專利名稱：適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠使無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器電路實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)的電路。
背景技術(shù)：
LDO (Low Dropout Voltage Regulator :低壓差線性穩(wěn)壓器)是最簡單的線性穩(wěn)壓電源，它具有體積小、噪聲小、輸出波紋低，無電磁干擾且設(shè)計(jì)簡單、外圍原件少等優(yōu)點(diǎn)。同傳統(tǒng)型的LDO相比，無電容型LDO的最大區(qū)別在于電路結(jié)構(gòu)上少了輸出端并聯(lián)的大電容。在傳統(tǒng)LDO中，該輸出端的大電容是ー個非常重要的電荷儲存和提供器件，能有效減小由于負(fù)載電流階躍變化時輸出電壓的跌落和電壓過沖。而對于無電容型LD0，負(fù)載 的階躍變化必須依靠調(diào)整管的快速響應(yīng)，即調(diào)整管的柵極電壓根據(jù)負(fù)載的變化能夠快速響應(yīng)。為了滿足IA (安培)大輸出電流和低壓差的需要，LDO調(diào)整管尺寸要求非常大。目前大功率低功耗LDO通常采用PMOS調(diào)整管，其寬度W通常為幾百毫米，這就意味著PMOS調(diào)整管存在巨大的柵源寄生電容。當(dāng)LDO負(fù)載變化時，如果僅依靠LDO自身環(huán)路反饋調(diào)節(jié)，如此巨大的寄生電容使LDO穩(wěn)定輸出的調(diào)節(jié)時間很長，不能滿足ー些特殊供電系統(tǒng)的要求。因此，當(dāng)負(fù)載變化導(dǎo)致LDO輸出電壓的變化以及其變化的響應(yīng)速度是LDO的ー項(xiàng)重要指標(biāo)。申請?zhí)枮?00610023879. 7的專利申請公開了一種加快LDO輸出電壓的方法，但其中負(fù)載電流的變化范圍較小，最大負(fù)載僅為IOOmA ;同吋，為了減小額外的靜態(tài)功耗，產(chǎn)生比較電位的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)需要較大的電阻值，無疑占據(jù)了較大的芯片面積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種LDO系統(tǒng)的負(fù)載發(fā)生突變時能夠使LDO的輸出電壓實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定的瞬態(tài)增強(qiáng)電路。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是ー種適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，與無電容型大功率的低壓差線性穩(wěn)壓器相連接，所述的低壓差線性穩(wěn)壓器包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、運(yùn)算放大器、緩沖電路、功率調(diào)整管、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)，所述的功率調(diào)整管的漏極為所述的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端，所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路包括電壓取樣部分，所述的電壓取樣部分與所述的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端相連接并對其輸出電壓進(jìn)行取樣；瞬態(tài)增強(qiáng)部分，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分的輸入端與所述的電壓取樣部分相連接，且其輸出端與所述的功率調(diào)整管的柵極相連接；當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載穩(wěn)定時，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分關(guān)閉；當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時，所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓降低，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分拉低所述的功率調(diào)整管的柵極的電位，進(jìn)而增加所述的功率調(diào)整管的電流而恢復(fù)被拉低的所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓；當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時，所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓升高，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分提升所述的功率調(diào)整管的柵極的電位，進(jìn)而降低所述的功率調(diào)整管的電流而恢復(fù)被拉升的所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓。優(yōu)選的，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分包括在所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時起作用的拉低模塊、在所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時起作用的拉升模塊； 所述的電壓取樣部分與所述的拉低模塊之間設(shè)置有控制所述的拉低模塊是否開啟的第一開關(guān)管，所述的電壓取樣部分與所述的拉升模塊之間設(shè)置有控制所述的拉升模塊是否開啟的第二開關(guān)管。