專利名稱：先進工藝控制的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及工藝控制，特別涉及用于先進工藝控制的技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前已有借由先進工藝控制而進行的工藝的多種應用。一種用于先進工藝控制的 常見模型是共變數(shù)分析(analysis of covariance，ANCOVA)，共變數(shù)分析通常相關(guān)于線性 模型的連續(xù)輸出，而連續(xù)輸出是一個或多重輸入的函數(shù)。舉例而言，這種類型的先進工藝控 制是半導體工藝設(shè)備的控制，例如在半導體晶片上執(zhí)行蝕刻工藝的蝕刻設(shè)備。在具有多重輸入的先進工藝控制的一些應用中，其輸入可能很復雜，并且輸入間 也可能會互相影響和/或干擾，而使得先進工藝控制的效能退化。有時候可借由人類(例如 工程師)分辨且量化可能造成控制結(jié)果不穩(wěn)定的這些輸入互相影響和/或干擾。因此，雖 然目前已經(jīng)有先進工藝控制技術(shù)能夠滿足一些需求，但是其仍不能完全滿足所有的需求。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明實施例提供一種先進工藝控制方 法，包括將第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將第二變數(shù)設(shè)定為初始值；在先進工藝控制的控制 下，根據(jù)第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作工具；測量第一和第二參數(shù)，其中第一和第 二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于工具的操作；根據(jù)第一參數(shù)的函數(shù)，決定第一變數(shù)的新變數(shù) 值，并根據(jù)第二參數(shù)的函數(shù)與第二變數(shù)的目前變數(shù)值，計算第二變數(shù)的新變數(shù)值；以及重復 上述操作、測量、決定和計算步驟。本發(fā)明另一實施例提供一種先進工藝控制裝置，包括一工具；以及一計算機，動 作性地耦接于工具，計算機包括存儲有計算機程序的計算機可讀取媒體，當計算機程序被 執(zhí)行時，計算機執(zhí)行下列步驟將第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將第二變數(shù)設(shè)定為初始值；在先 進工藝控制的控制下，根據(jù)第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作工具；接收已測量的第 一和第二參數(shù)，其中第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于工具的操作；根據(jù)第一參數(shù)的函 數(shù)，決定第一變數(shù)的新變數(shù)值，并根據(jù)第二參數(shù)的函數(shù)與第二變數(shù)的目前變數(shù)值，計算第二 變數(shù)的新變數(shù)值；以及重復上述操作、測量、決定和計算步驟。本發(fā)明的技術(shù)方案有益于改善先進工藝控制的效能，并減少先進工藝控制的多重 輸入間的干擾。


本發(fā)明可借由閱讀實施方式并搭配所附圖示而被較佳地理解。要注意的是，圖示 中多種特征并未依照半導體制造設(shè)備的實際尺寸而繪制。事實上，上述特征的尺寸可任意 增減以簡化說明。 圖1是用以說明本發(fā)明裝置10的方塊圖，其中裝置10是部分的半導體制造系統(tǒng)；圖2是蝕刻工具13的部分控制流程的流程圖3為圖2步驟107 (可選流程)的流程圖。主要附圖標記說明如下10 裝置；11半導體晶片；12 計算機；13 蝕刻工具；14 測量工具；21 處理器；22 存儲器；23 程序；36 工藝特征；38 實驗；46 先進工藝控制模塊；61 實時估計模塊；51、52、64、66 途徑。
