，所有的RecipeData對象保存到RecipeManager類的屬性recipeList中，re cipeList是一個哈希表對象，這樣多批次中所有的配置參數(shù)和相應(yīng)參數(shù)值都通過哈希表保存到RecipeManager類的recipeList中。
在哈希表的存儲時，本實施例中recipeName代表的是每批鍍膜工藝對象的名稱，RecipeData對象中包括了對象的屬性和屬性值。在多批次鍍膜工藝開始之前，對每批鍍膜工藝指定對象的名稱，在每批鍍膜工藝中，按照對象名稱在哈希表中通過recipeName這個屬性，RecipeManager類可以很方便地實現(xiàn)對RecipeData對象的定位，從RecipeData對象中自動獲取相應(yīng)對象的屬性和屬性值，也即自動獲取了當(dāng)前批次需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，按照預(yù)定義的工藝流程執(zhí)行鍍膜工藝；通過recipeName這個屬性，RecipeManager類也可以4艮方^f更地實現(xiàn)對RecipeData對象的增加、刪除和修改等操作。
優(yōu)選的，RecipeManager類^是供兩個方法序列化方法(Serialize方法)和反序列化方法(Deserialize方法)。所謂序列化是將對象狀態(tài)轉(zhuǎn)換為可保持或傳輸?shù)母袷降倪^程。與序列化相對的是反序列化，它是將流轉(zhuǎn)換為對象。這兩個方法結(jié)合起來，可以輕松地完成存儲和傳輸?shù)倪^程。本實施例中，Serialize方法將recipeList中對象序列化為一個文件，實現(xiàn)所有對象的保存工作，可以采用保密性強的二進制序列化，也可以采用易讀性強的xml序列化，本實施例中優(yōu)選二進制序列化，完成加密工作；Deserialize方法將保存好的本地文件反序列化為 一個對象，這個對象中仍然保存著全部對象，通過反序列化實現(xiàn)了對象的獲取工作。工藝流程以圖2為例具體進行介紹
5201, 進入工藝流程；
5202, 判斷步數(shù)是否為O;
進入工藝流程后，判斷此時鍍膜工藝需要進行的工藝流程的步數(shù)是否為0,不為O時繼續(xù)工藝流程，反則結(jié)束工藝流程；S203，獲取當(dāng)前步的各項參數(shù)值；
5204, 工藝腔室溫度達到設(shè)定值；
進入單步流程后，首先設(shè)置工藝腔室的溫度，然后通過加熱設(shè)備給工藝腔室加熱，直到達到設(shè)定的溫度；
5205, 工藝腔室壓力達到設(shè)定值；
設(shè)置工藝腔室的壓力值，然后控壓設(shè)備(例如擺閥和蝶閥)調(diào)解腔室的壓力，直到腔室的壓力到達i殳定值的范圍內(nèi)；
5206, 按照設(shè)置的流量給工藝腔室通入氣體；
通過MFC (Mass Flow Control,質(zhì)量流量控制器)等設(shè)備，按照設(shè)置的流量值給工藝腔室精確地通入氣體；
S207，按照設(shè)置的壓力控制工藝腔室壓力；
由于腔室通入了氣體，所以腔室壓力會變化一下，經(jīng)過短暫的幾秒鐘后，控壓設(shè)備能夠調(diào)整腔室的壓力到設(shè)定值的范圍內(nèi)；
S208,按照i殳置的時間對射頻(Radio Frequency,簡稱RF)加電；通過對RF加電，進行電離起輝等反應(yīng)過程后，完成單步鍍膜工藝；S209,設(shè)置工藝腔室狀態(tài)和設(shè)備；
工藝完成后，對工藝腔室的各個設(shè)備進行恢復(fù)操作，使得腔室恢復(fù)到不做工藝的時候的狀態(tài)，例如關(guān)閉RF、關(guān)閉氣體等；S209結(jié)束后重新進入S 202。
本實施例中針對每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，將每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象，針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存，實現(xiàn)了鍍膜工藝完成自動化量產(chǎn)要求的同時還支持鍍膜工藝需要多步配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的工藝要求。
同時對多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存時，將哈希表對象序列化后保存到文件中，工藝開始后，通過反序列化保存的文件獲取相應(yīng)配置參數(shù)和參數(shù)值，對數(shù)據(jù)進行了保密處理。
實施例三
本實施例將以PECVD設(shè)備對兩批硅片的鍍膜工藝為例進一步介紹鍍膜工藝控制方法的實現(xiàn)
假設(shè)現(xiàn)有兩批硅片，需要對其進行鍍膜，兩批硅片采用不同的參數(shù)，第一批釆用單步工藝流程，第二批需要進行多步的復(fù)雜的工藝加工流程才能實現(xiàn)。
在鍍膜工藝生產(chǎn)過程中，針對當(dāng)前兩批硅片的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)和相應(yīng)參數(shù)值，第一批定義為只有一個StepData單步的RecipeData對象，第二批定義為由多個StepData單步對象構(gòu)成的stepData口對象數(shù)組構(gòu)成的RecipeData對象，將這兩個對象保存到RecipeManager類的recipeList,然后把recipeList序列化成一個文件進行保存。
工藝開始之前，對當(dāng)前兩批硅片選擇不同的RecipeData對象的名稱，第一批選擇單步RecipeData對象名稱，第二批選擇多步RecipeData對象名稱，在每批鍍膜工藝開始之前，將保存的文件反序列化為哈希表對象，按照當(dāng)前兩批珪片的對象名稱在哈希表中通過recipeName屬性，對RecipeData對象定位，從RecipeData對象中自動獲糾目應(yīng)對象的屬性和屬性值，也即自動獲取了每批硅片需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行硅片的鍍膜工藝流程，工藝流程以圖2為例。
實施例四
針對上述方法實施例，本發(fā)明還提供了鍍膜工藝控制系統(tǒng)實施例。參照圖3，為本實施例所述鍍膜工藝控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。所述鍍膜工藝控制系統(tǒng)包括
配置單元301，用于針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存；
參數(shù)獲取單元302，用于在每批鍍膜工藝中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；
工藝執(zhí)行單元303，用于根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。
本實施例優(yōu)選的，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。因此，所述配置單元301可以包括
對象定義子單元3011，用于針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象；針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為對象數(shù)組中的一個對象；
屬性定義子單元3012，用于針對單步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為單步對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；多步鍍膜工藝中，每步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為相應(yīng)對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；
存儲子單元3013，用于將多批鍍膜工藝定義的所有對象通過哈希表保存。
本實施例優(yōu)選的，所述鍍膜工藝控制系統(tǒng)還可以包括加密單元304,用于將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)值序列化為一個文件，然后所述配置單元將所述文件進行保存；