優(yōu)選的，所述的第一開關(guān)管的基極與所述的電壓取樣部分相連接，其集電極與所述的拉低模塊相連接；所述的第二開關(guān)管的基極與所述的電壓取樣部分相連接，其集電極與所述的拉升模塊相連接。優(yōu)選的，所述的拉低模塊包括第五管、第六管、第七管，所述的第五管的基極和集電極與所述的第一開關(guān)管相連接，所述的第五管的發(fā)射極與所述的第六管的集電極相連接，所述的第六管的基極與所述的第七管的基極相連接，所述的第六管的發(fā)射極和所述的第七管的發(fā)射極均接地，所述的第七管的集電極連接至所述的功率調(diào)整管的柵極；所述的拉升模塊包括第九管、第十管、第十一管、第十二管，所述的第九管的基極和發(fā)射極與所述的第二開關(guān)管相連接，所述的第九管的集電極與所述的第十管的基極相連接，所述的第十管的集電極與所述的第十一管集電極相連接，所述的第十一管的積極與所述的第十二管的基極相連接，所述的第十一管的發(fā)射極和所述的第十二管的發(fā)射極與所述的第九管的發(fā)射極相連接，所述的第十管的發(fā)射極接地，所述的第十二管的集電極連接至所述的功率調(diào)整管的柵極。優(yōu)選的，電壓取樣部分包括第一管、第二管、第三管，所述的第二管的發(fā)射極與所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出端相連接，所述的第二管的基極與所述的第一管的發(fā)射極相連接，所述的第一管的集電極與所述的第一開關(guān)管的集電極相連接，所述的第一管的基極與所述的緩沖電路的輸入端相連接，所述的第二管的集電極與所述的第三管的集電極和基極相連接，所述的第三管的發(fā)射極接地，所述的第三管的基極為所述的電壓取樣部分的輸出端與所述的第一開關(guān)管和所述的第二開關(guān)管相連接。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)簡單、占用芯片面積較小，幾乎不增加低壓差穩(wěn)壓器的靜態(tài)功耗電流，可以實(shí)現(xiàn)低壓差穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)。


附圖I為無電容型低壓差穩(wěn)壓器的原理框圖。附圖2為本發(fā)明的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路的電路圖。附圖3為采用了本發(fā)明的瞬態(tài)增強(qiáng)電路的無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓對負(fù)載變化的瞬態(tài)響應(yīng)圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。實(shí)施例一參見附圖I所示。一種適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，與無電容型大功率的低壓差線性穩(wěn)壓器相連接。低壓差線性穩(wěn)壓器包括帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap、運(yùn)算放大器Opamp、緩沖電路Buffer、功率調(diào)整管PM0S、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)。帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap與運(yùn)算放大器Opamp的反相輸入端相連接，運(yùn)算放大器Opamp的輸出端與緩沖電路Buffer的輸入端相連接,緩沖電路Buffer的輸出端與功率調(diào)整管PMOS的柵極相連接，功率調(diào)整管PMOS的源極與帶隙基準(zhǔn)電壓源Bandgap相連接，功率調(diào)整管PMOS的漏極連接反饋電阻網(wǎng)絡(luò)，反饋電阻網(wǎng)絡(luò)包括相串聯(lián)的第一電阻R1和第二電阻R2，第一電阻R1和第二電阻R2的共同端連接至運(yùn)算放大 器Opamp的通向輸入地，功率調(diào)整管PMOS的漏極為低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端并連接有負(fù)載電阻K。適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路包括電壓取樣部分和瞬態(tài)增強(qiáng)部分。瞬態(tài)增強(qiáng)部分的輸入端與電壓取樣部分相連接，且其輸出端與功率調(diào)整管PMOS的柵極相連接。當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載穩(wěn)定時，瞬態(tài)增強(qiáng)部分關(guān)閉；當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓降低，瞬態(tài)增強(qiáng)部分拉低功率調(diào)整管PMOS的柵極的電位，進(jìn)而增加功率調(diào)整管PMOS的電流而恢復(fù)被拉低的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓；當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓升高，瞬態(tài)增強(qiáng)部分提升功率調(diào)整管PMOS的柵極的電位，進(jìn)而降低功率調(diào)整管PMOS的電流而恢復(fù)被拉升的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓。具體地說，瞬態(tài)增強(qiáng)部分包括在低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時起作用的拉低模塊、在低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時起作用的拉升模塊。