專利名稱：自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，能工作在2-5V輸入電壓下， 提供1. 8V固定輸出電壓，最大可以驅(qū)動IOOmA電流。具有環(huán)路帶寬大、驅(qū)動適應(yīng)性強、在不 同驅(qū)動電流模式間切換過程中，輸出波形平穩(wěn)的特點。
背景技術(shù)：
低壓差線性穩(wěn)壓器在集成電路中有著廣泛的用途，一般用來為芯片內(nèi)部電路提供 穩(wěn)定的內(nèi)核電壓。低壓差線性穩(wěn)壓器可以工作在很寬的輸入電壓范圍內(nèi)，具有很強的電源 適應(yīng)性。除此之外，使用低壓差線性穩(wěn)壓器也可以一定程度上消除外部電源的毛刺和干擾。 特別是在使用電池供電的場合，目前很多模擬數(shù)字芯片的內(nèi)核電源電壓在1.2V-1.8V，而電 池的電壓通常是固定的。在芯片內(nèi)集成低壓差線性穩(wěn)壓器，如此具有不同內(nèi)核電壓的芯片 就可以工作在同樣的電源電壓下，實現(xiàn)高度的實用靈活性。由于低壓差線性穩(wěn)壓器通常采 用反饋結(jié)構(gòu)，配合誤差放大器在一定帶寬內(nèi)可以實現(xiàn)較高的電源抑制比，消除了外部電源 噪聲和干擾信號的影響。低壓差線性穩(wěn)壓器在芯片內(nèi)部是當(dāng)作電源使用的，其輸出電流有著很寬的變化范 圍。對應(yīng)的等效輸出負載可以從幾百兆歐一直變化到幾十歐，從低壓差線性穩(wěn)壓器的反饋 環(huán)路看，其輸出極點的位置會變化數(shù)萬倍。這會給整個低壓差線性穩(wěn)壓器反饋環(huán)路的穩(wěn)定 性設(shè)計帶來很大的挑戰(zhàn)。為了消除該效應(yīng)的影響，通常的做法是在輸出端并聯(lián)一個很大的 電容，將輸出極點拉到足夠低的位置。直到在最小負載情況下反饋環(huán)路的單位增益頻率低 于環(huán)路第二個極點的位置。從而保證了在最差情況下環(huán)路相位裕度大于45度。但這樣做 的后果是并聯(lián)了一個太大的電容(通常是數(shù)十至數(shù)百PF)，使得環(huán)路帶寬被嚴重限制了， 對干擾和電源波動的抑制能力也有所下降。另一種方法是使用緩沖器(通常是源跟隨器)來 提高第二，第三極點的位置，使得這些極點遠離主極點(輸出極點)，即使主極點(輸出極點) 的位置發(fā)生很大的變化，次極點的位置始終大于單位增益頻率。但是這樣做的主要缺點是 要實現(xiàn)較高的次極點位置，需要很大的電流來驅(qū)動這些緩沖器。這樣的做法直接導(dǎo)致了低 壓差線性穩(wěn)壓器的高功耗。為了在提高次極點位置的同時不增加過多的額外功耗，需要設(shè) 計出具有更高電流效率的緩沖器，即在較低的偏置電流下即可實現(xiàn)很低的輸出電阻。另外 可以引入自適應(yīng)頻率補償技術(shù)，即次極點位置根據(jù)主極點的變化而相應(yīng)變化，在主極點位 置較低時，只需要較低的電流便可以實現(xiàn)保證次極點大于單位增益頻率。而在輸出大電流 即負載較低時，對緩沖器注入額外電流，使得次極點與主極點以相同的速度增加，繼續(xù)保證 環(huán)路的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于提供一種使用自適應(yīng)頻率補償技術(shù)，包含兩級緩沖 級的低壓差線性穩(wěn)壓器電路。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為一種自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器包括誤差放大器、第一緩沖器、帶有自適應(yīng)頻率補償功能的 第二緩沖器和功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管，第一反饋電阻、第二反饋電阻、片外電容、鍵 合線電阻；其中，基準(zhǔn)電流通過N型金屬氧化物半導(dǎo)體管輸入；輸入電源電壓分別輸入誤差 放大器的電源端，第一緩沖器的電源端，帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器的電源端 和功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管的源極，誤差放大器的輸出端接第一緩沖器的輸入端，第 一緩沖器的輸出端接第二緩沖器的輸入端，第二緩沖器的輸出端接功率P型金屬氧化物半 導(dǎo)體管的柵極，功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管的漏極接第一反饋電阻的上端，第一反饋電 阻的下端接第反饋二電阻的上端和誤差放大器的正輸入端，第二反饋電阻的下端接地，片 外電容的下極板接地，上極板通過鍵合線電阻接到輸出端口，誤差放大器的負輸入端輸入 參考電壓，其中帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器根據(jù)驅(qū)動負載的情況自動調(diào)節(jié)偏置 電流，從而對輸出阻抗進行調(diào)整，以實現(xiàn)對該低壓差線性穩(wěn)壓器的動態(tài)頻率補償。