專利名稱：一種用于提供低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶隙基準(zhǔn)電壓源領(lǐng)域，特別涉及一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。
背景技術(shù)：
射頻RF芯片中需要給射頻RF模塊提供一個(gè)低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源，并且不允許各個(gè)模塊工作時(shí)干擾低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源，傳統(tǒng)的做法是在帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出外掛一個(gè)大電容。通過(guò)大電容對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行濾波。然而，采用一般的外掛大電容對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行濾波存在以下問(wèn)題:
(I)需要在芯片外增加一個(gè)大電容，給整個(gè)方案增加了一個(gè)電容費(fèi)用的成本，需要在印刷電路板PCB(Printed circuit board)板上增加一個(gè)電容的面積。同時(shí)外接電容需要芯片多一個(gè)芯片引腳，這樣給芯片增加了一根綁定線成本。(2)由于RF芯片中需要用到低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源的RF模塊很多，但是帶隙基準(zhǔn)電壓源只能外掛一個(gè)片外電容，所以所有需要用到低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源的RF模塊必須共用一個(gè)低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。(3)帶隙基準(zhǔn)電壓源外掛電容會(huì)帶來(lái)帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題，這會(huì)帶來(lái)整個(gè)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間的開(kāi)銷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于提供帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路，包括電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源、第一電阻、低通濾波器；
所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源用于輸出帶溫度系數(shù)的電流；
所述第一電阻一端連接所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出端，另一端接地，所述第一電阻用于將所述帶溫度系數(shù)的電流轉(zhuǎn)化為零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓；
所述低通濾波器用于將所述零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。上述的電路還包括，所述低通濾波器包括第一 PMOS管、第二 PMOS管，第一電容； 所述第一 PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端
連接，襯底接地；
所述第二 PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端連接，所述第二 PMOS管在所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)時(shí)開(kāi)啟，在所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)完畢后關(guān)閉；
所述第一電容一端與所述低通濾波器輸出端連接，另一端接地。上述的電路還包括，快速啟動(dòng)電路，所述快速啟動(dòng)電路用于將所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的外部使能信號(hào)轉(zhuǎn)化為快速啟動(dòng)信號(hào)輸出至所述第二 PMOS管的襯底。上述的電路還包括，所述快速啟動(dòng)電路包括第一非門、第二非門、第三非門、第四非門、第二電阻、第二電容、或非門；
所述第一非門、第二非門依次連接；
所述第二電阻一端連接所述第二非門輸出端，一端連接所述第三非門輸入端；
所述第二電容一端連接所述第三非門輸入端，一端接地；
所述第三非門、第四非門依次連接；
所述或非門的輸入端分別連接所述第一非門的輸出端、所述第四非門的輸出端，所述或非門輸出所述快速啟動(dòng)信號(hào)。上述的電路還包括，所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包括第一三極管(214)，第二三極管(215)，第三電阻(201)，第四電阻(205)，第五電阻(206)，運(yùn)算放大器(207)，第三PMOS管(208)，第四 PMOS 管(209)，第五 PMOS 管(210)，第六 PMOS 管(211)，第七 PMOS 管(214)，第八PMOS管(215)，第一 NMOS管，第二 NMOS管，至少一個(gè)輸出支路；
所述第三PMOS管、第五PMOS管柵極均與所述運(yùn)算放大器輸出端相連，源極均輸入工作電壓；
所述第四PMOS管源極與所述第三PMOS管漏極相連，柵極與所述第六PMOS管柵極相連，漏極與所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連；
所述第六PMOS管源極與所述第五PMOS管漏極相連，漏極與所述運(yùn)算放大器正向輸入端相連；
所述第一三極管發(fā)射極與所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連，基極、集電極接地；
所述第二三極管發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與所述運(yùn)算放大器正向輸入端相連，基極、集電極接地；
所述第一三極管的面積與所述第二三極管的面積比例為1:η，η為正整數(shù)；