電壓取樣部分與拉低模塊之間設(shè)置有控制拉低模塊是否開啟的第一開關(guān)管Q4，電壓取樣部分與拉升模塊之間設(shè)置有控制拉升模塊是否開啟的第二開關(guān)管Q8。第一開關(guān)管Q4的基極與電壓取樣部分相連接，其集電極與拉低模塊相連接；第二開關(guān)管Q8的基極與電壓取樣部分相連接，其集電極與拉升模塊相連接。參見附圖2所示，電壓取樣部分與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端相連接并對其輸出電壓進(jìn)行取樣。該電壓取樣部分包括第一管Q1、第二管Q2、第三管Q3。第二管Q2的發(fā)射極與低壓差穩(wěn)壓器的輸出端相連接，第二管Q2的基極與第一管Ql的發(fā)射極相連接，第一管Ql的集電極與第一開關(guān)管Q4的集電極相連接，第一管Ql的基極與緩沖電路Buffer的輸入端相連接，第二管Q2的集電極與第三管Q3的集電極和基極相連接，第三管Q3的發(fā)射極接地，第三管Q3的基極為電壓取樣部分的輸出端與第一開關(guān)管Q4和第二開關(guān)管Q8相連接。拉低模塊包括第五管Q5、第六管Q6、第七管Q7。第五管Q5的基極和集電極與第一開關(guān)管Q4的集電極相連接，第五管Q5的發(fā)射極與第六管Q6的集電極相連接，第六管Q6的基極與第七管Q7的基極相連接，第六管Q6的發(fā)射極和第七管Q7的發(fā)射極均接地，第七管Q7的集電極連接至功率調(diào)整管PMOS的柵極；拉升模塊包括第九管Q9、第十管Q10、第i^一管Q11、第十二管Q12。第九管Q9的基極和發(fā)射極與第二開關(guān)管Q8的集電極相連接，第九管Q9的集電極與第十管QlO的基極相連接，第十管QlO的集電極與第十一管Qll集電極相連接，第十一管Qll的積極與第十二管Q12的基極相連接，第十一管Qll的發(fā)射極和第十二管Q12的發(fā)射極與第九管Q9的發(fā)射極相連接，第十管QlO的發(fā)射極接地，第十二管Q12的集電極連接至功率調(diào)整管PMOS的柵極。該瞬態(tài)增強(qiáng)電路的具體工作原理如下I、當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器穩(wěn)定輸出時(負(fù)載不變化)，瞬態(tài)增強(qiáng)電路關(guān)閉。設(shè)第一開關(guān)管Q4的集電極偏置電流為I1，第二開關(guān)管Q8的集電極偏置電流為12。設(shè)第一開關(guān)管Q4與第二開關(guān)管Q8的基極-發(fā)射極電壓Vbe4=Vbe8=VA,第一開關(guān)管Q4的發(fā)射極面積S4等于第二開關(guān)管Q8的發(fā)射極面積S 8，則Is4=Is8,令I(lǐng)S4=IS8=IS。
VA
如果第一開關(guān)管Q4的電流為&&，第七管Q7關(guān)閉。(I)
VA如果第二開關(guān)管Q8的電流為& ^ <Λ，第二開關(guān)管Q8關(guān)閉。(2)即當(dāng)& >&時，瞬態(tài)增強(qiáng)電路關(guān)閉。(3)其中，IsSPN結(jié)反向飽和電流，正比于,μ為硅的少數(shù)載流子遷移率，Hi為硅的本征載流子濃度，T為絕對溫度，k為波爾茲曼常數(shù)。因此可以設(shè)置A節(jié)點(diǎn)的電壓，當(dāng)系統(tǒng)正常工作時保證上式(3)成立，則該瞬態(tài)增強(qiáng)電路關(guān)閉。2、當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載電流突然增加，即系統(tǒng)負(fù)載由輕載到重載變化時，系統(tǒng)環(huán)路來不及做出反應(yīng)，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT瞬間降低。由于第二管Q2的發(fā)射極采樣低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT電壓的變化，在負(fù)載瞬間變化時，第二管Q2的基極電壓不變，因此第二管Q2的發(fā)射極-基極電壓減小，導(dǎo)致第二管Q2的發(fā)射極電流減小，即第三管Q3的集電極電流減小。由于VA=VBE2*ln (Ic/Is),因此A點(diǎn)的電壓VA減低，第一開關(guān)管Q4關(guān)閉，第五管Q5的基極電位被拉高，第五管Q5開啟，導(dǎo)致第六管Q6和第七管Q7開啟，迅速把功率調(diào)整管PMOS的柵極電位拉低，即為其柵極電壓提供了一條快速放電回路，進(jìn)而增加功率調(diào)整管PMOS的電流，迅速恢復(fù)被重負(fù)載拉低的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT。為了能快速恢復(fù)低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓0UT，第七管Q7的下拉能力要強(qiáng)，第七管Q7需要較大的發(fā)射極面積。在此期間，第二開關(guān)管Q8、第九管Q9、第十管Q10、第^ 管Qll和第十二管Q12處于關(guān)閉模式。如圖3所不,低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT穩(wěn)定輸出為I. 8V。當(dāng)負(fù)載電流從10 μ A到IA瞬間增加，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓突然降低，但由于瞬態(tài)增加電路的作用，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT跌落到I. 71V時開始回升，在4 μ s趨于穩(wěn)定，6 μ s內(nèi)即恢復(fù)到穩(wěn)定值。當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的輸出電壓穩(wěn)定后，即輸出電壓OUT由低恢復(fù)到常態(tài)后，