優(yōu)選的，所述參考電壓為1. 2伏。優(yōu)選的，所述帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器包括第十一 NMOS管、第十二 NMOS管、第三十NMOS管，第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管，第十二 NMOS管， 第十七NMOS管，第八PMOS管，第九PMOS管，第十晶體管；第十二 NMOS管的柵極接N型金 屬氧化物半導(dǎo)體管的柵極，漏端分別連接到第十六PMOS管的漏端和第十三NMOS管的源端； 第十一 NMOS管漏源短接，第十一 NMOS管的柵極接第十二 NMOS管的柵極；第十三NMOS管的 柵極接1. 2V的參考電壓，第十三NMOS管的漏極接第十四PMOS管PMOS管的漏極；第十四 PMOS管的源極接輸入電源電壓；第十NMOS管，第八PMOS管，第九PMOS管為第十四PMOS管 提供鏡像電流；第十五PMOS管的源端接輸入電源電壓，柵極接第十四PMOS管的漏極；第 十五PMOS管的漏極接第十六PMOS管的源極；小寬長比第十七NMOS管的柵極短接，連接到 第十六PMOS管的漏極。優(yōu)選的，所述帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器還包括自適應(yīng)頻率補償電 路，該自適應(yīng)頻率補償電路包括第十八NMOS管、第十九NOMS管、第二十PMOS管、功率管、 第三電阻和第一電容；功率管的源極接輸入電源電壓，漏極接第一反饋電阻的上端，第二十 PMOS管的源極接輸入電源電壓，第二十PMOS管的柵極接功率管的柵極；第二十PMOS管的 漏極接第十九PMOS管的漏極，第十九PMOS管柵漏短接，源極接地；第十八PMOS管源極接 地，漏極接第十六PMOS管的漏極，柵極接第十九PMOS管的柵極；第三電阻和第一電容串聯(lián)， 第三電阻一端接第十五PMOS管的柵極，另一端接輸入電源電壓。有益效果加入了兩級緩沖級，可以使用較低的片外電容(1 μ F)，保證了該低壓 差線性穩(wěn)壓器的環(huán)路帶寬。使用了跨導(dǎo)自舉的第二緩沖級并同時引入了動態(tài)阻抗調(diào)整技 術(shù)，使得第二極點隨輸出極點同步變化，只在需要的時候注入電流，提高了電流利用效率。 該電路具有驅(qū)動適應(yīng)性強、在不同驅(qū)動電流模式間切換過程中，輸出波形平穩(wěn)的特點。


圖1為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器主體電路框圖； 圖2為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路原理圖； 圖3為本發(fā)明的第二緩沖級的電路原理圖4為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在最大和無驅(qū)動電流情況下的環(huán)路幅頻特性曲線；其中實線為最大電流驅(qū)動模式，虛線為最小電流驅(qū)動模式；
圖5為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在最大和無驅(qū)動電流情況下的環(huán)路相頻特性曲線； 其中實線為最大電流驅(qū)動模式，虛線為最小電流驅(qū)動模式；
圖6為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在最大驅(qū)動電流(IOOmA)與無驅(qū)動電流模式之間切 換過程中的時域波形。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步說明。參見圖1 一 6，本發(fā)明提供的一種自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，其特征在 于
該穩(wěn)壓器包括誤差放大器、第一緩沖器、帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器和功 率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管ΡΜ0，第一反饋電阻R1、第二反饋電阻R2、片外電容CO、鍵合線 電阻CL;其中，基準(zhǔn)電流通過N型金屬氧化物半導(dǎo)體管MO輸入；輸入電源電壓分別輸入誤 差放大器的電源端，第一緩沖器的電源端，帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器的電源 端和功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管PMO的源極，誤差放大器的輸出端接第一緩沖器的輸入 端，第一緩沖器的輸出端接第二緩沖器的輸入端，第二緩沖器的輸出端接功率P型金屬氧 化物半導(dǎo)體管PMO的 柵極，功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管PMO的漏極接第一反饋電阻 Rl的上端，第一反饋電阻Rl的下端接第反饋二電阻R2的上端，第二反饋電阻R2的下端接 地，第二反饋電阻R2的上端接誤差放大器的正輸入端，片外電容CO的下極板接地，上極板 通過鍵合線電阻接到輸出端口 CL，誤差放大器的負輸入端輸入?yún)⒖茧妷?