具體實施例方式要注意的是，本發(fā)明提供許多不同的實施例，其使用于不同特征上，然而，僅為說 明元件及工藝安排的特例，而并不限于本發(fā)明；此外本發(fā)明于不同的例子中，可重復參考其 數(shù)目及字面意義。此重復的方式，是為簡明的目的；其本身并不特指多個實施例及所討論的 結(jié)構(gòu)之間的特定關(guān)系。另外，實施例方法中，一第一特征以覆蓋或于一第二特征上的形成， 為該第一及該第二特征的直接接觸；以及實施例中的額外特征，若為插入該第一及第二特 征，則該第一及第二特征可不為直接接觸。圖1是用以說明本發(fā)明各種型態(tài)的裝置10的方塊圖，裝置10是部分的半導體制 造系統(tǒng)。在本實施例中，裝置10用以蝕刻多個半導體晶片，上述半導體晶片的一個以元件 符號11表示(晶片11)。裝置10包括計算機12、一個設(shè)備區(qū)塊(蝕刻工具13)，以及測量 工具(metrology section) 14。蝕刻工具13是半導體制造領(lǐng)域常見的裝置，并且包括蝕刻 反應室(此處未顯示)。半導體晶片是設(shè)置于蝕刻反應室內(nèi)來進行蝕刻工藝。本文后述的 晶片(或每一第N個晶片)都是使用測量工具14來評估。在圖1中，雖然對晶片的實體測量是在測量工具14中執(zhí)行，但是為了要預測測量 結(jié)果而不實際執(zhí)行實體測量，也可以使用本領(lǐng)域常見的虛擬測量(virtual metrology)技 術(shù)。舉例而言，虛擬測量可以決定蝕刻工具13的多種特征。然后，根據(jù)如蝕刻工具的工藝 配方、工藝條件(即設(shè)定)與特性等因素，虛擬測量可以決定蝕刻工具13在晶片上的工藝 結(jié)果。在一變型(variation)中，根據(jù)如同工藝品質(zhì)和產(chǎn)品品質(zhì)等因素，虛擬測量可以在一 段時間內(nèi)減少或取代真實或?qū)嶓w的測量。計算機12包括計算機硬件，其可以是常見的、商用的、或是其他合適的計算機硬 件。計算機12的計算機硬件包括處理器21和存儲器22。存儲器22用以存儲被處理器21 執(zhí)行的計算機的程序23，使計算機12能夠控制蝕刻設(shè)備13。關(guān)于蝕刻工具13的控制，計 算機12包括蝕刻工藝信息，用以表示蝕刻工具13執(zhí)行的蝕刻工藝的工藝特征。這些工藝 特征以元件符號36表示(工藝特征36)，并且包括處理晶片的配方(recipe)。數(shù)種或全部 的工藝特征36能夠由以蝕刻工具13進行的實驗38憑經(jīng)驗地被預先決定。對于蝕刻工具 13進行的蝕刻工藝而言，其工藝特征36通常包括溫度、壓力、化學品、理論或測量到的蝕刻 率。工藝特征36被提供至多輸入的先進工藝控制模塊46，而先進工藝控制模塊46用以控 制蝕刻工具13。技術(shù)上而言，先進工藝控制模塊46是程序23的一部分，但是為了說明，所以在圖1中，將先進工藝控制模塊46個別地表示。先進工藝控制模塊46是以本領(lǐng)域常見 的方式被設(shè)置，此處不再贅述。舉例而言，在本實施例中，先進工藝控制模塊46常使用技術(shù) 是共變數(shù)分析。如上述，在蝕刻工具13將晶片蝕刻后，測量工具14接著評估所有或部分的晶片 11。評估所得的測量信息循途徑51和52被提供回計算機12。具體而言，部分的測量信息 循途徑51被直接提供回先進工藝控制模塊46，另外一部分的測量信息循途徑52被提供至 實時估計模塊(real-time estimationmodule) 61。技術(shù)上而言，實時估計模塊61是程序 23的一部分，為了簡化說明，所以在圖1中，將實時估計模塊61個別顯示出來。實時估計模 塊61將于稍后詳述。為了簡化說明，本發(fā)明蝕刻工具13執(zhí)行的蝕刻工藝是用以將晶片11上的材料層 蝕刻出溝槽(trench、groove)，并且溝槽深度是測量工具14測量的參數(shù)之一。通常來說， 工藝特征36會被選擇以達到溝槽的目標深度(desiredd印th)。然而，蝕刻工藝真正的溝槽 深度會被實際工藝情況(real-worldconsiderations)所影響。舉例而言，(蝕刻工具的) 部件(parts)的特性或被蝕刻的晶片的特性都會影響溝槽深度。