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一種新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源的制作方法

文檔序號:6323710閱讀:277來源:國知局
專利名稱:一種新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種繼電器式全自動交流穩(wěn)壓電源電路結構。
背景技術
目前,靠切換自耦變壓器抽頭改變匝比穩(wěn)定輸出電壓的交流穩(wěn)壓電源,切換元件 主要由單獨的電磁式繼電器、固態(tài)繼電器或由過零觸發(fā)電路與雙向可控硅(或反并聯(lián)的單 向可控硅)構成的相當于過零點觸發(fā)型固態(tài)繼電器的電路完成。單獨利用電磁繼電器作為 抽頭切換元件時,通常利用繼電器常開和常閉觸點交替動作完成,靠控制電路很難實現(xiàn)觸 點在交流過零點切換,大電流時容易產生拉弧現(xiàn)象,產生強烈火花,從而導致觸點失效,造 成穩(wěn)壓電源故障,降低了使用壽命。單獨利用固態(tài)繼電器或由相當于過零點觸發(fā)型固態(tài)繼 電器的可控硅電路作為切換時,能實現(xiàn)正弦波零點切換,但由于固態(tài)繼電器造價高,同時使 用在相同穩(wěn)壓級數(shù)的條件下與具有常開和常閉觸點的電磁繼電器相比,數(shù)量也會增多,從 而成本也較高。
發(fā)明內容針對上述現(xiàn)有技術存在的缺點,本發(fā)明人積累多年從事本領域工作的經驗,經過 反復研究論證,終得本實用新型的產生,本實用新型提供一種新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是把電磁繼電器式穩(wěn)壓電源的輸 出繼電器(僅作為輸出開關用)改為過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路。 當輸出電壓波動時,作為電壓調節(jié)用的電磁繼電器在MCU控制電路的控制下,配合過零型 交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路進行過零觸發(fā)切換,把電磁繼電器的動作時 間限制在過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路關閉之后和開通之前,使電磁 繼電器在無負載電流的條件下進行切換,從而大幅減小了電磁繼電器觸點在大電流切換瞬 間產生的強烈拉弧現(xiàn)象。本實用新型的有益效果是,把電磁繼電器與過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸 發(fā)可控硅電路相混合的電路結構運用到觸點式交流穩(wěn)壓電源上,減小了電磁繼電器切換時 出現(xiàn)的拉弧現(xiàn)象,與傳統(tǒng)電磁繼電器式交流穩(wěn)壓電源相比,大幅提高了使用壽命;與全部采 用過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅控制電路的交流穩(wěn)壓電源相比,大幅降低 了產品成本。
以下結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。
下圖1為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
本實用新型主要包括由自耦變壓器Tl、電磁式繼電器(Kl、K2、K3、Kn、…)、過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Kn+1)和MCU控制電路組成。其中,電磁式 繼電器數(shù)量η及自耦變壓器抽頭數(shù)由交流穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓級數(shù)決定,MCU控制電路分別與 過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Kn+1)和電磁式繼電器(ΚΙ、K2、K3、 Kn,…)控制端連接,交流過零觸發(fā)可控硅電路(Kn+1)與輸出端連接,變壓器Tl的各電壓 繞組抽頭分別與電磁式繼電器(Kl、K2、K3、Kn、…)對應觸點相連接。自耦變壓器Tl用于調節(jié)輸出電壓的大小變化。自耦變壓器Tl和電磁式繼電器 (Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)之間相互連接。電磁式繼電器(ΚΙ、Κ2、Κ3、Κη、…)主要用于改變自耦變壓器Tl繞組輸入輸出 匝數(shù)比,穩(wěn)定輸出電壓。電磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)的電路與自耦變壓器Tl、過零 型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Κη+1)和MCU控制電路之間相互連接。 過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路主要用于檢測到MCU控制電 路產生的高低電平時,能準確實現(xiàn)下一交流電壓過零點時開通或關斷。過零型交流固態(tài)繼 電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(κη+1)在電磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)和MCU控制電 路之間形成連接。