12解密單元305，用于將所保存的文件進行反序列化，然后所述參數(shù)獲取單元根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)值。
本實施例所述工藝控制系統(tǒng)中，配置單元301針對多批次的鍍膜工藝預(yù)先編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，加密單元304將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值序列化為 一個文件，然后配置單元301將所述文件通過哈希表進行保存；系統(tǒng)進入鍍膜工藝流程時，解密單元305將所保存的文件反序列化為哈希表對象，參數(shù)獲取單元302根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識在哈希表對象中獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；工藝執(zhí)行單元303根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。
綜上所述，本發(fā)明提供的一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)能夠精確地實現(xiàn)鍍膜工藝控制。
本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。
以上對本發(fā)明所提供的一種工藝控制方法及控制系統(tǒng)，進行了詳細介
施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā) 的限制。
權(quán)利要求
1、一種鍍膜工藝控制方法，其特征在于，包括針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存；在每批鍍膜工藝流程中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值；根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工藝流程。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配 置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，通過以下方式編寫每批 鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中 針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象，單步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定 義為單步對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；針對多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為對象數(shù)組中 的一個對象，每步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為相應(yīng)對象的屬性，相應(yīng)參 數(shù)值定義為屬性值；將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，通過以下方式保存 配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值序列化為 一 個文件 后進行保存；則通過以下方式自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值 將所保存的文件進行反序列化，然后根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識獲取當(dāng)前 批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述鍍膜工藝為對硅片 的鍍膜工藝。
6、 一種鍍膜工藝控制系統(tǒng)，其特征在于，包括配置單元，用于針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，并保存；參數(shù)獲取單元，用于在每批鍍膜工藝中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù) 及相應(yīng)參數(shù)值；工藝執(zhí)行單元，用于根據(jù)所獲取的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，執(zhí)行鍍膜工 藝流程。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于所述每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配 置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述配置單元包括 對象定義子單元，用于針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象；針對多步鍍膜工藝 定義一個對象數(shù)組，其中每步鍍膜工藝為對象數(shù)組中的一個對象；屬性定義子單元，用于針對單步鍍膜工藝需要的配置參數(shù)定義為單步對 象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；多步鍍膜工藝中，每步鍍膜工藝需要 的配置參數(shù)定義為相應(yīng)對象的屬性，相應(yīng)參數(shù)值定義為屬性值；存儲子單元，用于將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6或8所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括加密單元，用于將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值序列 化為一個文件，然后所述配置單元將所述文件進4于保存；解密單元，用于將所保存的文件進行反序列化，然后所述參數(shù)獲取單元 根據(jù)每批鍍膜工藝的標(biāo)識獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于所述工藝執(zhí)行單元執(zhí)行 對硅片的鍍膜工藝。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種鍍膜工藝控制方法及控制系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確的實現(xiàn)多批次鍍膜工藝采用不同配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的連續(xù)進行。所述方法包括針對多批次的鍍膜工藝，編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，每批鍍膜工藝需要的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值包括單步或多步的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值，將每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中單步鍍膜工藝定義一個單步對象，多步鍍膜工藝定義一個對象數(shù)組，將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存，在每批鍍膜工藝流程中，自動獲取當(dāng)前批次的配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值后執(zhí)行鍍膜工藝流程。本發(fā)明完成了自動化量產(chǎn)，而且支持鍍膜工藝需要多步配置參數(shù)及相應(yīng)參數(shù)值的工藝要求。
文檔編號G05B19/04GK101592926SQ200910087670
公開日2009年12月2日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月25日
發(fā)明者平 馬 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司