某種程度上，部件或晶片 11的特性使得(真正的)溝槽深度和欲達到深度(intended depth)間具有深度差α p。此 夕卜，蝕刻反應室也會影響蝕刻工藝。舉例而言，蝕刻反應室內(nèi)的污染物會隨著時間累積，并 逐漸改變在原本控制條件下會達到的溝槽深度。某種程度上，蝕刻反應室的特性使得(真 正的)溝槽深度和欲達到深度(intended depth)間具有深度差α c。測量工具14用以評估由蝕刻工具13執(zhí)行的蝕刻工藝產(chǎn)生的溝槽，包括使用常見 的工具測量真正的溝槽深度。測量信息循途徑52被提供回計算機12，包括已測量的溝槽深 度 ETCH_DEPTH。以下將詳細說明實時估計模塊(real-time estimate module)61。實時估計模塊 61提供蝕刻工具13的實際蝕刻率的實時估計。這表示蝕刻工具13的實際蝕刻率會因部件 特性造成的影響(αρ)以及/或蝕刻反應室造成的影響(α。)而隨著時間不同于理論預期 的蝕刻率。工藝特征36包括蝕刻工具13預期的或理論的蝕刻率，并且預期的蝕刻率根據(jù) 蝕刻工藝所有的工藝特征而循途徑64被提供至實時估計模塊61。實時估計模塊61產(chǎn)生蝕 刻工具13的實際蝕刻率的估計，并使用實際蝕刻率的估計來為蝕刻工具13所執(zhí)行的蝕刻 工藝計算調(diào)整的蝕刻(adjusted etch time)時間，然后循途徑66提供更新的(updated) 蝕刻時間至先進工藝控制模塊46。為了簡化說明，在圖1與下述的討論中均意指實時估計模塊61估計蝕刻率，然后 計算蝕刻時間。然而另一方面，以下事實也是有可能的實時估計模塊61進行蝕刻率的估 計，然后提供估計的蝕刻率至先進工藝控制模塊46，并且先進工藝控制模塊46接著根據(jù)來 自實時估計模塊61的估計的蝕刻率來進行蝕刻時間的計算。圖2是蝕刻工具13的部分控制流程的流程圖，用以說明實時估計模塊61的操作。在步驟101，實時估計模塊61根據(jù)由途徑64接收的工藝特征36的信息來初始化兩個變數(shù) ETCH_RATE和ETCH_TIME。舉例而言，變數(shù)ETCH_RATE和ETCH_TIME的初始化是由晶片的工 藝配方所預先決定。在圖2的實施例中，變數(shù)ETCH_TIME被設(shè)定為工藝特征36的既定或基 線(baseline)蝕刻時間TB。蝕刻反應室內(nèi)，在經(jīng)過選擇的特定工藝條件下，蝕刻工具13應 能根據(jù)基線蝕刻時間制造出具有目標溝槽深度的溝槽。變數(shù)ETCH_TIME的數(shù)值循途徑66被提供至先進工藝控制模塊46。變數(shù)ETCH_RATE被設(shè)定為工藝特征36的既定的(理論的) 蝕刻率。蝕刻反應室內(nèi)，在經(jīng)選擇的特定工藝條件下，蝕刻工具13應能具有理論的蝕刻速 率(即變數(shù)ETCH_RATE)。接著，在步驟102，在先進工藝控制模塊46的控制下，在設(shè)置于蝕刻工具13內(nèi)的晶 片11上執(zhí)行蝕刻工藝并持續(xù)一段由變數(shù)ETCH_TIME所指定的時間。接著，此晶片由蝕刻工 具13被轉(zhuǎn)移至測量工具14。然后在步驟103，使用常見的測量工具14測量晶片11上真正 的溝槽深度，并得到所測量的溝槽深度ETCH_DEPTH。下一步，在步驟106，實時估計模塊61使用(1)變數(shù)ETCH_RATE的目前變數(shù)值； (2)測量工具14所測量的溝槽深度ETCH_DEPTH ；以及(3)變數(shù)ETCH_TIME的目前變數(shù)值， 來計算變數(shù)ETCH_RATE的新變數(shù)值。具體而言，為了要求得實際蝕刻率，將所測量的溝槽 深度ETCH_DEPTH除以變數(shù)ETCH_TIME的目前變數(shù)值，然后將實際蝕刻率乘上權(quán)重系數(shù)w， 其中權(quán)重系數(shù)是介于0和1之間的小數(shù)值(decimal value)，例如w = 0. 5。接著，將1減 掉權(quán)重系數(shù)w的結(jié)果乘上變數(shù)ETCH_RATE的目前變數(shù)值。