，其中帶有自適應(yīng) 頻率補償功能的第二個緩沖器根據(jù)驅(qū)動負載的情況自動調(diào)節(jié)偏置電流，從而對輸出阻抗進 行調(diào)整，以實現(xiàn)對該低壓差線性穩(wěn)壓器的動態(tài)頻率補償。所述參考電壓為1.2伏。所述帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器包括第i^一 NMOS管Ml 1、第十二 NMOS 管M12、第三十NMOS管M13，第十四PMOS管M14、第十五PMOS管M15、第十六PMOS管M16，第 十二 NMOS管M12，第十七NMOS管M17，第八PMOS管M8，第九PMOS管M9，第十晶體管MlO ； 第十二 NMOS管M12的柵極接N型金屬氧化物半導(dǎo)體管MO的柵極電流鏡，漏端分別連接到 第十六PMOS管M16的漏端和第十三NMOS管M13的源端；第i^一 NMOS管Mll漏源短接，第 i^一 NMOS管Mll的柵極接第十二 NMOS管M12的柵極；第十三NMOS管M13的柵極接1. 2V 的參考電壓，第十三NMOS管M13的漏極接第十四PMOS管PMOS管M14的漏極；第十四PMOS 管M14的源極接輸入電源電壓；第十匪OS管M10，第八PMOS管M8，第九PMOS管M9為第十四 PMOS管M14提供鏡像電流；第十五PMOS管M15的源端接輸入電源電壓，柵極接第十四PMOS 管M14的漏極；第十五PMOS管M15的漏極接第十六PMOS管M16的源極；小寬長比第十七 NMOS管M17的柵極短接，連接到第十六PMOS管M16的漏極。所述帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器還包括自適應(yīng)頻率補償電路，該自適 應(yīng)頻率補償電路包括第十八NMOS管M18、第十九NOMS管M19、第二十PMOS管M20、功率管 M21、第三電阻R3和第一電容Cl ；功率管21的源極接輸入電源電壓，漏極接第一反饋電阻 Rl的上端，第二十PMOS管M20的源極接輸入電源電壓，第二十PMOS管M20的柵極接功率 管M21的柵極；第二十PMOS管M20的漏極接第十九PMOS管M19的漏極，第十九PMOS管M19柵漏短接，源極接地；第十八PMOS管M18源極接地，漏極接第十六PMOS管M16的漏極，柵極 接第十九PMOS管M19的柵極；第三電阻R3和第一電容Cl串聯(lián)，第三電阻R3 —端接第十五 PMOS管M15的柵極，另一端接輸入電源電壓。具體而言，該低壓差線性穩(wěn)壓器包含誤差放大器、緩沖級1、帶有自適應(yīng)頻率補償 功能的緩沖級2、功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PM0S管)ΡΜ0、第一反饋電阻R1、第二反饋 電阻R2，輸入電源電壓為誤差放大器、第一緩沖級1、第二緩沖級2、PM0供電，誤差放大器的 負輸入端接1. 2V參考電壓，誤差放大器的輸出接第一緩沖級的輸入，第一緩沖級的輸出接 第二緩沖級的輸入，第二緩沖級的輸出接ΡΜ0，ΡΜ0的源端接輸入電源，PMO的漏端即輸出端 口接第一電阻Rl的上端，Rl的下端接第二電阻R2的上端，R2的下端接地。R2的上端接誤 差放大器的正輸入端。片外電容CO的下極板接地，上極板通過鍵合線電阻接到輸出端口?；鶞?zhǔn)電流通過N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(NMOS管)MO輸入，通過電流鏡為誤差放大 器、第一緩沖級、第二緩沖級提供偏置電流。誤差放大器由尾電流源Μ0、差分對NMOS管Ml、 M2，負載管M4、M5組成。第一緩沖級由NMOS管M6，M7組成。M6的柵接M5的漏端，M6的漏 端接輸入電源，M6的源端接尾電流源M7的漏端，M7的源端接地。PMOS管M8、M9、M14、M15、 M16、M20和NMOS管M10、M11、M12、M13、M17、M18、M19、M20組成帶輸出阻抗自動調(diào)節(jié)的第二 緩沖級。M16的柵作為第二緩沖級的輸入端，接第一緩沖級M6的源端，M16的源端作為第二 緩沖級的輸出，接功率管M21的柵極。第二緩沖級電路帶有自動調(diào)節(jié)輸出阻抗功能。該緩沖級的主體部分由NMOS管 M12、M13，PM0S管M14、M15、M16組成。尾電流源M12的柵接電流鏡，漏端分別連接到M16的 漏端和Ml3的源端。NMOS管Mll漏源短接，Mll的柵極接Ml2的柵極。