所述第四電阻一端連接所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端，另一端接地；
所述第五電阻一端連接所述運(yùn)算放大器正向輸入端，另一端接地；
所述第七PMOS管柵極連接所述第五PMOS管柵極、所述輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接所述第一 NMOS管漏極；
所述第八PMOS管柵極連接所述第六PMOS管柵極、所述輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接所述第二 NMOS管漏極；
所述第一 NMOS管柵極與漏極相連，源極接地；
所述第二 NMOS管柵極與所述第一 NMOS管柵極相連，源極接地；
所述輸出支路輸出所述帶溫度系數(shù)的電流。上述的電路還包括，所述輸出支路包括第一支路PMOS管(212)、第二支路PMOS管(213)；
所述第一支路PMOS管源極輸入工作電壓，柵極與所述第七PMOS管柵極相連，漏極連接所述第二支路PMOS管的源極；
所述第二支路PMOS管的柵極連接所述第八PMOS管柵極，漏極輸出所述帶溫度系數(shù)的電流。上述的電路還包括，所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包含兩個(gè)或兩個(gè)以上輸出支路，所述輸出支路輸出的帶溫度系數(shù)的電流相互隔離，均經(jīng)過(guò)所述第一電阻、所述低通濾波器轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。
上述的電路還包括，所述第一電阻阻值可調(diào)，所述電路輸出不同電壓值的低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。上述的電路還包括，所述電路用于為射頻芯片中的壓控振蕩器，數(shù)字溫補(bǔ)晶體振蕩器或鎖相環(huán)中的一個(gè)或多個(gè)模塊提供低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。本發(fā)明實(shí)施例提供的用于提供帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路有益效果為:不需要在芯片外增加一個(gè)大電容，節(jié)省成本；提供多路低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源，并且通過(guò)增加快速啟動(dòng)電路使整個(gè)電路啟動(dòng)速度快。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源原理框 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的附圖1中電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap的原理框 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的附圖1中電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap的再一種原理框
圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種快速啟動(dòng)邏輯；
圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種快速啟動(dòng)邏輯輸入輸出波形。
具體實(shí)施例方式為使發(fā)明目的、技術(shù)方案和有益效果更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明提供的SM卡芯片上RF芯片低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源解決方案如下:
(I)設(shè)計(jì)一個(gè)電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源，帶隙基準(zhǔn)電壓源提供多路略帶溫度系數(shù)的電流，電流的溫度系數(shù)恰好抵消基準(zhǔn)電壓源中所采用的電阻的溫度系數(shù)。通過(guò)電流流過(guò)電阻產(chǎn)生零溫度的帶隙基準(zhǔn)電壓源。(2)帶隙基準(zhǔn)電壓源后面接一個(gè)截止頻率很低的低通濾波器，把帶隙基準(zhǔn)電壓源的噪聲濾除掉。 (3)給帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)一個(gè)快速啟動(dòng)電路，讓帶隙基準(zhǔn)電壓源快速建立。(4)手機(jī)SM卡上RF芯片中不同的模塊提供不同電流，經(jīng)過(guò)相同的濾波方法得到低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。(5)通過(guò)調(diào)節(jié)電阻得到不同電壓值的帶隙基準(zhǔn)電壓源。下面以具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源原理框圖。Bandgap (104)為電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源，Bandgap的輸出為略帶溫度系數(shù)的電流，電流的溫度系數(shù)恰好抵消基準(zhǔn)電壓源中所采用的電阻R3(103)的溫度系數(shù)。通過(guò)電流流過(guò)電阻R3(103)產(chǎn)生零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源。MPl(IOl)為PMOS管(positiveM0S)，導(dǎo)通阻抗在10ΜΩ左右，PMOS管MP2(105)為開(kāi)關(guān)管，電阻R3 (103) —端接地，另一端與電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap的輸出(104)及PMOS管MPl (101)的一端相連，在Bandgap (104)啟動(dòng)時(shí)，PMOS管MP2 (105)開(kāi)啟，電流通過(guò)MP2 (105)給電容Cl (102)充電到參考電壓Vref的電壓值，啟動(dòng)完畢后，MP2 (105)關(guān)閉，Vref電壓通過(guò)由PMOS管MPl (101)與電容Cl (102)組合而成的RC低通濾波網(wǎng)絡(luò)給Cll (102)充電，假設(shè)Rdson (MPl) =IOMohm (歐姆)，Cl=20pF(法)，RC低通濾波網(wǎng)絡(luò)的截止頻率為w=l/ (2 Ji RC) =800Hz，所以由此組成的濾波網(wǎng)絡(luò)可以降低大于800Hz頻率的噪聲，如果需要把更低頻率的噪聲降低，需要設(shè)計(jì)出截止頻率更低的濾波網(wǎng)絡(luò)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過(guò)調(diào)整相關(guān)電阻R，電容C的值來(lái)實(shí)現(xiàn)。