專利名稱：一種芯片上電電流控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種芯片上電電流控制電路技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種芯片上電電流控制電路。
技術(shù)背景[0002]根據(jù)IS0/IEC 7816系列標準中的有關(guān)規(guī)定，移動終端對SIM卡的供電電流具有一定的限制。當SIM卡系統(tǒng)上電瞬間，芯片出現(xiàn)工作電流過沖(即瞬間工作電流過大)時，將導致手機不能正常工作或反復(fù)重啟等現(xiàn)象。[0003]根據(jù)IS0/IEC 7816系列標準中的有關(guān)規(guī)定，SIM卡工作電流尖鋒值的最大電荷量應(yīng)小于IOnA-S,電流最大變化量應(yīng)小于50mA，持續(xù)時間不超過400nS，SIM卡系統(tǒng)中的芯片工作電流必須滿足該標準的要求。由于芯片內(nèi)部電路表現(xiàn)出電容性負載特性，因此對于芯片電源接口來說，芯片內(nèi)部可等效為一個負載電容(；_。當SIM卡系統(tǒng)處于電源上電過程， Cum上的電壓值將瞬間變大，芯片工作電流將產(chǎn)生過沖，從而有可能超過標準的要求。[0004]如

圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中通過在電源系統(tǒng)輸出端口 Vsupply和芯片電源輸入端口 VDD之間接入一個恒定電阻R，來解決上電過程中芯片負載電流的尖鋒過沖超過限制的問題。雖然這種技術(shù)方案能夠緩解電流尖鋒過沖，但是卻會降低芯片電源的實際輸入電壓，并給系統(tǒng)帶來一定的功耗損失。[0005]在電源快速上電后(可看作臺階電壓)，電容Cum的上極板的電壓VDD為
權(quán)利要求1.一種芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述控制電路包括可變電阻單元和電壓控制單元；所述電壓控制單元分別與外部電源、所述可變電阻單元相連；所述可變電阻單元分別與所述外部電源和待上電芯片相連；所述電壓控制單元，用于向所述可變電阻單元提供電壓控制信號； 所述可變電阻單元，根據(jù)所述電壓控制信號向所述待上電芯片提供可變電流。
2.按照權(quán)利要求1所述的芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述電壓控制單元包括第一 PMOS管和電容；所述第一 PMOS管的柵極用于接收外部電源的上電復(fù)位信號；所述第一 PMOS管的漏極與所述電容的一端共同接地；所述第一 PMOS管的源極與襯底相連，并與所述電容的另一端共同連接到所述外部電源，該端還與所述可變電阻單元相連，向其輸出所述電壓控制信號。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述可變電阻單元包括第二 PMOS管；所述第二 PMOS管的柵極與所述電壓控制單元相連；所述第二 PMOS管的漏極與所述芯片相連，向芯片提供可變電流；所述第二 PMOS管的源極與襯底相連，并共同連接到所述外部電源。
專利摘要本實用新型的芯片上電電流控制電路包括可變電阻單元和電壓控制單元。電壓控制單元分別與外部電源、可變電阻單元相連；可變電阻單元分別與可變電源和待上電芯片相連。電壓控制單元，用于向可變電阻單元提供電壓控制信號?？勺冸娮鑶卧?，根據(jù)電壓控制信號向待上電芯片提供可變電流。采用本實用新型技術(shù)方案，就可在芯片供電系統(tǒng)上電時，通過可變電阻單元的調(diào)節(jié)改變芯片的上電電流；同時，在芯片供電系統(tǒng)上電完成后，保證可變電阻單元的壓降和功耗也達到最低的合理值。這樣，既可顯著控制芯片的上電電流，還可有效避免電源電壓功耗，不會影響電源效率。
文檔編號G05F1/56GK202306374SQ20112040828
公開日2012年7月4日 申請日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者程珍娟 申請人:國民技術(shù)股份有限公司