為了求得變數(shù)ETCH_RATE的新變 數(shù)值，將兩種不同的加權(quán)值(weighted value)相加，其中變數(shù)ETCH_RATE的新變數(shù)值取代 變數(shù)ETCH_RATE的目前變數(shù)值而被存儲。因此，要注意的是，變數(shù)ETCH_RATE的數(shù)值通常是 (1)工藝特征36的預期的(理論的)蝕刻率與(2)由測量工具14所評估的每一晶片的實 際(calculated)蝕刻率的函數(shù)。實際上，蝕刻率的權(quán)重系數(shù)w會隨著時間逐漸遞減。換言 之，在任意時間點，蝕刻率的權(quán)重隨著時間由最近的實際蝕刻率逐漸遞減為用以初始化變 數(shù)ETCH_RATE的既定值。步驟107代表可選(optional)流程，其可以執(zhí)行，也可以不執(zhí)行，后續(xù)將加以解 釋。在步驟108，根據(jù)在步驟106得到的變數(shù)ETCH_RATE的新變數(shù)值，計算變數(shù)ETCH_TIME 的新變數(shù)值。具體而言，此步驟包括(1)將部件和蝕刻反應室的已知結(jié)果加起來，并以對應 于總和(α ρ+ α。)的一個數(shù)值表示；(2)將上述數(shù)值除以在步驟106求得的變數(shù)ETCH_RATE 的新變數(shù)值；以及(3)將基線蝕刻時間Tb減去(2)的結(jié)果。將(3)的結(jié)果作為變數(shù)ETCH_ TIME的新變數(shù)值并加以存儲，用以取代變數(shù)ETCH_TIME的目前變數(shù)值。變數(shù)ETCH_TIME的 新變數(shù)值循途徑66被提供至先進工藝控制模塊46，用以在蝕刻工具13執(zhí)行的下一個蝕刻 工藝期間，供先進工藝控制模塊之用。接著，控制流程回到步驟102，在蝕刻工具13中進行 下一批次晶片的蝕刻工藝。圖2所示技術(shù)將有益于改善先進工藝控制模塊的效能，并減少 先進工藝控制模塊46多重輸入間的干擾。圖3為圖2步驟107 (可選流程)的流程圖。圖3的步驟121是關(guān)于輸出的干擾 影響的計算。具體而言，在圖2中，只有在步驟106計算變數(shù)ETCH_RATE的新變數(shù)值，而在 步驟121中，將變數(shù)ETCH_RATE的新變數(shù)值乘上時間差Δ T’，其中Δ T’為 上述結(jié)果即為變數(shù)ADEPTHAre。然后，在步驟122，移除輸出中干擾的影響。具體 而言，將所測量的溝槽深度ETCH_DEPTH減掉變數(shù)△ DEPTHAre的變數(shù)值，而所得結(jié)果為變數(shù) DEPTHDeArc。圖2中并沒有顯示變數(shù)Δ DEPTHapc和DEPTHDeArc。然而，為了其他目的，步驟107 能夠可選地(optionally)計算變數(shù)Δ DEPTHAre和DEPTHDeAre。舉例而言，對于變動中的蝕刻條件而言，若其補償沒有功效，則可以通過步驟107計算變數(shù)DEPTHDeAre的變數(shù)值來求得 溝槽深度。變數(shù)DEPTHDeArc具有多種應用，舉例而言，其可用作取樣策略的模擬(sampling policy simulations)或最佳化，其中為了模擬不同取樣策略下的控制成效，將先進工藝控 制的影響移除以及將晶片數(shù)據(jù)恢復(restore)到晶片被蝕刻前的狀態(tài)是有必要的。一旦先 進工藝控制的影響被移除后，那些被先進工藝控制所抑制的能夠影響結(jié)果的因素將會更清 晰，也更容易辨別。雖然上述討論僅有關(guān)于半導體工藝的蝕刻工具的先進工藝控制，但是使用本發(fā)明 揭示的技術(shù)來控制半導體工藝的其他工具，或是除了半導體工藝外其他應用的工藝也是 可能的。雖然本發(fā)明實施例僅對蝕刻時間的微調(diào)(fine-time)使用預估的蝕刻率，但是 對其他應用使用預估的蝕刻率也是可能的。舉例而言，為了得知基線拋光時間(baseline polish time)的時間調(diào)整量(time adjustment)，也可將所測量的溝槽深度ETCH_DEPTH除 以預估的蝕刻率。