Vref產(chǎn)生的噪聲通過(guò)RC低通濾波網(wǎng)絡(luò)濾除掉，得到低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。用于提供帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路，其包括電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源、第一電阻、低通濾波器；電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源用于輸出帶溫度系數(shù)的電流；第一電阻一端連接電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出端，另一端接地，第一電阻用于將帶溫度系數(shù)的電流轉(zhuǎn)化為零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓；
低通濾波器用于將零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。低通濾波器包括第一 PMOS管、第二 PMOS管，第一電容；第一 PMOS管源極與第一電阻非接地端連接，漏極與低通濾波器輸出端連接，襯底接地；第二 PMOS管源極與第一電阻非接地端連接，漏極與低通濾波器輸出端連接，第二 PMOS管在電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)時(shí)開(kāi)啟，在電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)完畢后關(guān)閉；第一電容一端與低通濾波器輸出端連接，另一端接地。該電路還包括快速啟動(dòng)電路，快速啟動(dòng)電路用于將電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的外部使能信號(hào)轉(zhuǎn)化為快速啟動(dòng)信號(hào)輸出至第二 PMOS管的襯底。圖2為附圖1中電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap的原理框圖。電壓源的輸入電壓為VDD (203),接地端為GND (204)。三極管Ql (214)的面積與三極管Q2(215)的面積比例為1:η，η為正整數(shù)，在帶隙基準(zhǔn)電壓源中，η—般取8或24。Vx這個(gè)節(jié)點(diǎn)通過(guò)運(yùn)算放大器OP (207), PMOS 管 ΡΜ2 (208)，PMOS 管 ΡΜ3 (209)形成一個(gè)正反饋環(huán)路，Vy 通過(guò) OP (207)，PMOS管PMl (210)，PMOS管ΡΜ4(211)形成一個(gè)負(fù)反饋環(huán)路，負(fù)反饋環(huán)路的負(fù)反饋系數(shù)大于正反饋環(huán)路的反饋系數(shù)，使得整個(gè)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的反饋顯現(xiàn)出負(fù)反饋，通過(guò)負(fù)反饋使得Vx與Vy鉗位相等。Vx點(diǎn)的電壓位Vbe，Rl兩端的電壓為Λ Vbe，流過(guò)PMl (210)與PM2 (208)的電流相等且為I，因?yàn)镽2(205)=R3(206)，所以得到電流I= Δ Vbe/Rl+Vbe/R2,AVbe/Rl為正溫度系數(shù)的電流，Vbe/R2為負(fù)溫度系數(shù)的電流，調(diào)節(jié)電阻Rl (201)與電阻R2(205)的電阻值，可以得到略帶溫度系數(shù)的IB_VREF(202)電流，如IB1_VREF (202)，IB2_VREF, IB3_VREF, IB4_VREF。如圖1所示，略帶溫度系數(shù)的IB_VREF電流流過(guò)電阻R3 (206)，產(chǎn)生零溫度系數(shù)的Vref，Vref= ( Δ Vbe/Rl+Vbe/R2) *R3，R3的值可以任意設(shè)置得到想要的Vref電壓，只要保證電流鏡像的PMOS管工作在飽和區(qū)即可。如果需要多路不同的低噪聲基準(zhǔn)電壓源，可以通過(guò)電流鏡像的方式鏡像出多路電壓源，產(chǎn)生多路略帶溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電流，電流與電流之間能夠做到很好地隔離，降低了基準(zhǔn)電壓源之間的相互干擾，再通過(guò)鏡像電路產(chǎn)生互不干擾的低噪聲基準(zhǔn)電壓源。電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包括第一三極管(214)，第二三極管(215)，第三電阻(201)，第四電阻(205)，第五電阻(206)，運(yùn)算放大器(207)，第三PMOS管(208)，第四PMOS 管(209)，第五 PMOS 管(210)，第六 PMOS 管(211)，第七 PMOS 管(214)，第八 PMOS管(215 )，第一 NMOS管，第二 NMOS管，至少一個(gè)輸出支路；第三PMOS管、第五PMOS管柵極均與所述運(yùn)算放大器輸出端相連，源極均輸入工作電壓;第四PMOS管源極與第三PMOS管漏極相連，柵極與第六PMOS管柵極相連，漏極與運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連；第六PMOS管源極與第五PMOS管漏極相連，漏極與運(yùn)算放大器正向輸入端相連；第一三極管發(fā)射極與運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連，基極、集電極接地；第二三極管發(fā)射極通過(guò)第三電阻與運(yùn)算放大器正向輸入端相連，基極、集電極接地；第一三極管的面積與第二三極管的面積比例為1:η，η為正整數(shù)；第四電阻一端連接運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端，另一端接地；第五電阻一端連接運(yùn)算放大器正向輸入端，另一端接地；第七PMOS管柵極連接第五PMOS管柵極、輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接第一 NMOS管漏極；第八PMOS管柵極連接第六PMOS管柵極、輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接第二 NMOS管漏極；第一 NMOS管柵極與漏極相連，源極接地；第二 NMOS管柵極與第一 NMOS管柵極相連，源極接地；輸出支路輸出帶溫度系數(shù)的電流。 