Ml3的柵極接1. 2V 的參考電壓，M13的漏極接PMOS管M14的漏極。M14的源極接輸入電源電壓。NMOS管M10， PMOS管M8、M9為M14提供鏡像電流。M15的源端接輸入電源電壓，柵極接M14的漏極。M15 的漏極接M16的源極。小寬長比NMOS管M17的柵漏短接，連接到M16的漏端。自適應(yīng)頻率 補償電路由匪OS管M18、M19和PMOS管M20組成。M20的源極接輸入電源電壓，M20的柵極 接功率管M21的柵極。M20的漏極接M19的漏極，M19柵漏短接，源極接地。M18源極接地， 漏極接M16的漏極，柵極接M19的柵極。電阻R3和電容Cl串聯(lián)，一端接M15的柵極，另一 端接輸入電源電壓。其中第二級緩沖電路可根據(jù)驅(qū)動負載的情況自動調(diào)節(jié)偏置電流，從而對輸出阻抗 進行調(diào)整，以實現(xiàn)對該低壓差線性穩(wěn)壓器的動態(tài)頻率補償。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的低壓差線 性穩(wěn)壓器具有環(huán)路帶寬大、驅(qū)動適應(yīng)性強、在不同驅(qū)動電流模式間切換過程中，輸出波形平 穩(wěn)的特點。下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述。圖1為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器主體電路框圖；圖2為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn) 壓器的詳細電路原理圖。圖3的用作第二緩沖級的跨導(dǎo)自舉電路也是本發(fā)明的一部分。圖 4是本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在最大和無驅(qū)動電流情況下的環(huán)路幅頻特性曲線；其中實 線為最大電流驅(qū)動模式，虛線為最小電流驅(qū)動模式；圖5為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在 最大和無驅(qū)動電流情況下的環(huán)路相頻特性曲線；其中實線為最大電流驅(qū)動模式，虛線為最 小電流驅(qū)動模式；從圖4和圖5的內(nèi)容可以看出，當(dāng)輸出電流從0變化到IOOmA時，環(huán)路主 極點位置從IHz變化到IOKHz。但是次極點的位置也在往高頻處移動，始終保證次極點位置在單位增益頻率以上。保證了環(huán)路穩(wěn)定性。結(jié)合幅頻特性曲線和相頻特性曲線可以得知， 環(huán)路的相位裕度始終處于60度以上。圖6為本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器在最大驅(qū)動電流 (IOOmA)與無驅(qū)動電流模式之間切換過程中的時域波形；從圖上可以看出，在負載突變的最 差情況下，輸出電壓也相應(yīng)產(chǎn)生了變化，但是其變化幅度在IOmV以內(nèi)，對電路產(chǎn)生的影響 基本可以忽略。而且該相應(yīng)波形過渡平穩(wěn)，顯示了較好的瞬態(tài)響應(yīng)特性。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不以上述實施方式為 限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán) 利要求書中記載的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，其特征在于該穩(wěn)壓器包括誤差放大器、第一緩沖器、帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器和 功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(ΡΜ0)，第一反饋電阻(R1)、第二反饋電阻(R2)、片外電容 (CO)、鍵合線電阻(CL);其中，基準(zhǔn)電流通過N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(MO)輸入；輸入電源電壓分別輸入誤差放大器的電源端，第一緩沖器的電源端，帶有自適應(yīng)頻率 補償功能的第二緩沖器的電源端和功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMO)的源極，誤差放大器的輸出端接第一緩沖器的輸入端，第一緩沖器的輸出端接第二緩沖器的輸 入端，第二緩沖器的輸出端接功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMO)的柵極，功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMO)的漏極接第一反饋電阻(Rl)的上端，第一反饋電 阻(Rl)的下端接第反饋二電阻(R2)的上端和誤差放大器的正輸入端，第二反饋電阻(R2) 的下端接地，片外電容(CO)的下極板接地，上極板通過鍵合線電阻接到輸出端口(CL)，誤 差放大器的負輸入端輸入?yún)⒖茧妷?