在其他實施例中，實時估計模塊61除了提供蝕刻率，也提供其他的參數(shù) 估計，例如相關(guān)于多重輸入先進工藝控制模塊的其他輸入。雖然本發(fā)明已由較佳實施例揭示如上，但并非用以限制本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明 精神和范疇的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能作些許更動。因此根據(jù)本發(fā)明實施例，本發(fā)明 提供一種先進工藝控制方法，包括將第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將第二變數(shù)設(shè)定為初始值； 在先進工藝控制的控制下，根據(jù)第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作工具；測量第一和 第二參數(shù)，其中第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于工具的操作；根據(jù)第一參數(shù)的函數(shù)， 決定第一變數(shù)的新變數(shù)值，并根據(jù)第二參數(shù)的函數(shù)與第二變數(shù)的目前變數(shù)值，計算第二變 數(shù)的新變數(shù)值；以及重復上述操作、測量、決定和計算步驟。在本實施例中，上述計算包括將第二參數(shù)乘以一第一權(quán)重系數(shù)(weight)以取得 一第一加權(quán)值(weighted value)，且將第二變數(shù)的目前變數(shù)值乘以一第二權(quán)重系數(shù)以取得 一第二加權(quán)值，以及將第一加權(quán)值和第二加權(quán)值相加。本實施例還包括選擇介于0和1之間的數(shù)值作為第一權(quán)重系數(shù)，并且選擇1減去 第一權(quán)重系數(shù)的數(shù)值作為第二權(quán)重系數(shù)。在本實施例中，上述操作上述工具的步驟包括在先進工藝控制的控制下，處理一 半導體晶片。在本實施例中，上述操作上述工具的步驟包括使用被先進工藝控制的上述工具來 執(zhí)行一半導體晶片的蝕刻工藝。在本實施例中，上述測量第二參數(shù)的步驟包括測量被蝕刻工藝移除的材料的厚度。在本實施例中，第二變數(shù)代表蝕刻率，上述計算第二變數(shù)的新變數(shù)值的步驟包括 將第二參數(shù)除以蝕刻工藝的時間間距。在本實施例中，上述操作上述工具的步驟 包括根據(jù)第二變數(shù)的函數(shù)調(diào)整蝕刻工藝 的時間間距。根據(jù)本發(fā)明另一實施例，本發(fā)明提供一種先進工藝控制裝置，包括一工具；以及 一計算機，動作性地耦接于工具，計算機包括存儲有計算機程序的計算機可讀取媒體，當計 算機程序被執(zhí)行時，計算機執(zhí)行下列步驟將第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將第二變數(shù)設(shè)定為 初始值；在先進工藝控制的控制下，根據(jù)第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作工具；接收已測量的第一和第二參數(shù)，其中第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于工具的操作；根據(jù) 第一參數(shù)的函數(shù)，決定第一變數(shù)的新變數(shù)值，并根據(jù)第二參數(shù)的函數(shù)與第二變數(shù)的目前變 數(shù)值，計算第二變數(shù)的新變數(shù)值；以及重復上述操作、測量、決定和計算步驟。在本實施例中，上述計算機程序執(zhí)行的計算包括將第二參數(shù)乘以一第一權(quán)重系數(shù) 以取得一第一加權(quán)值，且將第二變數(shù)的目前變數(shù)值乘以一第二權(quán)重系數(shù)以取得一第二加權(quán) 值，以及將第一加權(quán)值和第二加權(quán)值相加。