VA
J4 =Js *e^ >ΙΧ，第五管嚦、第六管Q6和第七管Q7關(guān)閉；第九管Q9、第十管Q10、第i^一管
Qll和第十二管Q12關(guān)閉，則瞬態(tài)增強(qiáng)電路完全關(guān)閉，不增加低壓差穩(wěn)壓器系統(tǒng)的靜態(tài)功耗。3、當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載電流突然降低，即系統(tǒng)負(fù)載由重載到輕載變化時，系統(tǒng)環(huán)路來不及做出反應(yīng)，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT瞬間被抬高。由于第二管Q2的發(fā)射極采樣低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT的變化，負(fù)載瞬間變化時，第二管Q2的基極電壓不變，因此第二管Q2的發(fā)射極-基極電壓升高，導(dǎo)致第二管Q2的發(fā)射極電流增大，即第三管Q3的集電極電流增大。由于VA=VBE2*ln (Ic/Is)，因此A點(diǎn)的
電壓VA升高。當(dāng)I8，^時，第二開關(guān)管Q8的集電極電位被拉低，進(jìn)而第九管Q9開
啟，導(dǎo)致第九管Q9的集電極電位升高，進(jìn)而第十管Q10、第十一管Qll和第十二管Q12開啟。設(shè)置第十二管Q12具有較大的發(fā)射極面積，因此當(dāng)?shù)谑躋12開啟后，它可以迅速拉升功率調(diào)整管PMOS的柵極電位，即為其柵極電壓提供了一條快速充電的回路，降低了功率調(diào)整管PMOS的源漏電流,快速恢復(fù)被輕負(fù)載抬高的輸出電壓OUT。同樣,在此期間,第一開關(guān)管Q4、第五管Q5、第六管Q6和第七管Q7處于關(guān)閉模式。當(dāng)負(fù)載電流從IA到10 μ A瞬間降低后，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT突然升高，但由于瞬態(tài)增加電路的作用，低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT升至I. 88V時開始回落，在3 μ s趨于穩(wěn)定，6 μ s內(nèi)即恢復(fù)到穩(wěn)定值，如圖3所
/Jn ο當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的輸出電壓OUT穩(wěn)定后，即其由高壓恢復(fù)到常壓后，由于I =I *en κΙ，第九管Q9、第十管Q10、第i^一管Qll和第十二管Q12關(guān)閉，則瞬態(tài)增強(qiáng)電
8 S2
路完全關(guān)閉，不增加低壓差穩(wěn)壓器系統(tǒng)的靜態(tài)功耗。由于三極管的跨導(dǎo)較大，即使被偏置在很小的電流下也有較快的速度，因此電壓取樣部分電路的第一管Q1、第二管Q2、第三管Q3和第一開關(guān)管Q4和第二開關(guān)管Q8的功耗很低，因此幾乎不增加整體靜態(tài)功耗。本發(fā)明的瞬態(tài)增強(qiáng)電路通過取樣電路檢測低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓OUT的瞬態(tài) 過沖，一旦出現(xiàn)瞬態(tài)過沖，則為功率調(diào)整管PMOS的柵極節(jié)點(diǎn)提供額外的充電或放電回路，因此提高了功率調(diào)整管PMOS的柵極的壓擺率，進(jìn)而增加了低壓差穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)速度。當(dāng)輸出電壓接近于理想輸出值時，瞬態(tài)增強(qiáng)環(huán)路關(guān)閉，不增加靜態(tài)功耗，最終由低壓差穩(wěn)壓器的主環(huán)路完成輸出電壓的精確調(diào)整。為了保證較快的響應(yīng)速度和較大泄放電流的需要，本發(fā)明的瞬態(tài)增強(qiáng)電路采用雙極工藝實(shí)現(xiàn)。MOS晶體管電流的大小與W/L成正比，電流越大，相應(yīng)面積就越大，寄生電容也越大，因此限制了電路的響應(yīng)速度。雙極晶體管的跨導(dǎo)與發(fā)射極電流成正比，與發(fā)射極面積無關(guān)，它可以對調(diào)整管提供較大的驅(qū)動能力。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，與無電容型大功率的低壓差線性穩(wěn)壓器相連接，所述的低壓差線性穩(wěn)壓器包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、運(yùn)算放大器、緩沖電路、功率調(diào)整管、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)，所述的功率調(diào)整管的漏極為所述的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端，其特征在于所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路包括 電壓取樣部分，所述的電壓取樣部分與所述的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端相連接并對其輸出電壓進(jìn)行取樣； 瞬態(tài)增強(qiáng)部分，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分的輸入端與所述的電壓取樣部分相連接，且其輸出端與所述的功率調(diào)整管的柵極相連接； 