，其中帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器根據(jù)驅(qū)動負載的情況自動調(diào)節(jié)偏置電流， 從而對輸出阻抗進行調(diào)整，以實現(xiàn)對該低壓差線性穩(wěn)壓器的動態(tài)頻率補償。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，其特征在于所述參考 電壓為1.2伏。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，其特征在于所述帶有 自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器包括第^^一 NMOS管(Mil)、第十二 NMOS管(M12)、第三十NMOS管(M13)，第十四PMOS管 (M14)、第十五PMOS管(M15)、第十六PMOS管(M16)，第十二 NMOS管(M12)，第十七NMOS管 (M17)，第八PMOS管(M8)，第九PMOS管(M9)，第十晶體管(MlO)；第十二 NMOS管(M12)的柵極接N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(MO)的柵極，漏端分別連接 到第十六PMOS管(M16)的漏端和第十三NMOS管(M13)的源端；第i^一 NMOS管(Mil)漏源短接，第i^一 NMOS管(Mil)的柵極接第十二 NMOS管(M12) 的柵極；第十三NMOS管(M13)的柵極接1.2V的參考電壓，第十三NMOS管(M13)的漏極接 第十四PMOS管PMOS管(M14)的漏極；第十四PMOS管(M14)的源極接輸入電源電壓；第十NMOS管(MlO)，第八PMOS管(M8)，第九PMOS管(M9)為第十四PMOS管(Ml4)提供 鏡像電流；第十五PMOS管(M15)的源端接輸入電源電壓，柵極接第十四PMOS管(M14)的漏 極；第十五PMOS管(M15)的漏極接第十六PMOS管(M16)的源極；小寬長比第十七NMOS管 (M17)的柵極短接，連接到第十六PMOS管(M16)的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，其特征在于所述帶有 自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器還包括自適應(yīng)頻率補償電路，該自適應(yīng)頻率補償電路包 括第十八NMOS管(M18)、第十九NOMS管(M19)、第二十PMOS管(M20)、功率管(M21)、第三電 阻(R3)和第一電容(Cl)；功率管(21)的源極接輸入電源電壓，漏極接第一反饋電阻(Rl)的上端，第二十PMOS管 (M20)的源極接輸入電源電壓，第二十PMOS管(M20)的柵極接功率管(M21)的柵極；第二十 PMOS管(M20)的漏極接第十九PMOS管(M19)的漏極，第十九PMOS管(M19)柵漏短接，源極 接地；第十八PMOS管(M18)源極接地，漏極接第十六PMOS管(M16)的漏極，柵極接第十九PMOS管(M19)的柵極；第三電阻(R3)和第一電容(Cl)串聯(lián)，第三電阻(R3)—端接第十五 PMOS管(M15)的柵極，另一端接輸入電源電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種自適應(yīng)頻率補償?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器包括誤差放大器、第一緩沖器、帶有自適應(yīng)頻率補償功能的第二緩沖器和功率P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PM0)，第一反饋電阻(R1)、第二反饋電阻(R2)、片外電容(C0)、鍵合線電阻(CL)。其中第二級緩沖電路可根據(jù)驅(qū)動負載的情況自動調(diào)節(jié)偏置電流，從而對輸出阻抗進行調(diào)整，以實現(xiàn)對該低壓差線性穩(wěn)壓器的動態(tài)頻率補償。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器具有環(huán)路帶寬大、驅(qū)動適應(yīng)性強、在不同驅(qū)動電流模式間切換過程中，輸出波形平穩(wěn)的特點。
文檔編號G05F1/56GK102063146SQ201110023659
公開日2011年5月18日 申請日期2011年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月21日
發(fā)明者吳建輝, 張理振, 張萌, 時龍興, 李紅, 王子軒, 白春風(fēng), 陳超 申請人:東南大學(xué)