MCU控制電路檢測到輸出電壓高于或低于穩(wěn)壓電源設定的電壓范圍值時,MCU控 制電路先向過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Κη+1)發(fā)出關斷信號,輸出 電流在零點處與負載斷開。MCU控制電路根據(jù)輸出電壓情況選定電磁式繼電器(Κ1、Κ2、 Κ3、Κη、…)中的一個或幾個電磁繼電器執(zhí)行切換動作,改變自耦變壓器Tl繞組輸入輸出 匝數(shù)比,完成切換后MCU控制電路再向過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路 (Κη+1)發(fā)出開通信號,輸出電壓在零點處與負載接通。由此實現(xiàn)了電磁式交流穩(wěn)壓電源在無 機械觸點下與負載的過零點切換,從而大幅減小了電磁繼電器大電流切換時產生的強烈拉 弧現(xiàn)象,達到了提高電磁繼電器式交流穩(wěn)壓電器使用壽命的目的。綜上所述,是本實用新型的較佳實施例,凡依本實用新型技術方案所作出的改變, 所產生的功能作用未能超出本實用新型技術方案的范圍時,均屬于本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,其主要特征為主要包括由自耦變壓器Tl、電磁 式繼電器(ΚΙ、K2、K3、Kn、…)、過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Κη+1) 和MCU控制電路組成,其中,MCU控制電路分別與過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可 控硅電路(Κη+1)和電磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)控制端連接,交流過零觸發(fā)可控硅 電路(Κη+1)與輸出端連接,變壓器Tl的各電壓繞組抽頭分別與電磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、 Kn、…)對應觸點相連接。
2.如權利要求1所述的新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,其主要特征為MCU控制電路檢測 到輸出電壓高于或低于穩(wěn)壓電源設定的電壓范圍值時,MCU控制電路先向過零型交流固態(tài) 繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Kn+1)發(fā)出關斷信號,輸出電壓在零點處與負載斷開,改 變自耦變壓器Tl繞組輸入輸出匝數(shù)比,完成切換后MCU控制電路再向過零型交流固態(tài)繼電 器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Κη+1)發(fā)出開通信號,輸出電壓在零點處與負載接通。
3.如權利要求1所述的新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,其主要特征為過零型交流固態(tài) 繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Κη+1)主要用于檢測到MCU控制電路產生的高低電平 時,能準確實現(xiàn)下一過交流電壓過零點時開通或關斷,過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零 觸發(fā)可控硅電路(Κη+1)在電磁式繼電器(ΚΙ、Κ2、Κ3、Κη、…)和MCU控制電路之間形成連 接。
4.如權利要求1所述的新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,其主要特征為電磁式繼電器 (Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)主要用于改變自耦變壓器Tl繞組輸入輸出匝數(shù)比,穩(wěn)定輸出電壓,電 磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)與自耦變壓器Tl、過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā) 可控硅電路(Κη+1)和MCU控制電路之間相互連接。
5.如權利要求1所述的新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,其主要特征為自耦變壓器Tl用 于調節(jié)輸出電壓的大小變化,自耦變壓器Tl和電磁式繼電器(Κ1、Κ2、Κ3、Κη、…)之間相 互連接。
專利摘要本實用新型屬于一種新型繼電器式交流穩(wěn)壓電源,它主要包括由自耦變壓器T1、電磁式繼電器(K1、K2、K3、Kn、…)、過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路(Kn+1)和MCU控制電路組成。本實用新型的有益效果是,把電磁繼電器與過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅電路相混合的電路結構運用到觸點式交流穩(wěn)壓電源上,大幅減小了電磁繼電器切換時出現(xiàn)的拉弧現(xiàn)象,與傳統(tǒng)電磁繼電器式交流穩(wěn)壓電源相比,大幅提高了使用壽命;與全部采用過零型交流固態(tài)繼電器或交流過零觸發(fā)可控硅控制電路的交流穩(wěn)壓電源相比,大幅降低了產品成本。
文檔編號G05F1/14GK201853156SQ201020026358
公開日2011年6月1日 申請日期2010年1月8日 優(yōu)先權日2010年1月8日
發(fā)明者阮英軍 申請人:阮英軍
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