當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載穩(wěn)定時，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分關(guān)閉；當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時，所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓降低，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分拉低所述的功率調(diào)整管的柵極的電位，進(jìn)而增加所述的功率調(diào)整管的電流而恢復(fù)被拉低的所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓；當(dāng)所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時，所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓升高，所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分提升所述的功率調(diào)整管的柵極的電位，進(jìn)而降低所述的功率調(diào)整管的電流而恢復(fù)被拉升的所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，其特征在于所述的瞬態(tài)增強(qiáng)部分包括在所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時起作用的拉低模塊、在所述的低壓差穩(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時起作用的拉升模塊； 所述的電壓取樣部分與所述的拉低模塊之間設(shè)置有控制所述的拉低模塊是否開啟的第一開關(guān)管，所述的電壓取樣部分與所述的拉升模塊之間設(shè)置有控制所述的拉升模塊是否開啟的第二開關(guān)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，其特征在于所述的第一開關(guān)管的基極與所述的電壓取樣部分相連接，其集電極與所述的拉低模塊相連接；所述的第二開關(guān)管的基極與所述的電壓取樣部分相連接，其集電極與所述的拉升模塊相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，其特征在于所述的拉低模塊包括第五管、第六管、第七管，所述的第五管的基極和集電極與所述的第一開關(guān)管相連接，所述的第五管的發(fā)射極與所述的第六管的集電極相連接，所述的第六管的基極與所述的第七管的基極相連接，所述的第六管的發(fā)射極和所述的第七管的發(fā)射極均接地，所述的第七管的集電極連接至所述的功率調(diào)整管的柵極； 所述的拉升模塊包括第九管、第十管、第十一管、第十二管，所述的第九管的基極和發(fā)射極與所述的第二開關(guān)管相連接，所述的第九管的集電極與所述的第十管的基極相連接，所述的第十管的集電極與所述的第十一管集電極相連接，所述的第十一管的積極與所述的第十二管的基極相連接，所述的第十一管的發(fā)射極和所述的第十二管的發(fā)射極與所述的第九管的發(fā)射極相連接，所述的第十管的發(fā)射極接地，所述的第十二管的集電極連接至所述的功率調(diào)整管的柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4所述的適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，其特征在于電壓取樣部分包括第一管、第二管、第三管，所述的第二管的發(fā)射極與所述的低壓差穩(wěn)壓器的輸出端相連接，所述的第二管的基極與所述的第一管的發(fā)射極相連接，所述的第一管的集電極與所述的第一開關(guān)管的集電極相連接，所述的第一管的基極與所述的緩沖電路的輸入端相連接，所述的第二管的集電極與所述的第三管的集電極和基極相連接，所述的第三管的發(fā)射極接地，所述的第三管的基極為所述的電壓取樣部分的輸出端與所述的第一開 關(guān)管和所述的第二開關(guān)管相連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種適用于無電容型大功率低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，低壓差線性穩(wěn)壓器包括功率調(diào)整管，瞬態(tài)增強(qiáng)電路包括電壓取樣部分和瞬態(tài)增強(qiáng)部分；電壓取樣部分與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端相連接；瞬態(tài)增強(qiáng)部分的輸入端與電壓取樣部分相連接，其輸出端與功率調(diào)整管的柵極相連接；當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載由輕載變化到重載時，瞬態(tài)增強(qiáng)部分拉低功率調(diào)整管的柵極的電位而恢復(fù)被拉低的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓；當(dāng)?shù)蛪翰罘€(wěn)壓器的負(fù)載由重載變化到輕載時，瞬態(tài)增強(qiáng)部分提升功率調(diào)整管的柵極的電位而恢復(fù)被拉升的低壓差穩(wěn)壓器的輸出電壓。本發(fā)明的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)簡單，幾乎不增加低壓差穩(wěn)壓器的靜態(tài)功耗電流，可實(shí)現(xiàn)低壓差穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)。
文檔編號G05F1/56GK102759942SQ201210209269
公開日2012年10月31日 申請日期2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月25日
發(fā)明者李秋麗, 武風(fēng)芹, 白濤, 趙杰, 陳超, 龍善麗 申請人:中國兵器工業(yè)集團(tuán)第二一四研究所蘇州研發(fā)中心