專利名稱：低壓電流鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電流鏡的設(shè)計。
背景技術(shù)：
電流鏡是模擬電路中不可缺少的模塊，它既可以作為偏置單元，也可以作為信號處理單元，其性能對整個電路的實現(xiàn)起著非常關(guān)鍵的作用。圖I是現(xiàn)有的一種MOS電流鏡示意圖，由輸入電流源Iil^P NMOS管M1、M2組成，其中輸入電流源Iin是由電路中的基準電流源產(chǎn)生。圖I的基本原理是保證Ml和M2管的柵源電壓Ves —致，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，從而根據(jù)MOS管的I-V平方律
權(quán)利要求
1.一種低壓電流鏡，具體包括輸入電流源，第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管， 其中， 所述輸入電流源，跨接在第一 PMOS管的漏極和地電位之間； 所述第一 PMOS管的源極和襯底接外部電源電壓，柵極和漏極短接，并接至第二 PMOS管的柵極、第三PMOS管的柵極； 所述第二 PMOS管的源極和襯底接外部電源電壓，漏極接第一 NMOS管漏極； 所述第三PMOS管的源極和襯底接外部電源電壓，漏極接第三NMOS管的漏極。
所述第一 NMOS管的柵漏短接，并接第二 NOMS管的柵極、第四NOMS管的柵極，源極和襯底接地； 所述第二 NMOS管的漏極接第三NMOS管的源極，源極和襯底接地； 所述第三NMOS管的柵極和漏極短接，并接第五NMOS管的柵極，襯底接地； 所述第四NMOS管漏極接第五NMOS管的源極，源極和襯底接地； 所述第五NMOS管的襯底接地，漏極作為所述低壓電流鏡的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低壓電流鏡，其特征在于，所述的第二PMOS管的寬長比與第三PMOS管的寬長比相等。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低壓電流鏡，是針對現(xiàn)有的共源共柵電流鏡的電壓余度浪費了一個閾值電壓，造成的降低輸出電壓擺幅的問題而提出的，包括輸入電流源，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管。本發(fā)明的低壓電流鏡采用共源共柵輸出結(jié)構(gòu)，輸出電阻很大，使得輸出電流受負載的影響較小，從而電流鏡的鏡像精度很高；同時該結(jié)構(gòu)合理利用溝道長度調(diào)制效應(yīng)，相對于共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)，降低了一個閾值電壓的余度，增大了輸出電壓擺幅。
文檔編號G05F3/26GK102809982SQ20121024320
公開日2012年12月5日 申請日期2012年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月13日
發(fā)明者方健, 唐莉芳, 吳杰, 楊毓俊, 黎俐, 陶垠波, 潘福躍, 臧凱旋 申請人:電子科技大學(xué)