輸出支路包括第一支路PMOS管(212 )、第二支路PMOS管(213 );第一支路PMOS管源極輸入工作電壓，柵極與第七PMOS管柵極相連，漏極連接第二支路PMOS管的源極；第二支路PMOS管的柵極連接第八PMOS管柵極，漏極輸出帶溫度系數(shù)的電流。電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包含兩個(gè)或兩個(gè)以上輸出支路，輸出支路輸出的帶溫度系數(shù)的電流相互隔離，均經(jīng)過(guò)所述第一電阻、低通濾波器轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。第一電阻阻值可調(diào)，電路輸出不同電壓值的低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。電路用于為射頻芯片中的壓控振蕩器，數(shù)字溫補(bǔ)晶體振蕩器或鎖相環(huán)中的一個(gè)或多個(gè)模塊提供低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。單路的低噪聲基準(zhǔn)電壓源原理框圖如圖3所示，電壓源的輸入電壓為VDD(303)，接地端為GND(304，電阻Rl功能與其在附圖2中的功能相同，不再贅述，輸出基準(zhǔn)電源為IB_VREF(302)。圖4為快速啟動(dòng)邏輯。BG_EN是低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源的使能信號(hào)，當(dāng)BG_EN為低時(shí)，低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源電路關(guān)閉，當(dāng)BG_EN為高時(shí)，低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源開(kāi)啟。低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源由關(guān)閉到開(kāi)啟是BG_EN由低變高的過(guò)程。當(dāng)BG_EN由低變高時(shí)，BG_EN經(jīng)過(guò)電阻R1，電容Cl組合成的延時(shí)單元進(jìn)行約54us的延時(shí)，可通過(guò)調(diào)整電阻R1，電容Cl的值從而得到不同的延時(shí)，再與BG_EN的反向信號(hào)進(jìn)行相或非得到Fast_Setup信號(hào)。Fast_Setup是一個(gè)窄脈沖信號(hào)，當(dāng)BG_EN保持一個(gè)恒定電壓時(shí)，F(xiàn)ast_Setup位置高電平，關(guān)閉圖1中的PM0SMP2管。當(dāng)BG_EN由低變高時(shí)，F(xiàn)ast_Setup產(chǎn)生一個(gè)約為4us的低電壓脈沖，短暫開(kāi)啟PMOS管MP24us時(shí)間后關(guān)閉。快速啟動(dòng)電路用于將所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的外部使能信號(hào)轉(zhuǎn)化為快速啟動(dòng)信號(hào)輸出至所述第二 PMOS管的襯底。快速啟動(dòng)電路包括第一非門、第二非門、第三非門、第四非門、第二電阻、第二電容、或非門；第一非門、第二非門依次連接；第二電阻一端連接第二非門輸出端，一端連接第三非門輸入端；第二電容一端連接第三非門輸入端，一端接地；第三非門、第四非門依次連接；或非門的輸入端分別連接第一非門的輸出端、第四非門的輸出端，或非門輸出快速啟動(dòng)信號(hào)。圖5為快速啟動(dòng)邏輯輸入輸出波形，用于進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)BG_EN長(zhǎng)時(shí)間維持低的時(shí)候，F(xiàn)ast_Setup為高電平，當(dāng)BG_EN長(zhǎng)時(shí)間維持高的時(shí)候，F(xiàn)ast_Setup也為高電平,只有當(dāng)BG_EN由低變高時(shí),Fast_Setup才會(huì)產(chǎn)生一個(gè)約4us的脈沖。在RF IC中，對(duì)基準(zhǔn)電壓源的噪聲指標(biāo)要求很高，同時(shí)要求基準(zhǔn)電壓源隔離度也很高，本發(fā)明適用于給RF IC中的壓控振蕩器VCO，數(shù)字溫補(bǔ)晶體振蕩器DCXO，鎖相環(huán)PLL (Phase Locked Loop)等模塊提供低噪聲基準(zhǔn)電壓源。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)；一種電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)；一種快速啟動(dòng)邏輯的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)與控制方式；一種多路基準(zhǔn)電壓的隔離方式；
以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種用于提供帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路，其特征在于:包括電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源、第一電阻、低通濾波器； 所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源用于輸出帶溫度系數(shù)的電流； 所述第一電阻一端連接所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出端，另一端接地，所述第一電阻用于將所述帶溫度系數(shù)的電流轉(zhuǎn)化為零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓； 所述低通濾波器用于將所述零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于:所述低通濾波器包括第一PMOS管、第二PMOS管，第一電容； 