在本實施例中，上述計算機程序執(zhí)行的計算包括選擇介于0和1之間的數(shù)值作為 第一權(quán)重系數(shù)，并且選擇1減去第一權(quán)重系數(shù)的數(shù)值作為第二權(quán)重系數(shù)。在本實施例中，上述工具在先進工藝控制的控制下，處理一半導體晶片。在本實施例中，上述工具使用在先進工藝控制的控制下，執(zhí)行一半導體晶片的蝕 刻工藝。在本實施例中，上述測量第二參數(shù)的步驟包括測量被蝕刻工藝移除的材料的厚度。在本實施例中，第二變數(shù)代表蝕刻率，上述計算機程序執(zhí)行第二變數(shù)的新變數(shù)值 的計算包括將第二參數(shù)除以蝕刻工藝的一時間間距。在本實施例中，計算機程序操作上述工具的步驟包括根據(jù)第二變數(shù)的函數(shù)調(diào)整蝕 刻工藝的時間間距。本發(fā)明已經(jīng)由數(shù)種實施例揭示如上。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應能以本發(fā)明所揭示的 技術(shù)內(nèi)容作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改其他的工藝或架構(gòu)來達到相同于本發(fā)明的目的和/或優(yōu) 點。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應能知悉在不脫離本發(fā)明的精神和架構(gòu)的前提下，當可作些許更 動、替換和置換。
權(quán)利要求
一種先進工藝控制方法，包括將一第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將一第二變數(shù)設(shè)定為初始值；在先進工藝控制的控制下，根據(jù)上述第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作一工具；測量一第一和第二參數(shù)，其中上述第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于上述工具的操作；根據(jù)上述第一參數(shù)的函數(shù)，決定上述第一變數(shù)的一新變數(shù)值，并根據(jù)上述第二參數(shù)的函數(shù)與上述第二變數(shù)的一目前變數(shù)值，計算上述第二變數(shù)的一新變數(shù)值；以及重復上述操作、測量、決定和計算步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的先進工藝控制方法，其中上述計算步驟包括 將上述第二參數(shù)乘以一第一權(quán)重系數(shù)，用以取得一第一加權(quán)值；將上述第二變數(shù)的目前變數(shù)值乘以一第二權(quán)重系數(shù)，用以取得一第二加權(quán)值；以及 將上述第一加權(quán)值和第二加權(quán)值相加。
3.如權(quán)利要求2所述的先進工藝控制方法，包括選擇介于O和1之間的數(shù)值作為上述 第一權(quán)重系數(shù)，并且選擇1減去上述第一權(quán)重系數(shù)的數(shù)值作為上述第二權(quán)重系數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的先進工藝控制方法，上述操作上述工具的步驟包括在先進工藝 控制的控制下，處理一半導體晶片。
5.如權(quán)利要求1所述的先進工藝控制方法，其中上述操作上述工具的步驟包括使用被 先進工藝控制的上述工具來執(zhí)行一半導體晶片的一蝕刻工藝。
6.如權(quán)利要求1所述的先進工藝控制方法，其中上述測量上述第二參數(shù)的步驟包括測 量被上述蝕刻工藝移除的材料的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的先進工藝控制方法，其中上述第二變數(shù)代表一蝕刻率，并且上 述計算上述第二變數(shù)的新變數(shù)值的步驟包括將上述第二參數(shù)除以上述蝕刻工藝的時間間 距，以及根據(jù)上述第二變數(shù)的函數(shù)值調(diào)整上述蝕刻工藝的時間間距。