所述第一 PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端連接，襯底接地； 所述第二 PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端連接，所述第二 PMOS管在所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)時(shí)開(kāi)啟，在所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源啟動(dòng)完畢后關(guān)閉； 所述第一電容一端與所述低通濾波器輸出端連接，另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，該電路還包括快速啟動(dòng)電路，所述快速啟動(dòng)電路用于將所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源的外部使能信號(hào)轉(zhuǎn)化為快速啟動(dòng)信號(hào)輸出至所述第二 PMOS管的襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要 求3所述的電路，其特征在于，所述快速啟動(dòng)電路包括第一非門、第二非門、第三非門、第四非門、第二電阻、第二電容、或非門； 所述第一非門、第二非門依次連接； 所述第二電阻一端連接所述第二非門輸出端，一端連接所述第三非門輸入端； 所述第二電容一端連接所述第三非門輸入端，一端接地； 所述第三非門、第四非門依次連接； 所述或非門的輸入端分別連接所述第一非門的輸出端、所述第四非門的輸出端，所述或非門輸出所述快速啟動(dòng)信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包括第一三極管(214)，第二三極管(215)，第三電阻(201)，第四電阻(205)，第五電阻(206)，運(yùn)算放大器(207)，第三 PMOS 管(208)，第四 PMOS 管(209)，第五 PMOS 管(210)，第六 PMOS管(211)，第七PMOS管(214)，第八PMOS管(215)，第一 NMOS管，第二 NMOS管，至少一個(gè)輸出支路； 所述第三PMOS管、第五PMOS管柵極均與所述運(yùn)算放大器輸出端相連，源極均輸入工作電壓； 所述第四PMOS管源極與所述第三PMOS管漏極相連，柵極與所述第六PMOS管柵極相連，漏極與所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連； 所述第六PMOS管源極與所述第五PMOS管漏極相連，漏極與所述運(yùn)算放大器正向輸入端相連； 所述第一三極管發(fā)射極與所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端相連，基極、集電極接地； 所述第二三極管發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與所述運(yùn)算放大器正向輸入端相連，基極、集電極接地； 所述第一三極管的面積與所述第二三極管的面積比例為1:η，η為正整數(shù)； 所述第四電阻一端連接所述運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端，另一端接地； 所述第五電阻一端連接所述運(yùn)算放大器正向輸入端，另一端接地； 所述第七PMOS管柵極連接所述第五PMOS管柵極、所述輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接所述第一 NMOS管漏極； 所述第八PMOS管柵極連接所述第六PMOS管柵極、所述輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接所述第二 NMOS管漏極； 所述第一 NMOS管柵極與漏極相連，源極接地； 所述第二 NMOS管柵極與所述第一 NMOS管柵極相連，源極接地； 所述輸出支路輸出所述帶溫度系數(shù)的電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述輸出支路包括第一支路PMOS管(212)、第二支路 PMOS 管(213)； 所述第一支路PMOS管源極輸入工作電壓，柵極與所述第七PMOS管柵極相連，漏極連接所述第二支路PMOS管的源極； 所述第二支路PMOS管的柵極連接所述第八PMOS管柵極，漏極輸出所述帶溫度系數(shù)的電流。`
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于:所述電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源包含兩個(gè)或兩個(gè)以上輸出支路，所述輸出支路輸出的帶溫度系數(shù)的電流相互隔離，均經(jīng)過(guò)所述第一電阻、所述低通濾波器轉(zhuǎn)化為低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓輸出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于:所述第一電阻阻值可調(diào)，所述電路輸出不同電壓值的低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于:所述電路用于為射頻芯片中的壓控振蕩器，數(shù)字溫補(bǔ)晶體振蕩器或鎖相環(huán)中的一個(gè)或多個(gè)模塊提供低噪聲帶隙基準(zhǔn)電壓源。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于提供帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路，帶隙基準(zhǔn)電壓源提供多路略帶溫度系數(shù)的電流，電流的溫度系數(shù)恰好抵消基準(zhǔn)電壓源中所采用的電阻的溫度系數(shù)。通過(guò)電流流過(guò)電阻產(chǎn)生零溫度的帶隙基準(zhǔn)電壓源，帶隙基準(zhǔn)電壓源后面接一個(gè)截止頻率很低的低通濾波器，把帶隙基準(zhǔn)電壓源的噪聲濾除，從而為手機(jī)SIM卡上RF芯片中不同的模塊提供不同電流。
文檔編號(hào)G05F1/56GK103207636SQ20121001373
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
發(fā)明者歐陽(yáng)振華 申請(qǐng)人:國(guó)民技術(shù)股份有限公司