8.一種先進工藝控制裝置，包括 一工具；以及一計算機，耦接于上述工具，上述計算機包括存儲有一計算機程序的一計算機可讀取 媒體，當上述計算機程序被執(zhí)行時，上述計算機執(zhí)行下列步驟 將一第一變數(shù)設(shè)定為初始值； 將一第二變數(shù)設(shè)定為初始值；在先進工藝控制的控制下，根據(jù)上述第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作上述工具；接收已測量的一第一和第二參數(shù)，其中上述第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于上 述工具的操作；根據(jù)上述第一參數(shù)的函數(shù)，決定上述第一變數(shù)的一新變數(shù)值，并根據(jù)上述第二參數(shù)的 函數(shù)與上述第二變數(shù)的一目前變數(shù)值，計算上述第二變數(shù)的一新變數(shù)值；以及 重復上述操作、測量、決定和計算步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的先進工藝控制裝置，其中上述計算機程序執(zhí)行的上述計算包括 將上述第二參數(shù)乘以一第一權(quán)重系數(shù)以取得一第一加權(quán)值，且將上述第二變數(shù)的目前變數(shù)值乘以一第二權(quán)重系數(shù)以取得一第二加權(quán)值，以及將上述第一加權(quán)值和第二加權(quán)值相加。
10.如權(quán)利要求9所述的先進工藝控制裝置，其中上述計算機程序執(zhí)行的上述計算包 括選擇介于0和1之間的數(shù)值作為上述第一權(quán)重系數(shù)，并且選擇1減去上述第一權(quán)重系數(shù) 的數(shù)值作為上述第二權(quán)重系數(shù)。
11.如權(quán)利要求8所述的先進工藝控制裝置，其中上述工具在先進工藝控制的控制下， 處理一半導體晶片。
12.如權(quán)利要求8所述的先進工藝控制裝置，其中上述工具在先進工藝控制的控制下， 執(zhí)行一半導體晶片的一蝕刻工藝。
13.如權(quán)利要求12所述的先進工藝控制裝置，其中上述第二參數(shù)代表被上述蝕刻工藝 移除的材料的厚度。
14.如權(quán)利要求13所述的先進工藝控制裝置，其中上述第二變數(shù)代表蝕刻率；以及上述計算機程序進一步執(zhí)行上述第二變數(shù)的新變數(shù)值的計算，上述計算包括將上述第 二參數(shù)除以上述蝕刻工藝的時間間距，以及上述計算機程序進一步執(zhí)行上述工具的操作， 上述操作包括根據(jù)上述第二變數(shù)的函數(shù)調(diào)整上述蝕刻工藝的時間間距。
全文摘要
本發(fā)明提供一種先進工藝控制方法和裝置，所述方法包括將第一變數(shù)設(shè)定為初始值；將第二變數(shù)設(shè)定為初始值；在先進工藝控制的控制下，根據(jù)第一和第二變數(shù)的每一個的函數(shù)來操作工具；測量第一和第二參數(shù)，其中第一和第二參數(shù)是不同的，并且有關(guān)于工具的操作；根據(jù)第一參數(shù)的函數(shù)，決定第一變數(shù)的新變數(shù)值，并根據(jù)第二參數(shù)的函數(shù)與第二變數(shù)的目前變數(shù)值，計算第二變數(shù)的新變數(shù)值；以及重復上述操作、測量、決定和計算步驟。本發(fā)明的技術(shù)方案有益于改善先進工藝控制的效能，并減少先進工藝控制的多重輸入間的干擾。
文檔編號G05B19/04GK101840207SQ201010136008
公開日2010年9月22日 申請日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者曾衍迪, 蔡柏灃 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司